1.一种工艺腔室，包括腔体及设于所述腔体内的静电夹盘，所述静电夹盘包括金属基座及托盘，所述托盘固定于所述金属基座上，用于吸附晶圆，所述静电夹盘开设多个升降孔，所述升降孔贯穿所述金属基座及所述托盘，每个所述升降孔内设有可升降的升降销，所述升降销用于将所述晶圆顶离所述托盘，所述升降销包括主体及盖部，所述盖部包括顶部及与所述顶部相连接的侧壁，所述顶部与所述侧壁形成一供所述主体的顶端插入的容置空间，其特征在于：所述盖部的高度大于所述托盘的厚度。
2.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于：所述盖部的高度比所述托盘的厚度为多30％至50％。
3.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于：所述盖部的直径比所述升降孔的内径小0.1～0.2mm。
4.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于：所述盖部由绝缘材料制成，所述托盘由绝缘材料制成。
5.如权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于：所述托盘与所述盖部的材料相同。
6.如权利要求5所述的工艺腔室，其特征在于：所述托盘及所述盖部的材料为三氧化二铝陶瓷，所述金属基座的材料为铝或铝的合金。
7.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于：所述托盘通过胶接方式固定于所述金属基座上。
8.如权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于：所述盖部为一体成型，所述盖部的所述侧壁面向所述容置空间的表面上设有螺纹，所述主体的顶端相应设有螺纹以与所述盖部螺纹连接。
9.一种晶圆传输方法，应用于权利要求1-8任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
将晶圆放至静电夹盘上，所述静电夹盘吸附住所述晶圆；
所述晶圆与所述静电夹盘分离时，控制所述升降销上升将所述晶圆顶离所述静电夹盘；
其中，所述升降销上升的高度小于所述盖部的高度。
10.一种工艺腔室清洁方法，应用于权利要求1-8任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，清洁所述工艺腔室时，保持所述升降销的所述盖部至少有部分对应于所述金属基座及所述托盘的交界处。