有机发光装置及包括该有机发光装置的平板显示设备的制作方法

有机发光装置及包括该有机发光装置的平板显示设备
[0001]
相关申请的交叉引用
[0002]
本申请要求于2019年9月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0108937号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
技术领域
[0003]
本公开的实施方式的一个或多个方面涉及有机发光装置及包括该有机发光装置的显示设备。


背景技术：

[0004]
有机发光装置为产生全色图像的自发射装置，并且与相关技术的装置相比，也可具有宽视角、高对比度、短响应时间，和/或在明度和/或响应速度方面优异的特性。
[0005]
有机发光装置可包括设置(放置)在基板上的第一电极，以及顺序设置在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可通过电子传输区朝向发射层移动。载流子，比如空穴和电子，可然后在发射层中复合，以产生激子。这些激子可从激发态跃迁至基态，从而产生光。


技术实现要素：

[0006]
本公开的实施方式的一个或多个方面涉及具有低驱动电压、高效率和长寿命的有机发光装置。
[0007]
另外的方面将部分地在随后的描述中阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或可通过实践所呈现的公开的实施方式而获知。
[0008]
本公开的一个或多个实施方式提供了有机发光装置，包括：第一电极；
[0009]
面向第一电极的第二电极；
[0010]
在第一电极和第二电极之间的数量为m个的发光单元；以及
[0011]
分别在数量为m个的发光单元当中的每对邻近的发光单元之间的数量为m-1个的电荷产生层，每个电荷产生层包括n-型电荷产生层和p-型电荷产生层，
[0012]
其中m为大于或等于3的整数，
[0013]
数量为m个的发光单元各自包括顺序堆叠的空穴传输区、发射层和电子传输区，
[0014]
数量为m个的发光单元中包括的数量为m个的电子传输区各自包括电子传输材料，并且
[0015]
在数量为m个的电子传输区当中的至少一个电子传输区中包括的电子传输材料不同于在其他电子传输区当中的至少一个电子传输区中包括的电子传输材料。
[0016]
本公开的一个或多个实施方式提供了平板显示设备，包括：包括源电极、漏电极和有源层的薄膜晶体管；以及有机发光装置，其中有机发光装置的第一电极与薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接。
附图说明
[0017]
本公开的某些实施方式的上面的和其他方面、特征和优势将从结合附图的以下描述中更显而易见，其中：
[0018]
图1和图2各自为根据实施方式的有机发光装置的示意性横截面图；
[0019]
图3为根据比较例1至比较例3制造的有机发光装置的电容-电压图；
[0020]
图4为根据实施例1和比较例3制造的有机发光装置的电容-电压图；
[0021]
图5为显示根据实施例1和比较例3制造的有机发光装置的寿命的图；
[0022]
图6为显示在根据实施例1和比较例3制造的有机发光装置中，在室温下随着时间的推移，驱动电压的变化的图；并且
[0023]
图7为显示在根据比较例2和比较例3制造的有机发光装置中，在室温下随着时间的推移，驱动电压的变化的图。
具体实施方式
[0024]
现将更详细参考实施方式，在附图中示出实施方式的示例，其中相同的附图标记通篇指相同的元件。就此而言，本实施方式可具有不同的形式并且不应解释为限于本文阐述的描述。相应地，下面通过参考图来描述实施方式仅仅是为了解释本描述的实施方式的方面。如本文使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何组合和所有组合。本公开通篇，表述“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b二者、a和c二者、b和c二者、a、b和c全部，或其变型。
[0025]
比如“......中的至少一个”、“......中的一个”和“选自......”的表述，当在一列元件之前时，修饰整列元件并且不修饰列的各个元件。进一步，当描述本发明的实施方式时，“可”的使用指“本发明的一个或多个实施方式”。
[0026]
本公开的实施方式提供了有机发光装置，包括：第一电极；
[0027]
面向第一电极的第二电极；
[0028]
在第一电极和第二电极之间的数量为m个的发光单元；以及
[0029]
分别在数量为m个的发光单元当中的每对邻近的发光单元之间的数量为m-1个的电荷产生层，每个电荷产生层包括n-型电荷产生层和p-型电荷产生层，
[0030]
其中m为大于或等于3的整数，
[0031]
数量为m个的发光单元各自包括顺序堆叠的空穴传输区、发射层和电子传输区，
[0032]
数量为m个的发光单元中包括的数量为m个的电子传输区各自包括电子传输材料，并且
[0033]
在数量为m个的电子传输区当中的至少一个电子传输区中包括的电子传输材料不同于在其他电子传输区当中的至少一个电子传输区中包括的电子传输材料。
[0034]
图1为根据实施方式的有机发光装置10的示意性横截面图。参考图1，有机发光装置10可包括：第一电极110；面向第一电极110的第二电极190；在第一电极110和第二电极190之间堆叠的数量为m(这里，m＝3)个的发光单元155-1、155-2和155-3；以及分别在数量为m个的发光单元155-1、155-2和155-3当中的每对邻近的发光单元之间的，数量为m-1(这里，m-1＝2)个的电荷产生层154-1和154-2，并且每个电荷产生层可包括n-型电荷产生层和p-型电荷产生层。
[0035]
不特别限制发光单元，只要发光单元具有能够发射光的功能即可。例如，发光单元可包括一个或多个发射层。在一些实施方式中，除了一个或多个发射层以外，发光单元可进一步包括有机层。
[0036]
有机发光装置10可包括堆叠的数量为m个的发光单元155-1、155-2和155-3，并且m可为大于或等于3的整数。m(其为发光单元的数量)可为任何适当的整数，并且不特别限制数量的上限。例如，有机发光装置10可包括三、四、五或六个发光单元。
[0037]
有机发光装置10可包括分别在数量为m个的发光单元155-1、155-2和155-3当中的每对邻近的发光单元(每两个邻近的发光单元)之间的电荷产生层154-1和154-2。术语“相邻的”或“邻近的”指层当中最靠近的层(其作为相邻的层或邻近的层被提及)之间的布置关系。例如，两个邻近的发光单元指在多个发光单元当中，设置为彼此最靠近的两个发光单元之间的布置关系。在一些情况下，术语“邻近的”指其中两个层彼此物理接触的情况，并且在一些实施方式中，未提及的另一层可设置在两个邻近的层之间。例如，邻近于第二电极的发光单元指在多个发光单元当中，最靠近第二电极的发光单元。尽管第二电极和发光单元可彼此物理接触，但是除了发光单元之外的层可存在于第二电极和发光单元之间。例如，电子传输层可在第二电极和发光单元之间。在一些实施方式中，电荷产生层可在两个邻近的发光单元之间。
[0038]
电荷产生层为这样的层：其通过相对于在两个邻近的发光单元当中的一个发光单元产生电子而充当阴极，并且通过相对于另一发光单元产生空穴而充当阳极。电荷产生层不直接连接至电极并且将邻近的发光单元分开。包括数量为m个的发光单元的有机发光装置10可包括数量为m-1个的电荷产生层。
[0039]
电荷产生层154-1和154-2可各自包括n-型电荷产生层和p-型电荷产生层。n-型电荷产生层和p-型电荷产生层可彼此直接接触，以形成np结。在np结中，在n-型电荷产生层和p-型电荷产生层之间，可同时(或并发)产生电子和空穴。产生的电子可通过n-型电荷产生层转移至在两个邻近的发光单元当中的一个发光单元。产生的空穴可通过p-型电荷产生层转移至在两个邻近的发光单元当中的另一发光单元。而且，因为电荷产生层154-1和154-2各自包括单个n-型电荷产生层和单个p-型电荷产生层，所以包括数量为m-1个的电荷产生层154-1和154-2的有机发光装置10可包括数量为m-1个的n-型电荷产生层和数量为m-1个的p-型电荷产生层。
[0040]
术语“n-型”指n-型半导体特性，即，注入或传输电子的特性。术语“p-型”指p-型半导体特性，即，注入或传输空穴的特性。
[0041]
数量为m个的发光单元155-1、155-2和155-3可分别包括顺序放置的空穴传输区151-1、151-2和151-3；发射层152-1、152-2和152-3；以及电子传输区153-1、153-2和153-3。数量为m个的发光单元155-1、155-2和155-3中包括的数量为m个的电子传输区153-1、153-2和153-3可各自包括电子传输材料。
[0042]
在数量为m个的电子传输区153-1、153-2和153-3当中的至少一个电子传输区中包括的电子传输材料可不同于在其他(剩余的)电子传输区当中的至少一个电子传输区中包括的电子传输材料。
[0043]
在一个实施方式中，在数量为m个的电子传输区153-1、153-2和153-3当中的第m个电子传输区153-3可在第m个发射层152-3和第二电极190之间，并且第m个电子传输区153-3
中包括的电子传输材料可不同于在其他电子传输区153-1和153-2当中的至少一个电子传输区中包括的电子传输材料。
[0044]
在一个实施方式中，数量为m个的电子传输区153-1、153-2和153-3中包括的数量为m种的电子传输材料可各自独立地选自第一化合物、第二化合物和第三化合物，
[0045]
第一化合物可由式1表示，第二化合物可由式2表示，并且第三化合物可由式3表示：
[0046]
式1
[0047][0048]
式2
[0049][0050]
式3
[0051][0052]
在式1中，
[0053]
x1可为o或s，
[0054]
l1至l3可各自独立地为取代的或未取代的c
5-c
60
碳环基团或取代的或未取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0055]
a1至a3可各自独立地为选自0至5的整数，
[0056]
ar1至ar3可各自独立地为取代的或未取代的c
5-c
60
碳环基团或取代的或未取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0057]
在式2中，
[0058]
a
11
和a
12
可各自独立地为c
5-c
60
碳环基团或c
1-c
60
杂环基团，
[0059]
r
11
和r
12
可各自独立地选自由*-(l
13
)
a13-ar
13
表示的基团、氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的c
1-c
60
烷基、取代的或未取代的c
2-c
60
烯基、
取代的或未取代的c
2-c
60
炔基、取代的或未取代的c
1-c
60
烷氧基、取代的或未取代的c
3-c
10
环烷基、取代的或未取代的c
1-c
10
杂环烷基、取代的或未取代的c
3-c
10
环烯基、取代的或未取代的c
1-c
10
杂环烯基、取代的或未取代的c
6-c
60
芳基、取代的或未取代的c
6-c
60
芳氧基、取代的或未取代的c
6-c
60
芳硫基、取代的或未取代的c
1-c
60
杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)和-p(＝o)(q1)(q2)，
[0060]
r
11
和r
12
可任选地彼此连接，以形成取代的或未取代的c
5-c
60
碳环基团或取代的或未取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0061]
l
11
至l
13
可各自独立地为取代的或未取代的c
5-c
60
碳环基团或取代的或未取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0062]
a11至a13可各自独立地为选自0至5的整数，
[0063]
ar
11
至ar
13
可各自独立地为取代的或未取代的c
5-c
60
碳环基团或取代的或未取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0064]
b11和b12可各自独立地为选自1至5的整数，
[0065]
c11和c12可各自独立地为选自0至20的整数，
[0066]
在式3中，
[0067]
a
21
可为含π电子耗尽的氮的环，
[0068]
l
21
可为取代的或未取代的c
5-c
60
碳环基团或取代的或未取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0069]
a21可为选自0至5的整数，
[0070]
ar
21
可为取代的或未取代的c
5-c
60
碳环基团或取代的或未取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0071]
b21可为选自1至5的整数，
[0072]
c21可为选自0至20的整数，
[0073]
取代的c
5-c
60
碳环基团、取代的c
1-c
60
杂环基团、取代的c
1-c
60
烷基、取代的c
2-c
60
烯基、取代的c
2-c
60
炔基、取代的c
1-c
60
烷氧基、取代的c
3-c
10
环烷基、取代的c
1-c
10
杂环烷基、取代的c
3-c
10
环烯基、取代的c
1-c
10
杂环烯基、取代的c
6-c
60
芳基、取代的c
6-c
60
芳氧基、取代的c
6-c
60
芳硫基、取代的c
1-c
60
杂芳基、取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基可选自：
[0074]
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基和c
1-c
60
烷氧基；
[0075]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)和-p(＝o)(q
11
)(q
12
)中的至少一个取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基和c
1-c
60
烷氧基；
[0076]
c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基；
[0077]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂
环烯基、c
6-c
60
芳基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基、三联苯基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)和-p(＝o)(q
21
)(q
22
)中的至少一个取代的c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基；以及
[0078]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)和-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0079]
q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基，并且
[0080]
*指示与相邻的原子的结合位点。
[0081]
如本文使用的术语“含π电子耗尽的氮的环”可通过参考结合下面描述的电子传输区呈现的描述来理解。
[0082]
例如，l1至l3、l
11
至l
13
和l
21
可各自独立地选自：
[0083]
苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基、喹啉基、异喹啉基、苯并咪唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基和喹唑啉基；
[0084]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)和-b(q
31
)(q
32
)中的至少一个取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基、喹啉基、异喹啉基、苯并咪唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基和喹唑啉基，并且
[0085]
q
31
至q
33
可各自独立地选自c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基和吡啶基。
[0086]
例如，l1至l3、l
11
至l
13
和l
21
可各自独立地选自由式4-1至式4-29表示的基团：
[0087][0088][0089]
在式4-1至式4-29中，
[0090]
y1可选自c(z3)(z4)、n(z5)、si(z6)(z7)、o和s，
[0091]
z1至z7可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、屈基、吡咯基、噻吩基、呋喃
基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基和-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)，
[0092]
q
31
至q
33
可各自独立地选自c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基和吡啶基，
[0093]
d2可为选自0至2的整数，
[0094]
d3可为选自0至3的整数，
[0095]
d4可为选自0至4的整数，
[0096]
d5可为选自0至5的整数，
[0097]
d6可为选自0至6的整数，
[0098]
d8可为选自0至8的整数，并且
[0099]
*和*’各自指示与相邻的原子的结合位点。
[0100]
例如，ar1至ar3、ar
11
至ar
13
和ar
21
可各自独立地选自：苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、苯并咪唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基；以及
[0101]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)和-b(q
31
)(q
32
)中的至少一个取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、苯并咪唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基，并且
[0102]
q
31
至q
33
可各自独立地选自c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基和吡啶基。
[0103]
例如，a
11
和a
12
可各自独立地选自：苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、苯并咪唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基；以及
[0104]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚
搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)和-b(q
31
)(q
32
)中的至少一个取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、螺-苯并芴-芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基、喹啉基、异喹啉基、喹唑啉基、苯并咪唑基、咪唑并吡啶基和咪唑并嘧啶基，并且
[0105]
q
31
至q
33
可各自独立地选自c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基和吡啶基。
[0106]
例如，a
21
可选自吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、氮丙啶基、咪唑基、吲哚基、异吲哚基、嘌呤基、喹啉基、喹唑啉基、吩噻嗪基、吖啶基、吩嗪基、菲咯啉基、咔唑基、噁二唑基、三唑基、咪唑基和苯并咪唑基。
[0107]
例如，在式2中，选自a
11
、a
12
、数量为a11的l
11
、数量为a12的l
12
、数量为b11的ar
11
和数量为b12的ar
12
中的至少一个可选自吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、喹啉基和喹唑啉基。
[0108]
例如，第二化合物可由式2-1和式2-2中的一个表示：
[0109]
式2-1
[0110][0111]
式2-2
[0112][0113]
在式2-1和式2-2中，
[0114]
z
11
和z
12
可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、芘基、屈基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、噻咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻咯基、二苯并噻咯基和-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)，
[0115]
q
31
至q
33
可各自独立地选自c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基和吡啶基，
[0116]
e3可为选自0至3的整数，并且
[0117]
e10可为选自0至10的整数。
[0118]
例如，第一化合物可选自下面化合物1至化合物17，并且
[0119]
第二化合物可选自下面化合物101至化合物120：
[0120]
[0121][0122]
在一个实施方式中，i)在数量为m种的电子传输材料当中的一种电子传输材料可为第二化合物，并且其他种电子传输材料可各自独立地为第一化合物；
[0123]
ii)在数量为m种的电子传输材料当中的一种电子传输材料可为第一化合物，并且其他种电子传输材料可各自独立地为第二化合物；
[0124]
iii)数量为m种的电子传输材料中的每种可为第三化合物，其中在电子传输材料当中的一种电子传输材料可包括三嗪基，并且其他种电子传输材料可各自独立地包括咔唑基；或
[0125]
iv)数量为m种的电子传输材料中的每种可为第三化合物，其中在电子传输材料当中的一种电子传输材料可包括咔唑基，并且其他种电子传输材料可各自独立地包括三嗪基。
[0126]
在一个实施方式中，在数量为m个的电子传输区153-1、153-2和153-3当中的第m个电子传输区153-3可设置在第m个发射层152-3和第二电极190之间，并且
[0127]
第m个电子传输区153-3的最低未占分子轨道(lumo)能级的绝对值可在第m个发射层152-3中包括的主体的lumo能级的绝对值和第二电极190中包括的无机材料的功函的绝对值之间的范围内。
[0128]
在一个实施方式中，第m个电子传输区153-3的lumo能级的绝对值和主体的lumo能级的绝对值可满足公式1：
[0129]
公式1
[0130]
||e
lumo_etl(m)
|-|e
lumo_主体
||≤0.2ev。
[0131]
在公式1中，|e
lumo_etl(m)
|为第m个电子传输区的lumo能级的绝对值，并且|e
lumo_主体
|为主体的lumo能级的绝对值。例如，||e
lumo_etl(m)
|-|e
lumo_主体
||可小于或等于约0.1ev。
[0132]
例如，主体的lumo能级的绝对值可在约2.5ev至约2.7ev的范围内。
[0133]
在一个实施方式中，在数量为m-1个的电荷产生层154-1和154-2当中的第n个电荷产生层可设置在数量为m个的发光单元155-1、155-2和155-3当中的第n个发光单元的电子传输区153-1或153-2和第(n+1)个发光单元的空穴传输区151-2或151-3之间，并且
[0134]
n可为选自1至m-1的整数。
[0135]
例如，第n个发光单元的电子传输区(第n个电子传输区)153-1或153-2的lumo能级的绝对值和第n个电荷产生层154-1或154-2的lumo能级的绝对值可满足公式2：
[0136]
公式2
[0137]
||e
lumo_etl(n)
|-|e
lumo_cgl(n)
||≤0.15ev。
[0138]
在公式2中，|e
lumo_etl(n)
|为第n个发光单元的电子传输区的lumu能级的绝对值，并且|e
lumo_cgl(n)
|为第n个电荷产生层的lumo能级的绝对值。例如，||e
lumo_etl(n)
|-|e
lumo_cgl(n)
||可小于或等于约0.1ev。
[0139]
例如，电荷产生层的lumo能级的绝对值可在约2.5ev至约2.8ev的范围内。
[0140]
图2为根据另一实施方式的有机发光装置20的示意性横截面图。
[0141]
如在图1中，图2的有机发光装置20可包括：第一电极110；面向第一电极110的第二电极190；在第一电极110和第二电极190之间堆叠的数量为m个的发光单元；以及分别放置在数量为m个的发光单元当中的每对邻近的发光单元之间的数量为m-1个的电荷产生层，并且每个电荷产生层可包括n-型电荷产生层和p-型电荷产生层。
[0142]
在数量为m个的发光单元中，数量为m个的空穴传输区可各自独立地包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或其任何组合；并且数量为m个的电子传输区可各自独立地包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、缓冲层或其任何组合。
[0143]
参考图2，数量为m个的空穴传输区可分别包括空穴注入层151-1a、151-2a和151-3a以及空穴传输层151-1b、151-2b和151-3b；并且数量为m个的电子传输区可分别包括缓冲层153-1a、153-2a和153-3a；电子传输层153-1b、153-2b和153-3b；以及电子注入层153-3c。
[0144]
例如，数量为m-1个的电荷产生层可分别包括数量为m-1个的n-型电荷产生层154-1a和154-2a以及数量为m-1个的p-型电荷产生层154-1b和154-2b。
[0145]
在有机发光装置中，m可为3或4。
[0146]
在一个实施方式中，第一电极可为阳极，
[0147]
第二电极可为阴极，
[0148]
有机发光装置可进一步包括：在第一电极和第二电极之间的第m个发光单元；
[0149]
在第一电极和第m个发光单元之间的第(m-1)个发光单元；以及
[0150]
在第m个发光单元和第(m-1)个发光单元之间的第(m-1)个电荷产生层，
[0151]
第m个发光单元可包括第m个发射层，
[0152]
第(m-1)个发光单元可包括第(m-1)个发射层，
[0153]
有机发光装置可进一步包括在第一电极和第(m-1)个发射层之间的第(m-1)个空穴传输区，
[0154]
有机发光装置可进一步包括在第(m-1)个发射层和第(m-1)个电荷产生层之间的第(m-1)个电子传输区，
[0155]
有机发光装置可进一步包括在第(m-1)个电荷产生层和第m个发射层之间的第m个空穴传输区，
[0156]
有机发光装置可进一步包括在第m个发射层和第二电极之间的第m个电子传输区，
[0157]
第m个电子传输区中包括的电子传输材料可不同于第(m-1)个电子传输区中包括的电子传输材料，
[0158]
空穴传输区可各自包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层或其任何组合，并且
[0159]
电子传输区可各自包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、缓冲层或其任何组合。
[0160]
在一个实施方式中，从数量为m个的发光单元发射的光的最大发射波长可彼此相同(或基本上相同)。
[0161]
在一个或多个实施方式中，数量为m个的发光单元可发射具有大于或等于约440nm且小于或等于约490nm的最大发射波长的蓝光。
[0162]
在一个或多个实施方式中，从在数量为m个的发光单元当中的至少一个发光单元发射的光的最大发射波长可不同于从在其他发光单元当中的至少一个发光单元发射的光的最大发射波长。例如，在其中堆叠第一发光单元和第二发光单元的有机发光装置中，从第一发光单元发射的光的最大发射波长可不同于从第二发光单元发射的光的最大发射波长。在该情况下，第一发光单元和第二发光单元中的发射层可各自独立地具有i)包括含有单种材料的单个层的单层结构；ii)包括含有多种不同材料的单个层的单层结构；或iii)具有包括多种不同材料的多个层的多层结构。所以，从第一发光单元或第二发光单元发射的光可为单个颜色光或混合颜色光。在一个或多个实施方式中，在其中堆叠第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的有机发光装置中，从第一发光单元发射的光的最大发射波长可与从第二发光单元发射的光的最大发射波长相同，但是可不同于从第三发光单元发射的光的最大发射波长。在一个实施方式中，从第一发光单元发射的光的最大发射波长、从第二发光单元发射的光的最大发射波长和从第三发光单元发射的光的最大发射波长可彼此不同。
[0163]
在具有两个发光单元的可比较的有机发光装置中，注入电子和空穴的点不同。具体地，在第一发光单元中，从阳极注入空穴，并且从第一电荷产生层注入电子。在第二发光单元中，从第一电荷产生层注入空穴，并且从阴极注入电子。
[0164]
相反，根据一个或多个实施方式，在具有数量大于或等于m个的发光单元(其中m大于或等于3)的有机发光装置中，在设置在两个末端处的发光单元中，如在具有两个发光单元的可比较的发光装置中那样注入电子和空穴，但是在插在中间的数量为m-2个的发光单元中，电子和空穴都从电荷产生层注入。
[0165]
参考图1，在第一发光单元155-1中，从第一电极110(例如，阳极)注入空穴，并且从第一电荷产生层154-1注入电子。在该情况下，与其中从阴极和电子传输区注入电子的单个-单元的发光装置相比，从第一电荷产生层154-1产生和注入的电子的量(数量)相对小。这是因为在电荷产生层中产生的电荷的绝对量是不足的，并且在将电荷从电荷产生层转移至周围的发光单元的过程中发生内阻(例如，由于费米能级对齐导致的能带弯曲差)。
[0166]
相反，在第三发光单元155-3的情况下，从第二电荷产生层154-2注入空穴，并且从第二电极190(例如，阴极)注入电子。因此，与单个-单元的发光装置相比，电荷注入平衡劣化。
[0167]
因为根据一个或多个实施方式的有机发光装置具有包括三个或更多个发光单元的串联结构，所以与具有包括两个发光单元的串联结构的可比较的有机发光装置相比，减小了流动通过每个发光单元的电流负荷，从而增加了发光效率和寿命。
[0168]
此外，在根据一个或多个实施方式的有机发光装置中，因为在多个电子传输区当中的靠近阴极的电子传输区的组成不同于其他电子传输区中的每个的组成，所以有可能通过调整注入发光单元中的电子的量，来有效地(或适当地)控制每个单元的电子和空穴组合的量。
[0169]
在一些实施方式中，根据一个或多个实施方式的有机发光装置可包括作为电子传输材料的i)具有包括氧化膦类基团或硫化膦类基团的芳基-蒽结构的化合物；ii)包括氧化膦类基团或硫化膦类基团的杂环(杂环的)化合物；或iii)包括三嗪基和/或嘧啶基的环(环状)化合物，或包括杂环(杂环的)核的化合物，该杂环(杂环的)核选自吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、三嗪基、氮丙啶基、咪唑基、吲哚基、异吲哚基、嘌呤基、喹啉基、喹唑啉基、吩噻嗪基、吖啶基、吩嗪基、菲咯啉基、咔唑基、噁二唑基、三唑基、咪唑基和苯并咪唑基。以这种方式，可控制稳定的(或适当的)电子流，并且可有效地(或适当地)控制发射层中的发光效率。
[0170]
在一些实施方式中，在根据一个或多个实施方式的有机发光装置中，因为接触电荷产生层的电子传输区的lumo能级和电荷产生层的lumo能级之间的差限于
±
0.15ev内，所以电子可有效地注入发射层中，并且在电子注入发射层中之前可防止或减少电荷的积累，从而有效地(或适当地)有助于装置的长期可靠性(参见例如，图4)。
[0171]
在一些实施方式中，在根据一个或多个实施方式的有机发光装置中，因为接触阴极的电子传输区的lumo能级和发射层中的主体材料的lumo能级之间的差限于
±
0.2ev内，所以电子可有效地从阴极注入到发射层，从而确保有效的(或适当的)注入特性。
[0172]
本公开的另一实施方式提供了平板显示设备，包括：包括源电极、漏电极和有源层的薄膜晶体管；以及有机发光装置，其中有机发光装置的第一电极与薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个电连接。
[0173]
如本文使用的术语“有机层”指有机发光装置的第一电极和第二电极之间的单个层和/或多个层。“有机层”中包括的材料不限于有机材料。
[0174]
下文，将结合图1和图2描述根据实施方式的有机发光装置10和有机发光装置20中的每个的结构及其制造方法。
[0175]
第一电极110
[0176]
参考图1和图2，在第一电极110下方或第二电极190上面可另外放置(包括)基板。基板可为各自具有优异的(适当的)机械强度、热稳定性、透明度、表面光滑度、易于操作性
和/或防水性的玻璃基板和/或塑料基板。
[0177]
可通过在基板上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料而形成第一电极110。当第一电极110为阳极时，用于形成第一电极110的材料可选自具有高功函的材料，以促进空穴注入。
[0178]
第一电极110可为反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110为透射电极时，用于形成第一电极110的材料可选自氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)和其任何组合，但是本公开的实施方式不限于此。在一个或多个实施方式中，当第一电极110为半透射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可选自镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)和其任何组合，但是本公开的实施方式不限于此。
[0179]
第一电极110可具有单层结构，或包括两个层或更多个层的多层结构。例如，第一电极110可具有ito/ag/ito的三层结构，但是第一电极110的结构不限于此。
[0180]
有机层150
[0181]
有机层150可在第一电极110上。有机层150可包括发光单元155-1、155-2和155-3。
[0182]
有机层150可进一步包括分别在发光单元155-1、155-2和155-3中的空穴传输区151-1、151-2和151-3，以及分别在发光单元155-1、155-2和155-3中的电子传输区153-1、153-2和153-3。
[0183]
有机层150中的空穴传输区151-1、151-2或151-3
[0184]
空穴传输区151-1、151-2或151-3可具有i)包括含有单种材料的单个层的单层结构；ii)包括含有多种不同材料的单个层的单层结构；或iii)具有包括多种不同材料的多个层的多层结构。
[0185]
空穴传输区151-1、151-2或151-3可包括选自空穴传输层151-1b、151-2b或151-3b；空穴注入层151-1a、151-2a或151-3a；发射辅助层；和电子阻挡层中的至少一个层。
[0186]
例如，空穴传输区151-1、151-2或151-3可具有包括含有多种不同材料的单个层的单层结构，或多层结构，该多层结构具有空穴注入层/空穴传输层的结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层的结构、空穴注入层/发射辅助层的结构、空穴传输层/发射辅助层的结构或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层的结构，其中对于每种结构，以该叙述的顺序从第一电极110顺序堆叠构成层，但是空穴传输区151-1、151-2或151-3的结构不限于此。
[0187]
空穴传输区151-1、151-2或151-3可包括选自m-mtdata、tdata、2-tnata、npb(npd)、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化的npb、tapc、hmtpd、4，4’，4
”-
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3，4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)、由式201表示的化合物和由式202表示的化合物中的至少一种：
[0188][0189]
式201
[0190][0191]
式202
[0192][0193]
在式201和式202中，
[0194]
l
201
至l
204
可各自独立地选自取代的或未取代的c
3-c
10
亚环烷基、取代的或未取代的c
1-c
10
亚杂环烷基、取代的或未取代的c
3-c
10
亚环烯基、取代的或未取代的c
1-c
10
亚杂环烯基、取代的或未取代的c
6-c
60
亚芳基、取代的或未取代的c
1-c
60
亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
[0195]
l
205
可选自*-o-*’、*-s-*’、*-n(q
201
)-*’、取代的或未取代的c
1-c
20
亚烷基、取代的或未取代的c
2-c
20
亚烯基、取代的或未取代的c
3-c
10
亚环烷基、取代的或未取代的c
1-c
10
亚杂环烷基、取代的或未取代的c
3-c
10
亚环烯基、取代的或未取代的c
1-c
10
亚杂环烯基、取代的或未取代的c
6-c
60
亚芳基、取代的或未取代的c
1-c
60
亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
[0196]
xa1至xa4可各自独立地为选自0至3的整数，
[0197]
xa5可为选自1至10的整数，并且
[0198]
r
201
至r
204
和q
201
可各自独立地选自取代的或未取代的c
3-c
10
环烷基、取代的或未取代的c
1-c
10
杂环烷基、取代的或未取代的c
3-c
10
环烯基、取代的或未取代的c
1-c
10
杂环烯基、取代的或未取代的c
6-c
60
芳基、取代的或未取代的c
6-c
60
芳氧基、取代的或未取代的c
6-c
60
芳硫基、取代的或未取代的c
1-c
60
杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团。
[0199]
例如，在式202中，r
201
和r
202
可任选地经单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基彼此连接，并且r
203
和r
204
可任选地经单键、二甲基-亚甲基或二苯基-亚甲基彼此连接。
[0200]
在一个实施方式中，在式201和式202中，
[0201]
l
201
至l
205
可各自独立地选自：
[0202]
亚苯基、亚戊搭烯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9，10]菲基、亚芘基、亚屈基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蔻基、亚卵苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基；以及
[0203]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被c
1-c
10
烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)和-n(q
31
)(q
32
)中的至少一个取代的亚苯基、亚戊搭烯基、亚茚基、亚萘基、亚薁基、亚庚搭烯基、亚引达省基、亚苊基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚非那烯基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9，10]菲基、亚芘基、亚屈基、亚并四苯基、亚苉基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚玉红省基、亚蔻基、亚卵苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基，并且
[0204]
q
31
至q
33
可各自独立地选自c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
[0205]
在一个或多个实施方式中，xa1至xa4可各自独立地为0、1或2。
[0206]
在一个或多个实施方式中，xa5可为1、2、3或4。
[0207]
在一个或多个实施方式中，r
201
至r
204
和q
201
可各自独立地选自：苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；以及
[0208]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被c
1-c
10
烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)和-n(q
31
)(q
32
)中的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基，并且
[0209]
q
31
至q
33
与上述相同。
[0210]
在一个或多个实施方式中，选自式201中的r
201
至r
203
中的至少一个可各自独立地选自：
[0211]
芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及
[0212]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被c
1-c
10
烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中的至少一个取代的芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基，
[0213]
但是本公开的实施方式不限于此。
[0214]
在一个或多个实施方式中，在式202中，i)r
201
和r
202
可经单键彼此连接，和/或ii)r
203
和r
204
可经单键彼此连接。
[0215]
在一个或多个实施方式中，选自式202中的r
201
至r
204
中的至少一个可选自：
[0216]
咔唑基；以及
[0217]
被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被c
1-c
10
烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中的至少一个取代的咔唑基，
[0218]
但是本公开的实施方式不限于此。
[0219]
由式201表示的化合物可由下面式201a表示：
[0220]
式201a
[0221][0222]
在一个实施方式中，由式201表示的化合物可由下面式201a(1)表示，但是本公开的实施方式不限于此：
[0223]
式201a(1)
[0224][0225]
在一个或多个实施方式中，由式201表示的化合物可由下面式201a-1表示，但是本公开的实施方式不限于此：
[0226]
式201a-1
[0227][0228]
在一个实施方式中，由式202表示的化合物可由下面式202a表示：
[0229]
式202a
[0230][0231]
在一个实施方式中，由式202表示的化合物可由下面式202a-1表示：
[0232]
式202a-1
[0233][0234]
在式201a、式201a(1)、式201a-1、式202a和式202a-1中，
[0235]
l
201
至l
203
、xa1至xa3、xa5和r
202
至r
204
与上述相同，
[0236]
r
211
和r
212
可各自通过参考结合r
203
呈现的描述来理解，并且
[0237]
r
213
至r
217
可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、环庚基、环戊烯基、环己烯基、苯基、联苯基、三联苯基、被c
1-c
10
烷基取代的苯基、被-f取代的苯基、戊搭烯基、茚基、萘基、薁基、庚搭烯基、引达省基、苊基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、玉红
省基、蔻基、卵苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基。
[0238]
空穴传输区151-1、151-2或151-3可包括选自化合物ht1至化合物ht39中的至少一种化合物，但是本公开的实施方式不限于此：
[0239]
[0240]
[0241][0242]
空穴传输区151-1、151-2或151-3的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当空穴传输区151-1、151-2或151-3包括选自空穴注入层151-1a、151-2a或151-3a和空穴传输层151-1b、151-2b或151-3b中的至少一个时，空穴注入层151-1a、151-2a或151-3a的厚度可在约至约和例如，约至约的范围内，并且空穴传输层151-1b、151-2b或151-3b的厚度可在约至约和例如，约至约的范围内。当空穴传输区151-1、151-2或151-3；空穴注入层151-1a、151-2a或151-3a；和空穴传输层151-1b、151-2b或151-3b的厚度在这些范围内的任一个内
时，可在不显著增加驱动电压的情况下获得满意的(或适当的)空穴传输特性。
[0243]
发射辅助层可根据通过发射层发射的光的波长补偿光学共振距离而增加光发射效率，并且电子阻挡层可阻挡或减少来自电子传输区的电子的流动。发射辅助层和电子阻挡层可各自独立地包括如上所述的任何材料。
[0244]
p-掺杂剂
[0245]
除了上述材料以外，空穴传输区151-1、151-2或151-3可进一步包括用于改善导电性能的电荷产生材料。
[0246]
电荷产生材料可均匀地或非均匀地分散在空穴传输区151-1、151-2或151-3中。
[0247]
电荷产生材料可为，例如，p-掺杂剂。
[0248]
在一个实施方式中，p-掺杂剂可具有小于或等于-3.5ev的最低未占分子轨道(lumo)能级。
[0249]
p-掺杂剂可包括选自醌衍生物、金属氧化物和含有氰基的化合物中的至少一种，但是本公开的实施方式不限于此。
[0250]
在一个实施方式中，p-掺杂剂可包括选自以下中的至少一种：
[0251]
醌衍生物，比如四氰基醌二甲烷(tcnq)和/或2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰基醌二甲烷(f4-tcnq)；
[0252]
金属氧化物，比如氧化钨和/或氧化钼；
[0253]
1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲-六腈(hat-cn)；以及
[0254]
由式221表示的化合物，
[0255]
但是本公开的实施方式不限于此：
[0256][0257]
式221
[0258][0259]
在式221中，
[0260]
r
221
至r
223
可各自独立地选自取代的或未取代的c
3-c
10
环烷基、取代的或未取代的c
1-c
10
杂环烷基、取代的或未取代的c
3-c
10
环烯基、取代的或未取代的c
1-c
10
杂环烯基、取代的或未取代的c
6-c
60
芳基、取代的或未取代的c
1-c
60
杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团，其中选自r
221
至r
223
中的至少一个可具有选自氰基、-f、-cl、-br、-i、被-f取代的c
1-c
20
烷基、被-gl取代的c
1-c
20
烷基、被-br取代的c
1-c
20
烷基和被-i取代的c
1-c
20
烷基中的至少一个取代基。
[0261]
有机层150中的发射层152-1、152-2和152-3
[0262]
在有机发光装置10和有机发光装置20中，发光单元155-1、155-2和155-3可分别包括发射层152-1、152-2和152-3，并且发射层152-1、152-2和152-3可各自具有其中选自红色发射层、绿色发射层、黄色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层接触或间隔堆叠的结构。另外，发射层152-1、152-2和152-3可各自具有其中选自用于发射红光的材料、用于发射绿光的材料、用于发射黄光的材料和用于发射蓝光的材料中的两种或更多种材料混合，而没有层分割的结构。
[0263]
发光单元155-1、155-2和155-3可各自进一步包括发射层152-1、152-2或152-3上面的电子传输(et)-辅助层和/或发射层152-1、152-2或152-3下面的空穴传输(ht)-辅助层。ht-辅助层指能够充当上述空穴传输层、发射辅助层和/或电子阻挡层的层，并且et-辅助层指能够充当下述的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层和/或电子传输层的层。可用于ht-辅助层和et-辅助层的材料可通过参考结合上述空穴传输区和下述电子传输区呈现的描述来理解。
[0264]
发射层152-1、152-2和152-3可各自包括主体和掺杂剂。掺杂剂可包括选自磷光掺杂剂和荧光掺杂剂中的至少一种。
[0265]
基于100重量份的主体，发射层152-1、152-2和152-3中的掺杂剂的量可各自在约0.01重量份至约15重量份的范围内，但是本公开的实施方式不限于此。
[0266]
发射层152-1、152-2和152-3的厚度可在约至约例如，约至约至约的范围内。当发射层152-1、152-2和152-3的厚度在描述的范围内时，可在不显著增加驱动电压的情况下获得优异的(或适当的)光发射特性。
[0267]
发射层152-1、152-2或152-3中的主体
[0268]
主体可包括由式301表示的化合物：
[0269]
式301
[0270]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
。
[0271]
在式301中，
[0272]
ar
301
可为取代的或未取代的c
5-c
60
碳环基团或取代的或未取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0273]
xb11可为1、2或3，
[0274]
l
301
可选自取代的或未取代的c
3-c
10
亚环烷基、取代的或未取代的c
1-c
10
亚杂环烷基、取代的或未取代的c
3-c
10
亚环烯基、取代的或未取代的c
1-c
10
亚杂环烯基、取代的或未取代的c
6-c
60
亚芳基、取代的或未取代的c
1-c
60
亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
[0275]
xb1可为选自0至5的整数，
[0276]
r
301
可选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的c
1-c
60
烷基、取代的或未取代的c
2-c
60
烯基、取代的或未取代的c
2-c
60
炔基、取代的或未取代的c
1-c
60
烷氧基、取代的或未取代的c
3-c
10
环烷基、取代的或未取代的c
1-c
10
杂环烷基、取代的或未取代的c
3-c
10
环烯基、取代的或未取代的c
1-c
10
杂环烯基、取代的或未取代的c
6-c
60
芳基、取代的或未取代的c
6-c
60
芳氧基、取代的或未取代的c
6-c
60
芳硫基、取代的或未取代的c
1-c
60
杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)
(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)和-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0277]
xb21可为选自1至5的整数，并且
[0278]
q
301
至q
303
可各自独立地选自c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基，但是本公开的实施方式不限于此。
[0279]
在一个实施方式中，式301中的ar
301
可选自：
[0280]
萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及
[0281]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)和-p(＝o)(q
31
)(q
32
)中的至少一个取代的萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基，并且
[0282]
q
31
至q
33
可各自独立地选自c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基，但是本公开的实施方式不限于此。
[0283]
当式301中的xb11大于或等于2时，两个或更多个ar
301
可经单键连接。
[0284]
在一个或多个实施方式中，由式301表示的化合物可由式301-1或式301-2表示：
[0285]
式301-1
[0286][0287]
式301-2
[0288][0289]
在式301-1和式301-2中，
[0290]
a
301
至a
304
可各自独立地选自苯基、萘基、菲基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、吡啶基、嘧啶基、茚基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、吲哚基、咔唑基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、呋喃基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、萘并呋喃基、苯并萘并呋喃基、二萘并呋喃基、噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、萘并噻吩基、苯并萘并噻吩基和二萘并噻吩基，
[0291]
x
301
可为o、s或n-[(l
304
)
xb4-r
304
]，
[0292]
r
311
至r
314
可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)和-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0293]
xb22和xb23可各自独立地为0、1或2，
[0294]
l
301
、xb1、r
301
和q
31
至q
33
与上述相同，
[0295]
l
302
至l
304
可各自通过参考结合l
301
呈现的描述来理解，
[0296]
xb2至xb4可各自通过参考结合xb1呈现的描述来理解，并且
[0297]
r
302
至r
304
可各自通过参考结合r
301
呈现的描述来理解。
[0298]
例如，式301、式301-1和式301-2中的l
301
至l
304
可各自独立地选自：
[0299]
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9，10]菲基、亚芘基、亚屈基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并异噻唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并异噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基；以及
[0300]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)和-p(＝o)(q
31
)(q
32
)中的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9，10]菲基、亚芘基、亚屈基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并异噻唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并异噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基，并且
[0301]
q
31
至q
33
与上述相同。
[0302]
在一个实施方式中，式301、式301-1和式301-2中的r
301
至r
304
可各自独立地选自：
[0303]
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑
基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及
[0304]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、氮杂咔唑基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)和-p(＝o)(q
31
)(q
32
)中的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基，并且
[0305]
q
31
至q
33
与上述相同。
[0306]
在一个或多个实施方式中，主体可包括碱土金属络合物。例如，主体可选自be络合物(例如，化合物h55)、mg络合物和zn络合物。
[0307]
主体可包括选自9，10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9，10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9，10-二-(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4，4
’-
双(n-咔唑基)-1，1
’-
联苯(cbp)、1，3-二-9-咔唑基苯(mcp)、1，3，5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)和化合物h1至化合物h55中的至少一种，但是本公开的实施方式不限于此：
[0308]
[0309]
[0310][0311]
有机层150中的发射层152-1、152-2或152-3中包括的磷光掺杂剂
[0312]
磷光掺杂剂可包括由下面式401表示有机金属络合物：
[0313]
式401
[0314]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
。
[0315]
在式401中，
[0316]
m可选自铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)和铥(tm)，
[0317]
l
401
可选自由式402表示的配体，并且xc1可为1、2或3，其中，当xc1大于或等于2时，两个或更多个l
401
可彼此相同或不同，
[0318]
式402
[0319][0320]
l
402
可为有机配体，并且xc2可为选自0至4的整数，其中，当xc2大于或等于2时，两个或更多个l
402
可彼此相同或不同，
[0321]
在式402中，x
401
至x
404
可各自独立地为氮或碳，
[0322]
x
401
和x
403
可经单键或双键连接，并且x
402
和x
404
可经单键或双键连接，
[0323]
a
401
和a
402
可各自独立地选自c
5-c
60
碳环基团和c
1-c
60
杂环基团，
[0324]
x
405
可为单键、*-o-*’、*-s-*’、*-c(＝o)-*’、*-n(q
411
)-*’、*-c(q
411
)(q
412
)-*’、*-c(q
411
)＝c(q
412
)-*’、*-c(q
411
)＝*’或*＝c＝*’，其中q
411
和q
412
可为氢、氘、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，
[0325]
x
406
可为单键、o或s，
[0326]
r
401
和r
402
可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的c
1-c
20
烷基、取代的或未取代的c
1-c
20
烷氧基、取代的或未取代的c
3-c
10
环烷基、取代的或未取代的c
1-c
10
杂环烷基、取代的或未取代的c
3-c
10
环烯基、取代的或未取代的c
1-c
10
杂环烯基、取代的或未取代的c
6-c
60
芳基、取代的或未取代的c
6-c
60
芳氧
基、取代的或未取代的c
6-c
60
芳硫基、取代的或未取代的c
1-c
60
杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)和-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，其中q
401
至q
403
可各自独立地选自c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、c
6-c
20
芳基和c
1-c
20
杂芳基，
[0327]
xc11和xc12可各自独立地为选自0至10的整数，并且
[0328]
式402中的*和*’各自指示与式401中的m的结合位点。
[0329]
在一个实施方式中，式402中的a
401
和a
402
可各自独立地选自苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、茚基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并[c]噻吩基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基。
[0330]
在一个或多个实施方式中，在式402中，i)x
401
可为氮，并且x
402
可为碳，或ii)x
401
和x
402
可各自同时为氮。
[0331]
在一个或多个实施方式中，式402中的r
401
和r
402
可各自独立地选自：
[0332]
氢、氘、-f、-c1、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基和c
1-c
20
烷氧基；
[0333]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、苯基、萘基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基和降冰片烯基中的至少一个取代的c
1-c
20
烷基和c
1-c
20
烷氧基；
[0334]
环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；
[0335]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基中的至少一个取代的环戊基、环己基、金刚烷基、降冰片烷基、降冰片烯基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、二苯并呋喃基和二苯并噻吩基；以及
[0336]-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)和-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，并且
[0337]
q
401
至q
403
可各自独立地选自c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、苯基、联苯基和萘基，但是本公开的实施方式不限于此。
[0338]
在一个或多个实施方式中，当式401中的xc1大于或等于2时，两个或更多个l
401
中的两个a
401
可任选地经x
407
(其为连接基团)连接，和/或两个或更多个l
401
中的两个a
402
可任选地经x
408
(其为连接基团)连接(参见例如，化合物pd1至化合物pd4和化合物pd7)。x
407
和x
408
可各自独立地为单键、*-o-*’、*-s-*’、*-c(＝o)-*’、*-n(q
413
)-*’、*-c(q
413
)(q
414
)-*’或*-c(q
413
)＝c(q
414
)-*’(其中q
413
和q
414
可各自独立地为氢、氘、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、
苯基、联苯基、三联苯基或萘基)，但不限于此。
[0339]
式401中的l
402
可为单价有机配体、二价有机配体或三价有机配体。例如，l
402
可选自卤素、二酮(例如，乙酰丙酮化物)、羧酸(例如，吡啶甲酸根)、-c(＝o)、异腈、-cn和含磷配体(例如，膦和/或亚磷酸盐)，但是本公开的实施方式不限于此。
[0340]
在一个或多个实施方式中，磷光掺杂剂可选自，例如，化合物pd1至化合物pd25，但是本公开的实施方式不限于此：
[0341][0342][0343]
发射层152-1、152-2或152-3中的荧光掺杂剂
[0344]
荧光掺杂剂可包括芳胺化合物和/或苯乙烯胺化合物。
[0345]
荧光掺杂剂可包括由下面式501表示的化合物：
[0346]
式501
[0347][0348]
在式501中，
[0349]
ar
501
可为取代的或未取代的c
5-c
60
碳环基团或取代的或未取代的c
1-c
60
杂环基团，
[0350]
l
501
至l
503
可各自独立地选自取代的或未取代的c
3-c
10
亚环烷基、取代的或未取代的c
1-c
10
亚杂环烷基、取代的或未取代的c
3-c
10
亚环烯基、取代的或未取代的c
1-c
10
亚杂环烯基、取代的或未取代的c
6-c
60
亚芳基、取代的或未取代的c
1-c
60
亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
[0351]
xd1至xd3可各自独立地为选自0至3的整数，
[0352]
r
501
和r
502
可各自独立地选自取代的或未取代的c
3-c
10
环烷基、取代的或未取代的c
1-c
10
杂环烷基、取代的或未取代的c
3-c
10
环烯基、取代的或未取代的c
1-c
10
杂环烯基、取代的或未取代的c
6-c
60
芳基、取代的或未取代的c
6-c
60
芳氧基、取代的或未取代的c
6-c
60
芳硫基、取代的或未取代的c
1-c
60
杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团，并且
[0353]
xd4可为选自1至6的整数。
[0354]
在一个实施方式中，式501中的ar
501
可选自：
[0355]
萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基；以及
[0356]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基中的至少一个取代的萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基和茚并菲基。
[0357]
l
501
至l
503
可各自独立地选自亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9，10]菲基、亚芘基、亚屈基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基；以及
[0358]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基中的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9，10]菲基、亚芘基、亚屈基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基和亚吡啶基。
[0359]
在一个或多个实施方式中，式501中的r
501
和r
502
可各自独立地选自：
[0360]
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基；以及
[0361]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基和-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)中的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基和吡啶基，并且
[0362]
q
31
至q
33
可各自独立地选自c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
[0363]
在一个或多个实施方式中，式501中的xd4可为2，但是本公开的实施方式不限于此。
[0364]
例如，荧光掺杂剂可选自化合物fd1至化合物fd22：
[0365]
[0366][0367]
在一个或多个实施方式中，荧光掺杂剂可选自以下化合物，但是本公开的实施方式不限于此：
[0368][0369]
有机层150中的电子传输区153-1、153-2或153-3
[0370]
电子传输区153-1、153-2或153-3可具有i)包括含有单种材料的单个层的单层结构；ii)包括含有多种不同材料的单个层的单层结构；或iii)具有包括多种不同材料的多个层的多层结构。
[0371]
电子传输区153-1、153-2或153-3可包括选自缓冲层153-1a、153-2a或153-3a；空穴阻挡层；电子控制层；电子传输层153-1b、153-2b或153-3b；以及电子注入层153-3c中的至少一个层，但是本公开的实施方式不限于此。
[0372]
例如，电子传输区153-1、153-2或153-3可具有电子传输层/电子注入层的结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层的结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层的结构，或缓冲层/电子传输层/电子注入层的结构，其中对于每种结构，从发射层152-1、152-2或152-3顺序堆叠构成层。然而，电子传输区153-1、153-2或153-3的结构的实施方式不限于此。
[0373]
电子传输区153-1、153-2或153-3(例如，电子传输区153-1、153-2或153-3中的缓冲层153-1a、153-2a或153-3a；空穴阻挡层；电子控制层；和/或电子传输层153-1b、153-2b或153-3b)可包括含有至少一种含π电子耗尽的氮的环的不含金属的化合物。
[0374]“含π电子耗尽的氮的环”指示具有至少一个*-n＝*’部分作为成环部分的c
1-c
60
杂
环基团。
[0375]
例如，“含π电子耗尽的氮的环”可为i)具有至少一个*-n＝*’部分的五元至七元杂单环基团；ii)其中各自具有至少一个*-n＝*’部分的两个或更多个五元至七元杂单环基团彼此稠合的杂多环基团；或iii)其中各自具有至少一个*-n＝*’部分的五元至七元杂单环基团中的至少一个与至少一个c
5-c
60
碳环基团稠合的杂多环基团。
[0376]
含π电子耗尽的氮的环的示例包括咪唑、吡唑、噻唑、异噻唑、噁唑、异噁唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲唑、嘌呤、喹啉、异喹啉、苯并喹啉、酞嗪、萘啶、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、菲啶、吖啶、菲咯啉、吩嗪、苯并咪唑、苯并异噻唑、苯并噁唑、苯并异噁唑、三唑、四唑、噁二唑、三嗪、噻二唑、咪唑并吡啶、咪唑并嘧啶和氮杂咔唑，但不限于此。
[0377]
例如，电子传输区153-1、153-2或153-3可包括由式601表示的化合物：
[0378]
式601
[0379]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
。
[0380]
在式601中，
[0381]
ar
601
可为取代的或未取代的c
5-c
60
碳环基团或取代的或未取代的c
1-c
60
杂环基团，xe11可为1、2或3，
[0382]
l
601
可选自取代的或未取代的c
3-c
10
亚环烷基、取代的或未取代的c
1-c
10
亚杂环烷基、取代的或未取代的c
3-c
10
亚环烯基、取代的或未取代的c
1-c
10
亚杂环烯基、取代的或未取代的c
6-c
60
亚芳基、取代的或未取代的c
1-c
60
亚杂芳基、取代的或未取代的二价非芳族稠合多环基团和取代的或未取代的二价非芳族稠合杂多环基团，
[0383]
xe1可为选自0至5的整数，
[0384]
r
601
可选自取代的或未取代的c
3-c
10
环烷基、取代的或未取代的c
1-c
10
杂环烷基、取代的或未取代的c
3-c
10
环烯基、取代的或未取代的c
1-c
10
杂环烯基、取代的或未取代的c
6-c
60
芳基、取代的或未取代的c
6-c
60
芳氧基、取代的或未取代的c
6-c
60
芳硫基、取代的或未取代的c
1-c
60
杂芳基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)和-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0385]
q
601
至q
603
可各自独立地为c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基或萘基，并且
[0386]
xe21可为选自1至5的整数。
[0387]
在一个实施方式中，数量为xe11的ar
601
和数量为xe21的r
601
中的至少一个可包括含π电子耗尽的氮的环。
[0388]
在一个实施方式中，式601中的ar
601
可选自：
[0389]
苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及
[0390]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-s(＝o)2(q
31
)和-p(＝o)(q
31
)(q
32
)中的至少一个取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、茚并蒽基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基，并且
[0391]
q
31
至q
33
可各自独立地选自c
1-c
10
烷基、c
1-c
10
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
[0392]
当式601中的xe11大于或等于2时，两个或更多个ar
601
可经单键连接。
[0393]
在一个或多个实施方式中，式601中的ar
601
可为蒽基。
[0394]
在一个或多个实施方式中，由式601表示的化合物可由下面式601-1表示：
[0395]
式601-1
[0396][0397]
在式601-1中，
[0398]
x
614
可为n或c(r
614
)，x
615
可为n或c(r
615
)，x
616
可为n或c(r
616
)，并且选自x
614
至x
616
中的至少一个可为n，
[0399]
l
611
至l
613
可各自独立地与结合l
601
描述的相同，
[0400]
xe611至xe613可各自独立地通过参考结合xe1呈现的描述来理解，
[0401]
r
611
至r
613
可各自独立地通过参考结合r
601
呈现的描述来理解，并且
[0402]
r
614
至r
616
可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基和萘基。
[0403]
在一个实施方式中，式601和式601-1中的l
601
和l
611
至l
613
可各自独立地选自：
[0404]
亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9，10]菲基、亚芘基、亚屈基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并异噻唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并异噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基；以及
[0405]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、
c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基中的至少一个取代的亚苯基、亚萘基、亚芴基、亚螺-二芴基、亚苯并芴基、亚二苯并芴基、亚菲基、亚蒽基、亚荧蒽基、亚苯并[9，10]菲基、亚芘基、亚屈基、亚苝基、亚戊芬基、亚并六苯基、亚并五苯基、亚噻吩基、亚呋喃基、亚咔唑基、亚吲哚基、亚异吲哚基、亚苯并呋喃基、亚苯并噻吩基、亚二苯并呋喃基、亚二苯并噻吩基、亚苯并咔唑基、亚二苯并咔唑基、亚二苯并噻咯基、亚吡啶基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚噻唑基、亚异噻唑基、亚噁唑基、亚异噁唑基、亚噻二唑基、亚噁二唑基、亚吡嗪基、亚嘧啶基、亚哒嗪基、亚三嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、亚苯并喹啉基、亚酞嗪基、亚萘啶基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚噌啉基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚苯并咪唑基、亚苯并异噻唑基、亚苯并噁唑基、亚苯并异噁唑基、亚三唑基、亚四唑基、亚咪唑并吡啶基、亚咪唑并嘧啶基和亚氮杂咔唑基，
[0406]
但是本公开的实施方式不限于此。
[0407]
在一个或多个实施方式中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可各自独立地为0、1或2。
[0408]
在一个或多个实施方式中，式601和式601-1中的r
601
和r
611
至r
613
可各自独立地选自：
[0409]
苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；
[0410]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基中的至少一个取代的苯基、联苯基、三联苯基、萘基、芴
基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9，10]菲基、芘基、屈基、苝基、戊芬基、并六苯基、并五苯基、噻吩基、呋喃基、咔唑基、吲哚基、异吲哚基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、二苯并噻咯基、吡啶基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、异噻唑基、噁唑基、异噁唑基、噻二唑基、噁二唑基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、异喹啉基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、菲啶基、吖啶基、菲咯啉基、吩嗪基、苯并咪唑基、苯并异噻唑基、苯并噁唑基、苯并异噁唑基、三唑基、四唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基和氮杂咔唑基；以及
[0411]-s(＝o)2(q
601
)和-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，并且
[0412]
q
601
和q
602
与上述相同。
[0413]
电子传输区153-1、153-2或153-3可包括选自化合物et1至化合物et36中的至少一种化合物，但是本公开的实施方式不限于此：
[0414]
[0415]
3a；空穴阻挡层和电子控制层的厚度在这些范围的任一个内时，在不显著增加驱动电压的情况下，电子传输区153-1、153-2或153-3可具有优异的(或适当的)空穴阻挡特性和/或电子控制特性。
[0420]
电子传输层153-1b、153-2b或153-3b的厚度可在约至约例如，约例如，约至约的范围内。当电子传输层153-1b、153-2b或153-3b的厚度在上述范围内时，在不显著增加驱动电压的情况下，电子传输层153-1b、153-2b或153-3b可具有满意的(或适当的)电子传输特性。
[0421]
除了上述材料以外，电子传输区153-1、153-2或153-3(例如，电子传输区153-1、153-2或153-3中的电子传输层153-1b、153-2b或153-3b)可进一步包括含金属的材料。
[0422]
含金属的材料可包括选自碱金属络合物和碱土金属络合物中的至少一种。碱金属络合物可包括选自li离子、na离子、k离子、rb离子和cs离子中的金属离子，并且碱土金属络合物可包括选自be离子、mg离子、ca离子、sr离子和ba离子中的金属离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可选自羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但是本公开的实施方式不限于此。
[0423]
例如，含金属的材料可包括li络合物。li络合物可包括，例如，化合物et-d1(8-羟基喹啉锂，liq)和/或化合物et-d2：
[0424][0425]
电子传输区153-1、153-2或153-3可包括促进从第二电极190电子注入的电子注入层153-3c。电子注入层153-3c可直接接触第二电极190。
[0426]
电子注入层153-3c可具有i)包括含有单种材料的单个层的单层结构；ii)包括含有多种不同材料的单个层的单层结构；或iii)具有包括多种不同材料的多个层的多层结构。
[0427]
电子注入层153-3c可包括碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合。
[0428]
碱金属可选自li、na、k、rb和cs。在一个实施方式中，碱金属可为li、na或cs。在一个或多个实施方式中，碱金属可为li或cs，但是本公开的实施方式不限于此。
[0429]
碱土金属可选自mg、ca、sr和ba。
[0430]
稀土金属可选自sc、y、ce、yb、gd和tb。
[0431]
碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物可分别选自碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物和卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)。
[0432]
碱金属化合物可选自碱金属氧化物(比如li2o、cs2o和/或k2o)，和碱金属卤化物
(比如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi、ki和/或rbi)。在一个实施方式中，碱金属化合物可选自lif、li2o、naf、lii、nai、csi和ki，但是本公开的实施方式不限于此。
[0433]
碱土金属化合物可选自碱土金属氧化物，比如bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(0＜x＜1)和/或ba
x
ca
1-x
o(0＜x＜1)。在一个实施方式中，碱土金属化合物可选自bao、sro和cao，但是本公开的实施方式不限于此。
[0434]
稀土金属化合物可选自ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3和tbf3。在一个实施方式中，稀土金属化合物可选自ybf3、scf3、tbf3、ybi3、sci3和tbi3，但是本公开的实施方式不限于此。
[0435]
碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可分别包括如上所述的碱金属、碱土金属和稀土金属的离子，并且与碱金属络合物、碱土金属络合物或稀土金属络合物的金属离子配位的配体可选自羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟苯基噁唑、羟苯基噻唑、羟苯基噁二唑、羟苯基噻二唑、羟苯基吡啶、羟苯基苯并咪唑、羟苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉和环戊二烯，但是本公开的实施方式不限于此。
[0436]
电子注入层153-3c可包括如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合(例如，可由碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合组成)。在一个或多个实施方式中，电子注入层153-3c可进一步包括有机材料。当电子注入层153-3c进一步包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物、稀土金属化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其任何组合可均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。
[0437]
电子注入层153-3c的厚度可在约至约例如，约至约的范围内。当电子注入层153-3c的厚度在上述范围内时，在不显著增加驱动电压的情况下，电子注入层153-3c可具有满意的(或适当的)电子注入特性。
[0438]
有机层150中的电荷产生层154-1、154-2、154-1a、154-1b、154-2a或154-2b
[0439]
电荷产生层154-1、154-2、154-1a、154-1b、154-2a或154-2b可通过参考结合空穴传输区151-1、151-2或151-3和电子传输区153-1、153-2或153-3呈现的描述来理解。
[0440]
例如，电荷产生层154-1、154-2、154-1a、154-1b、154-2a或154-2b可包括空穴传输区151-1、151-2或151-3，或电子传输区153-1、153-2或153-3中包括的化合物。
[0441]
第二电极190
[0442]
第二电极190可放置在具有根据本公开的实施方式的结构的有机层150上。第二电极190可为阴极(其为电子注入电极)，并且就此而言，用于形成第二电极190的材料可选自具有相对低功函的金属、合金、导电化合物及其组合。
[0443]
第二电极190可包括选自锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、ito和izo中的至少一种，但是本公开的实施方式不限于此。第二电极190可为透射电极、半透射电极或反射电极。
[0444]
第二电极190可具有单层结构，或包括两个层或更多个层的多层结构。
[0445]
在一个实施方式中，有机发光装置10或有机发光装置20可进一步包括选自第一电极110下方的第一封盖层和第二电极190上面的第二封盖层中的至少一个。
[0446]
在有机发光装置10和有机发光装置20中的每个的有机层150中，在发射层152-1、152-2或152-3中产生的光可朝向外侧穿过第一电极110和第一封盖层，其中第一电极110可为半透射电极或透射电极。在一个或多个实施方式中，在有机层150中的发射层152-1、152-2或152-3中产生的光可朝向外侧穿过第二电极190和第二封盖层，其中第二电极190可为半透射电极或透射电极。
[0447]
第一封盖层和第二封盖层可根据相长干涉的原理增加外部发光效率。
[0448]
第一封盖层和第二封盖层可各自独立地为包括有机材料的有机封盖层、包括无机材料的无机封盖层，或包括有机材料和无机材料的复合封盖层。
[0449]
选自第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括选自碳环化合物、杂环化合物、胺类化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物和碱土金属络合物中的至少一种材料。碳环化合物、杂环化合物和/或胺类化合物可任选地被含有选自o、n、s、se、si、f、cl、br和i中的至少一种元素的取代基取代。在一个实施方式中，选自第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括胺类化合物。
[0450]
在一个实施方式中，选自第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括由式201表示的化合物或由式202表示的化合物。
[0451]
在一个或多个实施方式中，选自第一封盖层和第二封盖层中的至少一个可各自独立地包括选自化合物ht28至化合物ht33和化合物cp1至化合物cp5中的化合物，但是本公开的实施方式不限于此：
[0452][0453]
上文，已经结合图1和图2描述了根据实施方式的有机发光装置，但是本公开的实施方式不限于此。
[0454]
构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层可通过使用选自真空沉积、旋转涂布、浇注、朗缪尔-布罗基特(lb)沉积、喷墨打印、激光打印和激光诱导的热成像中的一种或多种适当的方法在某区中形成。
[0455]
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过真空沉积形成时，通过考虑在要形成的层中要包括的材料和要形成的层的结构，沉积可在约100℃至约500℃的
沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约/秒至约/秒的沉积速度下进行。
[0456]
当构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层通过旋转涂布形成时，通过考虑在要形成的层中要包括的材料和要形成的层的结构，旋转涂布可在约2,000rpm至约5,000rpm的涂布速度下和在约80℃至200℃的热处理温度下进行。
[0457]
取代基的一般定义
[0458]
如本文使用的术语“g
1-c
60
烷基”指具有1至60个碳原子的直链或支链的脂族饱和烃单价基团，优选为c
1-c
20
烷基，并且其非限制性示例包括甲基、乙基、丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基和己基。如本文使用的术语“g
1-c
60
亚烷基”可指具有与c
1-c
60
烷基相同结构的二价基团。
[0459]
如本文使用的术语“c
2-c
60
烯基”可指在c
2-c
60
烷基的例如中间和/或末端处具有至少一个碳-碳双键的烃基，并且其非限制性示例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚烯基”可指具有与c
2-c
60
烯基相同结构的二价基团。
[0460]
如本文使用的术语“c
2-c
60
炔基”可指在c
2-c
60
烷基的例如中间和/或末端处具有至少一个碳-碳三键的烃基，并且其非限制性示例包括乙炔基和丙炔基。如本文使用的术语“c
2-c
60
亚炔基”可指具有与c
2-c
60
炔基相同结构的二价基团。
[0461]
如本文使用的术语“c
1-c
60
烷氧基”可指由-oa
101
表示的单价基团(其中a
101
为c
1-c
60
烷基)，优选为c
1-c
20
烷氧基，并且其非限制性示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
[0462]
如本文使用的术语“c
3-c
10
环烷基”可指具有3至10个碳原子的单价饱和烃单环基团，并且其非限制性示例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基和环庚基。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基”可指具有与c
3-c
10
环烷基相同结构的二价基团。
[0463]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基”可指具有选自n、o、si、p和s中的至少一个杂原子作为成环原子，和1至10个碳原子作为剩余的成环原子的单价单环基团，并且其非限制性示例包括1，2，3，4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”可指具有与c
1-c
10
杂环烷基相同结构的二价基团。
[0464]
本文使用的术语“c
3-c
10
环烯基”可指在其环中具有3至10个碳原子和至少一个碳-碳双键并且没有芳香性的单价单环基团，并且其非限制性示例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如本文使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基”可指具有与c
3-c
10
环烯基相同结构的二价基团。
[0465]
如本文使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基”可指在其环中具有选自n、o、si、p和s中的至少一个杂原子作为成环原子，1至10个碳原子作为剩余的成环原子，和至少一个双键的单价单环基团。c
1-c
10
杂环烯基的非限制性示例包括4，5-二氢-1，2，3，4-噁三唑基、2，3-二氢呋喃基和2，3-二氢噻吩基。如本文使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基”可指具有与c
1-c
10
杂环烯基相同结构的二价基团。
[0466]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳基”可指具有含有6至60个碳原子的碳环芳族体系的单价基团。c
6-c
60
芳基的非限制性示例包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基和屈基。本文使用的术语“c
6-c
60
亚芳基”可指具有与c
6-c
60
芳基相同结构的二价基团。当c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基各自独立地包括两个或更多个环时，相应的环可彼此稠接。
[0467]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂芳基”可指除了1至60个碳原子以外，具有选自n、o、si、p和s中的至少一个杂原子作为成环原子的杂环芳族体系的单价基团。c
1-c
60
杂芳基的非
限制性示例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基和异喹啉基。如本文使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基”可指具有与c
1-c
60
杂芳基相同结构的二价基团。当c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基各自独立地包括两个或更多个环时，相应的环可彼此稠合(稠接)。
[0468]
如本文使用的术语“c
6-c
60
芳氧基”可指由-oa
102
表示的基团(其中a
102
为c
6-c
60
芳基)，并且本文使用的术语“c
6-c
60
芳硫基”可指由-sa
103
表示的基团(其中a
103
为c
6-c
60
芳基)。
[0469]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合多环基团”可指具有两个或更多个彼此稠合的环，仅碳原子作为成环原子(例如，具有8至60个碳原子)，并且其整个分子结构中没有芳香性(总体结构为非芳族的)的单价基团。单价非芳族稠合多环基团的非限制性示例为芴基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合多环基团”可指具有与单价非芳族稠合多环基团相同结构的二价基团。
[0470]
如本文使用的术语“单价非芳族稠合杂多环基团”可指具有两个或更多个彼此稠合的环，除了碳原子(例如，1至60个碳原子)以外，选自n、o、si、p和s中的至少一个杂原子作为成环原子，并且其整个分子结构中没有芳香性(总体结构为非芳族的)的单价基团。单价非芳族稠合杂多环基团的非限制性示例为咔唑基。如本文使用的术语“二价非芳族稠合杂多环基团”可指具有与单价非芳族稠合杂多环基团相同结构的二价基团。
[0471]
如本文使用的术语“c
5-c
60
碳环基团”可指具有5至60个碳原子，其中成环原子仅为碳原子的单环基团或多环基团。如本文使用的术语“c
5-c
60
碳环基团”可指芳族碳环基团或非芳族碳环基团。c
5-c
60
碳环基团可为环，比如苯；单价基团，比如苯基；或二价基团，比如亚苯基。在一个或多个实施方式中，取决于连接至c
5-c
60
碳环基团的取代基的数量，c
5-c
60
碳环基团可为三价基团或四价基团。
[0472]
如本文使用的术语“c
1-c
60
杂环基团”可指具有与c
5-c
60
碳环基团相同结构的基团，只是除了碳原子(碳原子的数量可在1至60的范围内)以外，使用选自n、o、si、p和s中的至少一个杂原子作为成环原子。
[0473]
在本说明书中，取代的c
5-c
60
碳环基团、取代的c
1-c
60
杂环基团、取代的c
3-c
10
亚环烷基、取代的c
1-c
10
亚杂环烷基、取代的c
3-c
10
亚环烯基、取代的c
1-c
10
亚杂环烯基、取代的c
6-c
60
亚芳基、取代的c
1-c
60
亚杂芳基、取代的二价非芳族稠合多环基团、取代的二价非芳族稠合杂多环基团、取代的c
1-c
60
烷基、取代的c
2-c
60
烯基、取代的c
2-c
60
炔基、取代的c
1-c
60
烷氧基、取代的c
3-c
10
环烷基、取代的c
1-c
10
杂环烷基、取代的c
3-c
10
环烯基、取代的c
1-c
10
杂环烯基、取代的c
6-c
60
芳基、取代的c
6-c
60
芳氧基、取代的c
6-c
60
芳硫基、取代的c
1-c
60
杂芳基、取代的单价非芳族稠合多环基团和取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基可选自：
[0474]
氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基和c
1-c
60
烷氧基；
[0475]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)和-p(＝o)(q
11
)(q
12
)中的至少一个取代的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基和c
1-c
60
烷氧基；
[0476]
c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
6-c
60
芳
氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团；
[0477]
各自被选自氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)和-p(＝o)(q
21
)(q
22
)中的至少一个取代的c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团和单价非芳族稠合杂多环基团；以及
[0478]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)和-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，并且
[0479]
q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可各自独立地选自氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基。
[0480]
如本文使用的术语“ph”表示苯基，如本文使用的术语“me”表示甲基，如本文使用的术语“et”表示乙基，如本文使用的术语“tert-bu”或“bu
t”表示叔丁基，如本文使用的术语“ome”表示甲氧基，并且“d”表示氘。
[0481]
如本文使用的术语“联苯基”可指“被苯基取代的苯基”。“联苯基”可为具有“c
6-c
60
芳基”作为取代基的“取代的苯基”。
[0482]
如本文使用的术语“三联苯基”可指“被联苯基取代的苯基”。“三联苯基”可为具有“被c
6-c
60
芳基取代的c
6-c
60
芳基”作为取代基的“取代的苯基”。
[0483]
如本文使用的*和*’，除非另外限定，否则各自指在相应的式中与相邻的原子的结合位点。
[0484]
下文，将参考合成例和实施例详细地描述根据实施方式的有机发光装置。
[0485]
实施例
[0486]
比较例1
[0487]
作为基板和阳极，将来自康宁的15ω/cm2的具有ito的第一玻璃基板、具有ag的第二玻璃基板和来自康宁的15ω/cm2的具有ito的第三玻璃基板，分别切割至50mm x 50mm x 0.7mm的尺寸，用异丙基醇和纯水各超声5分钟，并且然后通过暴露于紫外线和臭氧30分钟而清洁。然后，将第一玻璃基板至第三玻璃基板顺序堆叠在真空沉积设备中。
[0488]
将ht3和hat-cn以9∶1的比例沉积在阳极上，以形成具有的厚度的空穴注入层。
[0489]
将tctahat-cn和npb顺序沉积在空穴注入层上，以形成空穴传输层。
[0490]
将ht1沉积在空穴传输层上，以形成具有的厚度的ht-辅助层，将adn和dpavbi(dpavbi的量为5wt％)共沉积，以形成具有的厚度的发射层，并且将balq沉
积，以形成具有的厚度的et-辅助层。
[0491]
将bipo和liq以5∶5的比例沉积在et-辅助层上，以形成具有的厚度的电子传输层，并且将yb沉积，以形成具有的厚度的电子注入层，从而形成电子传输区。
[0492]
将agmg沉积在电子传输区上，以形成具有的厚度的阴极，并且将cp1沉积在阴极上至的厚度，从而完成有机发光装置的制造。
[0493][0494]
比较例2
[0495]
作为基板和阳极，将来自康宁的15ω/cm2的具有ito的第一玻璃基板、具有ag的第二玻璃基板和来自康宁的15ω/cm2的具有ito的第三玻璃基板，分别切割至50mm x 50mm x 0.7mm的尺寸，用异丙基醇和纯水各超声5分钟，并且然后通过暴露于紫外线和臭氧30分钟而清洁。然后，将第一玻璃基板至第三玻璃基板顺序堆叠在真空沉积设备中。
[0496]
将ht3和hat-cn以9∶1的比例沉积在阳极上，以形成具有的厚度的空穴注入层。
[0497]
将tctahat-cn和npb顺序沉积在空穴注入层上，以形成空穴传输层。
[0498]
将m-mtdata沉积在空穴传输层上，以形成具有的厚度的第一ht-辅助层，将adn和dpavbi(dpavbi的量为5wt％)共沉积，以形成具有的厚度的第一发射层，并且将balq沉积以形成具有的厚度的第一et-辅助层。将bipo和liq以5∶5的比例沉积在第一et-辅助层上，以形成具有的厚度的电子传输层，从而形成第一发光单元。
[0499]
将bcp和yb(yb的量为1wt％)共沉积在第一发光单元上，以形成具有的厚度的n-型电荷产生层，并且将ht3：hat-cn(hat-cn的量为10wt％，)沉积，以形成p-型电荷产生层，从而形成电荷产生层。
[0500]
将ht3沉积在电荷产生层上，以形成具有的厚度的第二ht-辅助层，将adn和dpavbi(dpavbi的量为5wt％)共沉积，以形成具有的厚度的第二发射层，并且将balq沉积以形成具有的厚度的第二et-辅助层。
[0501]
将bipo和liq以5∶5的比例沉积在第二et-辅助层上，以形成具有的厚度的电子传输层，并且将yb沉积，以形成具有的厚度的电子注入层，从而形成电子传输区，并且从而形成第二发光单元。
[0502]
将agmg沉积在电子传输区上，以形成具有的厚度的阴极，并且将cp1沉积在阴极上至的厚度，从而完成有机发光装置的制造。
[0503]
比较例3
[0504]
作为基板和阳极，将来自康宁的15ω/cm2的具有ito的第一玻璃基板、具有ag的第二玻璃基板和来自康宁的15ω/cm2的具有ito的第三玻璃基板，分别切割至50mm x 50mm x 0.7mm的尺寸，用异丙基醇和纯水各超声5分钟，并且然后通过暴露于紫外线和臭氧30分钟而清洁。然后，将第一玻璃基板至第三玻璃基板顺序堆叠在真空沉积设备中。
[0505]
将ht3和hat-cn以9∶1的比例沉积在阳极上，以形成具有的厚度的空穴注入层。
[0506]
将tctahat-cn和npb顺序沉积在空穴注入层上，以形成空穴传输层。
[0507]
将m-mtdata沉积在空穴传输层上，以形成具有的厚度的第一ht-辅助层，将adn和dpavbi(dpavbi的量为5wt％)共沉积，以形成具有的厚度的第一发射层，将balq沉积以形成具有的厚度的第一et-辅助层，并且将bipo和liq以5∶5的比例沉积在第一et辅助层上，以形成具有的厚度的电子传输层，从而形成第一发光单元。
[0508]
将bcp和yb(yb的量为1wt％)共沉积在第一发光单元上，以形成具有的厚度的n-型电荷产生层，并且将ht3：hat-cn(hat-cn的量为10wt％，)共沉积，以形成p-型电荷产生层，从而形成第一电荷产生层。
[0509]
将m-mtdata沉积在第一电荷产生层上，以形成具有的厚度的第二ht-辅助层，将adn和dpavbi(dpavbi的量为5wt％)共沉积，以形成具有的厚度的第二发射层，并且将balq沉积，以形成具有的厚度的第二et-辅助层。将bipo和liq以5∶5的比例沉积在第二et-辅助层上，以形成具有的厚度的电子传输层，从而形成电子传输区，并且从而形成第二发光单元。
[0510]
将bcp和yb(yb的量为1wt％)共沉积在第二发光单元上，以形成具有的厚度的n-型电荷产生层，并且将ht3：hat-cn(10％，)沉积，以形成p-型电荷产生层，从而形成第二电荷产生层。
[0511]
将m-mtdata沉积在第二电荷产生层上，以形成具有的厚度的第三ht-辅助层，将adn和dpavbi(dpavbi的量为5wt％)共沉积，以形成具有的厚度的第三发射层，并且将balq沉积，以形成具有的厚度的第三et-辅助层。将bipo和liq以5∶5的比例沉积在第三et-辅助层上至的厚度，从而形成电子传输层，并且将yb沉积，以形成具有的厚度的电子注入层，从而形成电子传输区，并且从而形成第三发光单元。
[0512]
将agmg沉积在电子传输区上，以形成具有的厚度的阴极，并且将cp1沉积在阴极上至的厚度，从而完成有机发光装置的制造。
[0513]
实施例1
[0514]
作为基板和阳极，将来自康宁的15ω/cm2的具有ito的第一玻璃基板、具有ag的第二玻璃基板和来自康宁的15ω/cm2的具有ito的第三玻璃基板，分别切割至50mm x 50mm x 0.7mm的尺寸，用异丙基醇和纯水各超声5分钟，并且然后通过暴
露于紫外线和臭氧30分钟而清洁。然后，将第一玻璃基板至第三玻璃基板顺序堆叠在真空沉积设备中。
[0515]
将ht3和hat-cn以9∶1的比例沉积在阳极上，以形成具有的厚度的空穴注入层。
[0516]
将tctahat-cn和npb顺序沉积在空穴注入层上，以形成空穴传输层。
[0517]
将m-mtdata沉积在空穴传输层上，以形成具有的厚度的第一ht-辅助层，将adn和dpavbi(dpavbi的量为5wt％)共沉积，以形成具有的厚度的第一发射层，将balq沉积，以形成具有的厚度的第一et-辅助层，并且将化合物1和liq以5∶5的比例沉积在第一et-辅助层上，以形成具有的厚度的第一电子传输层，从而形成第一发光单元。
[0518]
将bcp和yb(yb的量为1wt％)共沉积在第一发光单元上，以形成具有的厚度的n-型电荷产生层，并且将ht3沉积，以形成具有的厚度的p-型电荷产生层，从而形成第一电荷产生层。
[0519]
在该情况下，第一电子传输层和n-型电荷产生层之间的lumo能级差为0.15ev。
[0520]
将ht3沉积在第一电荷产生层上，以形成具有的厚度的第二ht-辅助层，将adn和dpavbi(dpavbi的量为5wt％)共沉积，以形成具有的厚度的第二发射层，将balq沉积，以形成具有的厚度的第二et-辅助层，并且将化合物1和liq以5∶5的比例沉积在第二et-辅助层上，以形成具有的厚度的第二电子传输层，从而形成第二发光单元。
[0521]
将bcp和yb(yb的量为1wt％)共沉积在第二发光单元上，以形成具有的厚度的n-型电荷产生层，并且将ht3：hat-cn(hat-cn的量为10wt％，)沉积，以形成具有的厚度的p-型电荷产生层，从而形成第二电荷产生层。
[0522]
将ht3沉积在第二电荷产生层上，以形成具有的厚度的第三ht-辅助层，将adn和dpavbi(dpavbi的量为5wt％)共沉积，以形成具有的厚度的第三发射层，并且将ba1q沉积，以形成具有的厚度的第三et-辅助层。
[0523]
将化合物101和liq以5∶5的比例沉积在第三et-辅助层上，以形成具有的厚度的电子传输层，并且将yb沉积，以形成具有的厚度的电子注入层，从而形成电子传输区，并且从而形成第三发光单元。
[0524]
将agmg沉积在电子传输区上，以形成具有的厚度的阴极，将cp1沉积在阴极上至的厚度，从而完成有机发光装置的制造。
[0525]
在该情况下，第三电子传输层和第三发射层中包括的adn之间的lumo能级差为0.2ev。
[0526]
比较例4
[0527]
作为基板和阳极，将来自康宁的15ω/cm2的具有ito的第一玻璃基板、具有ag的第二玻璃基板和来自康宁的15ω/cm2的具有ito的第三玻璃基板，分别切割至50mm x 50mm x 0.7mm的尺寸，用异丙基醇和纯水各超声5分钟，并且然后通过
暴露于紫外线和臭氧30分钟而清洁。然后，将第一玻璃基板至第三玻璃基板顺序堆叠在真空沉积设备中。
[0528]
将ht3和hat-cn以9∶1的比例沉积在阳极上，以形成具有的厚度的空穴注入层。
[0529]
将tctahat-cn和npb顺序沉积在空穴注入层上，以形成空穴传输层。
[0530]
将m-mtdata沉积在空穴传输层上，以形成具有的厚度的第一ht-辅助层，将adn和dpavbi(dpavbi的量为5wt％)共沉积，以形成具有的厚度的第一发射层，将balq沉积，以形成具有的厚度的第一et-辅助层，并且将蒽衍生物和liq以5∶5的比例沉积在第一et-辅助层上，以形成具有的厚度的电子传输区，从而形成第一发光单元。
[0531]
将蒽衍生物和yb(yb的量为1wt％)共沉积在第一发光单元上，以形成具有的厚度的n-型电荷产生层，并且将ht3沉积，以形成具有的厚度的p-型电荷产生层，从而形成第一电荷产生层。
[0532]
在该情况下，第一et-辅助层和n-型电荷产生层之间的lumo能级差为0.03ev。
[0533]
将ht3沉积在第一电荷产生层上，以形成具有的厚度的第二ht-辅助层，将adn和dpavbi(dpavbi的量为5wt％)共沉积，以形成具有的厚度的第二发射层，并且将balq沉积，以形成具有的厚度的第二et-辅助层。
[0534]
将化合物101和liq以5∶5的比例沉积在第二et-辅助层上，以形成具有的厚度的电子传输层，并且将yb沉积，以形成具有的厚度的电子注入层，从而形成电子传输区，并且从而形成第二发光单元。
[0535]
将agmg沉积在电子传输区上，以形成具有的厚度的阴极，并且将cp1沉积在阴极上至的厚度，从而完成有机发光装置的制造。
[0536]
比较例5
[0537]
以与实施例1中基本上相同的方式制造有机发光装置，不同之处在于使用et1代替化合物1形成第一电子传输层。在该情况下，第一电子传输层和n-型电荷产生层之间的lumo绝对值差为0.4ev。
[0538]
评估例1
[0539]
测量根据实施例1和比较例1至比较例5制造的有机发光装置中的每个的电容-电压，并且其结果示出在图3和图4中，并且测量在相同电压(10.5v)下的驱动电压(v)、效率(cd/a)和亮度(尼特)，并且其结果显示在图5至图7和表1中。
[0540]
表1
[0541]
[0542][0543]
参考图3，在比较例2和比较例3的装置的情况下，比较例1的单个装置中未显示的拐点显示了从各个电荷产生层注入的电荷的平衡具有非均匀的状态。
[0544]
一起参考图4，在实施例1的有机发光装置的情况下，证实了由于在6v至7v处的初始注入特性以及在8.5v之后改善的注入特性的应用导致了电荷平衡改善。此外，在6v至7v处的初始注入特性和在8.5v之后的其中显示复合的驱动电压特性都得到改善。
[0545]
参考图5和图6以及表1，与比较例3至比较例5的有机发光装置相比，实施例1的有机发光装置可具有低驱动电压和优异的效率。
[0546]
参考图7，证实了，随着电荷产生层的数量增加，装置不稳定性增加，并且因此，随着时间的推移发生了驱动电压变化的差异。
[0547]
所以，为了消除(或减少)这种装置不稳定性，有必要(或期望)确保如本公开中描述的每个电子传输区的配置的适当性。根据一个或多个实施方式的配置可改善从电荷产生层发生的电子注入的特性的不稳定性，从而装置的效率和寿命都得到改善。
[0548]
有机发光装置可具有低驱动电压、高效率和长寿命。
[0549]
如本文使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可考虑分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”同义。
[0550]
另外，术语“基本上”、“约”和类似的术语作为近似的术语使用并且不作为程度的术语使用，并且旨在说明将由本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值的固有偏差。
[0551]
而且，本文叙述的任何数值范围旨在包括归入所叙述的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所叙述的最小值1.0和所叙述的最大值10.0之间的所有子范围(并且包括1.0和10.0)，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，比如，例如，2.4至7.6。本文叙述的任何最大数值限制旨在包括归入其中的所有较低数值限制，并且本说明书中叙述的任何最小数值限制旨在包括归入其中的所有较高数值限制。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求)的权利，以明确叙述归入本文明确叙述的范围内的任何子范围。
[0552]
应理解，本文所述的实施方式应仅在描述性意义上考虑并且不用于限制的目的。每个实施方式内的特征或方面的描述应通常考虑为可用于其他实施方式中的其他类似的特征或方面。虽然已经参考图描述了一个或多个实施方式，但是本领域普通技术人员将理解，在不背离如通过所附权利要求和它们的等同物限定的本公开的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节的各种变化。