1.一种半导体装置，包括：
一晶体管，具有一通道区，该通道区包含一成分元素与多个多余原子，且该成分元素属于元素周期表的一族，其中：
该些多余原子为氮，或属于元素周期表的该族，以及
该通道区中的该些多余原子的浓度介于约1019cm-3至约1021cm-3之间；以及
一隔离区，与该晶体管相邻，该隔离区亦含有该些多余原子，且该隔离区中的该些多余原子的浓度介于约1020cm-3至约1021cm-3之间。