摄像装置的制作方法

文档序号:23508686发布日期:2021-01-01 18:19阅读:94来源:国知局
摄像装置的制作方法

本技术涉及一种摄像装置,并且能够容易地减小摄像装置的尺寸和高度。



背景技术:

通常,摄像装置已经开发成像素数更高并且具有更多功能。此外,引脚(pin)之间的间距变窄,使得即使由于像素数的增加、功能数量的增加等导致引脚的数量增加,封装也可以小型化。例如,在专利文献1中,使用了其中在上表面形成有第一裸片容纳腔并且在其内部设置有导电布线的基板,提供了在第一裸片容纳腔中具有微透镜的第一裸片,在第一裸片和基板上形成有具有用于露出微透镜的开口的第一介电层,并且重新分布导电层设置为与第一裸片和导电布线连接。另外,其上附接有透镜的透镜支架安装在基板上。

引用列表

专利文献

专利文献1:日本专利申请特开第2008-235869号公报



技术实现要素:

发明要解决的问题

另一方面,在采用了专利文献1中的构造的情况下,处理基板的成本很高,并且由于由空腔内第一裸片的设置导致的第一裸片相对于空腔的倾斜,而难以降低高度。

鉴于上述情况,本技术的目的是容易地减小摄像装置的尺寸和高度。

问题的解决方案

本技术的第一方面涉及:

一种摄像装置,包括:

摄像元件,其在像素形成表面上的除像素区域以外的区域中设置有重新布线区域;

模制部分,其形成在除所述像素形成表面以外的所述摄像元件的周围;和

重新布线层,其连接外部端子和设置在所述重新布线区域中的焊盘,所述重新布线层设置在所述摄像元件和所述模制部分的所述像素形成表面侧。

根据本技术,摄像元件在像素形成表面上的除像素区域以外的区域中设置有重新布线区域。模制部分形成在除像素形成表面以外的摄像元件的周围。模制部分形成为使得从摄像元件的与像素形成表面相对的表面施加密封材料,例如,液体密封材料。例如,通过晶圆工艺在摄像元件和模制部分的像素形成表面侧形成连接外部端子和设置在重新布线区域中的焊盘的重新布线层。此外,一层或多层重新布线层以绝缘层介于其间的方式进行层叠,并且最外层的重新布线层用作外部端子。绝缘层形成在连接到外部端子的重新布线层上。

摄像元件和模制部分可以具有通过对与像素形成表面相对的表面进行研磨而获得的预定厚度,通孔可以设置在模制部分中,并且通孔的一端可以连接到重新布线层。此外,用于配置待连接到重新布线层的电路元件的区域可以设置在模制部分的像素形成表面侧,并且外部端子可以配置为与电路元件的端子相对应。

在其中层叠有重新布线层和绝缘层的重新布线部分中的像素区域侧的端面的反射率被设定为等于或小于预定值。例如,绝缘层可以包括使端面的反射率等于或小于预定值的颜色或材料,并且反射防止膜可以设置在端面上。此外,对端面进行粗化处理,并且重新布线层可以形成在绝缘层内部的区域中。

此外,透镜单元可以设置在摄像元件的像素形成表面侧,并且透镜单元的透射光可以入射到摄像元件的像素区域上。在这种情况下,基板设置在摄像元件和透镜单元之间,并且在基板中形成有允许透镜单元的透射光入射到摄像元件的像素区域上的开口。此外,摄像元件的重新布线层电连接到设置在基板的摄像元件侧的表面上的端子部。

发明效果

根据本技术,模制部分形成在除像素形成表面以外的摄像元件的周围,摄像元件在像素形成表面上的除像素区域以外的区域中设置有重新布线区域。连接外部端子和设置在重新布线区域中的焊盘的重新布线层形成在摄像元件和模制部分的像素形成表面侧。因此,例如,即使焊盘之间的间隔比其中在焊盘上形成有柱形凸块的摄像装置中的间隔更窄,也可以通过重新布线连接到基板,并且摄像装置的安装表面位于像素形成表面侧,由此可以容易地减小摄像装置的尺寸和高度。注意,本文所述的效果仅是示例性的而非限制性的,并且可能存在其他效果。

附图说明

图1是举例示出第一实施方案的构造的示意性截面图。

图2是举例示出第一实施方案的构造的平面图。

图3是用于说明制造方法的制造过程的图。

图4是举例示出第二实施方案的构造的示意性截面图。

图5是举例示出第三实施方案的构造的示意性截面图。

图6是举例示出第四实施方案的构造的示意性截面图。

图7是举例示出第五实施方案的构造的示意性截面图。

图8是示出重新布线部分的图。

具体实施方式

在下文中,将说明用于实现本技术的实施方案。注意,将按以下顺序给出说明。

1.第一实施方案

2.第二实施方案

3.第三实施方案

4.第四实施方案

5.第五实施方案

6.其他实施方案

<1.第一实施方案>

将参照附图说明根据本技术的摄像装置的第一实施方案。图1是举例示出第一实施方案的构造的示意性截面图,并且图2示出了举例示出第一实施方案的构造的平面图。

使用其中执行光电转换的像素例如以二维矩阵形成的摄像元件20来构成摄像装置10。注意,在摄像元件20中,将设置有像素的区域称为像素区域21,将摄像装置10的入射光照射到摄像元件20上的面称为正面fa,并且将相反面称为背面fb。

摄像元件20在正面(也称为像素形成表面)fa上的除了像素区域21以外的区域中具有重新布线区域22。此外,在摄像装置10中,模制部分30设置在除像素区域21和重新布线区域22以外的摄像元件20的周围。

焊盘23设置在摄像元件20的重新布线区域22中,并且重新布线区域22和模制部分30用作用于电连接焊盘23和具有比焊盘23的间距宽度更宽的间距宽度的外部端子的重新布线部分40。

在重新布线部分40中,最外侧的重新布线层用作外部端子,并且绝缘层设置在与外部端子连接的重新布线层上。例如,在重新布线部分40中,绝缘层41a设置在重新布线区域22和模制部分30的正面,并且开口设置在绝缘层41a中的焊盘23的位置处。使用导电材料在绝缘层41a的正面上设置重新布线层41b,并且重新布线层41b的一端经由设置在绝缘层41a中的开口与焊盘23电连接。绝缘层42a设置在其中重新布线层41b的正面和绝缘层41a的正面上未设置重新布线层41b的区域中,并且开口设置在绝缘层42a中的重新布线层41b的另一端侧的位置处。

使用导电材料在绝缘层42a的正面上设置重新布线层42b,并且重新布线层42b的一端经由设置在绝缘层42a中的开口与重新布线层41b的另一端侧电连接。绝缘层43a设置在其中重新布线层42b的正面和绝缘层42a的正面上未设置重新布线层42b的区域中,并且开口设置在绝缘层43a中的重新布线层42b的另一端侧的位置处。

使用导电材料在绝缘层43a的开口中设置电连接到重新布线层42b的另一端侧以用作外部端子的重新布线层43b。利用以这种方式构造的重新布线部分40,设置在重新布线区域22中的焊盘23和用作外部端子的重新布线层43b彼此电连接,并且绝缘层设置在连接到外部端子的重新布线层上。此外,由于绝缘层设置在重新布线层之间,因此能够抑制重新布线层之间的短路、重新布线层的腐蚀等。注意,每个绝缘层可以使用相同的材料形成,或者可以使用不同的材料形成。此外,每个重新布线层可以使用相同的材料形成,或者可以使用不同的材料形成。

此外,由于针对摄像元件的每个焊盘设置的重新布线层的延伸方向被设定为从摄像元件20的位置辐射的方向,因此即使摄像元件20的焊盘23之间的间隔是窄的,连接到焊盘23的重新布线层43b的间隔,即,外部端子之间的间隔也可以设定为宽的,从而可以提供其安装表面是光入射其上的正面的扇出(fo:fan-out)型芯片级封装(csp:chipscalepackage)的摄像装置10。此外,与在硅通孔(tsv:throughsiliconvia)或焊盘上设置柱形凸块的情况相比,可以使摄像元件的焊盘之间的间距变窄以增加密度。

接下来,将参照图3说明摄像装置的制造过程。摄像装置的制造过程包括重新配置步骤、模制部分形成步骤、绝缘层形成步骤、重新布线层形成步骤以及切割步骤。

在图3中,(a)是用于说明重新配置步骤的图。对于通过晶圆切割分离的摄像元件20,基于预先执行的合格品判定的结果,仅选择判定为合格品的摄像元件20,并且以预定间隔将其重新配置在切割带(dicingtape)dp上。

在图3中,(b)是用于说明模制部分形成步骤的图。在模制部分形成步骤中,在除像素形成表面以外的摄像元件20的周围形成模制部分。例如,在保护像素形成表面的同时进行树脂的旋涂或模制,从而形成模制部分30。在这种状态下,连接各个摄像装置的模制部分。之后,通过形成模制部分集成的多个摄像元件被翻转并配置在切割带dp上,以露出摄像元件20的像素形成表面。注意,尽管图3的(a)和(b)举例示出了其中以面朝下的状态重新配置摄像元件20以形成模制部分,从而保护摄像元件20的像素区域的情况,但是在保护像素区域的同时,可以以面朝上的状态重新配置摄像元件20以形成模制部分。

在图3中,(c)是用于说明绝缘层形成步骤的图。在绝缘层形成步骤中,通过诸如化学气相沉积(cvd:chemicalvapordeposition)等晶圆工艺在重新布线区域中的除焊盘23以外的区域中形成绝缘层41a。

在图3中,(d)是用于说明重新布线层形成步骤的图。在重新布线形成步骤中,通过诸如溅射等晶圆工艺使重新布线层41b从焊盘23沿辐射的方向延伸,即,沿从摄像元件20的位置辐射的方向延伸。

此外,重复绝缘层形成步骤和重新布线层形成步骤,并且在绝缘层形成步骤中在绝缘层41a(42a)的上表面上形成重新布线层41b(42b)的情况下,在绝缘层41a(42a)的上表面上未设置重新布线层41b(42b)的区域中和重新布线层41b(42b)的上表面上形成绝缘层42a(43a),并且开口形成为能够与重新布线层电连接。此外,在重新布线层形成步骤中,在绝缘层42a(43a)的上表面上形成重新布线层42b(43b),并且电连接到作为下层的重新布线层41b(42b)。通过以这种方式重复绝缘层形成步骤和重新布线层形成步骤,可以在图1所示的摄像装置的重新布线部分40上层叠多个重新布线层,其中绝缘层介于其间。

在图3中,(e)是用于说明切割步骤的图。在切割步骤中,切断在其中通过重复绝缘层形成步骤和重新布线层形成步骤形成重新布线部分40的摄像元件之间的预定位置,以实现个体化,从而生成摄像装置。

根据上述第一实施方案,即使焊盘之间的间隔变窄,也可以实现到基板的连接,并且摄像装置的安装表面也位于像素形成表面侧,由此可以容易地减小摄像装置的尺寸和高度。

<2.第二实施方案>

接下来,在第二实施方案中,摄像装置的高度低于第一实施方案中的高度。在第二实施方案中,以与第一实施方案类似的方式,执行重新配置步骤、模制部分形成步骤、绝缘层形成步骤、重新布线层形成步骤和切割步骤,并且在切割步骤之前执行背面研磨步骤。

在背面研磨步骤中,将背面露出并研磨。在研磨中,不仅可以研磨树脂部分,而且可以研磨摄像元件20的基板,并且如果摄像元件20的基板也被研磨,则可以进一步减小摄像装置的高度。图4是举例示出第二实施方案的构造的示意性截面图。注意,由点划线表示的位置作为参考示出了第一实施方案中未进行背面磨削的位置。

如上所述,根据第二实施方案,在绝缘层形成步骤和重新布线层形成步骤中使用晶圆工艺,使得可以在切割步骤之前容易地进行背面研磨,由此与第一实施方案相比,可以更容易地减小摄像装置的高度。

<3.第三实施方案>

第三实施方案举例示出了能够进行高密度安装的构造。以与第一实施方案类似的方式,使用摄像元件20来构造摄像装置10,并且模制部分30设置在除像素区域21和重新布线区域22以外的摄像元件20的周围。

图5是举例示出第三实施方案的构造的示意性截面图,并且焊盘23设置在摄像元件20的重新布线区域22中。重新布线区域22和模制部分30用作用于电连接焊盘23和具有比焊盘23的间距宽度更宽的间距宽度的外部端子的重新布线部分40。此外,在第三实施方案中,通孔设置在模制部分30中。

在重新布线部分40中,绝缘层41a设置在重新布线区域22和模制部分30的正面,并且开口设置在绝缘层41a中的焊盘23的位置处。

重新布线层41b设置在绝缘层41a的正面,并且重新布线层41b的一端经由设置在绝缘层41a中的开口与焊盘23电连接。绝缘层42a设置在其中重新布线层41b的正面和绝缘层41a的正面上未设置重新布线层41b的区域中,并且开口设置在绝缘层42a中的重新布线层41b的另一端侧的位置处。

重新布线层42b设置在绝缘层42a的正面,并且重新布线层42b的一端经由设置在绝缘层42a中的开口与重新布线层41b的另一端侧电连接。绝缘层43a设置在其中重新布线层42b的正面和绝缘层42a的正面上未设置重新布线层42b的区域中,并且开口设置在绝缘层43a中的重新布线层42b的另一端侧的位置处。

电连接到重新布线层42b的另一端侧的用作外部端子的重新布线层43b设置在绝缘层43a的开口中。

电连接到重新布线层42b的通孔44b设置在模制部分30中。通孔44b形成为使得使用激光等形成贯穿模制部分30的孔,并且例如,孔的内部填充有诸如铜等导电材料。

根据上述第三实施方案,在使用连接部(例如,焊球等)53电连接到摄像装置10的背面的状态下,可以设置其上安装有电路元件(例如,执行图像信号处理的半导体元件等)52的基板51。因此,可以容易地实现高集成化。此外,利用用作外部端子的重新布线层43b和设置的通孔44b,电路元件可以设置在摄像装置10的正面侧或背面侧,从而可以增大电路元件等的布局的灵活性。

<4.第四实施方案>

第四实施方案举例示出了能够有效安装的构造。以与第一实施方案类似的方式,使用摄像元件20来构造摄像装置10,并且模制部分30设置在除像素区域21和重新布线区域22以外的摄像元件20的周围。此外,模制部分30形成为使得重新布线部分40具有比第一实施方案的区域更宽的区域,使得电路元件(例如,半导体芯片)可以安装在重新布线部分40上。

图6是举例示出第四实施方案的构造的示意性截面图,并且焊盘23设置在摄像元件20的重新布线区域22中。

在重新布线部分40中,绝缘层41a设置在重新布线区域22和模制部分30的正面上,并且开口设置在绝缘层41a中的焊盘23的位置处。

重新布线层41b设置在绝缘层41a的正面上,并且重新布线层41b的一端经由设置在绝缘层41a中的开口与焊盘23电连接。绝缘层42a设置在其中重新布线层41b的正面和绝缘层41a的正面上未设置重新布线层41b的区域中,并且开口设置在绝缘层42a中的重新布线层41b的另一端侧的位置处。

重新布线层42b设置在绝缘层42a的正面上,并且重新布线层42b的一端经由设置在绝缘层42a中的开口与重新布线层41b的另一端侧电连接。绝缘层43a设置在其中重新布线层42b的正面和绝缘层42a的正面上未设置重新布线层42b的区域中,并且开口设置在绝缘层43a中的重新布线层42b的另一端侧的位置处。

电连接到重新布线层42b的另一端侧的用作外部端子的重新布线层43b设置在绝缘层43a的开口中。

此外,焊盘23设置在重新布线区域22中,并且重新布线层43b电连接到焊盘23并用作外部端子。此外,外部端子设置在与将要安装在模制部分30上的半导体芯片的端子相对应的位置处。

在具有这种构造的摄像装置10中,在执行图3的(e)中示出的切割步骤之前,通过片上芯片(cow:chiponwafer)方法在重新布线部分40上安装半导体芯片54。例如,使用诸如倒装芯片接合器等已知的装置将半导体芯片54安装在重新布线部分40中的预定位置处,并且重新布线层43b与半导体芯片54的端子彼此电连接。

之后,在切割步骤中使用刀片切断预定位置,以实现个体化,从而生成摄像装置。

根据上述第四实施方案,在切割步骤之前,将电路元件安装在重新布线部分上,从而可以有效地安装电路元件。

<5.第五实施方案>

在第五实施方案中,将说明其中摄像装置设置有被模块化的透镜单元的情况。图7是举例示出第五实施方案的构造的示意性截面图。注意,图7的(a)示出了使用根据本技术的摄像装置的构造。此外,图7的(b)举例示出了fo型csp的常规摄像装置。

透镜单元70包括透镜71和保持透镜71的透镜支架72。在根据本技术的摄像装置中,安装表面是正面,其上安装有摄像装置10的基板60设置在摄像装置10和透镜单元70之间,并且摄像装置10附接到基板60的一个表面上,同时透镜支架72固定到另一表面上。摄像装置10和基板60通过连接到设置在基板60的一个表面上的端子部的摄像装置10的外部端子彼此电连接。基板60可以是柔性基板,或者可以是刚性基板。

此外,由于基板60设置在摄像装置10与透镜单元70之间,因此基板60设置有透镜71和开口61,该开口61允许透过其的光入射到摄像元件20的像素区域21。如上所述,通过将摄像装置的安装表面设定为正面(光入射侧),基板60可以包括在从透镜顶部到摄像元件20的正面的后焦点bf(backfocus)的范围内。因此,如图7的(b)所示,在摄像装置设置有被模块化的透镜单元的情况下,与摄像装置的安装表面被设定为背面的情况相比,模块在光轴方向上的尺寸更薄。具体地,如果模制部分30的厚度dm比摄像元件20的厚度di、基板fb的厚度dp以及摄像元件20和基板fb之间的间隔da的总和更薄,则尺寸可以减小总和(di+dp+da)和模制部分30的厚度dm之间的差值ds。此外,通过使用根据第二实施方案的摄像装置,可以进一步减小模块在光轴方向上的尺寸。

例如,可以通过使用导电凸块(金凸块、铜凸块、焊料凸块等)或异向导电膜acf(anisotropicconductivefilm)的倒装芯片接合来执行基板60和摄像装置10的重新布线部分40之间的电连接,并且也可以使用其他方法。

底部填充部62可以设置在摄像装置10的基板60和重新布线部分40之间,以抑制在连接部分处出现裂纹、缓和两者之间热膨胀系数的差异、提高强度等。例如,通过将重新布线部分40和基板60电连接,然后在两者之间注入液体的底部填充材料来形成底部填充部62。此外,在重新布线部分40与基板60之间可以设置片状的底部填充材料,然后重新布线部分40与基板60可以进行电连接。

此外,除了电连接到其上的摄像装置10以外,基板60还可以设置有诸如有源元件或无源元件等连接部件和连接器,并且可以在端部形成连接端子。

如上所述,根据第五实施方案,在其中摄像装置设置有被模块化的透镜单元的情况下,与使用其安装表面为背面的常规摄像装置的情况相比,可以减小模块的高度。

<6.其他实施方案>

接下来,在另一实施方案中,将说明用于减少由摄像装置10获得的拍摄图像的图像质量劣化的构造。图8示出了重新布线部分。

与在上述的实施方案中一样,在其中重新布线部分40形成在像素区域21周围的情况下,摄像装置10的入射光被重新布线部分40的像素区域侧的端面sf反射,并且入射到像素区域21上,由此存在拍摄图像的图像质量发生劣化的可能性。

鉴于上述情况,在另一实施方案中,端面sf的反射率被设定为对图像质量的影响为可容许的预定值或以下,以减小由于形成重新布线部分40而对图像质量的影响。具体地,通过处理在重新布线部分中使用的材料和/或重新布线部分的在像素区域侧的端面sf来降低反射率。

在减少在重新布线部分中使用的材料对图像质量的影响的情况下,具有低反射率的颜色或材料用作绝缘层。例如,具有低反射率的黑色用作材料的颜色。此外,作为材料的类型,使用包含碳等的树脂材料。

作为重新布线部分40的端面sf的处理,通过执行下列处理来降低反射率,从而能够减小由端面上的反射导致的图像质量劣化的影响。

-反射防止膜的形成

在绝缘层的端面上形成反射防止膜。具有低反射率的树脂材料、带等用作反射防止膜的材料。通过使用这种材料形成的反射防止膜,可以减少端面的反射,从而可以减小图像质量劣化的影响。

-端面的粗化处理

对每个绝缘层端面进行粗化处理。粗化处理方法的示例包括等离子体处理。通过以这种方式对端面进行粗化处理,反射光被分散,使得减少了进入像素区域的反射光,从而可以减小图像质量劣化的影响。

-重新布线层形成区域的限制

重新布线层设置在绝缘层内部的区域中,从而不暴露在端面上。在其中金属膜用作重新布线层的情况下,例如,如果重新布线层暴露在端面上,则由于金属膜具有高反射率,因此由端面反射的光量增加。然而,如果重新布线层设置在绝缘层内部的区域中,则不存在重新布线层的反射,从而可以减小图像质量劣化的影响。

利用上述构造的摄像装置,不仅可以减小摄像装置的尺寸和高度,而且可以抑制图像质量的劣化。注意,尽管在上述实施方案中举例示出了设置有三层重新布线层的情况,但是重新布线层也可以是一层、两层或四层以上。

本文所述的效果仅是示例性的而非限制性的,并且可能存在其他效果。此外,本技术不应被解释为限于上述技术的实施方案。本技术的实施方案以说明的形式公开了本技术,并且显而易见的是,本领域技术人员可以在不脱离本技术的要旨的情况下修改或替代实施方案。即,为了确定本技术的要旨,应当考虑权利要求的保护范围。

此外,根据本技术的摄像装置还可以具有以下构造。

(1)一种摄像装置,包括:

摄像元件,其在像素形成表面上的除像素区域以外的区域中设置有重新布线区域;

模制部分,其形成在除所述像素形成表面以外的所述摄像元件的周围;和

重新布线层,其连接外部端子和设置在所述重新布线区域中的焊盘,所述重新布线层设置在所述摄像元件和所述模制部分的所述像素形成表面侧。

(2)根据(1)所述的摄像装置,其中,所述摄像元件和所述模制部分具有通过对与所述像素形成表面相对的表面进行研磨而获得的预定厚度。

(3)根据(1)或(2)所述的摄像装置,其中,在所述模制部分中设置有通孔,并且所述通孔的一端连接到所述重新布线层。

(4)根据(1)~(3)中任一项所述的摄像装置,其中,在所述模制部分的所述像素形成表面侧设置有用于配置待连接到所述重新布线层的电路元件的区域,并且所述外部端子配置为与所述电路元件的端子相对应。

(5)根据(1)~(4)中任一项所述的摄像装置,其中,一层或多层所述重新布线层以绝缘层位于其间的方式进行层叠。

(6)根据(5)所述的摄像装置,其中,最外层的所述重新布线层用作外部端子,并且绝缘层形成在连接到所述外部端子的所述重新布线层上。

(7)根据(5)或(6)所述的摄像装置,其中,在其中层叠有所述重新布线层和所述绝缘层的重新布线部分中的所述像素区域侧的端面的反射率被设定为等于或小于预定值。

(8)根据(7)所述的摄像装置,其中,所述绝缘层包括使所述端面的反射率等于或小于所述预定值的颜色或材料。

(9)根据(7)或(8)所述的摄像装置,其中,在所述端面上设置有反射防止膜。

(10)根据(7)或(8)所述的摄像装置,其中,对所述端面进行粗化处理。

(11)根据(7)~(10)中任一项所述的摄像装置,其中,所述重新布线层设置在所述绝缘层内部的区域中。

(12)根据(1)~(11)中任一项所述的摄像装置,其中,所述模制部分使用密封材料来形成。

(13)根据(12)所述的摄像装置,其中,所述密封材料包括液体,并且从所述摄像元件的与所述像素形成表面相对的表面施加。

(14)根据(1)~(13)中任一项所述的摄像装置,其中,晶圆工艺用于形成所述重新布线层。

(15)根据(1)~(14)中任一项所述的摄像装置,其中,透镜单元设置在所述摄像元件的所述像素形成表面侧,并且所述透镜单元的透射光入射到所述摄像元件的所述像素区域上。

(16)根据(15)所述的摄像装置,其中,基板设置在所述摄像元件和所述透镜单元之间,并且在所述基板中形成有允许所述透镜单元的透射光入射到所述摄像元件的所述像素区域上的开口。

(17)根据(15)或(16)所述的摄像装置,其中,所述外部端子电连接到设置在所述基板的所述摄像元件侧的表面上的端子部。

工业上的实用性

在根据本技术的摄像装置中,除了在像素形成表面上以外,模制部分形成在其中在像素形成表面上的像素区域以外的区域中设置有重新布线区域的摄像元件的周围。连接外部端子和设置在重新布线区域中的焊盘的重新布线层形成在摄像元件和模制部分的像素形成表面侧。因此,可以容易地减小摄像装置的尺寸和高度,例如,这适合于便携式电子装置等。

附图标记列表

10摄像装置

20摄像元件

21像素区域

22重新布线区域

23焊盘

30模制部分

40重新布线部分

41a、42a、43a绝缘层

41b、42b、43b重新布线层

44b通孔

51、60基板

53连接部

54半导体芯片

61开口

62底部填充部

70透镜单元

71透镜

72透镜支架

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