互补式金属氧化物半导体感光组件及防护玻璃模块的制作方法

本实用新型是有关于一种能在防护玻璃上准确形成遮光圈的互补式金属氧化物半导体感光组件及其所用的防护玻璃模块。

背景技术：

互补式金属氧化物半导体(以下简称CMOS)被广泛使用在感光组件中，进而被应用在手机、车载镜头等领域。

此类CMOS感光组件常见的问题在于，当CMOS感光组件从阴暗处瞬间进入光亮处时(例如出入隧道时)，CMOS容易产生噪声。为了解决这样的问题，目前有人提出将钼、铬等黑色金属蒸镀在CMOS感光组件的防护玻璃上，后续再通过涂布抗蚀剂、抗蚀剂图形化、将前述黑色金属加以蚀刻、最后将抗蚀剂加以剥离的制程，在防护玻璃上形成一遮光圈，藉此减少CMOS感光组件产生噪声的情形。

然而，前述制程有其缺陷在于，为了避免防护玻璃上留有蚀刻残留物，且为了形成边缘整齐的遮光圈，防护玻璃必须被长时间浸渍在蚀刻液中，而这导致防护玻璃表面易被一并蚀刻，造成后续产生反射光斑，且会降低分辨率。

另有人提出使用特制的钢板将遮光圈印刷在防护玻璃的制程，但此法容易衍生防护玻璃被钢板刮伤，且为了维持印刷的精准度，钢板每使用十至二十次就必须要做替换。

有鉴于此，如何解决前述问题，实有待本领域技术人员思量。

技术实现要素：

有鉴于此，本实用新型提出一种能在防护玻璃上准确形成遮光圈的互补式金属氧化物半导体感光组件及其所用的防护玻璃模块。

为了达成上述及其他目的，本实用新型提供一种互补式金属氧化物半导体感光组件，其包括一斗状的壳体、一互补式金属氧化物半导体感光芯片、一防护玻璃及一遮光干膜圈，该壳体具有一开口部，该互补式金属氧化物半导体感光芯片设于该壳体内，该防护玻璃密封该壳体的开口部，且该防护玻璃具有一光入射面，该遮光干膜圈设于该防护玻璃的光入射面，且该遮光干膜圈中界定一光学区，该光学区正对该互补式金属氧化物半导体感光芯片。

为了达成上述及其他目的，本实用新型提供一种用于互补式金属氧化物半导体感光组件的防护玻璃模块，该互补式金属氧化物半导体感光组件包括一斗状的壳体及一互补式金属氧化物半导体感光芯片设于该壳体内，该防护玻璃模块包括一防护玻璃及一遮光干膜圈，该防护玻璃具有一光入射面，该遮光干膜圈设于该防护玻璃的光入射面，且该遮光干膜圈中界定一光学区，该光学区用以正对该互补式金属氧化物半导体感光芯片。

通过上述设计，本实用新型提出一种具有遮光干膜圈的互补式金属氧化物半导体感光组件，其遮光干膜圈容易成型，且不易损伤防护玻璃表面。

有关本实用新型的其它功效及实施例的详细内容，配合附图说明如下。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1是本实用新型防护玻璃模块其中一实施例的构成说明图；

图2为本实用新型互补式金属氧化物半导体感光组件其中一实施例的纵剖面示意图；

图3至图5为本实用新型防护玻璃模块其中一实施例的制作示意图。

符号说明

1 防护玻璃模块 10 防护玻璃

11 光入射面 12 光出射面

20 遮光干膜圈 21 光学区

30 壳体 31 开口部

40 互补式金属氧化物半导体感光芯片

41 受光面 200 载体膜

100 互补式金属氧化物半导体感光组件

300 遮光干膜浆料 300’ 遮光干膜层

具体实施方式

有关本实用新型的前述及其它技术内容、特点与功效，在以下配合参考附图的一优选实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本实用新型。

图1为本实用新型防护玻璃模块其中一实施例的构成说明图。图2则为本实用新型互补式金属氧化物半导体感光组件其中一实施例的纵剖面示意图。

防护玻璃模块1包括一防护玻璃10及一遮光

干膜圈20，防护玻璃10具有一光入射面11及一光出射面12。防护玻璃10对于预定通过的光波具有高透光率，且优选的但不限于能将非预定通过的光波加以吸收或反射；举例而言，防护玻璃10例如是含有Cu²⁺的红外线吸收玻璃(例如氟磷酸盐系玻璃)，其可维持可见光域的高透光率，同时又能吸收近红外线。

遮光干膜圈20形成于防护玻璃10的光入射面11，成框状的遮光干膜圈20中央界定一光学区21，防护玻璃10光入射面11的一部份被遮光干膜圈20遮住，而可将不必要的光遮蔽除去，使绝大部分光线只能在遮光干膜圈20所界定的光学区21穿透防护玻璃10。

如图2所示，互补式金属氧化物半导体感光组件100包括一斗状的壳体30、一互补式金属氧化物半导体感光芯片40及如前所述的防护玻璃模块1。斗状的壳体30具有一开口部31，光线可经由开口部31进入壳体30内部。互补式金属氧化物半导体感光芯片40设于壳体30内，其具有一受光面41，当光线投射至受光面41时，互补式金属氧化物半导体感光芯片可产生相应的感光信号。

此外，前述防护玻璃10通过粘合剂密封壳体30的开口部31，其光出射面12面向互补式金属氧化物半导体感光芯片40，其光入射面11则面向远离互补式金属氧化物半导体感光芯片40的方向。遮光干膜圈20的光学区21正对互补式金属氧化物半导体感光芯片40，且其正投影大于互补式金属氧化物半导体感光芯片40的受光面41，使所需的光线能够通过防护玻璃10射向受光面41，但又可避免向互补式金属氧化物半导体感光芯片投射不必要的光，减少重影、反射光斑或噪声的发生。需说明的是，光学区21的大小会根据配置在互补式金属氧化物半导体感光组件100外侧的透镜等光学组件、互补式金属氧化物半导体感光芯片40的尺寸及防护玻璃10的尺寸而定，并不以本实施例所示者为限。

以下说明本实用新型防护玻璃模块的制法。

如图3所示，在一载体膜200上涂布一遮光干膜浆料300；载体膜200可为但不限于聚乙烯对苯二甲酸酯(PET)或其他聚酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚酰胺酰亚胺薄膜、聚丙烯薄膜或聚苯乙烯薄膜，其厚度较佳介于10-150μm，其表面可为光滑面或雾面，所述涂布例如使用唇形涂布机进行；所述遮光干膜浆料例如是黑色的环氧树脂类化合物或以硅胶为基质的化合物；所述遮光干膜浆料例如具有光固化或热固化特性、或同时具有光固化及热固化特性。

接着，如图4所示，令前述载体膜200通过烘干机，将遮光干膜浆料300干燥为遮光干膜层300’；

接着，如图5所示，将载体膜200上的遮光干膜层300’在完全固化前通过层合机层合于防护玻璃10的光入射面11；

接着，请一并参考图1、图2，利用雷射切割方式移除遮光干膜层300’的一部份，使遮光干膜层300’界定一用以正对互补式金属氧化物半导体感光芯片40的光学区21，所述光学区21的正投影大于互补式金属氧化物半导体感光芯片40的受光面41；所述雷射切割是通过雷射切割机执行，可准确地切割遮光干膜层300’，切割边能够维持平整，且不易损伤玻璃表面。雷射切割前，载体膜200可先自遮光干膜层300’表面剥离。遮光干膜层300’可在雷射切割之前或之后被光固化、热固化或同时光固化及热固化。形成光学区且被加以固化后，所述遮光干膜层300’即成为如前所述的遮光干膜圈。

以上所述的实施例及/或实施方式，仅是用以说明实现本实用新型技术的较佳实施例及/或实施方式，并非对本实用新型技术的实施方式作任何形式上的限制，任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型内容所公开的技术手段的范围，当可作些许的更动或修改为其它等效的实施例，但仍应视为与本实用新型实质相同的技术或实施例。