1.一种用于制造电子元件(100)的方法，包括以下步骤：
a)提供半导体芯片(2)，所述半导体芯片具有底侧(20)、多个接触销(21)和至少一个校准销(25)，其中，
-所述接触销(21)和所述校准销(25)分别从所述底侧(20)突出，
-所述接触销(21)设计用于电接触所述半导体芯片(2)，
-所述校准销(25)在远离所述底侧(20)的方向上变细，
-所述校准销(25)比所述接触销(21)从所述底侧(20)突出得更远；
b)提供连接载体(1)，所述连接载体具有上侧(10)，多个接触凹部(11)和至少一个校准凹部(15)被引入到所述上侧中，其中，
-所述接触凹部(11)分别至少部分地用焊接材料(12)填充；
c)将所述接触凹部(11)中的焊接材料(12)加热到所述焊接材料(12)至少部分熔化的接合温度；
d)将所述半导体芯片(2)放置到所述连接载体(1)上，其中，
-所述接触销(21)被分别引入到所述接触凹部(11)中并且所述校准销(25)被引入到所述校准凹部(15)中，和
-所述接触销(21)浸入到熔化的焊接材料(12)中。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
-所述校准凹部(15)的直径大于所述校准销(25)的直径，
-所述校准凹部(15)的直径最大为所述校准销(25)的最宽部位处的直径的两倍，
-所述校准凹部(15)的深度大于所述接触凹部(11)的深度。
3.根据权利要求1或2所述的方法，
其中，将所述焊接材料(12)和所述接触销(21)的材料选择成使得在所述步骤d)中并且在所述接合温度下，所述焊接材料(12)和所述接触销(21)通过等温固化材料配合地彼此连接。
4.根据前述权利要求之一所述的方法，
其中，借助所述方法将所述半导体芯片(2)电连接在所述连接载体(1)上。
5.根据前述权利要求之一所述的方法，其中，
-所述半导体芯片(1)是像素化的光电子半导体芯片(1)，
-将像素化的所述半导体芯片(1)的一个或更多个像素(22)分配给每一个接触销(21)。
6.根据前述权利要求之一所述的方法，其中，
-所述连接载体(1)包括多个电子开关(13)，
-每一个接触凹部(11)分配有一个开关(13)。
7.根据前述权利要求之一所述的方法，
其中，在所述步骤d)中，将所述接触销(21)浸入到熔化的焊接材料(12)中，使得在每个接触凹部(11)中置换出的所述焊接材料(12)的体积至少为所述接触凹部(11)中的所述焊接材料(12)的总体积的10％。
8.根据前述权利要求之一所述的方法，
其中，在所述接触凹部(11)和所述校准凹部(15)之外的区域中，与所述接触销(21)相比，所述连接载体(1)的上侧(10)更差地通过熔化的焊接材料(12)来被浸湿。
9.一种电子元件(100)，包括：
-半导体芯片(2)，所述半导体芯片具有半导体本体(26)、底侧(20)、多个接触销(21)和至少一个校准销(25)，
-连接载体(1)，所述连接载体具有上侧(10)，将多个接触凹部(11)和至少一个校准凹部(15)引入到所述上侧中，其中，
-所述接触销(21)和所述校准销(25)分别从所述底侧(20)突出，
-所述接触销(21)设计用于电接触所述半导体本体(26)，
-所述校准销(25)在远离所述底侧(20)的方向上变细，
-所述校准销(25)比所述接触销(21)从所述底侧(20)突出得更远，
-所述接触凹部(11)至少部分地用焊接材料(12)填充，
-不同接触凹部(11)的所述焊接材料(12)不连续，
-所述半导体芯片(2)通过所述底侧(20)朝前安装在所述连接载体(1)的所述上侧(10)上，
-每个接触销(21)分配有一个接触凹部(11)，并且所述校准销(25)分配有校准凹部(15)，
-所述接触销(21)分别伸入到所述接触凹部(11)中，
-所述校准销(25)伸入到所述校准凹部(15)中，
-所述接触销(21)分别与所述接触凹部(11)的焊接材料(12)材料配合地连接。
10.根据权利要求9所述的电子元件(100)，
其中，所述校准销(25)与所述半导体本体(26)电绝缘。
11.根据权利要求9或10所述的电子元件(100)，
其中，所述半导体芯片(2)经由所述接触销(21)和所述焊接材料(12)电连接到所述连接载体(1)。
12.一种用于制造半导体芯片(2)的方法，包括以下步骤：
a)提供具有半导体本体(26)和底侧(20)的基体，其中，
-将多个接触销(21)和至少一个校准销(25)布置在所述半导体本体(26)上，所述接触销和校准销分别从所述底侧(20)突出，
-所述接触销(21)设计用于电接触所述半导体本体(26)，
-所述校准销(25)比所述接触销(21)从底侧(20)突出得更远，
-所述校准销(25)的直径在所述校准销(25)的整个高度上基本上是恒定的；
b)在所述校准销(25)旁边的区域中，在所述半导体本体(26)上形成成形体(4)，其中，所述成形体(4)侧向地成形所述校准销(25)；
c)通过将蚀刻剂施加到所述成形体(4)和所述校准销(25)的背离所述半导体本体(26)的一侧上来执行蚀刻工艺，其中，
-所述蚀刻剂侵蚀所述成形体(4)和所述校准销(25)，
-所述蚀刻剂对所述成形体(4)的蚀刻速率高于其对所述校准销(25)的蚀刻速率，
-执行所述蚀刻工艺直至所述校准销(25)的形状改变成使得所述校准销(25)在远离所述底侧(20)的方向上变细。
13.根据权利要求12所述的方法，
其中，执行步骤c)中的所述蚀刻工艺直至所述成形体(4)被完全移除。
14.根据权利要求12或13所述的方法，
其中，在所述步骤a)之前将所述接触销(22)和所述校准销(25)电镀地施加在所述半导体本体(26)上。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，
-所述接触销(21)和所述校准销(25)的第一部段借助于第一电镀工艺被共同制造，
-然后在第二电镀工艺中制造完成所述校准销(25)。