一种紫外LED封装结构及其制备方法与流程

文档序号:22883771发布日期:2020-11-10 17:52阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种紫外led封装结构,其特征在于,包括:led支架、紫外led芯片、粘合层和无机玻璃;led支架置于底层;紫外led芯片置于led支架内腔上表面,紫外led芯片与led支架内腔通孔金属电路相连;粘合层位于led支架顶面,将led支架与无机玻璃相连接实现密封;无机玻璃位于紫外led的顶部,无机玻璃下表面与粘合层上表面相接。

2.根据权利要求1所述的led封装结构,其特征在于,粘合层的宽度与led支架顶面边缘宽度一致,包括:有机粘合剂模块、紫外吸光剂模块和干燥剂模块,有机粘合剂模块将led支架与无机玻璃相连接,紫外吸光剂模块用于阻隔紫外led芯片发出的紫外光线对有机粘合剂的老化衰退影响,干燥剂模块用于阻隔外部空气环境的水汽成分,保护紫外led芯片不受其影响。

3.根据权利要求2所述的led封装结构,其特征在于,有机粘合剂模块、紫外吸光剂模块和干燥剂模块并排相连,高度一致,并且有机粘合剂模块置于最外层,由外到内包括有机粘合剂模块/紫外吸光剂模块/干燥剂模块、有机粘合剂模块/干燥剂模块/紫外吸光剂模块两种组合形式,其中:有机粘合剂模块宽度占粘合层比例为1/3-2/3,紫外吸收剂模块宽度占粘合层比例为1/6-1/3,干燥剂模块宽度占粘合层比例为1/6-1/3。

4.根据权利要求1所述的led封装结构,其特征在于,有机粘合剂模块包括硅胶、聚二甲基硅氧烷材料的一种或者两种以上组合而成;紫外吸光剂由聚二甲基硅氧烷与紫外吸光粒子以一定质量比例混合而成,紫外吸光粒子包括氧化锌、二氧化钛、氧化铁的一种或者两种以上组合而成,质量浓度为5-25wt%;干燥剂由聚二甲基硅氧烷与干燥粒子以一定比例混合而成,干燥粒子包括氧化钙、无水氯化钙、氧化铝、硫酸钙、硫酸钠一种或者两种以上组合而成,质量浓度为5-25wt%。

5.根据权利要求1所述的led封装结构,其特征在于,led支架设置有内腔通孔金属电路,分为正负两极,通孔金属电路的正极与紫外led芯片的正极相连接,通孔金属电路的负极与紫外led芯片的负极相连接;led支架内腔表面设置有金属反光层。

6.根据权利要求1所述的led封装结构,其特征在于,紫外led芯片形状为矩形,发光波长为250-410nm,高度为50-200μm。

7.根据权利要求1所述的led封装结构,其特征在于,无机玻璃的形状与led支架的底面形状一致,高度为0.5-3mm。

8.一种紫外led封装结构的制备方法,包括如下步骤:

s1.固晶:采用固晶机将紫外led芯片固定在led支架内腔上表面中心处;

s2.电气连接:将紫外led芯片和led支架内腔的金属电路相连;

s3.准备有机粘合剂、紫外吸光剂、干燥剂,其中紫外吸光剂由pdms与紫外吸光粒子以一定质量比例混合而成,并且加以真空脱泡处理;干燥剂由pdms与干燥粒子以一定比例混合而成,并且加以真空脱泡处理;

s4.印刷粘合层:利用模板印刷法,将有机粘合剂、紫外吸光剂、干燥剂印刷置于无机玻璃表面,形成有机粘合剂模块、紫外吸光剂模块、干燥剂模块,有机粘合剂模块、紫外吸光剂模块、干燥剂模块三者共同组成粘合层;

s5.连接:将步骤s4获得的无机玻璃倒置放置于所述的led支架顶面上,其中粘合层下表面与led支架的顶面相连接,并且无机玻璃的四侧与led支架四侧保持对齐;

s6.加热固化,完成封装工艺。

9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,步骤s4中,有机粘合剂通过有机粘合剂印刷模板印刷置于无机玻璃表面、紫外吸光剂通过紫外吸光剂印刷模板印刷置于无机玻璃表面、干燥剂通过干燥剂印刷模板印刷置于无机玻璃表面;其中:有机粘合剂印刷模板预留有有机粘合剂模块形状通孔,紫外吸光剂印刷模板预留有紫外吸光剂模块形状通孔,干燥剂印刷模板预留有干燥剂模块形状通孔。

10.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,步骤s6中,加热固化温度为80-180℃,时间为1-3h。


技术总结
本发明属于半导体封装技术领域,公开一种紫外LED封装结构,包括:LED支架、紫外LED芯片、粘合层和无机玻璃,通过粘合层将LED支架与无机玻璃相连接实现密封功能。其中:粘合层包括有机粘合剂模块、紫外吸光剂模块和干燥剂模块,有机粘合剂模块将LED支架与无机玻璃相连接,紫外吸光剂模块用于阻隔紫外LED芯片发出的紫外光线对有机粘合剂的老化衰退影响,干燥剂模块用于阻隔外部空气环境的水汽成分,保护紫外LED芯片不受其影响。本发明解决了紫外LED封装结构中有机粘合剂易受紫外光照射的老化问题和紫外LED芯片易受空气水汽干扰的失效问题,有效提高了紫外LED的稳定性。本发明还提供一种紫外LED封装结构制备方法。

技术研发人员:丁鑫锐;颜才满;汤勇;李宗涛;余彬海;余树东
受保护的技术使用者:华南理工大学
技术研发日:2020.07.14
技术公布日:2020.11.10
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