1.一种存储单元，其特征在于，包括：
一薄膜晶体管层，其包含一沟道层，以及接触该沟道层相对两侧的一第一源极/漏极结构与一第二源极/漏极结构；
一栅极介电层，设置于该薄膜晶体管层的下方；
一栅极导电层，设置于该栅极介电层的下方，用以控制该沟道层的导通或关闭；
一第一加热器和一第二加热器，分别设置于该第一源极/漏极结构及该第二源极/漏极结构上；
一相变层，设置于该沟道层之上，并接触该第一加热器及该第二加热器；以及
一介电层，设置于该相变层之下，该相变层通过该介电层而与该沟道层分开。
2.如权利要求1所述的存储单元，其中该相变层设置于该第一加热器及该第二加热器上，且该相变层的两端的底部接触该第一加热器及该第二加热器。
3.如权利要求2所述的存储单元，其中该第一加热器的一上表面、该第二加热器的一上表面、以及该介电层的一上表面共平面。
4.如权利要求1所述的存储单元，其中该相变层设置于该第一加热器与该第二加热器之间，且该相变层的两端的侧壁接触该第一加热器及该第二加热器。
5.如权利要求4所述的存储单元，其中该第一加热器的一上表面、该第二加热器的一上表面、以及该相变层的一上表面共平面。
6.如权利要求1所述的存储单元，进一步包括：
一栅极金属层，设置于该栅极导电层之下。
7.一种存储装置，其特征在于，包括串联连接的多个如权利要求1所述的存储单元。