1.一种选通管，包括：
衬底；
设置于衬底上的交替层，所述交替层由底电极层与绝缘层交替形成；
所述交替层上开设有u型凹槽，从所述u型凹槽的内壁至所述u型凹槽中心的方向依次设置有选通层和介质层，所述介质层围成的凹型空间内填充有顶电极层。
2.如权利要求1所述的选通管，其特征在于：
所述底电极层为tin层；所述绝缘层为sio2层。
3.如权利要求1所述的选通管，其特征在于：
所述选通层为铌的氧化物层，所述选通层的厚度为25～40nm。
4.如权利要求1所述的选通管，其特征在于：
所述介质层为hfo2层，所述介质层的厚度为18～22nm。
5.如权利要求1所述的选通管，其特征在于：
所述顶电极层为pt层，位于所述凹型空间内的所述顶电极层的宽度为45～55nm。
6.一种选通管的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上形成交替层，所述交替层由底电极层与绝缘层交替形成；
刻蚀所述交替层形成u型凹槽；
在所述u型凹槽内壁上依次形成选通层和介质层；
在所述介质层围成的凹型空间内填充顶电极层。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成交替层，包括：
在所述衬底上形成由tin层与sio2层交替形成的交替层。
8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述u型凹槽内壁上依次形成选通层和介质层，包括：
采用磁控溅射技术击打包括nb元素和o元素的靶材，在通氧量为0.6-1.0sccm的条件下，在所述u型凹槽内壁上沉积铌的氧化物，形成所述选通层；
在所述选通层上形成所述介质层。
9.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述u型凹槽内壁上依次形成选通层和介质层，包括：
在所述u型凹槽内壁上形成所述选通层；
在所述选通层上采用原子层沉积技术沉积hfo2，形成所述介质层。
10.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述在所述介质层围成的凹型空间内填充顶电极层，包括：
采用磁控溅射技术在所述介质层围成的凹型空间内沉积pt，形成所述顶电极层，位于所述凹型空间内的所述顶电极层的宽度为45～55nm。