1.一种电阻式随机存储器件，由导电衬底、电阻存储薄膜层和导电顶电极组成，其特点在于所述电阻存储薄膜层为纳米贵金属颗粒修饰铁酸镍(nife2o4)薄膜；所述纳米贵金属颗粒为银(ag)或者金(au)颗粒。
2.根据权利要求1所述的薄膜，纳米贵金属颗粒修饰量与nife2o4薄膜摩尔比为0.2％~2％：1。
3.根据权利要求2所述的电阻式随机存储器件，其特点在于所述100~500nm。
4.根据权利要求3所述的电阻式随机存储器件，其特点在于所述导电衬底为pt或者ito，导电顶电极为pt、au、ag或cu电极。
5.权利要求所述电阻式随机存储器件的制备方法是采用真空镀膜技术，在纳米贵金属颗粒修饰薄膜表面镀上导电顶电极，构成底电极/纳米贵金属颗粒修饰nife2o4薄膜/顶电极三明治结构的电阻式随机存储器件。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特点在于所述nife2o4薄膜的制备方法为溶胶-凝胶法。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特点在于所述溶胶-凝胶法由以下步骤组成：
(1)制备nife2o4前驱体溶液；
(2)制备纳米贵金属盐溶液；
(3)将步骤(2)所得贵金属盐溶液逐滴加入到步骤(1)所得nife2o4前驱体溶液中，得到纳米贵金属颗粒修饰nife2o4薄膜的前驱体溶液；
(4)将上述前驱体溶液旋转涂覆于导电衬底上，制备纳米贵金属颗粒修饰nife2o4前驱体薄膜，对前驱体薄膜进行热处理，热处理温度为400~600℃，时间为30~120分钟。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特点在于所述nife2o4前驱液是由ni(ch3coo)2•4h2o、fe(no3)3•9h2o按1:2比例称量作为溶质，加入比例为2:1的乙二醇甲醚和冰醋酸组成的混合溶液中，室温搅拌8小时得到；所述纳米贵金属盐溶液是由硝酸银或氯金酸加入适量乙二醇甲醚溶液溶解得到。