具有屏蔽件的半导体装置的制作方法

本发明的各种态样大体上涉及半导体装置，且更特定来说，涉及引线框半导体装置。

背景技术：

现有的半导体装置和用于形成半导体装置的方法是不适当的，例如，导致成本过量、可靠性降低、性能相对低、热性质不佳或封装大小过大。通过比较此类方法与本发明并参考图式，所属领域的技术人员将显而易见常规和传统方法的其它限制和缺点。

技术实现要素：

在本发明的一态样中，一种半导体装置，其包括：引线框，其包括信号引线和第一屏蔽件引线；电子装置，其安装到所述引线框且耦合到所述信号引线；封装主体，其包括外部表面，所述外部表面具有主体顶部表面、与所述主体顶部表面相对的主体底部表面，以及将所述主体顶部表面耦合到所述主体底部表面的主体侧表面，所述封装主体囊封所述电子装置和所述引线框，使得所述第一屏蔽件引线和所述信号引线中的每一个包含延伸超出所述封装主体的所述外部表面的外部部分；以及第一电磁干扰(emi)屏蔽件，其耦合到所述第一屏蔽件引线的所述外部部分。在半导体装置中，所述引线框包括第二屏蔽件引线；所述第二屏蔽件引线的外部部分延伸超出所述封装主体的所述外部表面；且半导体封装包括耦合到所述第二屏蔽件引线的所述外部部分的第二emi电磁干扰屏蔽件。在半导体装置中，所述第一emi电磁干扰屏蔽件覆盖所述封装主体的所述主体顶部表面的一部分；且所述第二emi电磁干扰屏蔽件覆盖所述封装主体的所述主体底部表面的一部分。在半导体装置中，所述第一emi电磁干扰屏蔽件包括沿着所述封装主体的所述外部表面的导电涂层。在半导体装置中，所述第一emi电磁干扰屏蔽件包括附接到所述封装主体的所述外部表面的导电板。在半导体装置中，所述引线框包括第二屏蔽件引线；所述第一屏蔽件引线的所述外部部分从所述主体侧表面的第一侧表面延伸；所述第二屏蔽件引线的外部部分从所述主体侧表面的与所述第一侧表面相对的第二侧表面延伸；且所述第一emi电磁干扰屏蔽件电耦合到所述第二屏蔽件引线的所述外部部分。半导体装置进一步包括：屏蔽件安装件，其在所述第一屏蔽件引线的所述外部部分的远端处且比所述第一屏蔽件引线的所述外部部分宽；且所述第一emi电磁干扰屏蔽件经由所述屏蔽件安装件电耦合到所述第一屏蔽件引线。在半导体装置中，所述引线框包括第二屏蔽件引线；所述第二屏蔽件引线的外部部分延伸超出所述封装主体的所述外部表面；所述半导体装置进一步包括屏蔽件安装件，其跨越所述第一屏蔽件引线的所述外部部分和所述第二屏蔽件引线的所述外部部分；且所述第一emi电磁干扰屏蔽件经由所述屏蔽件安装件耦合到所述第一屏蔽件引线和所述第二屏蔽件引线。在半导体装置中，所述引线框的一部分穿过所述封装主体的所述主体底部表面暴露出来。在半导体装置中，所述主体侧表面包括第一侧表面、与所述第一侧表面相对的第二侧表面、第三侧表面，以及与所述第三侧表面相对的第四侧表面；所述信号引线包括延伸穿过所述第一侧表面的第一信号引线、延伸穿过所述第二侧表面的第二信号引线、延伸穿过所述第三侧表面的第三信号引线，以及延伸穿过所述第四侧表面的第四信号引线；且所述第一屏蔽件引线的所述外部部分从所述封装主体的所述外部表面延伸到邻接所述第一侧表面和所述第三侧表面的拐角区。在半导体装置中，所述引线框包含裸片垫；且所述电子装置经由所述裸片垫安装到所述引线框。在半导体装置中，所述第一屏蔽件引线耦合到所述裸片垫。半导体装置进一步包括耦合到所述裸片垫的接地引线。在半导体装置中，所述引线框包括裸片安装结构，所述裸片安装结构包括所述信号引线的内部部分；且所述电子装置经由所述信号引线的所述内部部分安装到所述引线框。

在本发明的另一态样中，一种半导体装置，其包括：引线框，其包括裸片安装结构、信号引线、第一屏蔽件引线、第二屏蔽件引线，以及跨越所述第一屏蔽件引线和所述第二屏蔽件引线的第一屏蔽件安装件；电子装置，其安装到所述裸片安装结构且耦合到所述信号引线；封装主体，其包括外部表面，所述外部表面具有主体顶部表面、与所述主体顶部表面相对的主体底部表面，以及将所述主体顶部表面耦合到所述主体底部表面的主体侧表面，所述封装主体囊封所述电子装置和所述引线框，使得：所述第一屏蔽件引线、所述第二屏蔽件引线以及所述信号引线中的每一个包含延伸超出所述封装主体的所述外部表面的外部部分；且所述第一屏蔽件安装件延伸超出所述封装主体的所述外部表面；以及第一屏蔽板，其耦合到所述第一屏蔽件安装件。半导体装置进一步包括：第二屏蔽板，其耦合到所述第一屏蔽件安装件；其中所述第一屏蔽板覆盖所述封装主体的所述主体顶部表面的一部分；且其中所述第二屏蔽板覆盖所述封装主体的所述主体底部表面的一部分。在半导体装置中，所述第一屏蔽件安装件延伸超出所述封装主体的第一侧表面；所述引线框包括第二屏蔽件安装件，其延伸超出所述封装主体的与所述第一侧表面相对的第二侧表面；且所述第一屏蔽板耦合到所述第二屏蔽件安装件。

在本发明的又另一态样中，一种方法，其包括：将引线框和安装到所述引线框且耦合到所述引线框的信号引线的电子装置囊封于包括外部表面的封装主体中，使得所述引线框的第一屏蔽件引线和信号引线各自包含延伸超出所述封装主体的所述外部表面的外部部分，所述外部表面具有主体顶部表面、与所述主体顶部表面相对的主体底部表面，以及将所述主体顶部表面耦合到所述主体底部表面的主体侧表面；以及将第一电磁干扰(emi)屏蔽件耦合到所述第一屏蔽件引线的所述外部部分。方法进一步包括将第二emi电磁干扰屏蔽件耦合到所述引线框的第二屏蔽件引线的外部部分。方法进一步包括将所述第一emi电磁干扰屏蔽件耦合到所述引线框的第二屏蔽件引线的外部部分。

附图说明

贯穿图式和详细描述使用共同附图标记以指示相同和/或类似元件。

图1a到图1g描绘半导体装置的态样。

图2a和图2b描绘适于具有单个emi屏蔽件的半导体装置的引线框。

图2c描绘适于半导体装置的j型引线。

图3a到图3c描绘半导体装置的其它态样。

图4a到图4c描绘半导体装置的又其它态样。

图5a到图5c描绘半导体装置的额外态样。

图6a到图6d描绘半导体装置的更多态样。

图7a到图7c描绘半导体装置的其它态样。

图8a到图8c描绘半导体装置的又其它态样。

具体实施方式

本发明的各种态样可以许多不同形式体现且不应理解为受限于在本文中所阐述的实例实施例。实际上，提供本发明的这些实例实施例是为了使本发明将为透彻且完整的，且将向所属领域的技术人员传达本发明的各种态样。

根据本发明的各种实施例，半导体装置包含引线框、电子装置、封装主体，以及第一电磁干扰(emi)屏蔽件。引线框包含信号引线和第一屏蔽件引线。电子装置可安装到引线框且可耦合到信号引线。封装主体包含外部表面，其具有主体顶部表面、与主体顶部表面相对的主体底部表面，以及将主体顶部表面耦合到主体底部表面的主体侧表面。封装主体囊封电子装置和引线框，使得第一屏蔽件引线和信号引线中的每一个包含延伸超出封装主体的外部表面的外部部分。第一emi屏蔽件可耦合到第一屏蔽件引线的外部部分。

根据本发明的其它实施例，半导体装置包含引线框、电子装置、封装主体以及第一屏蔽板。引线框包含裸片安装结构、信号引线、第一屏蔽件引线、第二屏蔽件引线，以及跨越第一和第二屏蔽件引线的第一屏蔽件安装件。电子装置可安装到裸片安装结构且可耦合到信号引线。封装主体包含外部表面，其具有主体顶部表面、与主体顶部表面相对的主体底部表面，以及将主体顶部表面耦合到主体底部表面的主体侧表面。封装主体囊封电子装置和引线框，使得(i)第一屏蔽件引线、第二屏蔽件引线以及信号引线中的每一个包含延伸超出封装主体的外部表面的外部部分，且(ii)第一屏蔽件安装件延伸超出封装主体的外部表面。第一屏蔽板可耦合到第一屏蔽件安装件。

根据本发明的又其它实施例，一种方法包含将引线框和安装到引线框且耦合到引线框的信号引线的电子装置囊封于封装主体中，使得引线框的第一屏蔽件引线和信号引线各自包含延伸超出封装主体的外部表面的外部部分。封装主体包含外部表面，其具有主体顶部表面、与主体顶部表面相对的主体底部表面，以及将主体顶部表面耦合到主体底部表面的主体侧表面。所述方法进一步包含将第一emi屏蔽件耦合到第一屏蔽件引线的外部部分。

在图式中，为了清楚起见夸大层和区的厚度。相似附图标记贯穿全文指代相似元件。

术语“或”表示由“或”连接的列表中的项目中的任何一或多个项目。作为实例，“x或y”表示三元素集合{(x),(y),(x,y)}中的任一元素。作为另一实例，“x、y或z”表示七元素集合{(x),(y),(z),(x，y),(x,z),(y,z),(x,y,z)}中的任一元素。

除非另外指定，否则术语“耦合”可用于描述彼此直接接触的两个元件或描述由一或多个其它元件间接连接的两个元件。例如，如果元件a耦合到元件b，则元件a可直接接触元件b或由插入元件c间接连接到元件b。类似地，术语“在……上方”或“在……上”可用于描述彼此直接接触的两个元件或描述由一或多个其它元件间接连接的两个元件。

本文中所使用之术语仅用于描述特定实施例之目的，而非意图限制本发明。如本文中所使用，除非上下文另外清晰地指示，否则单数形式也意图包含复数形式。将进一步理解，术语“包括”和“包含”当在本说明书中使用时，指定所陈述特征、数目、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一或多个其它特征、数目、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。

将理解，尽管术语第一、第二等可在本文中使用以描述各种部件、元件、区、层和/或区段，但这些部件、元件、区、层和/或区段应不受这些术语限制。这些术语仅用于区分一个部件、元件、区、层和/或区段与另一部件、元件、区、层和/或区段。因此，例如，下文论述的第一部件、第一元件、第一区、第一层和/或第一区段可能被称为第二部件、第二元件、第二区、第二层和/或第二区段而不脱离本发明的教示。

为易于描述，本文中使用例如“在……之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等空间相对术语以描述元件或特征与如图式中所说明的另一元件或特征的关系。应理解，空间相对术语意图涵盖装置在使用或操作中除图式中所描绘的定向外的不同定向。例如，若图式中的装置翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将接着被定向为在其它元件或特征“上方”。因此，示范性术语“下方”可涵盖在上方和下方两种定向。装置可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词可相应地进行解释。

此外，术语“共面”和类似术语在本文中用以表示位于同一平面内的两个表面。共面表面可彼此邻近或邻接；然而非邻近和/或非邻接表面也可是共面的。例如，间隙、空隙和/或其它结构可插入于共面表面之间。此外，由于制造公差、热膨胀等，共面表面中可存在微小偏差。此类偏差可导致一个表面略微高于另一表面，从而因此在共面表面之间形成台阶(例如，上台阶或下台阶)。

现参考图1a到1g，示出半导体装置10的态样。特定来说，图1a提供半导体装置10的正视图、图1b提供侧视图、图1c提供横截面侧视图、图1d提供横截面俯视图且图1e提供另一横截面俯视图。此外，图1f提供半导体装置10的上部emi屏蔽件的平面图，且图1g提供半导体装置10的下部emi屏蔽件的平面图。在一些实例中，半导体装置10可包括或被称作半导体封装。

如图1c中所示，半导体装置10包含电子装置20、引线框30、封装主体50，以及耦合到引线框30的emi屏蔽件70a、70b。电子装置20可包含一或多个集成电路，例如微控制器、微处理器、网络处理器、功率管理处理器、音频处理器、视频处理器、rf电路、无线基带芯片上系统(soc)处理器、传感器、微型机电系统(mems)装置、存储器控制器、存储器装置、专用集成电路等。在一些实例中，电子装置20可包括或被称作半导体裸片或半导体封装。电子装置20可包含顶部表面22、与顶部表面22相对的底部表面24以及邻接顶部表面22与底部表面24的侧表面26。顶部表面22可包含提供到电子装置20的集成电路的电连接的端子28(参见例如图1e)。在一些实例中，端子28可包括或被称作裸片垫、凸块或导柱。此外，底部表面24可附接至引线框30的裸片安装结构36。

引线框30大体上提供用于将半导体装置10电且机械地耦合到例如印刷电路板、另一半导体装置等外部组件，同时在半导体装置10的电子装置20与外部组件之间提供电连接的结构。为此目的，引线框30包含信号引线32、接地引线34、裸片安装结构36、屏蔽件引线38a、38b，以及屏蔽件安装件40a、40b。参见例如图1d和1e。信号引线32在电子装置20与半导体装置10可机械地耦合到的外部组件之间提供传播电输入和/或输出信号的信号路径。接地引线34将引线框30的部分电耦合到外部接地电位。裸片安装结构36提供电子装置20可安装到的区域。为此目的，裸片安装结构36可包含裸片垫或可包含引线32、34的内部部分或末端。裸片垫可提供电子装置20可机械地耦合到的导电板。在替代引线上倒装芯片(fcol)配置中，引线32、34的内部部分或末端可准许将电子装置20的端子28电耦合到引线32、34。

屏蔽件安装件40a、40b可耦合到屏蔽件引线38a、38b的外部部分39a、39b，且可提供emi屏蔽件70a、70b可电且机械地耦合到引线框30的安装表面42a、42b。每一屏蔽件安装件40a、4b可比屏蔽件引线38a、38b的个别引线宽，且可提供比屏蔽件引线38a、38b的个别引线自身将提供的安装表面大的安装表面42a、42b。如图1d中所示，在一些实施例中，屏蔽件引线38a可包括可由间隙分离或可彼此平行的多个引线。类似地，屏蔽件引线38b可包括可由间隙分离或可彼此平行的多个引线。在此类实施例中，屏蔽件安装件40a可跨越多个屏蔽件引线外部部分39a的远端，且屏蔽件安装件40b可跨越多个屏蔽件引线外部部分39b的远端。

如图1e中所示，电子装置20和裸片安装结构36可各自具有大体上矩形周界。特定来说，裸片安装结构36可大于电子装置20，以准许将电子装置20安装于裸片安装结构36的外周界内。然而，虽然电子装置20和/或裸片安装结构36描绘为具有大体上矩形配置，但也涵盖例如大体上正方形、圆形、椭圆形、六边形等其它配置。此外，在一些实施例中，在安装到裸片安装结构36的安装表面37时，电子装置20的外周界可延伸超出裸片安装结构36的外周界。

如图1d和1e中所示，屏蔽件引线38a可耦合到接地引线34，从而因此在操作期间将屏蔽件安装件40a耦合到接地电位。在本实例中，屏蔽件引线38a还延伸到裸片安装结构36，但可存在屏蔽件引线未延伸到裸片安装结构的其它实施例。此外，裸片安装结构36可耦合到接地引线34，且屏蔽件引线38b可耦合到裸片安装结构36。因此，在操作期间，屏蔽件安装件40b也可经由裸片安装结构36耦合到接地电位。

引线框30可通过机械地冲压或化学地蚀刻连续金属条带而制造成。特定来说，引线框30可由例如铜(cu)、铜合金(cu合金)、合金37(37％的镍(ni)、55％的铁(fe))的金属材料片材制成。此外，引线框30无需具有均匀厚度。例如，可经由蚀刻对引线框30的例如引线32、34的外部部分33、35的部分进行底切，以在半导体装置10的制造后期期间改进囊封物粘着性。最后，作为用以促进接合的表面制备，引线框30可镀覆有例如金(au)、银(ag)、镍(ni)、钯(pd)或其合金的导电金属。

此外，可根据半导体装置10中所要的输入/输出路径的数目和位置，变化并设计引线32、34的数目、位置以及路径。另外，虽然以矩形配置示出引线框30，但涵盖例如正方形、圆形、椭圆形、六边形等其它配置。

在一些实施例中，可使用环氧树脂、粘着膜或胶带将电子装置20附接或接合到裸片安装结构36。例如，例如热粘着剂或热胶带的热界面材料23可将电子装置20附接到裸片安装结构36的安装表面37。参见例如图1c。除了机械地或热耦合裸片安装结构36外，电子装置20也可电耦合到裸片安装结构36。例如，热界面材料23可是导电的，从而因此将电子装置20电连接到裸片安装结构36。在一些实施例中，电子装置20的凸块、垫或其它互连结构可附接到裸片安装结构36的内部引线部分，以便将此类互连结构电耦合到引线框30的相应引线。

如图1e中所示，接合线29可将电子装置20的端子28电连接到相应信号引线32。类似地，接合线29可将电子装置20的端子电连接到相应接地引线34(未示出)。接合线29可由金、铜、铝或其它导电材料形成。因此，电子装置20的电信号可经由接合线29和信号引线32传输到例如印刷电路板的外部组件。接合线29和信号引线32也可用于促进到/从电子装置20和半导体装置10外部的组件的电信号传输。

信号引线32、接地引线34以及屏蔽件引线38a、38b可包含外部部分33、35、39a、39b，所述外部部分延伸超出封装主体50的外部表面或穿过封装主体50的外部表面暴露出来。引线32、34的外部部分33、35可用于将半导体装置10安装或电连接到例如印刷电路板的另一组件。引线32、34的外部部分39a、39b可用于将emi屏蔽件70a、70b电连接到接地电位。除了引线32、34、38a、38b的外部部分33、35、39a、39b被暴露出来之外，裸片安装结构36的与安装表面37相对的底部表面41也可穿过封装主体50的外部表面暴露出来。裸片安装结构36的此暴露的底部表面41可提供有助于耗散来自电子装置20的热的导热路径，所述电子装置可附接到裸片安装结构36的对置安装表面37且可由封装主体50的囊封物环绕。

封装主体50大体上保护电子装置20免受恶劣环境的影响，且向半导体装置10提供结构完整性。为此目的，封装主体50可由覆盖电子装置20、接合线29以及引线框30的部分的囊封材料形成或模制成。如图1a和1b中所示，封装主体50大体上界定半导体装置10的外部表面。特定来说，封装主体50可提供外部表面，其具有主体顶部表面52、主体底部表面54以及一或多个主体侧表面56a到56d。如上文所提及，引线32、34、38a、38b的外部部分33、35、39a、39b可延伸超出封装主体50的外部表面和/或穿过所述外部表面暴露出来。特定来说，引线32、34、38a、38b的外部部分33、35、39a、39b可延伸穿过封装主体50的一或多个主体侧表面56a到56d。如图1e中所示，封装主体50可包含四个主体侧表面56a到56d。信号引线32的外部部分33和接地引线34的外部部分35可延伸超出主体侧表面56a和与主体侧表面56a相对的主体侧表面56b。此外，屏蔽件引线38a的外部部分39a可延伸超出主体侧表面56c，且屏蔽件引线38b的外部部分39b可延伸超出与主体侧表面56c相对的主体侧表面56d。

如图1c中进一步所示，引线38a、38b的外部部分39a、39b可从主体侧表面56c、56d的中心部分延伸。然而，裸片安装结构36可定位成使得其底部表面41与封装主体50的主体底部表面54共面或接近所述主体底部表面。因而，引线38b可在主体侧表面56d的中心部分与接近封装主体50的主体底部表面54的裸片安装结构36之间延伸。在一些实施例中，裸片安装结构36的底部表面41可定位成使得底部表面41延伸超出封装主体50的主体底部表面54。在又其它实施例中，裸片安装结构36的底部表面41可定位成使得底部表面41处于封装主体50的主体底部表面54的平面上方。在此类实施例中，封装主体50可在封装主体50的主体底部表面54中包含暴露裸片安装结构36的底部表面41的凹陷。

半导体装置10进一步包含emi屏蔽件70a、70b。如图1a到1c中所示，上部emi屏蔽件70a覆盖封装主体50的主体顶部表面52，且下部emi屏蔽件70b覆盖封装主体50的主体底部表面54。可存在半导体装置10可包括emi屏蔽件70a或70b中的仅一个的实施例。如图1f和1g中所示，每一emi屏蔽件70a、70b可包含屏蔽板72a、72b、屏蔽件安装件74a、74b，以及将屏蔽件安装件74a、74b耦合到屏蔽板72a、72b的屏蔽板引线76a、76b。类似于引线框30，每一emi屏蔽件70a、70b可通过机械地冲压或化学地蚀刻连续金属条带而制造成。特定来说，每一emi屏蔽件70a、70b可由例如铜(cu)、铜合金(cu合金)、合金37(37％的镍(ni)、55％的铁(fe))、科森合金、坡莫合金和/或其它导电材料的导电材料片材制成。

如图1a到1c中所示，emi屏蔽件70a可大体上平坦，使得屏蔽件安装件74a的安装表面75a与屏蔽板72a的安装表面73a共面。如图1b和1c中进一步所示，屏蔽件安装件40a的安装表面42a也可与封装主体50的主体顶部表面52共面。屏蔽件引线38a的外部部分39a可从封装主体50的主体侧表面56c延伸，并朝向主体顶部表面52倾斜到可定位成与封装主体50的主体顶部表面52共面的安装表面42a。

如图1b和1c中进一步所描绘，屏蔽板72a的安装表面73a可经由粘着层80a附接到封装主体50的主体顶部表面52。类似地，屏蔽板74a的安装表面75a可经由粘着层82a附接到屏蔽件安装件40a。粘着层80a和粘着层82a可由同一导电粘着材料形成，并经由单次涂覆而涂覆到封装主体50的主体顶部表面52和屏蔽件安装件40a的安装表面42a。以此方式，emi屏蔽件70a在操作期间可经由屏蔽件安装件40a和引线框30电耦合到接地电位。

类似地，emi屏蔽件70b可大体上平坦，使得屏蔽件安装件74b的安装表面75b与屏蔽板72b的安装表面73b共面。如图1b和1c中进一步所示，屏蔽件安装件40b的安装表面42b也可与封装主体50的主体底部表面54共面。屏蔽件引线38b的外部部分39b可从封装主体50的主体侧表面56d延伸，并朝向主体底部表面54倾斜到可定位成与封装主体50的主体底部表面54共面的安装表面42b。

如图1b和1c中进一步所描绘，屏蔽板72b的安装表面73b可经由粘着层80b附接到封装主体50的主体底部表面54。此外，屏蔽件安装件74b的安装表面75b可经由粘着层82b附接到屏蔽件安装件40b。粘着层80b和粘着层82b可由同一导电粘着材料形成，并经由单次涂覆而涂覆到封装主体50的主体底部表面54和屏蔽件安装件40b的安装表面42b。以此方式，emi屏蔽件70b在操作期间可经由屏蔽件安装件40b和引线框30电耦合到接地电位。

接地的emi屏蔽件70a、70b可有助于屏蔽电子装置20的集成电路免受半导体装置10外部的电磁干扰源影响。相反地，接地的emi屏蔽件70a、70b也可有助于屏蔽半导体装置10外部的组件免受电子装置20的集成电路生成的电磁干扰影响。

半导体装置10说明为具有上部emi屏蔽件70a和下部emi屏蔽件70b。然而，在一些实例中，例如仅上部emi屏蔽件70a或仅下部emi屏蔽件70b的单个emi屏蔽件可充分减弱电磁干扰。因而，半导体装置10可以单个emi屏蔽件70a或70b加以实施。

在一个实例中，半导体装置10可实施成并无emi屏蔽件70b，且引线框30可实施成并无屏蔽件引线38b或屏蔽件安装件40b，如图2a和2b中所示。特定来说，图2a描绘包括裸片安装结构36、耦合到裸片安装结构36的屏蔽件引线38a，以及跨越屏蔽件引线38a的外部部分39a的屏蔽件安装件40a的引线框30′。裸片安装结构36可在封装主体50的底部处暴露出来，且可因此耦合到外部接地电位。因此，裸片安装结构36、引线38a以及屏蔽件安装件40a可向安装到屏蔽件安装件40a的emi屏蔽件70a提供接地路径。

图2b描绘另一引线框30″，其包括裸片安装结构36、接地引线34a、耦合到接地引线34a的屏蔽件引线38a、跨越屏蔽件引线38a的外部部分39a的屏蔽件安装件40a，以及耦合到裸片安装结构36的接地引线34b。因此，接地引线34a、屏蔽件引线38a以及屏蔽件安装件40a可向安装到屏蔽件安装件40a的emi屏蔽件70a提供接地路径。因而，emi屏蔽件70a可通过将第一接地引线34a的外部部分35a耦合到封装主体50外部的接地电位而接地。类似地，第二接地引线34b可提供到裸片安装结构36的接地路径。特定来说，裸片安装结构36可通过将第二接地引线34b的外部部分35b耦合到封装主体50外部的接地电位而接地。因此，emi屏蔽件70a可经由第一接地引线34a、35b接地，且裸片安装结构36可经由第二接地引线34b、35b接地。

此外，半导体装置10在图1a中说明为具有鸥翼形引线32、34。更具体地，引线32、34的外部部分33、35中的每一个具有行业中称为鸥翼形的形状，从而因此提供具有鸥翼形引线的半导体装置10。如图2c中所说明，半导体装置10′可替代地具备j型引线。特定来说，图2c的引线32、34的外部部分33、35中的每一个具有行业中称为j型的形状。应了解，本文中描述的所公开半导体装置实施例中的每一个可使用鸥翼形引线、j型引线、通孔引线、无引线型的引线(lead-lesslead)(参见例如图7b)或此类引线类型的某种组合来实施。

现参考图3a到3c，示出半导体装置110的态样。图3a提供半导体装置110的正视图，图3b提供侧视图，且图3c提供横截面侧视图。

类似于图1a到1g的半导体装置10，半导体装置110包含电子装置20、引线框130、封装主体50，以及经由屏蔽件安装件40a、40b电耦合到引线框130的emi屏蔽件70a、70b。然而，不同于半导体装置10的引线框30，屏蔽件引线38a、38b与裸片安装结构36共面。另外，裸片安装结构36的底部表面41并不穿过封装主体50的主体底部表面54暴露出来。此外，屏蔽件安装件40a、40b和屏蔽件引线38a、38b的外部部分39a、39b也可位于与裸片安装结构36相同的平面中。

半导体装置110的emi屏蔽件170a、170b可以类似于半导体装置10的emi屏蔽件70a、70b的方式实施。相似于emi屏蔽件70a，emi屏蔽件170a包含经由第一屏蔽板引线76a附接到屏蔽板72a的第一边缘的第一屏蔽板安装件74a。emi屏蔽件170a进一步包含经由第二屏蔽板引线76a附接到屏蔽板72a的第二边缘的第二屏蔽件安装件74a。如所示，屏蔽件安装件74a可附接到屏蔽板72a的对置边缘。类似地，相似于emi屏蔽件70b，emi屏蔽件170b包含经由第一屏蔽板引线76b附接到屏蔽板72b的第一边缘的第一屏蔽件安装件74b。emi屏蔽件170b进一步包含经由第二屏蔽板引线76b附接到屏蔽板72b的第二边缘的第二屏蔽件安装件74b。如所示，屏蔽件安装件74b可附接到屏蔽板72b的对置边缘。由于每一emi屏蔽件170a、170b包含两个屏蔽件安装件74a、74b，每一emi屏蔽件170a、170b可经由引线框130的两屏蔽件安装件40a、40b耦合到外部接地电位。如图3b到3c中所见，emi屏蔽件170a、170b在此实例中并非完全平坦的。替代地，屏蔽板引线76a和76b替代地受到弯曲，以定位用于与引线框130的屏蔽件安装件40a、40b耦合的屏蔽件安装件74a、74b。

现参考图4a到4c，示出半导体装置210的态样。图4a提供半导体装置210的正视图，图4b提供侧视图，且图4c提供横截面侧视图。

类似于图3a到3c的半导体装置110，半导体装置210包含电子装置20、引线框230、封装主体50，以及经由屏蔽件安装件40a电耦合到引线框230的emi屏蔽件270。如图4a和4b中所示，emi屏蔽件270包含横越屏蔽板72的相对外围边缘的翼形部分277a、277b。如所示，翼形部分277a、277b朝向封装主体50的主体底部表面54延伸。在所描绘实施例中，翼形部分277a、277b在到达引线32、34的从封装主体50的主体侧表面56a、56b延伸的外部部分33、35之前终止。以此方式，emi屏蔽件270的翼形部分277a、277b可进一步有助于减弱通过主体侧表面56a、56b进入和/或离开的电磁干扰。

虽然翼形部分277a、277b示出为在到达引线32、34的外部部分33、35之前终止，但翼形部分277a、277b在其它实施例中可在引线32、34的外部部分33、35上方延伸而不接触所述外部部分。以此方式，翼形部分277a、277b可进一步有助于减弱通过主体侧表面56a、56b和/或外部引线部分33、35进入和/或离开的电磁干扰。

现参考图5a到5c，示出半导体装置310的态样。图5a提供半导体装置310的正视图，图5b提供侧视图，且图5c提供横截面正视图。

类似于图1a到1g的半导体装置10，半导体装置310包含电子装置20、引线框330、封装主体50，以及电耦合到引线框330的emi屏蔽件370。然而，不同于半导体装置10，半导体装置310的引线框330不包含屏蔽件引线38a、38b或其对应外部部分39a、39b。此外，引线框330不包含屏蔽件安装件40a、40b。此外，不同于半导体装置10，emi屏蔽件370不包含屏蔽件安装件74a。替代地，屏蔽板72可经由屏蔽板引线376a、376b和粘着层82a耦合到接地引线34的外部部分35。以此方式，emi屏蔽件370在操作期间可经由屏蔽件引线376a、376b和接地引线34的外部部分35耦合到外部接地电位。在一些实例中，屏蔽板引线376a、376b耦合到的接地引线34的外部部分35的区域可被称为屏蔽件安装件。

现参考图6a到6d，示出半导体装置410的另一实施例。图6a提供沿着横截面线a(参见图6d。)的半导体装置410的横截面正视图。图6b提供沿着横截面线b(参见图6d。)的半导体装置410的横截面对角视图。图6c提供半导体装置410的横截面俯视图。图6d提供具有耦合到引线框430的emi屏蔽件470的半导体装置410的俯视图。

类似于图1a到1g的半导体装置10，半导体装置410包含电子装置20、引线框430、封装主体50，以及电耦合到引线框430的emi屏蔽件470。然而，不同于半导体装置10，引线框330包含从封装主体50的四个主体侧表面56a到56d延伸的引线32、34的外部部分33、35。如所示，封装主体50进一步包含邻接主体侧表面56a和主体侧表面56d的拐角区57a、邻接主体侧表面56b和主体侧表面56d的拐角区57b、邻接主体侧表面56b和主体侧表面56c的拐角区57c，以及邻接主体侧表面56a和主体侧表面56c的拐角区57d。引线框430进一步包含延伸到封装主体50的四个拐角区57a到57d中的每一个的屏蔽件引线438a到438d或拉杆。此外，引线框430包含分别定位于拐角区57a到57d中的每一个处，且经由屏蔽件引线438a到438d耦合到裸片安装结构36的屏蔽件安装件440a到440d。

类似于半导体装置10的emi屏蔽件70a，emi屏蔽件470包含屏蔽板472、屏蔽件安装件474a到474d、将屏蔽件安装件474a到474d耦合到屏蔽板472的屏蔽板引线476a到476d。参见例如图6d。每一屏蔽件安装件474a到474d的安装表面475a到475d可经由粘着层482附接到引线框430的相应屏蔽件安装件440a到440d。类似于粘着层80a、80b，粘着层482可由相同导电粘着材料形成，并经由单次涂覆而涂覆到封装主体50的主体顶部表面52和屏蔽件安装件440a到440d的安装表面442a到442d。以此方式，emi屏蔽件470在操作期间可经由屏蔽件安装件440a到440d和引线框430电耦合到接地电位。

现参考图7a到7c，示出半导体装置510的态样。图7a提供半导体装置510的正视图，图7b提供侧视图，且图7c提供横截面侧视图。

类似于图3a到3c的半导体装置110，半导体装置510包含电子装置20、引线框130、封装主体50，以及经由屏蔽件安装件40a、40b电耦合到引线框130的emi屏蔽件170a。然而，不同于半导体装置110的引线框130，信号引线32和接地引线34基本上没有引线框130的鸥翼形外部部分33、35。替代地，封装主体50暴露引线32、34中的每一个的大体上平坦的外部部分33′、35′。引线32、34的外部部分33′、35′可与封装主体50的外部表面齐平。在一些实施例中，引线32、34的外部部分33′、35′可经由封装主体50的外部表面中的对应凹陷暴露出来。在又其它实施例中，引线32、34的外部部分33′、35′提供在封装主体50的外部表面上升高的大体上平坦表面。

如进一步所示，引线框130与封装主体50的主体底部表面54对齐。因而，相似于图1a到1g的半导体装置10，裸片安装结构36的底部表面41可穿过封装主体50的主体底部表面54暴露出来。

相似于图3a到3c的emi屏蔽件170a，emi屏蔽件170a可包含经由屏蔽板引线76a、76b附接到屏蔽板72a的相对外围边缘的屏蔽件安装件74a、74b。屏蔽件安装件74a、74b的安装表面75a、75b可经由粘着层82a附接到引线框130的屏蔽件安装件40a、40b的安装表面42a、42b。因此，emi屏蔽件170a可经由两屏蔽件安装件40a、40b耦合到引线框130。因而，emi屏蔽件170在操作期间可经由引线框130耦合到外部接地电位。

现参考图8a到8c，示出半导体装置610的态样。图8a提供半导体装置610的正视图，图8b提供侧视图，且图8c提供横截面侧视图。

类似于图4a到4c的半导体装置210，半导体装置610包含电子装置20、引线框230、封装主体50，以及经由屏蔽件安装件40a电耦合到引线框230的emi屏蔽件670。然而，不同于emi屏蔽件270，emi屏蔽件670不包含屏蔽板72、屏蔽件安装件74a、74b或屏蔽件引线76a、76b。替代地，emi屏蔽件670包括保形emi屏蔽件，其可被喷淋、散布、镀覆、溅镀或以其它方式分散于封装主体50的主体顶部表面52和主体侧表面56a到56d的部分，以及引线框630的屏蔽件安装件40a上方。以此方式，emi屏蔽件670提供符合封装主体50和引线框630的屏蔽件安装件40a的轮廓，且在操作期间可经由引线框630耦合到外部接地电位的保形emi屏蔽件。

本发明提供示范性实施例。本发明的范围并不受这些示范性实施例限制。鉴于本发明，所属领域的技术人员可实施无论是针对说明书明确地提供还是说明书中隐含地提供的众多变化，例如结构、尺寸、材料类型以及制造工艺的变化。