技术总结
本实用新型公开一种存储单元及包含此存储单元的存储装置。存储单元包括薄膜晶体管层、栅极导电层、第一加热器、第二加热器、相变层、以及介电层。薄膜晶体管层包含沟道层以及接触沟道层相对两侧的第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构。栅极导电层设置于栅极介电层的下方，用以控制沟道层的导通或关闭。第一加热器和第二加热器分别设置于第一源极/漏极结构及第二源极/漏极结构上。相变层设置于沟道层之上，并接触第一加热器及第二加热器。介电层设置于相变层之下，相变层通过介电层而与沟道层分开。本实用新型的存储单元的结构及制造处理较简化，并且包含此存储单元的存储装置的操作电压低，编程与读取速度快。
技术研发人员：廖昱程;刘峻志;李宜政
受保护的技术使用者：江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司
技术研发日：2019.04.10
技术公布日：2019.10.15