1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
第一基底，所述第一基底具有第一面，所述第一基底内具有1层以上第一散热层及1个以上第一热转电结构，所述第一散热层与所述第一热转电结构相连；
与所述第一基底键合的第二基底，所述第二基底具有第二面，且所述第二面朝向所述第一面。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一基底内还具有第一功能电路，所述第一热转电结构与所述第一功能电路电互连。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一功能电路包括晶体管，所述第一热转电结构与所述晶体管的源极电互连。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在垂直于所述第一面的方向上，所述第一基底的电路至所述第一面的距离大于所述第一散热层至所述第一面的距离。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一热转电结构包括第一热转电层及第二热转电层，且所述第一热转电层与所述第二热转电层相连。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第一热转电层的材料包括铂铑、镍铬、铁和铜中的一种或多种的组合。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第二热转电层的材料包括铂、镍硅、镍铝和康铜中的一种或多种的组合。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一基底内还具有第一互连结构，所述第一互连结构用于将所述第一散热层与所述第一热转电结构相连。
9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第一互连结构包括插塞结构和互连层结构中的一种或多种的组合。
10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一散热层的材料包括铜、铝、石墨烯、钛、氮化钛和钨中的一种或多种的组合。
11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二基底内具有1层以上第二散热层和1个以上第二热转电结构，所述第二散热层和所述第二热转电结构相连。
12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第二基底内还具有第二功能电路，所述第二热转电结构与所述第二功能电路电互连。
13.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二基底内具有1层以上第二散热层，所述第二散热层用于将所述半导体结构内的热量传导至所述半导体结构外部。
14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第二基底具有与所述第二面相对的第三面，以及位于所述第二基底内的第三散热结构，所述第三面暴露出所述第三散热结构表面，且所述第二散热层与所述第三散热结构相连。
15.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述第二基底包括若干相互分立的第二芯片区，以及位于相邻的所述第二芯片区之间的切割道，至少部分所述第二散热层位于所述第二芯片区内，所述切割道内具有保护环结构，且所述第二散热层与所述保护环结构相连。
16.一种形成如上述权利要求1至15中任一所述半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供第一基底，所述第一基底具有第一面，所述第一基底内具有1层以上第一散热层及1个以上第一热转电结构，所述第一散热层与所述第一热转电结构相连；
提供第二基底，所述第二基底具有第二面；
将所述第二基底第二面朝向所述第一基底第一面键合。