显示面板的制作方法与流程

本申请涉及显示领域，特别涉及一种显示面板的制作方法。

背景技术：

纳米材料是一种尺寸介于1纳米～100纳米范围之间的结构单元。由于其具有体积效应、表面效应、量子尺寸效应和宏观量子隧道效应等，因此其在熔点、磁性、光学、导热、导电特性等方面具有独特的性质，在很多领域内都有重要的应用价值

量子点是一种发光效率高、发光峰窄的纳米材料，已经广泛应用于背光产品中。现有的量子点图案化技术主要通过喷墨打印及光刻实现，制备成本高、像素点制备工艺复杂，制约了其大规模推广。

因此，亟需一种新型的量子点图案化技术以解决上述问题。

技术实现要素：

本申请提供一种显示面板的制作方法，以解决现有量子点显示面板制备工艺复杂的技术问题。

为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：

本申请提供一种显示面板的制作方法，其包括：

在第一衬底上形成第一电极层图案；

在所述第一电极层图案及所述第一衬底上涂布纳米颗粒溶液；

提供一形成有第二电极层图案的第二衬底，所述第二衬底与所述第一衬底相对设置，所述第一电极层图案与所述第二电极层图案对应；

所述第一电极层图案及所述第二电极层图案连接电源，对所述纳米颗粒进行图案化处理，形成纳米颗粒层图案；

去除所述第二衬底。

在本申请的制作方法中，

在第一衬底上形成第一电极层图案的步骤包括：

提供一所述第一衬底；

在所述第一衬底上涂布第一金属薄膜层；

利用第一光罩工艺对所述第一金属薄膜层进行图案化处理，使所述第一金属薄膜层形成包括至少两个第一电极单元的所述第一电极层图案。

在本申请的制作方法中，

在所述第一电极层上形成一待图案化层之前，还包括：

在所述第一衬底上形成一连续的挡墙；

其中，所述挡墙位于所述第一衬底的边缘区域，所述第一电极层图案位于所述挡墙内。

在本申请的制作方法中，

所述纳米颗粒溶液覆盖所述第一电极层图案及所述第一衬底，以及所述纳米颗粒溶液的厚度小于所述挡墙的厚度。

在本申请的制作方法中，所述纳米颗粒溶液中的纳米颗粒包括量子点、空穴以及电子中的一种。

在本申请的制作方法中，提供一形成有第二电极层图案的第二衬底，所述第二衬底与所述第一衬底相对设置的步骤包括：

提供一所述第二衬底；

在所述第二衬底上涂布第二金属薄膜层；

利用第二光罩工艺对所述第二金属薄膜层进行图案化处理，使所述第二金属薄膜层形成包括至少两个第二电极单元的所述第二电极层图案。

在本申请的制作方法中，所述第二电极单元在第一电极单元的正投影与所述第一电极单元重合。

在本申请的制作方法中，

所述纳米颗粒层图案包括至少两个纳米颗粒单元；

一所述纳米颗粒单元与一所述第一电极单元或/和一所述第二电极单元对应；

所述纳米颗粒单元的图案与所述第一电极单元及所述第二电极单元的图案相同。

在本申请的制作方法中，所述第一电极层图案及所述第二电极层图案连接电源，对所述纳米颗粒进行图案化处理，形成纳米颗粒层图案的步骤包括：

所述第一电极层图案及所述第二电极层图案通入交流电流，在所述第一电极层图案与第二电极层图案之间形成交流电场；

所述交流电场使所述纳米颗粒溶液中的纳米颗粒汇聚在所述第一电极层图案与所述第二电极层图案之间；

利用预定工艺去除所述纳米颗粒溶液中的溶剂，以形成纳米颗粒层图案。

在本申请的制作方法中，利用预定工艺去除所述纳米颗粒溶液中的溶剂的步骤包括：

利用加热或抽真空去除所述纳米颗粒溶液中的溶剂；或者

在所述纳米颗粒溶液中添加反应单体，并通过加热或紫外光固化以去除所述纳米颗粒溶液中的溶剂。

有益效果：本申请通过第一电极层图案与第二电极层图案之间形成交流电场，以及调节该交流电场的电场强度及频率使包含有量子点的溶液层中的量子点形成预定图案，降低了量子点图案化处理的工艺难度，提高了生产效率。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请显示面板制作方法的步骤图；

图2a～图2g为本申请显示面板制作方法的工艺步骤图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。使用的方向用语是用以说明及理解本申请，而非用以限制本申请。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

在现有技术中，量子点图案化的技术一般主要包括喷墨打印及光刻两种。而由于上述两种技术都存在一定的限制，并且工艺比较复杂，导致上述两种图案化技术无法在商业上大规模应用。

请参阅图1及图2a～2g，所述显示面板100的制作方法包括：

s10、在第一衬底11上形成第一电极层图案12；

请参阅图2a，步骤s10具体包括：

s101、提供一所述第一衬底11；

本步骤中的所述第一衬底11的原材料可以为玻璃基板、石英基板、树脂基板等，或其他阿德硬质绝缘膜材、软质绝缘膜材，本申请不作具体的限制。

s102、在所述第一衬底11上形成第一金属薄膜层；

本步骤上可以通过溅射等工艺在所述第一衬底11上形成所述第一金属薄膜层。所述第一金属薄膜层的材料可以包括氧化铟锡、石墨烯或其他金属及金属硫化合物构成的导电材料，本申请不作具体的限制。

s103、利用第一光罩工艺对所述第一金属薄膜层图案化处理，使所述第一金属薄膜层形成至少两第一电极单元121的所述第一电极层图案12；

本步骤主要通过在所述第一金属薄膜层上涂布一光阻层，以及采用掩模板对该光阻层曝光、显影形成预定的光阻图案，以及根据所述光阻图案对所述第一金属薄膜层进行蚀刻工艺，使所述第一金属薄膜层形成至少两第一电极单元121，以及剥离所述光阻图案，完成所述第一金属薄膜层的构图工艺。

在本实施例中，所述蚀刻工艺可以为湿法蚀刻，利用酸性溶液对金属层进行构图。

s20、在所述第一衬底11上形成一连续的挡墙13；

请参阅图2b及图2c，图2c为图2b的俯视结构图。

在本实施例中，所述挡墙13可以位于所述第一衬底11的边缘区域。所述挡墙13的边缘可以与所述第一衬底11的边缘对齐。

所述第一电极层图案12位于所述挡墙13所形成的环形区域内。所述挡墙13与所述第一衬底11形成一凹槽，避免后续所述纳米颗粒溶液14溢出。

s30、在所述第一电极层图案12及所述第一衬底11上涂布纳米颗粒溶液14；

请参阅图2d，本步骤中的所述纳米颗粒溶液14为包括多个纳米颗粒的溶液。该纳米颗粒均匀的分布于所述纳米颗粒溶液14的溶剂中。

在本实施例中，所述纳米颗粒可以包括量子点、空穴、电子或其他带电荷或不带电荷的无机纳米颗粒、贵金属纳米颗粒、胶体纳米片或胶体纳米棒等，本申请不作具体限制。

在本实施例中，所述纳米颗粒溶液14可以为量子点溶液。

所述量子点溶液包括量子点和分散剂。

所述量子点可以包括发光核和无机保护壳层。

在本实施例中，所述发光核的材料可以包括zncdse2，inp，cd2sse，cdse，cd2sete，inas等中的一种或一种以上的组合。

在本实施例中，所述无机保护壳层的材料可以包括cds，znse，zncds2，zns，zno等中的一种或一种以上的组合。

所述量子点还可以包括其他高稳定性复合量子点，例如水凝胶装载量子点结构cdse-sio2、以及钙钛矿量子点等。

所述量子点还可以包括量子点表面配体，例如常见的qd有机配体(胺/酸/巯醇/有机磷等)。

在本实施例中，所述分散剂可以包括无色透明的低沸点/易挥发有机/无机试剂。

在本实施例中，所述纳米颗粒溶液14覆盖所述第一电极层图案12及所述第一衬底11。

在本实施例中，由于所述纳米颗粒溶液14以溶液的形式存在，为了保证所述纳米颗粒溶液14位于所述第一衬底11上，所述纳米颗粒溶液14的厚度应当小于所述挡墙13的厚度，避免该溶液溢出。

s40、提供一形成有第二电极层图案22的第二衬底21，所述第二衬底21与所述第一衬底11相对设置，所述第一电极层图案12与所述第二电极层图案22对应

请参阅图2e，步骤s40具体包括：

s401、提供一所述第二衬底21；

在本实施例中，所述第二衬底21的材料可以与所述第一衬底11的材料相同，此处不再赘述。

s402、在所述第二衬底21上形成第二金属薄膜层；

本步骤上可以通过溅射等工艺在所述第二衬底21上形成所述第二金属薄膜层。所述第二金属薄膜层的材料可以包括氧化铟锡、石墨烯或其他金属及金属硫化合物构成的导电材料，本申请不作具体的限制。

s403、利用第二光罩工艺对所述第二金属薄膜层图案化处理，使所述第二金属薄膜层形成至少两第二电极单元221的所述第二电极层图案22；

本步骤主要通过在所述第二金属薄膜层上涂布一光阻层，以及采用掩模板对该光阻层曝光、显影形成预定的光阻图案，以及根据所述光阻图案对所述第二金属薄膜层进行蚀刻工艺，使所述第二金属薄膜层形成至少两第二电极单元221，以及剥离所述光阻图案，完成所述第二金属薄膜层的构图工艺。

s404、将所述第二衬底21与所述第一衬底11相对设置，使所述第一电极层图案12与所述第二电极层图案22对应；

请参阅图2e，本步骤将所述第一衬底11与所述第二衬底21相对设置，所述第一电极单元121与所述第二电极单元221对应。

在本实施例中，一所述第一电极单元121与一所述第二电极单元221对应。

在本实施例中，请参阅图2f，所述第二电极单元221在所述第一电极单元121的正投影与所述第一电极单元121重合。

在一种实施例中，所述第一电极单元121与所述第二电极单元221的大小可以相同或不同，本申请不作具体限制。

s50、所述第一电极层图案12及所述第二电极层图案22连接电源，对所述纳米颗粒溶液进行图案化处理，形成纳米颗粒层图案140；

请参阅图2e，步骤s50具体包括：

s501、所述第一电极层图案12及所述第二电极层图案22通入交流电流，以在所述第一电极层图案12与所述第二电极层图案22之间形成交流电场；

s502、所述交流电场使所述纳米颗粒溶液14中的纳米颗粒汇聚在所述第一电极层图案12与所述第二电极层图案22之间；

s503、利用预定工艺去除所述纳米颗粒溶液14中的溶剂，以形成纳米颗粒层图案140；

在上述步骤中，本实施例通过在所述第一电极层图案12及所述第二电极层图案22上施加交流电流，以使所述第一电极层图案12与所述第二电极层图案22之间形成交流电场。而交流电场所产生的介电力以及电渗作用使得量子点聚集在电场中间，而通过对所述第一电极单元121及所述第二电极单元221图案化设计，使得所述纳米颗粒溶液14中的纳米颗粒形成与所述第一电极单元121及所述第二电极单元221相同的图案。

在本实施例中，所述纳米颗粒层图案140包括至少两个纳米颗粒单元141。一所述纳米颗粒单元141与一所述第一电极单元121或/和一所述第二电极单元221对应。

在本实施例中，所述纳米颗粒单元141的图案与所述第一电极单元121及所述第二电极单元221的图案相同。

在本实施例中，量子点均匀分散在分散剂中，当所述第一电极层图案12与所述第二电极层图案22之间形成交流电场后，量子点立刻聚集在电极之间。

在电场强度为10v/μm时，当改变交流电场的频率时，量子点的聚集位置和程度也会发生变化。例如，在频率小于6khz时，量子点将分散在整个电极之间，呈现长条形；当频率在6khz到100khz之间时，量子点呈现为短条状或点状；当频率超过100khz时，量子点将不在聚集。

同理，当改变交流电场的强度时，量子点的分布规律同样发生改变。因此在实际操作中，需要对该交流电场的强度及频率进行一定的调整，以对量子点的聚集状态进行调节。

因此，本申请的量子点图案化处理需要在第一电极单元121、第二电极单元221的图案化设计、以及所述第一电极层图案12与所述第二电极层图案22之间交流电场的强度与频率同步调节以形成预定的图案。

请参阅图2g，由于本申请中纳米颗粒均匀分散在对应的溶剂中，因此为了保证纳米颗粒的图案化制备，需要去除所述纳米颗粒溶液14中的溶剂。

在步骤s503中，本申请中的预定工艺可以包括：

利用加热或抽真空去除所述纳米颗粒溶液中的溶剂；或者

在所述纳米颗粒溶液中添加反应单体，并通过加热或紫外光固化以去除所述纳米颗粒溶液中的溶剂。

在本实施例中，由于交流电场所会的介电力，因此即使该纳米颗粒为非带电荷粒子，该类粒子同样受到介电力的作用。

s60、去除所述第二衬底21。

请参阅图2g，本申请所述第二衬底21及所述第二衬底21上的第二电极层图案22为形成该交流电场的工具，在后续结构中不需要上述结构，因此可以移除。

所述挡墙13的制备主要用于避免所述纳米颗粒溶液14溢出，因此在完成所述纳米颗粒层图案140的制备后，所述挡墙13也可以移除。

本申请还提出了一种显示面板，其中，所述显示面板由上述显示面板的制作方法制备。所述显示面板包括背光源极位于所述背光源上的显示屏。

所述背光源包括第一衬底、位于所述第一衬底上的第一电极层图案、位于所述第一电极层图案上的纳米颗粒层图案以及位于所述第一衬底及所述纳米颗粒层图案上的光学膜片等。

本申请提出了一种显示面板的制作方法，包括在第一衬底上形成第一电极层图案；在该第一电极层图案及该第一衬底上涂布纳米颗粒溶液；提供一形成有第二电极层图案的第二衬底，该第二衬底与该第一衬底相对设置，该第一电极层图案与该第二电极层图案对应；该第一电极层图案及该第二电极层图案连接电源，对该纳米颗粒进行图案化处理，形成纳米颗粒层图案。本申请通过第一电极层图案与第二电极层图案之间形成交流电场，以及调节该交流电场的电场强度及频率使包含有量子点的溶液层中的量子点形成预定图案，降低了量子点图案化处理的工艺难度，提高了生产效率。

综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。