本实用新型涉及半导体封装制造技术领域,具体涉及超宽高密度dfn5×6封装引线框架。
背景技术:
引线框架作为集成电路封装的芯片载体,是芯片和外界建立电气连接的桥梁,它在电路中主要起承载ic芯片的作用,同时起连接芯片与外部线路板电信号的作用,以及安装固定的机械作用等。dfn5×6封装形式是一种目前市面上较为常见的封装形式,市场范围广,且针对高散热要求的环境开发,可以通过外露的基岛散热片将产品工作过程中产生的热量传导出去。
现有的半导体基于引线框架dfn5×6框架封装产品中,框架的长度多为238mm,宽度为70mm。单条引线框架上仅有256个封装单元,所有封装单元呈8行32列矩阵式排列,生产效率低,成本高。
技术实现要素:
针对现有技术中存在的不足,本实用新型目的是提供一种结构紧凑,可靠性高的超宽高密度dfn5×6封装引线框架,能够有效提高单位面积利用率进而降低生产成本,从而提高生产效率。
为解决上述技术问题,本实用新型提供的技术方案是:
超宽高密度dfn5×6封装引线框架,引线框架内并排设置有20个结构单元,结构单元包括并排设置的2个封装条,封装条包括排成一列的14个封装单元,封装单元在引线框架内呈14行40列矩阵式排列;
引线框架的长度为300.0000±0.102mm,宽度为100.0000±0.050mm,引线框架中每个结构单元之间的步距为15.000±0.025mm,结构单元在2个封装条之间的步距为6.8000±0.025mm;
上下排列的两个封装单元之间采用脚位直连连接。
本实用新型超宽高密度dfn5×6封装引线框架,采用脚位直连的的连接方式缩短了上下两个封装单元之间的间距,从而减小整体面积,提高了引线框架上封装单元的结构密度,最终实现生产一种超宽高密度dfn5×6引线框架,总共能够包含560个封装单元,呈14行40列矩阵式排列,相较于现有的256个封装单元的引线框架生产效率可提升2倍多,相应的,引线框架的长度为300.0000±0.102mm,宽度为100.0000±0.050mm,引线框架中每个结构单元之间的步距为15.000±0.025mm,结构单元在2个封装条之间的步距为6.8000±0.025mm,提高了引线框架整体的稳定性能,同时降低了成本,提高了产品的良率和可靠性。
附图说明
附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。在附图中:
图1为本实用新型实施方式中超宽高密度dfn5×6封装引线框架的结构示意图;
图2为本实用新型实施方式中超宽高密度dfn5×6封装引线框架的局部结构示意图;
图中:001-封装单元。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实例仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
如图1、2所示,超宽高密度dfn5×6封装引线框架内并排设置有20个结构单元,结构单元包括并排设置的2个封装条,封装条包括排成一列的14个封001装单元,封装单元001在引线框架内呈14行40列矩阵式排列;
引线框架的长度为300.0000±0.102mm,宽度为100.0000±0.050mm,引线框架中每个结构单元之间的步距为15.000±0.025mm,结构单元在2个封装条之间的步距为6.8000±0.025mm;
上下排列的两个封装单元001之间采用脚位直连连接。
通过采用上述技术方案,采用脚位直连的的连接方式缩短了上下两个封装单元001之间的间距,从而减小整体面积,提高了引线框架上封装单元001的结构密度,最终实现生产一种超宽高密度dfn5×6引线框架,总共能够包含560个封装单元001,呈14行40列矩阵式排列,相较于现有的256个封装单元001的引线框架生产效率可提升2倍多。
综上所述,本实用新型超宽高密度dfn5×6封装引线框架,采用脚位直连的的连接方式缩短了上下两个封装单元001之间的间距,从而减小整体面积,提高了引线框架上封装单元001的结构密度,最终实现生产一种超宽高密度dfn5×6引线框架,总共能够包含560个封装单元001,呈14行40列矩阵式排列,相较于现有的256个封装单元001的引线框架生产效率可提升2倍多,相应的,引线框架的长度为300.0000±0.102mm,宽度为100.0000±0.050mm,引线框架中每个结构单元之间的步距为15.000±0.025mm,结构单元在2个封装条之间的步距为6.8000±0.025mm,提高了引线框架整体的稳定性能,同时降低了成本,提高了产品的良率和可靠性。
最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。