1.一种oled器件，其特征在于，包括：
发光层；
绝缘层，设于所述发光层一侧的表面，所述绝缘层设有通孔，所述通孔与所述发光层中部相对设置；
电子传输层，设于所述通孔的下部，且贴附于所述发光层表面；以及
电子注入层，设于所述通孔的上部，且贴附于所述电子传输层远离所述发光层一侧的表面。
2.如权利要求1所述的oled器件，其特征在于，
所述电子传输层贴附于所述通孔下部的底壁和侧壁；
所述电子注入层贴附于所述电子传输层表面和所述通孔上部的侧壁。
3.如权利要求1所述的oled器件，其特征在于，
所述电子传输层的厚度与所述电子注入层的厚度之和小于或等于所述绝缘层的厚度。
4.如权利要求1所述的oled器件，其特征在于，
所述绝缘层的厚度为11～35nm。
5.如权利要求1所述的oled器件，其特征在于，
所述绝缘层的材质包括空穴传输类材料或电子阻挡类材料。
6.如权利要求1所述的oled器件，其特征在于，还包括
基板；
阳极，设于所述基板一侧的表面；
空穴注入层，设于所述阳极远离所述基板一侧的表面；以及
空穴传输层，设于所述空穴注入层远离所述基板一侧的表面；
其中，所述发光层设于所述空穴传输层远离所述基板一侧的表面。
7.如权利要求1所述的oled器件，其特征在于，还包括
阴极，设于所述电子注入层及所述绝缘层远离所述基板一侧的表面；以及
光取出层，设于所述阴极远离所述基板一侧的表面。
8.一种oled器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
发光层制备步骤，制备一发光层；
绝缘层制备步骤，在所述发光层上表面制备一绝缘层，所述绝缘层形成通孔，所述通孔与所述发光层中部相对设置；
电子传输层制备步骤，填充所述通孔的下部，形成一电子传输层，所述电子传输层贴附所述发光层的上表面；以及
电子注入层制备步骤，填充所述通孔的上部，形成一电子注入层，所述电子注入层贴附于所述电子传输层上表面。
9.如权利要求8所述的oled器件制备方法，其特征在于，
在所述电子传输层制备步骤中，
所述电子传输层贴附于所述通孔下部的底壁和侧壁；
在所述电子注入层制备步骤中，所述电子注入层贴附于所述电子传输层表面和所述通孔上部的侧壁。
10.如权利要求8所述的oled器件制备方法，其特征在于，
在所述发光层制备步骤中，采用喷墨打印方式制备发光层，并对所述发光层进行抽气烘干处理；
在所述绝缘层制备步骤中，采用金属掩膜板蒸镀方式制备所述绝缘层；
在所述电子传输层制备步骤中，采用喷墨打印方式或全蒸镀制备所述电子传输层；
在所述电子注入层制备步骤中，采用喷墨打印方式或全蒸镀制备所述电子注入层。