单晶压电结构及具有其的电子设备的制作方法

本发明的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种单晶压电结构，以及一种具有该结构的电子设备。

背景技术：

mems(micro-electro-mechanicalsystem)是微机电系统的简称。mems器件内部结构尺寸一般是微米或纳米级别，同时mems是一个独立的智能系统。mems器件能够将一种形式的能量转换为另一种形式的能量，如将电能转化为机械能或者机械能转化为电能。本发明中所涉及到的mems换能器是指能将声波的机械能和电能相互转换的换能器。一般来说，mems器件需要压电材料实现不同形式的能量转换。当在压电材料上施以交变电场时，压电材料将按所施交变电场的频率而振动，若所施交变电场的频率刚好是该mems器件的谐振频率，则振幅值将大大增加，在该频率处具有更高的能量转换效率，当mems器件作为换能器时具有较大的发射灵敏度。另一方面，当声波传至压电材料上，将引起压电材料的振动和形变，这一振动又将在压电材料的两端电极上引起交变的电荷分布，当声波频率是在mems器件的谐振频率点时，在该频率处具有更高的能量转换效率，当mems器件作为换能器时具有较大的接收灵敏度。

传统的压电mems器件的压电薄膜材料大多采用磁控溅射等物理或化学沉积技术制备，为多晶压电薄膜，其压电特性较差(主要体现为机电耦合系数较低)，缺陷密度较高(主要体现为品质因数较低)，散热性不佳(主要体现为功率容量较低)，而且晶向选择有限(无法选择器件设计的最优晶向和压电系数)。这些缺陷导致多晶压电mems器件性能不够好，如q值不高、灵敏度不高、插入损耗较高等。

此外，如何合理连接不同电极、电学隔离电极，例如如何在隔离中间电极的情况下电学连接顶电极和底电极，也需要解决。

技术实现要素：

为缓解或解决现有技术中的上述问题的至少一个方面，提出本发明。

根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种单晶压电结构，包括：

多个压电层，每一个压电层为单晶压电层；

多个电极，每个压电层的上下两侧设置有电极，所述多个压电层与所述多个电极共同形成在单晶压电结构的厚度方向上层叠的层叠结构；

基底，层叠结构设置在基底上；

声学镜，位于层叠结构的下方，

其中：

所述多个压电层、多个电极与声学镜在压电层的厚度方向上的重叠区域构成所述单晶压电结构的有效区域；

每一个电极具有与其同层布置的电极连接部；

多个电极中除了位于顶层的顶电极之外，其他电极中的至少一个电极的电极连接部上侧的层结构被移除以露出该电极连接部。

本发明的实施例还涉及一种电子设备，包括上述的单晶压电结构。

附图说明

以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：

图1为根据本发明的一个示例性实施例的单晶压电mems器件的剖面示意图；

图2为根据本发明的一个示例性实施例的单晶压电耦合谐振滤波器的剖面示意图；

图3为图2中的单晶压电耦合谐振滤波器的示意性俯视图；

图4为根据本发明的一个示例性实施例的单晶压电mems器件的剖面示意图，其中设置有跨接电极引脚；

图5为根据本发明的一个示例性实施例的单晶压电mems器件的剖面示意图，其中设置有跨接电极引脚；

图6为根据本发明的一个示例性实施例的单晶压电mems器件的剖面示意图，其中设置有跨接电极引脚；

图7为根据本发明的一个示例性实施例的单晶压电mems器件的剖面示意图，其中设置有跨接电极引脚；

图8为根据本发明的一个示例性实施例的单晶压电耦合谐振滤波器的剖面示意图；

图9为沿图8中的a-a向获得的单晶压电耦合谐振滤波器的剖面示意图；

图10为根据本发明的另一个示例性实施例的单晶压电耦合谐振滤波器的剖面示意图。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。

本发明提出了一种利用单晶压电薄膜材料的mems器件结构。单晶压电薄膜材料能够弥补传统多晶压电薄膜材料中所存在的不足，由其加工制作的压电mems其具有更大的机电耦合系数、更高的q值、更高的功率容量、更高的灵敏度、更低的插入损耗等。本发明中所提出的器件结构是一种适用于多种单晶压电mems器件的通用性结构，可用于单晶压电mems超声波换能器(ultrasonictransducers)、单晶压电mems麦克风(microphone)、单晶压电mems扬声器(speaker)和单晶压电mems水听器(hydrophone)、单晶压电耦合谐振滤波器(coupledresonatorfilter)等。由于单晶压电薄膜的制备方式与传统多晶压电薄膜不同，单晶压电mems器件的制造方法、器件结构等也与传统多晶压电mems器件有很大区别。

图1为根据本发明的一个示例性实施例的单晶压电mems器件的剖面示意图。图1中，01为器件的基底；10为器件底部的空腔结构，在本实施例中，空腔结构为穿过基底的通孔，10为器件的声学镜结构，其也可以是其他等效形式；02为器件的底电极；03为器件的第一单晶压电层；04为器件的中间电极；05为器件的第二单晶压电层；06为器件的顶电极；a为中间电极连接部；b为底电极连接部。

在本发明中，第一单晶压电层和第二单晶压电层的材料可以都为单晶铌酸锂(linbo3)材料。也可以为其他材料，例如单晶钽酸锂(litao3)、单晶氮化铝(aln)、石英(quartz)、单晶锆钛酸铅(pzt)、铌镁酸铅-钛酸铅(pmn-pt)中的至少一种。在本发明中，电极组成材料可以是钼、钌、金、铝、镁、钨、铜，钛、铱、锇、铬或以上金属的复合或其合金等。基底可以为硅(si)、单晶铌酸锂(linbo3)、碳化硅(sic)、蓝宝石(al2o3)、石英(quartz)等。

此外，在图1中，顶电极、第二单晶压电层、中间电极、第一单晶压电层、底电极和空腔在垂直方向上重叠的区域为器件的有效区域，如图1中d区域所示。

为了提高单晶压电mems器件的性能，如提高能量转化效率，也为了便于合理连接电极等，在本发明中，上层薄膜结构的面积始终小于等于下层薄膜结构的面积。可以通过光刻、刻蚀等加工方法，先将顶电极06、第二单晶压电层05右侧的一部分去除掉，露出中间电极04的一部分作为中间电极连接部a；再将顶电极06、第二单晶压电层05、中间电极04和第一单晶压电层03左侧的一部分刻蚀掉，露出底电极02的一部分作为底电极连接部b。此外，对于图2中所示的结构，也可以采用与上面类似的方法露出各个相应的电极连接部分。

在本发明中，参见图1，底电极连接部b位于有效区域的左侧，而中间电极连接部a位于有效区域的右侧。在本发明中，电极连接部位于有效区域的一侧，表示其在有效区域的外侧，且在例如图示的图中，位于有效区域的左边或者右边。

在本发明实施例中，由于单晶压电mems器件的结构为五层薄膜堆叠结构，其能量转化效率比普通三层结构高一倍。而且由于第一压电层和第二压电层所用的材料都是单晶压电材料，使得器件的机电耦合系数也要比普通多晶压电材料的要高很多，因此对应的单晶压电mems器件的发射、接收灵敏度更高、插入损耗更低。从压电层晶向选择角度可以进一步优化单晶压电mems器件的能量转化效率，第一压电层和第二压电层的晶向为同向或反向。需要指出的是，这里的晶向可以为任意选定的方向，因为单晶薄膜的特点为可以根据器件设计需要提供任意晶向的薄膜；而多晶压电薄膜则不然，一般只有在一个固定的晶向方向上其制备的薄膜压电特性才能得到保证，因此多晶压电薄膜很难根据设计要求提供晶向在任意方向下的同向或反向压电薄膜组合。

图2为根据本发明的还一个示例性实施例的单晶压电耦合谐振滤波器的剖面示意图。图2所示的实施例与图1中所示的结构相似，不同之处在于，图2中，中间电极包括了两层金属层(即电极17与04)和解耦层16，形成了典型的耦合谐振滤波器，即由两个谐振器在垂直方向上重叠放置并声学解耦形成。在图4中，10为空腔结构，其为穿过基底01的通孔；02为第一谐振器的底电极；03为第一谐振器的单晶压电层；04为第一谐振器的顶电极；16为解耦层，其可以为单层钝化层或者不同声阻抗材料构成的多层钝化层；17为第二谐振器的底电极；05为第二谐振器的单晶压电层；06为第二谐振器的顶电极。

另外，在本实施例中，如图2所示，上层薄膜的面积始终要小于等于下层薄膜的面积，这可以将各电极层的连接部分裸露出来。其中07为第二谐振器顶电极的电极连接部分，c为第二谐振器底电极的电极连接部分，a为第一谐振器顶电极的电极连接部分，b为第一谐振器底电极的电极连接部分。

在本实施例中，由于第一谐振器和第二谐振器的压电层材料都是单晶压电材料，所以其可以提高谐振器的机电耦合系数、品质因数和功率容量，以及由其形成的耦合谐振滤波器的插入损耗、相邻频带的抑制率等性能也大幅提高。并且，由于单谐振器被一对堆叠谐振器所代替，实现滤波器所需的总面积减小，因此实现了最小尺寸和制造成本的降低，同时解耦层的引入可以让滤波器的带宽远大于其他形式的滤波器构架。

另一方面，图2的实施例结构也适用于其他单晶压电mems器件，如超声换能器、麦克风、扬声器、水听器等。解耦层16可以起到增大压电层05和03应变的作用，进而提高器件的发射灵敏度和接收灵敏度。

图3为图2中的单晶压电耦合谐振滤波器的示意性俯视图。在图3中清楚的表现出了耦合谐振器滤波器中各个谐振器的电极连接部分示意图，可以看到从上到下，上层薄膜的面积始终小于等于下层薄膜的面积。其中，顶电极06的左侧部分为第二谐振器的顶电极的电极连接部分，c为第二谐振器的底电极的电极连接部分，a为第一谐振器的顶电极的电极连接部分，b为第一谐振器的底电极的电极连接部分。

在图3中，可以看到，底电极的电极连接部b既包括了在有效区域的左侧(图2中)的一部分，也包括在有效区域的右侧的一部分。

从图2可以看出，电极连接部分c和a的端部在图中有效区域的右侧依次错开以使得电极连接部分c和a的顶面组成台阶面。这里的依次错开，表示在下层的电极连接部分的端部位于在上层的电极连接部分的端部的外侧。在本发明中，外侧是指在横向方向或者径向方向上更远离有效区域的中心的一侧，而内侧是指在横向方向或者径向方向上更靠近有效区域的中心的一侧。

虽然没有示出，所有电极的电极连接部分或者除了顶电极的之外的其他电极的电极连接部分都可以位于有效区域的一侧。

在本发明中，在图中结构中，以基底01为下、顶电极06为上确定上下方向，此外，各层朝上的表面为上表面，各层朝下的表面为下表面。

在本发明中，每个压电层及其上下两侧的电极一起构成一个薄膜结构，每一个薄膜结构具有上电极层、下电极层以及位于上电极层与下电极层之间的压电层。如能够理解的，两个在厚度方向上相邻的薄膜结构可以共用电极层，例如上薄膜结构的下电极可以作为下薄膜结构的上电极。

在本发明中，在单晶压电结构的厚度方向上，位于上层的薄膜结构中的至少一层的面积不大于位于下层的薄膜结构中的对应层(这里的对应，例如上电极层对上电极层，压电层对压电层，下电极层对下电极层)的面积，和/或上层的薄膜结构作为一个整体其面积不大于下层的薄膜结构作为整体的面积；和/或每一个薄膜结构中上电极层的面积≤压电层的面积≤下电极层的面积。进一步的，在单晶压电结构的厚度方向上，位于上层薄膜结构中的压电层的面积小于位于下层薄膜结构中的压电层的面积。

图4为根据本发明的一个示例性实施例的单晶压电mems器件的剖面示意图，其中设置有跨接电极引脚。图4中，01为基底，10为空腔，其为穿过基底的通孔结构。02为底电极，03为第一单晶压电层，04为中间电极，05为第二单晶压电层，06为顶电极，07为顶电极的电极引脚，08为中间电极的电极引脚。12和13为空隙或不导电介质材料形成的结构，空隙可以由各项同性的湿法溶液或干法气体刻蚀电极层形成。

在本实施例中，结构12将顶电极的电极引脚与中间电极在器件的垂直方向上的重叠区域中隔开，这样避免了其中寄生电容的影响。结构13将中间电极的电极连接部分与底电极在器件的垂直方向上的重叠区域中隔开，这样避免了其中寄生电容的影响。需要指出的是，在有些压电mems器件的设计中顶电极和底电极电学连接，在这种情况下图4右侧部分就不会有寄生电容的存在，因为这两层电极在某处电学互连、处于等电势。

在图4中，电极引脚07的上端实现与顶电极06的电连接，电极引脚08的上端实现与中间电极的电连接，电极引脚07的下端与中间电极同层布置且与之间隔开，电极引脚08的下端与底电极同层布置且与之间隔开。在图4所示的示例中，电极引脚07的下端与中间电极04的端部在横向方向上限定了结构12的边界，电极引脚08的下端与底电极02的端部在横向方向上限定了结构13的边界。

图5为根据本发明的一个示例性实施例的单晶压电mems器件的剖面示意图，其中设置有跨接电极引脚。图5与图4的不同在于，在图5所示的实施例中，存在空隙或不导电介质材料形成的结构14和15。换言之，电极引脚07/08与层叠结构(顶电极、第二压电层、中间电极、第一压电层和底电极层叠形成)的边缘之间在横向方向上存在间隙，所述间隙从跨接电极引脚的上端延伸到下端，这里的间隙是结构14和15。在图5中，电极引脚07/08的上端与下端之间的部分包括竖直连接部，所述竖直连接部与层叠结构的边缘之间在横向方向上存在所述间隙。

图6为根据本发明的一个示例性实施例的单晶压电mems器件的剖面示意图，其中设置有跨接电极引脚。图6与图5所示的结构不同的是，在图6中，在形成空气隙或不导电介质材料的结构14和15过程中，有多个小台阶，这样多个小台阶形成了多个台阶高度较小的高度差，从而能够有效避免台阶直接从顶电极的电极连接部跨越到底部而产生断裂的问题。如图6所示，电极引脚7/8的上端与下端之间的部分包括多个台阶部，所述台阶部与层叠结构的边缘之间在横向方向上存在所述间隙(对应结构14和15)。

图7为根据本发明的一个示例性实施例的单晶压电mems器件的剖面示意图，其中设置有跨接电极引脚。其与图4结构相似，电极引脚07连接着顶电极06和底电极02。在图7所示的实施例中，顶电极和中间电极在器件的垂直方向上重叠的区域中相隔开，底电极和中间电极在器件的垂直方向上重叠的区域中相隔开，中间电极和底电极在器件的垂直方向上重叠的区域中相隔开。这有利于有效降低器件中寄生电容的影响，提升器件的性能。

图8为根据本发明的一个示例性实施例的单晶压电耦合谐振滤波器的剖面示意图。图8与图4中所示的结构相似，不同之处在于，在图8中，中间电极包括了两层金属层(即04和17)和解耦层16，形成了典型的耦合谐振滤波器，即由两个谐振器在垂直方向上重叠放置并声学解耦形成。其中01为空腔结构，其为穿过基底的通孔；02为第一谐振器的底电极，03为第一谐振器的单晶压电层；04为第一谐振器的顶电极；16为解耦层，其可以为单层钝化层或者不同声阻抗材料构成的多层钝化层；17为第二谐振器的底电极；05为第二谐振器的单晶压电层，06为第二谐振器的顶电极；21为第二谐振器顶部电极的电极引脚；22为空隙或不导电介质材料形成的结构。在实施例中，顶电极的电极引脚21通过结构22与第二谐振器的底电极、第一谐振器的顶电极和第一谐振器的电极隔离开，从而降低了在器件垂直方向上重叠区域中寄生电容的影响，提高了器件的性能。

图9为沿图8中的a-a向获得的单晶压电耦合谐振滤波器的剖面示意图。图9中，23为第二谐振器底电极的电极引脚；25为第一谐振器顶电极的电极引脚；24和26为空隙或不导电介质材料形成的结构。由于第二谐振器的底部电极的电极引脚23通过结构24将其与第一谐振器的顶电极04和第一谐振器的底部电极02隔离开，第一谐振器的顶电极的电极引脚25通过结构26将其与第一谐振器的底电极02间隔开，因而避免了在垂直方向上重叠区域中产生的寄生电容对器件性能的影响。

图10为根据本发明的另一个示例性实施例的单晶压电耦合谐振滤波器的剖面示意图。图10所示的结构与图8中所示结构相似，不同之处在于，在图10中，电极引脚29与第二谐振器的底电极17的电极连接部、解耦层16以及第一谐振器的顶电极04的电极连接部均相连，且通过空隙或不导电介质材料形成的结构30与第一谐振器的底电极02隔离开；并且第二谐振器的顶电极06的电极引脚27，通过空隙或不导电介质材料形成的结构28与第二谐振器的底电极17、解耦层16、第一谐振器的顶电极04和第一谐振器的底电极02隔离开。此结构也有利于避免在垂直方向上重叠区域中寄生电容的影响。

在图4-10所示的示例中，电极引脚为跨接电极引脚，所述跨接电极引脚的上端与对应电极电连接，跨接电极引脚的上端与下端之间跨接了至少一个压电层。

如图4-10所示，跨接电极引脚的下端与对应电极或对应压电层同层设置。

如图10所示，跨接电极引脚的上端与所述对应电极同层相接而电连接。

如图4-7所示，跨接电极引脚的上端覆盖所述对应电极的顶面而与所述对应电极电连接。

基于以上，本发明提出了如下技术方案：

1、一种单晶压电结构，包括：

多个压电层，每一个压电层为单晶压电层；

多个电极，每个压电层的上下两侧设置有电极，所述多个压电层与所述多个电极共同形成在单晶压电结构的厚度方向上层叠的层叠结构；

基底，层叠结构设置在基底上；

声学镜，位于层叠结构的下方，

其中：

所述多个压电层、多个电极与声学镜在压电层的厚度方向上的重叠区域构成所述单晶压电结构的有效区域；

每一个电极具有与其同层布置的电极连接部；

多个电极中除了位于顶层的顶电极之外，其他电极中的至少一个电极的电极连接部上侧的层结构被移除以露出该电极连接部。

2、根据1所述的单晶压电结构，其中：

所述其他电极中的每个电极的电极连接部上侧的层结构均被移除以露出该电极连接部。

3、根据2所述的单晶压电结构，其中：

顶电极之下的所有电极的电极连接部分均位于有效区域的同一侧或具有在有效区域的同一侧的部分；

电极连接部分的端部在所述同一侧依次错开以使得电极连接部分的顶面组成台阶面。

4、根据2所述的单晶压电结构，其中：

顶电极之下的至少一个电极的电极连接部分包括位于有效区域的一侧的部分，而顶电极之下的其他电极的电极连接部分位于有效区域的另一侧或具有在有效区域的另一侧的部分。

5、根据4所述的单晶压电结构，其中：

在有效区域的同侧的电极连接部分的个数不小于二的情况下，在有效区域的同侧的电极连接部分的端部依次错开且在同侧的电极连接部分顶面组成台阶面。

6、根据4所述的单晶压电结构，其中：

所述多个电极中位于最下层的底电极的电极连接部分位于有效区域的一侧或具有在有效区域的一侧的部分，而所述多个电极中除了顶电极与底电极之外的其他电极的电极连接部分位于有效区域的另一侧或具有在有效区域的另一侧的部分。

7、根据2-6中任一项所述的单晶压电结构，还包括：

至少一个跨接电极引脚，所述跨接电极引脚的上端与对应电极电连接，跨接电极引脚的上端与下端之间跨接了至少一个压电层。

8、根据7所述的单晶压电结构，其中：

所述跨接电极引脚的下端与对应电极或对应压电层同层设置。

9、根据7所述的单晶压电结构，其中：

所述跨接电极引脚的上端与所述对应电极同层相接而电连接；或者

所述跨接电极引脚的上端覆盖所述对应电极的顶面而与所述对应电极电连接。

10、根据7-9中任一项所述的单晶压电结构，其中：

所述跨接电极引脚与层叠结构的边缘之间在横向方向上存在间隙，所述间隙从跨接电极引脚的上端延伸到下端。

11、根据10所述的单晶压电结构，其中：

所述跨接电极引脚的上端与下端之间的部分包括多个台阶部，所述台阶部与层叠结构的边缘之间在横向方向上存在所述间隙；或者所述跨接电极引脚的上端与下端之间的部分包括竖直连接部，所述竖直连接部与层叠结构的边缘之间在横向方向上存在所述间隙；

所述间隙为空隙或者不导电介质间隙。

12、根据9-11中任一项所述的单晶压电结构，其中：

所述跨接电极引脚的上端所电连接的电极为上电极；

在所述上电极下方且与所述上电极在所述厚度方向上紧邻的电极为下电极；

在所述有效区域的一侧，所述下电极的端部在横向方向上位于所述上电极的端部的内侧，以在上电极与下电极之间的压电层的下侧形成隔离层，所述隔离层与所述下电极同层，所述隔离层为空隙层或者不导电介质层。

13、根据12所述的单晶压电结构，其中：

所述下电极的端部与所述跨接电极引脚限定所述隔离层在横向方向上的边界。

14、根据7-13中任一项所述的单晶压电结构，其中：

所述多个压电层包括第一压电层与第二压电层，所述多个电极包括底电极、中间电极和顶电极，底电极、第一压电层、中间电极、第二压电层、顶电极依次叠置。

15、根据14所述的单晶压电结构，其中：

所述至少一个跨接电极引脚包括中间电极引脚和顶电极引脚中的至少一个；

所述中间电极引脚的上端电连接到中间电极的电极连接部，下端与底电极间隔开且与底电极同层布置；

所述顶电极引脚的上端连接到顶电极的电极连接部；且所述顶电极引脚的下端与底电极间隔开且与底电极同层布置，或者所述顶电极引脚的下端与中间电极间隔开且与中间电极同层布置，或者所述顶电极的下端与底电极的顶面相接而彼此电连接。

16、根据15所述的单晶压电结构，其中：

所述中间电极引脚与所述顶电极引脚分别设置在有效区域的两侧。

17、根据7-13中任一项所述的单晶压电结构，其中：

所述多个压电层包括第一压电层与第二压电层；

所述多个电极包括底电极、第一中间电极、第二中间电极和顶电极；

所述单晶压电结构还包括耦合层，耦合层设置在第一中间电极与第二中间电极之间；且

底电极、第一压电层、第一中间电极、耦合层、第二中间电极、第二压电层、顶电极依次叠置。

18、根据17所述的单晶压电结构，其中：

所述至少一个跨接电极引脚包括第一中间电极引脚、第二中间电极引脚和顶电极引脚中的至少一个；

所述第一中间电极引脚的上端电连接到第一中间电极的电极连接部，下端与底电极间隔开且与底电极同层布置；

所述第二中间电极引脚的上端电连接到第二中间电极的电极连接部，下端与底电极间隔开且与底电极同层布置；

所述顶电极引脚的上端连接到顶电极的电极连接部；且所述顶电极引脚的下端与底电极间隔开且与底电极同层布置，或者所述顶电极引脚的下端与第一中间电极间隔开且与第一中间电极同层布置，或者所述顶电极的下端与底电极的顶面相接而彼此电连接。

19、根据18所述的单晶压电结构，其中：

所述第一中间电极引脚、第二中间电极引脚分别设置在有效区域的两侧。

20、根据18所述的单晶压电结构，其中：

第一中间电极引脚与第二中间电极引脚为同时与第一中间电极和第二中间电极电连接的共用电极引脚。

21、根据2-20中任一项所述的单晶压电结构，其中：

每个压电层及其上下两侧的电极一起构成一个薄膜结构，每一个薄膜结构具有上电极层、下电极层以及位于上电极层与下电极层之间的压电层；

在单晶压电结构的厚度方向上，位于上层的薄膜结构中的至少一层的面积不大于位于下层的薄膜结构中的对应层的面积；和/或位于上层的薄膜结构作为整体的面积不大于位于下层的薄膜结构作为整体的面积，和/或每一个薄膜结构中上电极层的面积≤压电层的面积≤下电极层的面积。

22、根据21所述的单晶压电结构，其中：

在单晶压电结构的厚度方向上，位于上层薄膜结构中的压电层的面积小于位于下层薄膜结构中的压电层的面积。

23、根据1所述的单晶压电结构，其中：

第一压电层和第二压电层的晶向为同向或反向。

24、根据1-23中任一项所述的单晶压电结构，其中：

压电层的材料包括单晶铌酸锂(linbo3)、单晶钽酸锂(litao3)、单晶氮化铝(aln)、石英(quartz)、单晶锆钛酸铅(pzt)、铌镁酸铅-钛酸铅(pmn-pt)中的至少一种。

25、一种电子设备，包括根据1-24中任一项所述的单晶压电结构。

26、根据25所述的电子设备，其中：

所述电子设备包括mems压电麦克风、mems超声换能器、mems扬声器、mems水听器、单晶耦合谐振滤波器中的至少一种。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。