技术特征：
1.一种背照式emccd背面结构，包括现有的emccd前照结构，主要由以下部分组成：高阻外延硅层（8）的前面设有光敏区（1）、存储区（2）、水平移位寄存器（3）、倍增区及输出放大区（4）、正面p+接触区（5）、正面金属引线电极（6）以及铝避光层（7），emccd前照表面设有二氧化硅氧化层（10），其特征在于：高阻外延硅层（8）背面设有p+层（13），厚度50nm~200nm；p+层（13）背面蒸镀一层增透膜（14）；在p+层（13）上面制有硼离子注入的p+电极接触区（15b），p+电极接触区（15b）覆盖存储区（2）、水平移位寄存器（3）、倍增寄存器（4）及输出放大器；在emccd背面设有金属化电极（16），金属化电极与p+电极接触区（15b）接触并覆盖p+接触层（15b）；增透膜（14）、p+层（13）、高阻外延硅层（8）的两侧，露出emccd正面金属引线电极（6）。2.实现权利要求1所述的一种背照式emccd背面结构的制作方法，包括以下步骤：1）制作完成前照工艺的emccd前照晶圆，包括：低阻衬底硅层（9），低阻衬底硅层（9）上面设有高阻外延硅层（8），高阻外延硅层（8）上面设有光敏区（1）、存储区（2）、水平移位寄存器（3）、倍增区及输出放大区（4）、正面p+接触区（5）及正面金属引线电极（6），还设有铝避光层（7）并覆盖存储区（2）、水平移位寄存器（3）、倍增区及输出放大区（4）；2）将emccd前照晶圆片正面进行表面介质平坦化，通过二氧化硅淀积氧化层（10），厚度4μm~6μm；3）在emccd前照晶圆片氧化层（10）表面旋涂聚合物层（11），聚合物层（11）通过晶圆键合工艺键合一层键合基片（12），键合基片作为减薄的支撑片；4）对emccd前照圆片背面通过减薄去除低阻层（9），剩余高阻外延硅层（8）厚度10μm~20μm；5）高阻外延硅层（8）的背面采用低能离子注硼，能量0.2kev~10kev,剂量1e14~1e15，之后采用激光退火工艺，在emccd背面形成p+层（13），厚度50nm~200nm；6）在emccd背面的p+层（13）上面蒸镀一层增透膜（14），材料为二氧化铪、二氟化镁、二氧化硅、三氧化二铝中的一种或其组合；7）增透膜（14）上光刻金属化电极接触区窗口（15a），该窗口刻蚀去除增透膜至p+层（13），所述电极接触区窗口覆盖存储区、水平移位寄存器、倍增寄存器、输出放大器这些区域，在光敏区与存储区交界区，接触区边界距离光敏区像素单元10微米~100微米；8）电极接触区窗口（15a）中，用低能大束流离子注入硼形成p+电极接触（15b），p+电极接触区（15b）深入至高阻硅层8，注入能量10kev~80kev，注入剂量1e14~5e15；9）对p+电极接触区（15b）进行局部激光退火，使p+电极接触区（15b）的结深至0.15μm~2μm；10）在emccd背面增透膜（14）上蒸镀一层金属铝屏蔽层（16a），厚度0.2μm~1μm；11）光刻刻蚀金属铝屏蔽层（16a），形成的背面金属化电极（16）与p+电极接触区（15b）接触，背面金属电极（16）在宽度上覆盖p+电极接触区（15b）并超过 10μm~100μm；12）光刻刻蚀两侧的增透膜（14）、p+区（13）、高阻外延硅层（8），释放emccd正面金属引线电极（6）；13）通过低温h2、n2或者二者混合气体退火，温度150℃~450℃，时间30min~120min，、修
复工艺过程中的损伤，同时增加背面金属电极（16）与p+电极接触区（15b）的欧姆接触特性。