OLED器件及其制备方法与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种oled器件及其制备方法。

背景技术：

有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)显示器，也称为有机电致发光显示器，是一种新兴的平板显示装置，由于其具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应时间短、清晰度与对比度高、宽视角、使用温度范围宽，可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点，被业界公认为是最有发展潜力的显示装置。

在amoled器件中，oled部分通常包括：基板、设于基板上的阳极anode、设于阳极上的空穴注入层(holeinjectionlayer，hil)、设于空穴注入层上的空穴传输层(holetransportlayer，htl)、设于空穴传输层上的发光层eml(emittinglight)、设于发光层上的电子传输层(electrontransportlayer，etl)、设于电子传输层上的电子注入层(electroninjectionlayer，eil)及设于电子注入层上的阴极cathode，设于阴极层上的光取出层cap。

目前，oled器件的各层制作工艺有真空蒸镀技术和喷墨打印技术，这两种技术都有各自的优缺点。其中，真空蒸镀技术存在金属掩膜板多、材料利用率低等缺点。喷墨打印技术难以使得形成oled器件的膜层厚度均一，因此对喷墨精度要求甚高。此外，基板上表面的像素定义层的形貌也会影响oled器件的膜厚。像素定义层设有像素定义层凹槽，oled器件设于像素定义层凹槽内。在喷墨打印oled器件的膜层过程中，通过采用喷墨打印的方式在凹槽内制备膜层，从而完成oled器件的制备工艺。但由于像素定义层凹槽具有一定的坡度，且所述像素定义层的槽壁上凹凸不平，因此，所述像素定义层凹槽会影响喷墨打印的精度，无法使得被喷墨打印在坡度上的墨水均匀分布，导致oled器件的膜层厚度不均一，从而导致oled器件亮度不均、漏电流等器件问题。

技术实现要素：

本发明的一个目的在于，提供一种oled器件及其制备方法，以解决oled器件在真空蒸镀过程中存在金属掩膜板多、材料利用率低的技术问题。

本发明的另一个目的在于，提供一种oled器件及其制备方法，像素定义层的形貌导致后续形成oled器件的膜层不均一，从而导致oled器件亮度不均、漏电流等器件问题。

为实现上述目的，本发明提供一种oled器件，包括发光层、绝缘层、电子传输层以及电子注入层；所述绝缘层设于所述发光层一侧的表面，所述绝缘层设有通孔，所述通孔与所述发光层中部相对设置；所述电子传输层设于所述通孔的下部，且贴附于所述发光层表面；以及所述电子注入层设于所述通孔的上部，且贴附于所述电子传输层远离所述发光层一侧的表面。

进一步地，所述电子传输层贴附于所述通孔下部的底壁和侧壁；所述电子注入层贴附于所述电子传输层表面和所述通孔上部的侧壁。

进一步地，所述电子传输层的厚度与所述电子注入层的厚度之和小于或等于所述绝缘层的厚度。

进一步地，所述绝缘层的厚度为11～35nm。

进一步地，所述绝缘层的材质包括空穴传输类材料或电子阻挡类材料。

进一步地，所述的oled器件还包括基板、阳极、空穴注入层以及空穴传输层；所述阳极设于所述基板一侧的表面；所述空穴注入层设于所述阳极远离所述基板一侧的表面；以及所述空穴传输层设于所述空穴注入层远离所述基板一侧的表面；其中，所述发光层设于所述空穴传输层远离所述基板一侧的表面。

进一步地，所述的oled器件还包括阴极以及光取出层，所述阴极设于所述电子注入层及所述绝缘层远离所述阳极一侧的表面；所述光取出层设于所述阴极远离所述阳极一侧的表面。

进一步地，一种oled器件制备方法，包括如下步骤：发光层制备步骤，制备一发光层；绝缘层制备步骤，在所述发光层上表面制备一绝缘层，所述绝缘层形成通孔，所述通孔与所述发光层中部相对设置；电子传输层制备步骤，填充所述通孔的下部，形成一电子传输层，所述电子传输层贴附所述发光层的上表面；以及电子注入层制备步骤，填充所述通孔的上部，形成一电子注入层，所述电子注入层贴附于所述电子传输层上表面。

进一步地，在所述电子传输层制备步骤中，所述电子传输层贴附于所述通孔下部的底壁和侧壁；在所述电子注入层制备步骤中，所述电子注入层贴附于所述电子传输层表面和所述通孔上部的侧壁。

进一步地，在所述发光层制备步骤中，采用喷墨打印方式制备发光层，并对所述发光层进行抽气烘干处理；在所述绝缘层制备步骤中，采用金属掩膜板蒸镀方式制备所述绝缘层；在所述电子传输层制备步骤中，采用喷墨打印方式或全蒸镀制备所述电子传输层；在所述电子注入层制备步骤中，采用喷墨打印方式或全蒸镀方式制备所述电子注入层。

本发明的技术效果在于，提供一种oled器件及其制备方法，在oled器件中设置绝缘层，用于打印oled器件各膜层的像素，可以精确定义像素区域，从而确保oled器件的发光均一，防止oled器件产生漏电流，提升oled器件的良率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为实施例1所述oled器件的结构示意图；

图2为实施例1所述oled器件设于基板上的结构示意图；

图3为实施例1所述oled器件的制备方法的流程图。

附图部件标识如下：

1阳极；2空穴注入层；

3空穴传输层；4发光层；

5绝缘层；6电子传输层；7电子注入层；

8阴极；9光取出层；10基板；100像素定义层；110像素槽；

101通孔。

具体实施方式

以下参考说明书附图介绍本发明的优选实施例，用以举例证明本发明可以实施，这些实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，使得本发明的技术内容更加清楚和便于理解。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。

如图1～2所示，本实施例提供一种oled器件，包括基板10、阳极1、空穴注入层2、空穴传输层3、发光层4、绝缘层5、电子传输层6、电子注入层7、阴极8以及光取出层9。

基板10上表面设有凹凸起伏的像素定义层100，像素定义层100包括多个像素槽110。

阳极1，贴附基板10上表面，位于像素槽110内。阳极1的材质优选为氧化铟锡、氧化铟锌、银、铝中的一种，其厚度为50～200nm。其中，采用溅射成膜工艺及黄光工艺在所述阵列基板上表面制备图案化的阳极1。

空穴注入层2设于阳极1上表面，其材质为墨水，厚度为15～30nm。采用喷墨打印方式将墨水滴入oled像素，然后对所述墨水进行抽气烘干处理，形成空穴注入层2。

空穴传输层3设于所述空穴注入层2上表面，其材质为墨水，厚度为10～20nm。采用喷墨打印方式将墨水滴入oled像素，然后对所述墨水进行抽气烘干处理，形成空穴传输层3。

发光层4设于空穴传输层3上表面，其材质为墨水，厚度为30～80nm。采用喷墨打印方式将红、绿、蓝墨水分别滴入oled像素，然后对发光层4进行抽气烘干处理，最后形成红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素，从而使得显示面板具有显像的功能。

绝缘层5设于发光层4上表面，绝缘层5设有通孔101，通孔101与发光层4中部相对设置。绝缘层5的材质包括空穴传输类材料或电子阻挡类材料，所述空穴传输类材料与所述电子阻挡类材料为有机绝缘材料，可以有效控制发光区域及oled器件电压。采用金属掩膜板蒸镀方式在各子像素边缘制作绝缘层5，其厚度为11～35nm，优选为20nm、25nm、28nm、29nm。本实施例中，绝缘层5材质可以与像素定义层100的材质一样，只要能起到保证像素发光均一即可。

电子传输层6设于通孔101的下部，且贴附于发光层4的上表面。在通孔101的下部采用喷墨打印方式或采用全蒸镀方式将墨水滴入oled像素，形成厚度为10～30nm的电子传输层6。

电子注入层7设于通孔101的上部，且贴附于电子传输层6。在通孔101的上部采用喷墨打印方式或采用全蒸镀方式将墨水滴入oled像素，形成厚度为1～5nm的电子注入层7。

阴极8设于电子注入层7及绝缘层5的上表面。阴极8材质包括但不限于银、透明导电二元氧化物(izo)，厚度10～20nm。

光取出层9设于阴极8的上表面。光取出层9的材质为有机材料，其厚度为40～100nm。光取出层9具有较高的折射率，折射率可达到1.77～1.85，发光效率可达到33～41cd/a，是一种优异的oled材料。

本实施例中，绝缘层5的宽度根据oled器件像素结构设计，其宽度一般为1～5um，所述电子传输层6的厚度与所述电子注入层7的厚度之和小于或等于所述绝缘层5的厚度，可以使得所述绝缘层5有效定义oled发光像素。从图2可以看出，一像素槽110内侧壁设有两绝缘层5，两绝缘层5的宽度小于像素槽110的底壁宽度。优选地，两绝缘层5的宽度比像素槽110的底壁宽度小3～10um，在打印像素的过程中，保证oled器件各膜层的像素均一，防止各膜层边缘处的像素分布不均匀，从而防止oled器件发生短路或漏电流等问题。

与现有技术相比，本实施例提供一种oled器件，通过在oled器件内设置绝缘层，可以不用考虑像素定义层的像素槽的坡度影响oled器件的膜层厚度不均匀，导致像素发光不均一及器件不良等现象。在oled器件中设置绝缘层，用于打印oled器件各膜层的像素，可以精确定义像素区域，从而确保oled器件的发光均一，防止oled器件产生漏电流，提升oled器件的良率。

如图3所示，本实施例还提供一种oled器件制备方法，包括如下步骤s1)～s9)。

s1)阳极制备步骤，制备一阳极。通常地，采用溅射成膜工艺及黄光工艺在一基板上表面制备图案化的阳极。所述基板上表面设有凹凸起伏的像素定义层，所述像素定义层包括多个像素槽。所述阳极贴附所述基板上表面，位于所述像素槽内。所述阳极的材质优选为氧化铟锡、氧化铟锌、银、铝中的一种，其厚度为50～200nm。

s2)空穴注入层制备步骤，在所述阳极上表面制备一空穴注入层。具体地，采用喷墨打印方式将墨水滴入oled像素，然后对所述墨水进行抽气烘干处理，形成空穴注入层。所述空穴注入层的材质为墨水，厚度为15～30nm。

s3)空穴传输层制备步骤，在所述空穴注入层制备一空穴传输层。具体地，采用喷墨打印方式将墨水滴入oled像素，然后对所述墨水进行抽气烘干处理，形成空穴传输层。所述空穴传输层的材质为墨水，厚度为10～20nm。

s4)发光层制备步骤，制备一发光层。具体地，采用喷墨打印方式制备发光层，并对所述发光层进行抽气烘干处理；

其材质为墨水，厚度为30～80nm。采用喷墨打印方式将红、绿、蓝墨水分别滴入oled像素，然后对发光层4进行抽气烘干处理，最后形成红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素，从而使得显示面板具有显像的功能。

s5)绝缘层制备步骤，在所述发光层上表面制备一绝缘层，所述绝缘层形成通孔，所述通孔与所述发光层中部相对设置。具体地，采用金属掩膜板蒸镀方式在所述发光层上表面制备所述绝缘层。所述绝缘层的材质包括空穴传输类材料或电子阻挡类材料，所述空穴传输类材料与所述电子阻挡类材料为有机绝缘材料，可以有效控制发光区域及oled器件电压。绝缘层5厚度为11～35nm，优选为20nm、25nm、28nm、29nm。

s6)电子传输层制备步骤，填充所述通孔的下部，形成一电子传输层，所述电子传输层贴附所述发光层的上表面。所述电子传输层贴附于所述通孔下部的底壁和侧壁。在所述通孔下部采用喷墨打印方式或全蒸镀方式将墨水滴入oled像素，形成厚度为10～30nm的所述电子传输层。

s7)电子注入层制备步骤，填充所述通孔的上部，形成一电子注入层，所述电子注入层贴附于所述电子传输层上表面。具体地，采用喷墨打印方式或全蒸镀方式将墨水滴入oled像素，形成所述电子注入层。所述电子注入层贴附于所述电子传输层表面和所述通孔上部的侧壁。所述电子注入层的材质为墨水或有机材料，厚度为1～5nm。

本实施例中所述绝缘层的宽度根据oled器件像素结构设计，其宽度一般为1～5um，所述电子传输层的厚度与所述电子注入层的厚度之和小于或等于所述绝缘层的厚度，可以使得所述绝缘层有效定义oled发光像素。在一像素槽的内侧壁设有两所述绝缘层，两所述绝缘层的宽度小于所述像素槽的底壁宽度。优选地，所述两绝缘层的宽度比所述像素槽的底壁宽度小3～10um，在打印像素的过程中，保证oled器件各膜层的像素均一，防止各膜层边缘处的像素分布不均匀，从而防止oled器件发生短路或漏电流等问题。

s8)阴极制备步骤，在所述电子注入层及所述绝缘层上表面制备阴极。阴极8材质包括但不限于银、透明导电二元氧化物(izo)，厚度10～20nm。

s9)光取出层制备步骤，在所述阴极上表面制备光取出层。所述光取出层的材质为有机材料，其厚度为40～100nm。所述光取出层具有较高的折射率，折射率可达到1.77～1.85，发光效率可达到33～41cd/a，是一种优异的oled材料。

本实施例提供一种oled器件制备方法，一方面，oled器件采用喷墨打印及真空蒸镀方式结合，可以规避真空蒸镀技术或者喷墨打印技术各自的缺点，发挥各自技术优势，放大器件制作工艺窗口，提高器件量产可行性；另一方面，在oled器件中设置绝缘层，用于打印oled器件各膜层的像素，可以精确定义像素区域，从而确保oled器件的发光均一，防止oled器件产生漏电流，提升oled器件的良率。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。