铜酞菁微粒的制造方法

铜酞菁微粒的制造方法
【专利摘要】本发明的课题为提供含有至少一种具有高分光特性、且为与α型不同的结晶型的铜酞菁微粒而成的铜酞菁颜料及上述铜酞菁微粒的制造方法。提供含有至少一种为与α型不同的结晶型、且在380～780nm中的吸收光谱为α型吸收光谱的形状的铜酞菁微粒而成的铜酞菁颜料及上述铜酞菁颜料的制造方法。另外，提供含有至少一种与α型及ε型的2种型不同的结晶型、且在380～780nm中的透射光谱中透射率达到最大的波长(λmax)低于478nm的铜酞菁微粒而成的铜酞菁颜料及上述铜酞菁微粒的制造方法。
【专利说明】
铜酞菁微粒的制造方法
[00011 本申请是申请号为201180016024.0、申请日为2011年03月04日，发明名称为"新型 的铜酞菁颜料及铜酞菁微粒的制造方法"的中国专利申请的分案申请。
技术领域
[0002] 本发明涉及新型的酮酞菁颜料。
【背景技术】
[0003] 铜酞菁，为在涂料、喷墨油墨、滤色器、调色剂等广泛领域中使用的蓝色或青色的 有机颜料。也可以合成位于分子结构的中心的铜元素被氢取代了的无金属酞菁、被其它的 金属元素取代了的多种金属酞菁，不仅作为色料的着色力、发色力等的颜色特性优异，而且 耐水性及耐热性、耐光性及耐气候性等的耐久性优异，因此在产业上铜酞菁的使用量最多。 铜酞菁除作为如上所述的有机颜料、色料的使用之外，也应用于半导体、催化剂或传感器等 中，因此认为即使今后也可以成为重要的材料。
[0004] 铜酞菁具有α、β、γ、ε、3?、χ、σ、ρ等许多的结晶多形，可以说颜色特性、耐溶剂性等 的物性根据结晶型而不同。但是，铜酞菁的颜色特性，不仅结晶型，而且其一次粒径的大小 和使用时的凝聚的程度、即其分散粒径也产生大的影响，因此需要对于目标的结晶型的微 粒的制造方法，至今为止报告有涉及结晶型的控制和微粒的制作的许多方法。
[0005] 例如作为制作β或ε型的铜酞菁的方法，报告有如专利文献1中记载那样的用特定 的有机溶剂进行处理的溶剂法、如专利文献2中记载那样的在特定的溶剂中用珠粒、无机盐 类进行处理的所谓溶剂研磨（力法或溶剂盐研磨（力卜:/少卜烈^夕'') 法。
[0006] 但是，在溶剂法中，结晶生长所引起的粒子的粗大化的抑制是困难的，在溶剂研 磨、溶剂盐研磨法中，由于平行进行结晶生长和粉碎，因此如下问题:不仅需要很大的能量， 而且对铜酞菁颜料作用强的力，色调、透明性、分光特性、耐久性等作为颜料纳米粒子所期 待的特性不能呈现这样的问题。
[0007] 另外，如专利文献3中所示，作为本申请
【申请人】所提案的新型的铜酞菁，有以下的 铜酞菁颜料以及其制造方法:所述铜酞菁颜料含有结晶型为α型且在380~780nm中的透射 光谱的透射率达到最大的波长(Amax)低于478nm的铜酞菁而成。专利文献3中所示的铜酞菁 的透射特性优异，仅可透射特定的波长区域的光，另外其透射率也比以往高。进而，在吸收 光谱特性中，与一般的铜酞菁相比，即使为相同颜料浓度的分散液其吸光度也高，因此可推 测与迄今为止的铜酞菁颜料相比，着色力优异。但是，一般被称为亚稳定型的α型的结晶，在 尝试在特定的有机溶剂、特别是芳香族系的有机溶剂中的使用情况下，存在结晶生长、不能 发挥其颜色特性这样的问题，因此期望具有如专利文献3中所示那样的分光特性、且与α型 不同的稳定型或亚稳定型的铜酞菁。
[0008] 现有技术文献
[0009] 专利文献
[0010] 专利文献I:特开2003-313456号公报 [0011] 专利文献2:特开2007-332317号公报 [0012] 专利文献3:国际公开第W02010/035861号小册子

【发明内容】

[0013] 发明要解决的课题
[0014] 鉴于上述，本发明的课题在于提供含有至少一种为与α不同的结晶型、且在380~ 780nm中的吸收光谱为α型的吸收光谱形状的铜酞菁微粒而成的铜酞菁颜料及上述铜酞菁 微粒的制造方法。
[0015] 进而，课题在于提供含有至少一种为与α型及ε型这2种型不同的结晶型、且在380 ~780nm中的透射光谱的透射率达到最大的波长(Amax)低于478nm的铜酞菁微粒而成的铜 酞菁颜料及上述铜酞菁微粒的制造方法。
[0016] 用于解决课题的手段
[0017] 为了解决上述课题，本发明的第1方式为以下的铜酞菁颜料:其含有至少一种为与 α型不同的结晶型、且在380~780nm中的吸收光谱为α型的吸收光谱形状的铜酞菁微粒而 成。
[0018] 本发明的第2方式为以下的铜酞菁颜料:其含有至少一种为与α型不同的结晶型、 且在380~780nm中的吸收光谱中、在600±15nm及680±15nm的区域具有峰的铜酞菁微粒而 成。
[0019] 本发明的第3方式为本发明的第1或第2方式涉及的含有铜酞菁微粒而成的铜酞菁 颜料，其特征在于，含有至少一种与上述α型不同的结晶型为β型、γ型及ε型的3种型中的任 意的结晶型的铜酞菁微粒。
[0020] 本发明的第4方式为以下的铜酞菁颜料:其含有至少一种为与α型及ε型的2种型不 同的结晶型、且在380~780nm中的透射光谱的透射率达到最大的波长(A max)低于478nm的 铜酞菁而成。
[0021] 本发明的第5方式为本发明的第4方式涉及的含有铜酞菁微粒而成的铜酞菁颜料， 其特征在于，含有至少一种为与上述的α型及ε型的2种型不同的结晶型为β型及γ型的2种 型中的任意的结晶型的铜酞菁微粒。
[0022] 本发明的第6方式为本发明的第1~第5的任意的方式涉及的含有铜酞菁微粒而成 的铜酞菁颜料，其特征在于，向可接近?分离、且相对地位移的处理用面之间供给被处理流 动体，通过含有该被处理流动体的供给压力和施加于进行旋转的处理用面之间的压力的向 接近方向的力与向分离方向的力的压力的平衡，将处理用面间的距离维持为微小间隔，使 维持为该微小间隔的2个处理用面间作为被处理流动体的流路，由此被处理流动体形成薄 膜流体，在该薄膜流体中以微粒的方式生成上述铜酞菁微粒。
[0023] 本发明的第7方式为本发明的第1~第6方式的任意的方式涉及的含有铜酞菁微粒 而成的铜酞菁颜料，其特征在于，上述铜酞菁微粒的形状为大致球状。
[0024]本发明的第8方式为本发明的第7方式涉及的含有铜酞菁微粒而成的铜酞菁颜料， 其特征在于，上述铜酞菁微粒的体积平均粒径为1~600nm。
[0025]本发明的第9方式为铜酞菁微粒的制造方法，其为生成本发明的第1~第8方式的 任意方式涉及的铜酞菁微粒的方法，其特征在于，向可接近?分离、且相对地位移的处理用 面之间供给被处理流动体，通过含有该被处理流动体的供给压力和施加于进行旋转的处理 用面之间的压力的向接近方向的力与向分离方向的力的压力的平衡，将处理用面间的距离 维持为微小间隔，将维持为该微小间隔的2个处理用面间作为被处理流动体的流路，由此被 处理流动体形成薄膜流体，在该薄膜流体中进行上述铜酞菁微粒的析出。
[0026] 本发明的第10方式为本发明的第9方式涉及的铜酞菁微粒的制造方法，其特征在 于，使用至少2种被处理流动体，其中至少一种被处理流动体为将铜酞菁溶解在溶剂中的铜 酞菁溶液，上述以外的流体中至少一种被处理流动体为对于铜酞菁为不良溶剂的溶剂，上 述铜酞菁溶液和相对于上述铜酞菁为不良溶剂的溶剂内，至少任一方的被处理流动体含有 至少一种有机溶剂，在上述薄膜流体中混合上述的被处理流动体。
[0027] 本发明的第11方式为本发明的第9方式涉及的铜酞菁微粒的制造方法，其特征在 于，使用第1、第2、第3的至少3种的被处理流动体，上述第1被处理流动体为将铜酞菁溶解在 溶剂中的铜酞菁溶液，上述第2被处理流动体相对于铜酞菁为不良溶剂的溶剂，上述第3被 处理流动体含有至少一种有机溶剂，在上述薄膜流体中混合上述全部的被处理流动体。
[0028] 本发明的第12方式为本发明的第10或第11方式涉及的铜酞菁微粒的制造方法，其 特征在于，上述有机溶剂含有芳香族化合物溶剂、酮化合物溶剂、醚化合物溶剂、卤素化合 物溶剂中的至少一种。
[0029] 本发明的第13方式为本发明的第9方式涉及的铜酞菁微粒的制造方法，其特征在 于，具备：对上述的被处理流动体赋予压力的流体压力赋予机构、第1处理用部及相对于该 第1处理用部可接近?分离的第2处理用部的至少两个处理用部、和使上述第1处理用部和 第2处理用部相对地进行旋转的旋转驱动机构，在上述的各处理用部中相互对向的位置设 有第1处理用面及第2处理用面的至少两个处理用面，上述的各处理用面构成上述被赋予了 压力的被处理流动体流过的、被密封了的流路的一部分，上述第1处理用部和第2处理用部 中，至少第2处理用部具备受压面，且该受压面的至少一部分由上述的第2处理用面构成，该 受压面受到上述流体压力赋予机构赋予被处理流动体的压力，产生在使第2处理用面从第1 处理用面分离的方向移动的力，通过在可接近·分离且相对地进行旋转的第1处理用面和 第2处理用面之间使上述的赋予了压力的被处理流动体通过，上述被处理流动体形成上述 薄膜流体，在该薄膜流体中进行上述铜酞菁微粒的析出。
[0030] 本发明的第14方式为本发明的第13方式涉及的铜酞菁微粒的制造方法，其特征在 于，在上述第1处理用面和第2处理用面之间通过一种被处理流动体，具备与上述的一种被 处理流动体不同的其它的一种被处理流动体通过的独立的另外的导入路，与该导入路相通 的至少一个开口部设于上述第1处理用面和第2处理用面的至少任一方，从该导入路将上述 其它的一种被处理流动体导入上述两处理用面之间，在上述薄膜流体中混合上述一种被处 理流动体和其它的一种被处理流动体。
[0031] 本发明的第15方式，为本发明的第14方式涉及的铜酞菁微粒的制造方法，其特征 在于，上述被处理流动体的混合，在比上述一种被处理流动体的流动在上述两处理用面间 形成层流的点的下游侧设置上述开口部、从上述开口部导入上述的其他的一种被处理流动 体而进行。
[0032]发明的效果
[0033] 本发明可提供含有至少一种为与α型不同的结晶型、且在380~780nm中的吸收光 谱为α型的吸收光谱形状的铜酞菁微粒而成的铜酞菁颜料及上述铜酞菁微粒的制造方法。 不需要用于使结晶型变化的大量的能量，可改善上述举出的以往的问题。
[0034] 而且特别是在本发明的第4或第5方式中，可以提供含有至少一种以下的铜酞菁微 粒的铜酞菁颜料:所述铜酞菁微粒为在粉末X射线衍射测定中结晶型为与α型及ε型的2种型 不同的结晶型的铜酞菁微粒，特别是结晶型为β型及γ型的2种型中的任意的结晶型的铜酞 菁微粒，且在380~780nm中的透射光谱中的透射率达到最大的波长(Amax)低于478nm的铜 酞菁微粒。即，通过本申请
【申请人】能够以与α型相比耐溶剂性优异的结晶型的方式提供专利 文献3中提供的分光特性的铜酞菁。
【附图说明】
[0035] 图1是本发明的实施方式涉及的流体处理装置的概略剖面图。
[0036]图2(A)是图1中所示的流体处理装置的第1处理用面的概略平面图，（B)是同装置 的处理用面的主要部分放大图。
[0037] 图3(A)是同装置的第2导入路的剖面图，（B)是用于说明同第2导入部的处理用面 的主要部分放大图。
[0038] 图4为本发明的实施例1中制作的铜酞菁微粒分散液的吸收光谱(实线）及对于专 利文献3中提供的含有结晶型为α型、且在380~780nm中的透射光谱中的透射率达到最大的 波长(A max)低于478nm的铜酞菁而成的铜酞菁颜料的吸收光谱(实线上白圈）。
[0039] 图5为本发明的实施例1中制作的铜酞菁微粒分散液的透射光谱(实线）及对于专 利文献3中提供的含有结晶型为α型、且在380~780nm中的透射光谱的透射率达到最大的波 长(Amax)低于478nm的铜酞菁而成的铜酞菁颜料的透射光谱(实线上白圈）。
[0040] 图6为本发明的实施例1中制作的铜酞菁微粒的粉末X射线衍射光谱。
[0041]图7为本发明的实施例6中制作的铜酞菁微粒的粉末X射线衍射光谱。
[0042] 图8为本发明的实施例5中制作的铜酞菁微粒的粉末X射线衍射光谱。
[0043] 图9为本发明的实施例1中制作的铜酞菁微粒的TEM照片。
【具体实施方式】
[0044] 本发明为以下的铜酞菁颜料:其为含有粉末X射线衍射图中所示的与α型不同的铜 酞菁微粒，特别是β型（图6)、γ型（图7)及ε型（图8)的3种型的任意的结晶型的铜酞菁微粒 的铜酞菁颜料，且含有至少一种由在图4中用实线表示的吸收光谱或在图5中用实线表示的 透射光谱所示的铜酞菁微粒。另外，本发明中的铜酞菁颜料含有如铜酞菁微粒的磺化物、氢 氧化物这样的铜酞菁衍生物。另外，也可以含有在铜酞菁微粒的表面导入了氢氧基、磺基等 的官能团的铜酞菁颜料来实施。除此之外，在本发明涉及的铜酞菁颜料中，也可以含有与α 型不同的多种的结晶型的铜酞菁微粒。
[0045] 如图6~图8中所发现那样，在粉末X射线衍射光谱中，衍射强度达到峰的衍射角与 各个结晶型（图6为β型(稳定型），图7为γ型，图8为ε型）的铜酞菁一致，因此可以判断本发 明中的铜酞菁的结晶型与α型不同，另外，如图4中用实线表示的吸收光谱中所发现那样，可 知为在380~780nm中的吸收光谱形状为α型的铜酞菁。在本发明涉及的铜酞菁中，所谓吸收 光谱形状为α型是指在波长区域380~780nm中的吸收光谱中，在600±15nm及680±15nm区 域具有峰的吸收光谱形状。进而，如图5中用实线表示的透射光谱中所发现那样，可知为在 波长区域380~780nm中的透射光谱的透射率达到最大的波长(Amax)低于478nm的铜酞菁。 本发明中的吸收光谱或透射光谱的测定方法没有特别限定。可以举出例如对铜酞菁颜料的 水溶液系或有机溶剂系分散液测定吸收或透射光谱的方法、对于涂布于玻璃、透明电极或 膜等上来进行测定的方法。另外，图4、图5都对实线实施了白圈的光谱，是对于本申请申请 人在专利文献3中所提供的、含有结晶型为α型、且在380~780nm中的透射光谱的透射率达 到最大的波长(Amax)低于478nm的铜酞菁而成的铜酞菁颜料的吸收光谱以及透射光谱，与 本发明中的铜酞菁微粒的吸收·透射光谱相比，可知形状基本没有差异。
[0046] 作为本发明中得到铜酞菁颜料的制造方法没有特别限定。可以通过以粉碎法为代 表的Break-down法来实施，也可以通过Bui ld-up法来实施。另外，也可以通过新型地合成 来实施。
[0047] 作为本发明的铜酞菁颜料的制造方法的一个例子，可以使用铜酞菁微粒的制造方 法，该方法的特征在于，在混合含有在溶剂中熔解了铜酞菁的铜酞菁溶液的流体和含有对 于铜酞菁为不良溶剂的溶剂的流体来使铜酞菁析出而制造铜酞菁微粒的方法中，使上述的 各流体在可接近·分离地相互对向配设的至少一方相对于另一方进行旋转的处理用面之 间形成的薄膜流体中混合，在该薄膜流体中使铜酞菁微粒析出。以下，对该制造方法进行说 明。但是，该制造方法仅为一个例子，本发明并不限定于该制造方法。需要说明的是，在上述 溶剂中溶解前的铜酞菁的结晶型没有限定，代表性的α型、β型及ε型当然可以使用，各种结 晶型的铜酞菁也可使用。除此之外，也可以使用含有颜料化工序之前的铜酞菁、非晶铜酞菁 而成的铜酞菁。对于粒径也没有特别限定。
[0048]以下，对于可以在该方法中使用的流体处理装置进行说明。
[0049] 图1~图3中所示的流体处理装置，为与专利文献3中所记载的装置同样，为如下装 置:在可以接近?分离的至少一方相对于另一方相对地旋转的处理用部中的处理用面之间 处理被处理物，即，将被处理流动体中的作为第1被处理流动体的第1流体导入处理用面间， 从与导入了上述第1流体的流路独立、具备与处理用面间的开口部连通的其它流路将被处 理流动体中的第2被处理流动体即第2流体导入处理用面间，在处理用面间将上述第1流体 和第2流体进行混合?搅拌来进行处理。需要说明的是，在图1中，U表示上方，S表示下方，在 本发明中，上下前后左右仅限于表示相对的位置关系，并不特定绝对的位置。在图2(A)、图3 (B)中，R表示旋转方向。在图3(B)中，C表示离心力方向（半径方向）。
[0050] 该装置为如下装置:作为被处理流动体使用至少2种流体，对于其中至少1种流体， 包含至少1种被处理物，具备可以接近·分离地相互对向配设的至少一方相对于另一方旋 转的处理用面，在这些处理用面之间使上述各流体合流而形成薄膜流体，在该薄膜流体中 处理上述被处理物。该装置如上所述，可以处理多个被处理流动体，但也可以处理单一的被 处理流动体。
[0051] 该流体处理装置具备对向的第1及第2的2个处理用部10、20,至少一方处理用部进 行旋转。两处理用部10、20的对向的面分别成为处理用面。第1处理用部10具备第1处理用面 1，第2处理用部20具备第2处理用面2。
[0052]两处理用面1、2与被处理流动体的流路连接，构成被处理流动体的流路的一部分。 该两处理用面1、2间的间隔可以适宜变更进行实施，通常调整为1mm以下、例如Ο.?μπι至50μπι 左右的微小间隔。由此，通过该两处理用面1、2间的被处理流动体，成为由两处理用面1、2所 强制的强制薄膜流体。
[0053]在使用该装置处理多个被处理流动体的情况下，该装置与第1被处理流动体的流 路连接，形成该第1被处理流动体的流路的一部分，同时，形成与第1被处理流动体不同的第 2被处理流动体的流路的一部分。而且，该装置进行如下流体的处理:使两流路合流，在处理 用面1、2间，混合两被处理流动体，使其反应等。需要说明的是，在此，"处理"并不限于被处 理物反应的方式，也包含不伴随反应而仅进行混合?分散的方式。
[0054]具体地进行说明时，具备:保持上述第1处理用部10的第1托架11、保持第2处理用 部20的第2托架21、接面压力赋予机构、旋转驱动机构、第1导入部dl、第2导入部d2和流体压 力赋予机构P。
[0055]如图2(A)所示，在该实施方式中，第1处理用部10为环状体，更详细而言，其为圈状 的圆盘。另外，第2处理用部20也为圈状的圆盘。第1、第2处理用部10、20的材质除金属之外， 可以采用对陶瓷或烧结金属、耐磨耗钢、蓝宝石、其它金属实施有固化处理的材料或将硬质 材料实施有加衬或涂层、镀敷等的材料。在该实施方式中，两处理用部1 〇、20，相互对向的第 1、第2处理用面1、2的至少一部分被镜面研磨。
[0056] 该镜面研磨的面粗糙度没有特别限定，优选设为RaO.01~Ι.Ομπι，更优选为RaO.03 ~0 · 3μπι〇
[0057]至少一方的托架可以用电动机等旋转驱动机构（无图示）相对于另一方的托架相 对进行旋转。图1的50表示旋转驱动机构的旋转轴，在该例中，该旋转轴50上所安装的第1托 架11进行旋转，该第1托架11上所支承的第1处理用部10相对于第2处理用部20进行旋转。当 然，可以使第2处理用部20旋转，也可以使两者旋转。另外，在该例中，将第1、第2托架11、21 固定，使第1、第2处理用部10、20相对于该第1、第2托架11、21旋转也是可以的。
[0058] 第1处理用部10和第2处理用部20至少任一方可与至少任意另一方接近?分离，两 处理用面1、2可以接近·分离。
[0059] 在该实施方式中，第2处理用部20相对于第1处理用部10接近?分离，在设置于第2 托架21的收容部41中可以可出没地收容第2处理用部20。但是也可以与其相反地、第1处理 用部10相对于第2处理用部20接近?分离，也可以两处理用部10、20相互接近·分离。
[0060] 该收容部41为第2处理用部20的主要收容与处理用面2侧相反侧的部位的凹部，从 平面看，其为呈现圆的即形成为环状的槽。该收容部41具有可以使第2处理用部20旋转的充 分的间隙，收容第2处理用部20。需要说明的是，第2处理用部20以在轴方向可以仅进行平行 移动的方式配置，通过增大上述间隙，第2处理用部20也可以以消除与上述收容部41的轴方 向平行的关系的方式使处理用部20的中心线相对于收容部41倾斜而位移，进而，可以以第2 处理用部20的中心线和收容部41的中心线在半径方向偏离的方式进行位移。
[0061] 这样，希望通过3维且可以位移地保持的浮动机构来保持第2处理用部20。
[0062] 上述被处理流动体，在通过由各种栗、位置能量等构成的流体压力赋予机构ρ赋予 压力的状态下，从第1导入部dl和第2导入部d2导入两处理用面1、2间。在该实施方式中，第1 导入部dl为设置在环状的第2托架21的中央的流体的通路，其一端从环状的两处理用部10、 20的内侧被导入两处理用面1、2间。第2导入部d2向处理用面1、2供给和第1被处理流动体进 行反应的第2被处理流动体。在该实施方式中，第2导入部d2为设置于第2处理用部20的内部 的通路，其一端在第2处理用面2上开口。通过流体压力赋予机构p所加压的第1被处理流动 体从第1导入部dl被导入两处理用部10、20的内侧的空间，通过第1处理用面1和第2处理用 面2之间，在两处理用部10、20的外侧穿过。在这些处理用面1、2间，从第2导入部d2供给通过 流体压力赋予机构P所加压的第2被处理流动体，与第1被处理流动体合流，进行混合、搅拌、 乳化、分散、反应、晶出、晶析、析出等各种流体处理，从两处理用面1、2排出至两处理用部 10、20的外侧。需要说明的是，也可以通过减压栗使两处理用部10、20的外侧的环境为负压。 [0063]上述接面压力赋予机构将作用于使第1处理用面1和第2处理用面2接近的方向的 力赋予处理用部。在该实施方式中，接面压力赋予机构设置在第2托架21上，将第2处理用部 20向第1处理用部10赋能。
[0064] 上述接面压力赋予机构，为用于产生第1处理用部10的第1处理用面1和第2处理用 部20的第2处理用面2压在进行接近的方向（以下称为接面压力）的机构，通过与使该接面压 力和流体压力等两处理用面1、2间分离的力的均衡，产生具有nm单位至μπι单位的微小的膜 厚的薄膜流体。换言之，通过上述力的均衡，将两处理用面1、2间的间隔保持在规定的微小 间隔。
[0065]在图1所示的实施方式中，接面压力赋予机构配位于上述收容部41和第2处理用部 20之间。具体而言，由向将第2处理用部20靠近于第1处理用部10的方向赋能的弹簧43和导 入空气、油等赋能用流体的赋能用流体的导入部44构成，通过弹簧43和上述赋能用流体的 流体压力赋予上述接面压力。该弹簧43和上述赋能用流体的流体压力赋予任一方即可，可 以为磁力或重力等其它的力。抵抗该接面压力赋予机构的赋能，由于通过流体压力赋予机 构P所加压的被处理流动体的压力、粘性等产生的分离力，第2处理用部20远离第1处理用部 10,在两处理用面间打开微小的间隔。这样，利用该接面压力和分离力的平衡，以Mi单位的 精度设定第1处理用面1和第2处理用面2,进行两处理用面1、2间的微小间隔的设定。作为上 述分离力，可以举出被处理流动体的流体压或粘性和处理用部的旋转形成的离心力、对赋 能用流体导入部44施加负压时的该负压、将弹簧43制成抗张弹簧时的弹簧的力等。该接面 压力赋予机构不是第2处理用部20,可以设置于第1处理用部10,也可以设置于两者。
[0066] 对上述分离力进行具体说明时，第2处理用部20与上述第2处理用面2同时具备位 于第2处理用面2的内侧（即，被处理流动体向第1处理用面1和第2处理用面2之间的进入口 侦D而与该第2处理用面2邻接的分离用调整面23。在该例中，分离用调整面23作为倾斜面被 实施，但也可以为水平面。被处理流动体的压力作用于分离用调整面23,产生使第2处理用 部20从第1处理用部10分离的方向的力。因此，用于产生分离力的受压面成为第2处理用面2 和分离用调整面23。
[0067] 进而，在该图1的例中，在第2处理用部20中形成有近接用调整面24。该近接用调整 面24,为与分离用调整面23在轴方向上相反侧的面(在图1中为上方的面），被处理流动体的 压力发生作用，产生使第2处理用部20向第1处理用部10接近的方向的力。
[0068]需要说明的是，作用于第2处理用面2及分离用调整面23的被处理流动体的压力、 即流体压，可理解为构成机械密封中的开启力的力。投影于与处理用面1、2的接近?分离的 方向、即第2处理用部20的出没方向（在图1中为轴方向）正交的假想平面上的近接用调整面 24的投影面积Al和投影于该假想平面上的第2处理用部20的第2处理用面2及分离用调整面 23的投影面积的合计面积A2的面积比A1/A2被称为平衡比K，上述开启力的调整上是重要 的。对该开启力而言，可以通过变更上述平衡线、即近接用调整面24的面积Al，通过被处理 流动体的压力、即流体压进行调整。
[0069]滑动面的实面压P、即接面压力中的流体压产生的压力用下式进行计算。
[0070] P = PlX(K-k)+Ps
[0071] 在此，Pl表示被处理流动体的压力即流体压，K表示上述平衡比，k表示开启力系 数，Ps表示弹簧及背压力。
[0072] 通过利用该平衡线的调整调整滑动面的实面压P而使处理用面1、2间为所期望的 微小间隙量，形成被处理流动体产生的流动体膜，将生成物等被处理了的被处理物制成微 细，另外，进行均匀的反应处理。
[0073]需要说明的是，省略图示，也可以将近接用调整面24形成具有比分离用调整面23 还大的面积的面进行实施。
[0074]被处理流动体成为通过保持上述微小的间隙的两处理用面1、2而被强制的薄膜流 体，移动至环状的两处理用面1、2的外侧。但是，由于第1处理用部10旋转，因此，所混合的被 处理流动体不会从环状的两处理用面1、2的内侧向外侧直线地移动，向环状的半径方向的 移动向量和向周方向的移动向量的合成向量作用于被处理流动体，从内侧向外侧大致漩涡 状地移动。
[0075]另外，旋转轴50并不限定于垂直配置的旋转轴，可以为在水平方向配位的旋转轴， 也可以为倾斜配位的旋转轴。这是因为被处理流动体以两处理用面1、2间的微细的间隔进 行处理，实质上可以排除重力的影响。另外，该接面压力赋予机构通过与可位移地保持上述 第2处理用部20的浮动机构并用，也作为微振动、旋转对准的缓冲机构起作用。
[0076]第1、第2处理用部10、20可以将其至少任一方进行冷却或加热而调整其温度，在图 1中，图示有在第1、第2处理用部10、20上设有温调机构(温度调整机构)Jl，J2的例子。另外， 可以将所导入的被处理流动体进行冷却或加热而调整其温度。这些温度也可以用于所处理 的被处理物的析出，另外，也可以为了在第1、第2处理用面1、2间的被处理流动体上产生贝 纳尔对流或马朗格尼对流而设定。
[0077] 如图2所示，可以在第1处理用部10的第1处理用面1上形成从第1处理用部10的中 心侧向外侧、即在径方向伸长的槽状的凹部13而实施。该凹部13的平面形状，如图2(B)所 示，可以为将第1处理用面1上弯曲或漩涡状地伸长而成的形状或没有图示，也可以为笔直 地向外方向伸长的形状、L字状等地屈曲或弯曲而成的形状、连续而成形状、断续而成的形 状、分支而成的形状。另外，该凹部13也可作为形成于第2处理用面2而实施，也可作为形成 于第1及第2处理用面1、2的两者而实施。通过形成这样的凹部13可得到微栗效果，具有可在 第1及第2处理用面1、2间抽吸被处理流动体的效果。
[0078]希望该凹部13的基端达到第1处理用部10的内周。该凹部13的前端由于向第1处理 用部面1的外周面侧伸长，其深度(横截面积)采用伴随从基端向前端逐渐减少的深度。 [0079]在该凹部13的前端和第1处理用面1的外周面之间设有没有凹部13的平坦面16。 [0080] 在第2处理用面2上设有上述第2导入部d2的开口部d20的情况下，优选设置于与对 向的上述第1处理用面1的平坦面16对向的位置。
[0081 ] 该开口部d20,希望设置于比第1处理用面1的凹部13的下游侧(在该例中为外侧）。 特别希望设置于以下位置：即与从在通过微栗效果而导入时的流动方向以在处理用面间形 成的螺旋状变换为层流的流动方向的点的外径侧的平坦面16对向的位置。具体而言，在图2 (B)中，优选将从设置于第1处理用面1的凹部13的最外侧的位置向直径方向的距离η设为约 0.5mm以上。特别是在从流体中析出纳米尺寸的粒子即纳米微粒的情况下，希望在层流条件 下进行多个被处理流动体的混合和纳米微粒的析出。
[0082]该第2导入部d2可以具有方向性。例如，如图3(A)所示，来自上述第2处理用面2的 开口部d20的导入方向相对于第2处理用面2以规定的仰角（Θ1)倾斜。该仰角（Θ1)设为超过〇 度且小于90度，进而，在反应速度快的反应的情况下，优选以1度以上且45度以下设置。 [0083]另外，如图3(B)所示，来自上述第2处理用面2的开口部d20的导入方向在沿上述第 2处理用面2的平面上具有方向性。该第2流体的导入方向在处理用面的半径方向的成分中 为远离中心的外方向，且在相对于进行旋转的处理用面间中的流体的旋转方向的成分中为 正向。换言之，以通过开口部d20的半径方向即外方向的线段为基准线g，具有从该基准线g 向旋转方向R的规定的角度(Θ2)。关于该角度(Θ2)，也优选设为超过0度且低于90度。
[0084] 该角度(Θ2)可以根据流体的种类、反应速度、粘度、处理用面的旋转速度等各种的 条件进行变更而实施。另外，也可以使第2导入部d2完全不具有方向性。
[0085] 上述被处理流体的种类和其流路的数在图1的例中设为2个，但可以为1个，也可以 为3个以上。在图1的例中，从第2导入部d2在处理用面1、2间导入第2流体，该导入部可以设 置于第1处理用部10,也可以设置于两者。另外，可以对一种被处理流体准备多个导入部。另 外，对设置于各处理用部的导入用的开口部而言，其形状或大小或数量没有特别限制，可以 适宜变更而实施。另外，可以就在上述第1及第2处理用面间1、2之前或更上游侧设置导入用 的开口部。
[0086]在上述装置中，如图1所示，可以在可接近?分离地相互对向配设的至少一方相对 于另一方旋转的处理用面1、2之间一边强制地均匀混合一边引起析出?沉淀或结晶化那样 的反应。被处理了的被处理物的粒径、单分散度，可通过适宜调整处理用部10、20的转速、流 速、处理用面间的距离、被处理流动体的原料浓度或被处理流动体的溶剂种类等来进行控 制。
[0087] 以下，对本发明的铜酞菁微粒生成的反应更详细地进行说明。
[0088] 首先，从作为一个流路的第1导入部dl、将作为第1流体的含有相对于铜酞菁溶液 能成为不良溶剂的流体导入可接近?分离地相互对向配设的、至少一方相对于其它一方进 行旋转的处理用面1、2间，在该处理用面间作成由第1流体构成的薄膜流体。
[0089] 接着从作为其它流路的第2导入部d2,作为第2流体的含有在溶剂中溶解了作为反 应物的铜酞菁的铜酞菁溶液的流体，直接导入上述由第1流体所构成的薄膜流体中。需要说 明的是，上述的第1流体和第2流体中，使得在至少任意一方中含有可将后述的一般的铜酞 菁转变成与α型不同的结晶型的有机溶剂。
[0090] 如上所述，在通过流体的供给压力与施加于旋转的处理用面之间的压力的压力平 衡而控制了距离的处理用面1、2间，第1流体和第2流体可作在维持为薄膜状态下瞬间地被 混合，进行铜酞菁微粒生成的反应。
[0091] 予以说明的是，由于只要在处理用面1、2间进行上述反应即可，因此也可以与上述 相反地，从第1导入部dl导入第2流体，从第2导入部d2导入第1流体。即，各溶剂中所谓第1、 第2的表述，只不过是具有存在有多种溶剂的第η种这样的、用于识别的意思而已，也可以存 在第3以上的溶剂。
[0092]作为第1流体和第2流体的组合，没有特别限定，只要为含有将铜酞菁溶解在溶剂 中的铜酞菁溶液的流体和含有对于铜酞菁为不良溶剂的溶剂的流体就可以实施。对于铜酞 菁为不良溶剂的溶剂，是指与溶解了铜酞菁的溶剂相比对铜酞菁的溶解度低的可成为不良 溶剂的溶剂。
[0093]如上所述，除第1导入部dl及第2导入部d2之外，也可以在处理装置设置第三导入 部d3,在该情况下，可以例如从各导入部将含有作为第1流体、第2流体及第3流体的上述有 机溶剂的流体分别各自地导入处理装置。这样，可以分别对各溶液的浓度、压力进行管理， 可更精密地控制析出反应及纳米微粒的粒径的稳定化。需要说明的是，向各导入部导入的 被处理流动体(第1流体~第3流体)的组合，可以任意设定。在设有第4以上的导入部的情况 下也同样，这样可以将向处理装置导入的流体进行细分化。该情况下，上述有机溶剂可至少 在上述第3流体中含有，可以在上述的第1流体、上述的第2流体中的至少任一方含有，也可 以在上述的第1流体及第2流体的两方中含有。进而，也可控制上述第1、第2流体等飞被处理 流动体的温度、或控制上述第1流体和第2流体等的温度差（即供给的各被处理流动体的温 度差）。为了控制供给的各被处理流动体的温度、温度差，也实施为:附加测定各被处理流动 体的温度(就要导入处理装置、更详细而言处理用面1、2间之前的温度）、进行导入处理用面 1、2间的各被处理流动体的加热或冷却的机构。
[0094] 例如，作为用于溶解铜酞菁的溶剂并不作特别限定，例如在酸性水溶液的情况下 可使用硫酸，盐酸，硝酸，三氟乙酸，磷酸等。特别是在制作被表面处理了的铜酞菁微粒的情 况下，优选使用发烟硫酸、发烟硝酸等。除此之外，也可使用如下物质：1_甲基-2-吡咯烷酮、 1，3-二甲基-2-咪唑啉酮、2-吡咯烷酮、ε -己内酰胺、甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N，N-二甲基甲 酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰胺、Ν，Ν-二甲基乙酰胺、N-甲基丙酰胺、六甲基磷酰三胺那样的酰 胺系溶剂、二甲基亚砜、吡啶、或者这些物质的混合物等。另外，也可以实施为，通过添加到 在有机溶剂中添加了碱或酸的物质的溶液而将铜酞菁溶解来形成铜酞菁溶液。作为添加在 上述有机溶剂中的碱可举出氢氧化钠，氢氧化钾，甲醇钠，乙醇钠等。作为酸，与上述同样， 可举出硫酸，盐酸，硝酸，三氟乙酸，磷酸等。
[0095] 作为能够形成用于使铜酞菁析出的不良溶剂的溶剂，并不作特别限定。可使用与 上述溶解了铜酞菁的溶剂相比对铜酞菁的溶度低的溶剂来实施。例如，优选选自以下：水， 醇系溶剂，酮系溶剂，醚系溶剂，芳香族系溶剂，二硫化碳，脂肪族系溶剂，腈系溶剂，亚砜系 溶剂，卤素系溶剂，酯系溶剂，离子性溶液，或它们2种以上的混合溶剂。
[0096] 优选在含有上述可成为不良溶剂的溶剂的流体或者上述含有铜酞菁溶液的流体 中的任一者或该两者中含有至少一种上述的溶剂内一般可将铜酞菁转换成与α型不同的结 晶型的有机溶剂，另外，也可以在与上述含有可成为不良溶剂的溶剂的流体和上述含有铜 酞菁溶液的流体均不同的第3流体中含有上述有机溶剂。作为可将铜酞菁转变成与α型不同 的结晶型的有机溶剂，没有特别限定，可以举出芳香族化合物溶剂、酮化合物溶剂、卤素化 合物溶剂、醚化合物溶剂、酯化合物溶剂、脂肪族化合物溶剂、醇化合物溶剂等。其中，优选 转变速度快的芳香族化合物溶剂、醚化合物溶剂、酮化合物溶剂、卤素化合物溶剂，特别优 选芳香族化合物溶剂、醚化合物溶剂。
[0097] 作为芳香族化合物溶剂，没有特别限定，举出一例时，可以举出苯、甲苯、二甲苯、 三甲苯、苯乙烯、甲酚、异丙苯、硝基苯、苯甲酸、水杨酸、萘等。
[0098] 作为醚化合物溶剂，没有特别限定，举出一例时，可以举出四氢呋喃、四氢吡喃、四 氢噻吩、茴香醚、丙二醇单甲醚、环戊基甲醚、二甲醚、二乙醚、甲乙醚、二噁烷、碳酸亚丙酯 等。
[0099] 作为卤素化合物溶剂，没有特别限定，举出一例时，可以举出二氯甲烷、三氯甲烷、 全氯乙烯、溴丙烷、氯仿、三氯乙烯、二氯苯、三氯苯等。
[0100] 作为酮化合物溶剂，没有特别限定，举出一例时，可以举出丙酮、甲乙酮、甲基异丁 基酮、DIBK(二异丁基酮）、环己酮、DAA(二丙酮醇)等。
[0101]作为酯化合物溶剂，没有特别限定，举出一例时，可以举出乙酸乙酯、乙酸甲酯、乙 酸丁酯、乙酸甲氧基丁酯、乙酸溶纤剂、乙酸戊酯、乙酸正丙酯、乙酸异丙酯、乳酸甲酯、乳酸 乙酯、乳酸丁酯等。
[0102] 作为醇化合物溶剂，可以举出例如甲醇、乙醇、异丙醇、正丙醇、1-甲氧基-2-丙醇 等，进而，可以举出正丁醇等的直链醇，2-丁醇、叔丁醇等的支链状醇，乙二醇、二乙二醇等 的多元醇，丙二醇单甲醚等。
[0103] 作为脂肪族化合物溶剂，例如可以举出己烷、戊烷、辛烷、环己烷等。
[0104] 进而，可以在含有铜酞菁溶液的流体或者含有相对于铜酞菁为不良溶剂的溶剂的 流体或这两者中含有嵌段共聚物、高分子聚合物、表面活性剂等的分散剂。另外，上述的分 散剂也可以在与上述含有铜酞菁溶液的流体及含有相对于铜酞菁为不良溶剂的溶剂的流 体均不同的第3流体中含有。
[0105] 作为表面活性剂及分散剂，可使用用于颜料的分散用途的各种各样的市售品。并 不作特别限制，可举出例如十二烷基硫酸钠 、Neogen R-K(第一工业制药公司制品）那样的 十二烷基苯横酸系，so I sperse2〇000、so lsper se24000、so lsper se26〇00、so Isperse27OOCK solsperse28000、solsperse41090(以上为Avecia公司制品），DisperBYK160、 DisperBYK161、DisperBYK162、DisperBYK163、DisperBYK166、DisperBYK170、 DisperBYKl80、DisperBYK18I、DisperBYKl82、DisperBYKl83、DisperBYK184、 DisperBYK190、DisperBYK191、DisperBYK192、DisperBYK2000、DisperBYK2001(WlSByk-Chemie公司制品），Polymer100 、Polymerl20、Polymerl50'Polymer400'Polymer401、 Polymer402、Polymer403、Polymer450、Polymer451、Polymer452、Polymer453、EFKA_46、 EFKA-47、EFKA-48、EFKA-49、EFKA-1501、EFKA-1502、EFKA-4540、EFKA-4550(以上为EFKA Chemical公司制品），FL0WLEN D0PA-158、FL0WLEN D0PA-22、FL0WLEN D0PA-17、FL0WLEN G-700、FL0WLEN TG-720W、FL0WLEN-730W、FL0WLEN-740W、FL0WLEN-745W(以上为共荣化学公司 制品），AJISPER PA111、AJISPER PB711、AJISPER PB811、AJISPER PB821、AJISPER PW911 (以上为味之精公司制品），J0NCRYL678、J0NCRYL679、J0NCRYL62(以上为Johnson Polymer 公司制品），ACUAL0N KH-10、HITEN0L NF-13 (以上为第一工业制药公司制品）等。这些可以 单独使用，也可以2种以上并用。
[0106] 另外，对于对铜酞菁微粒进行表面处理的情况，以下进行说明。
[0107] 利用在铜酞菁微粒的至少表面上导入修饰基团的表面处理，可通过在导入处理用 面1、2间的流体中含有表面修饰剂来实施。上述表面修饰剂，可以在含有铜酞菁溶液的流体 (第1流体)或含有对于铜酞菁为不良溶剂的溶剂的流体(第2流体）中的任一者或其两者中 含有，也可以在与上述含有铜酞菁溶液的流体及含有对于铜酞菁为不良溶剂的溶剂的流体 均不同的第3流体中含有。另外，作为第1流体及第2流体的组合，不特别限定于上述的组合。
[0108] 作为表面修饰基团至少在颜料表面导入的修饰基团的种类没有特别限定，在表面 处理的目的是以分散性的提高为目的的情况下，例如可根据以分散为目的的溶剂、分散剂 种类分开使用即可。可以举出例如具有酸性基团或碱性基团等的极性基团、上述极性基团 的盐结构、导入了氧、硫等的极性大的原子及/或芳香环等的极化率大的结构、氢键合性基 团、杂环、芳香环等的修饰基团等。作为酸性基团，可以举出氢氧基(羟基）、磺酸基(磺基）、 羧酸基、磷酸基、硼酸基等。作为碱性基团，可以举出氨基等。作为氢键合性基团，可以举出 氨基甲酸酯部位、硫代氨基甲酸酯部位、脲部位、硫脲部位等。
[0109] 在表面处理的目的为分散性的提高以外的情况下，例如在使铜酞菁微粒的表面为 疏水性、亲油性或亲有机溶剂性的情况下，通过在上述第1流体或者第2流体或其两者中含 有含亲油性官能团的表面修饰剂，可在从处理用面1、2间排出的铜酞菁微粒的表面导入作 为修饰基团的亲油性官能团，进行亲油性处理。另外，上述表面修饰剂也可以在与上述第1 流体和上述第2流体均不同的第3流体中含有。
[0110]在铜酞菁微粒的表面上实施附加作为表面修饰剂的树脂的处理的情况下，通过在 上述第1流体或者第2流体或其两者中含有包含树脂的物质，可以将从处理用面1、2间排出 的铜酞菁微粒的表面的至少一部分用树脂覆盖，可进行例如亲水性处理。另外，上述树脂也 可以在与上述第1流体和上述第2流体均不同的第3流体中含有。
[0111] 上述的表面处理，并不限于如上所述在处理用面1、2间进行铜酞菁微粒的表面修 饰的情况，也可以在铜酞菁微粒从处理用面1、2间排出后实施。此时，将以上述的铜酞菁微 粒的表面处理为目的而使用的物质添加到含有铜酞菁微粒的流体从处理用面1、2间排出后 的其排出液中，通过搅拌等的操作可进行铜酞菁微粒的表面处理。另外，也可以如下实施： 在含有铜酞菁微粒的流体被排出后，通过透析管等在从含有该铜酞菁微粒的流体中除去杂 质后加入以表面处理为目的的物质。另外，也可以将从处理用面1、2间排出的含有铜酞菁微 粒的流体的液体成分干燥而形成铜酞菁微粒粉体后进行上述表面处理。具体而言，可如下 实施:将得到的铜酞菁微粒粉体分散在目标溶剂中，加入以上述的表面处理为目的的物质 而实行搅拌等的处理来实施。
[0112] 本申请发明中的铜酞菁颜料微粒的制造方法(强制超薄膜旋转式反应法），由于可 以自由地使微小流路的雷诺数变化，因此可根据粒径、粒子形状、结晶型等目的作成单分散 的再分散性良好的铜酞菁微粒。而且，由于其自我排出性，即使在伴有析出的反应的情况 下，也没有生成物的堵塞，不需要大的压力。所以，能够稳定地制作铜酞菁微粒，另外安全性 优异，几乎没有杂质的混入，清洗性也良好。进而由于可根据目标生产量来进行放大，因此 可提供生产率也高的铜酞菁颜料微粒的制造方法。
[0113] 本发明涉及的铜酞菁颜料为蓝色的颜料，作为用途可在涂料、染料、喷墨用油墨、 热转印用油墨、调色剂、着色树脂、滤色器等的各种各样的用途中利用。
[om]实施例
[0115]以下对于本发明，示出以下的实施例:使用与本申请
【申请人】的、专利文献3中记载 的装置相同原理的装置，制造作为结晶型与α型不同的铜酞菁微粒、且在380~780nm中的吸 收光谱形状为α型的光谱形状的铜酞菁微粒以及在380~780nm中的透射光谱的透射率达到 最大的波长(Xmax)低于478nm的铜酞菁微粒。但是，本发明并不限定于下述实施例。
[0116] 使用图1中所示的在可接近?分离地相互对向配设、至少一方相对于另一方进行 旋转的处理用面1、2之间形成的、在薄膜流体中均匀地进行搅拌?混合的装置，混合将铜酞 菁溶解在溶剂中的铜酞菁溶液和相对于铜酞菁为不良溶剂的溶剂，在薄膜流体中使铜酞菁 微粒析出。此时，在上述铜酞菁溶液和相对于铜酞菁为不良溶剂的溶剂中，使得至少任一方 含有通常可以使铜酞菁转变成与α型不同的结晶型的有机溶剂。
[0117] 予以说明的是，在以下的实施例中，所谓"从中央"，为上述的、图1中所示的处理装 置的"从第1导入部dl"的意思;第1流体是指上述的第1被处理流动体;第2流体是指上述的、 从图1中所示的处理装置的第2导入部d2导入的上述的第2被处理流动体。另外，此处的"份" 为"重量份"。
[0118] (体积平均粒径）
[0119] 粒度分布，使用Nanotrac粒度分布测定装置UPA-UT151〔日机装公司制品〕进行测 定，采用体积平均粒径。
[0120](粉末X射线衍射:XRD)
[0121] 在X射线衍射测定中，使用了 PANalytical公司制造的全自动多用途的X射线衍装 置(X'Pert PRO MPD)。测定在衍射角2Θ = 5~60°的范围的衍射强度。
[0122] (吸收?透射光谱）
[0123] 吸收或透射光谱使用岛津制作所制的紫外可见分光光度计(UV-2450)测定380nm ~780nm的波长区域。本发明中的铜酞菁的吸收光谱为α型这样的特性，以与一般的α型铜酞 菁的吸收光谱形状相同作为评价基准。如上所述，在本发明的铜酞菁中，其吸收光谱形状为 α型是指在380nm~780nm的波长区域中在600± 15nm及680± 15nm的区域具有峰的吸收光谱 形状。
[0124] (实施例1~6)
[0125] 作为实施例1，一边从中央将作为第1流体的25°C的间二甲苯和乙二胺的混合溶剂 以供给压力=0.30MPaG、转速1700rpm进行送液、一边将作为第2流体的将结晶型为β型（结 晶型通过粉末X射线衍射确认）的铜酞菁溶解在三氟乙酸和二氯甲烷的混合溶剂中的铜酞 菁溶液导入处理用面1、2间。铜酞菁微粒分散液从处理用面1、2间排出。使排出的铜酞菁微 粒缓缓凝聚，用离心分离（X26000G)使其沉降。除去离心分离处理后的上清液，添加纯水及 异丙醇的混合溶剂使铜酞菁微粒再次浮上后，再次重复离心分离，进行铜酞菁微粒的清洗。 在30°C、-0.1 MPaG下对最终得到的铜酞菁微粒的糊剂进行真空干燥。进行干燥后的铜酞菁 微粒粉末的XRD测定。进而在将作为分散剂的Disperbyk BYK-2146(BYK-Chemie公司制）溶 解于间二甲苯的溶液中进行分散处理。对于分散处理了的铜酞菁微粒分散液，在溶剂中使 用间二甲苯进行粒度分布测定。另外，使用间二甲苯对铜酞菁微粒的间二甲苯分散液的一 部分进行稀释，测定铜酞菁浓度〇. 〇〇5wt %的分散液的透射光谱以及0.0 Olwt %的分散液的 吸收光谱。
[0126] 在实施例2~6中，如表1中所示，变更第1流体和第2流体的种类、转速、送液温度 (各个流体就要被导入处理装置前的温度）以及导入速度(流量）（单位:ml/min.)来进行实 施。在本实施例(实施例1~6)中，作为对于铜酞菁为不良溶剂的溶剂，一般而言使用可以将 铜酞菁转变成与α型不同的结晶型的有机溶剂。图4中表示实施例1中制作的铜酞菁微粒分 散液的吸收光谱(实线），图5表示实施例1中制作的铜酞菁微粒分散液的透射光谱(实线）， 图6~图8中表示实施例1(图6)、实施例6(图7)及实施例5(图8)中分别制作的铜酞菁微粒的 粉末X射线衍射光谱。为了比较各实施例中制作的铜酞菁微粒分散液的光谱形状，将对于本 申请
【申请人】在专利文献3中所提供的、含有结晶型为α型且在380~780nm中的透射光谱的透 射率达到最大的波长(Amax)低于478nm的铜酞菁而成的铜酞菁颜料的吸收光谱(实线上白 圈）以及透射光谱(实线上白圈)示于图4~图5。另外，将实施例1~6中制作的铜酞菁微粒或 其铜酞菁微粒分散液的XRD测定结果、体积平均粒径、在380~780nm中的透射光谱的透射率 达到最大的波长(Amax)、在380~780nm中的吸收光谱形状以及在380~780nm中的吸收光谱 的显示峰位置的波长示于表1。另外，将实施例1中制作的铜酞菁微粒的TEM照片示于图9。可 知得到的铜酞菁微粒的形状为大致球形。如表1、图4~图8中所发现那样，在本发明中，提供 含有结晶型为与α型不同的结晶型、且在380~780nm中的吸收光谱为α型的吸收光谱形状的 铜酞菁微粒而成的铜酞菁颜料，或含有为与α型及ε型的2种型不同的结晶型、且在380~ 780nm中的透射光谱的透射率达到最大的波长(Amax)低于478nm的铜酞菁微粒而成的铜酞 菁颜料以及上述铜酞菁微粒的制造方法。即，可提供含有至少一种虽然为与α型不同的结晶 型、但具有与专利文献3所提案的α型同等的分光特性、且与α型相比耐溶剂性优异的铜酞菁 微粒而成的铜酞菁颜料及上述铜酞菁微粒的制造方法。另外，可以制作构成上述铜酞菁颜 料的铜酞菁微粒的体积平均粒径为1~600nm、具有与α型不同的结晶型、且控制了粒径的铜 酞菁微粒，因此可以期待目标色调、着色力等的颜色特性的呈现。
[0127]
[0128] 符号的说明
[0129] 1 第1处理用面
[0130] 2 第2处理用面
[0131] 10第1处理用部
[0132] 11第1托架
[0133] 20第2处理用部
[0134] 21第2托架
[0135] 23分离用调整面
[0136] dl第1导入部
[0137] d2第2导入部
[0138] d20 开口部
[0139] p 流体压力赋予机构
【主权项】
1. 一种铜酞菁微粒的制造方法，其特征在于，其为生成以下铜酞菁微粒的任一种的方 法： 为与α型不同的结晶型、且在380~780nm中的吸收光谱为α型的吸收光谱形状的铜酞菁 微粒、 为与α型不同的结晶型、且在380~780nm中的吸收光谱中在600±15nm及680±15nm的 区域具有峰的铜酞菁微粒、 为与α型及ε型的2种型不同的结晶型、且在380~780nm中的透射光谱的透射率达到最 大的波长(Xmax)低于478nm的铜酞菁微粒， 向可接近?分离、且相对地进行位移的处理用面之间供给被处理流动体， 通过含有该被处理流动体的供给压力和施加于进行旋转的处理用面之间的压力的向 接近方向的力与向分离方向的力的压力的平衡，将处理用面间的距离维持为微小间隔， 通过将被维持为该微小间隔的2个处理用面间作为被处理流动体的流路，被处理流动 体形成薄膜流体， 在该薄膜流体中进行上述铜酞菁微粒的析出。2. 如权利要求1所述的铜酞菁微粒的制造方法，其特征在于， 使用至少2种被处理流动体， 其中至少一种被处理流动体为将铜酞菁溶解在溶剂中的铜酞菁溶液， 上述以外的流体中至少一种被处理流动体为对于铜酞菁成为不良溶剂的溶剂， 上述铜酞菁溶液和对于上述铜酞菁为不良溶剂的溶剂内，至少任一方的被处理流动体 含有至少一种有机溶剂， 在上述薄膜流体中混合上述的被处理流动体。3. 根据权利要求1所述的铜酞菁微粒的制造方法，其特征在于， 使用第1、第2、第3的至少3种的被处理流动体， 上述第1被处理流动体为将铜酞菁溶解在溶剂中的铜酞菁溶液， 上述第2被处理流动体为对于铜酞菁成为不良溶剂的溶剂， 上述第3被处理流动体含有至少一种有机溶剂， 在上述薄膜流体中混合上述全部的被处理流动体。4. 根据权利要求2或3所述的铜酞菁微粒的制造方法，其特征在于，上述有机溶剂含有 芳香族化合物溶剂、酮化合物溶剂、醚化合物溶剂、卤素化合物溶剂中的至少一种。5. 根据权利要求1所述的铜酞菁微粒的制造方法，其特征在于， 具备:对上述的被处理流动体赋予压力的流体压力赋予机构；第1处理用部及相对于该 第1处理用部可接近?分离的第2处理用部的至少2个处理用部;和使上述的第1处理用部和 第2处理用部相对地进行旋转的旋转驱动机构， 在上述的各处理用部中相互对向的位置设有第1处理用面及第2处理用面的所述至少2 个处理用面， 上述的各处理用面构成上述的被赋予了压力的被处理流动体流过的、被密封的流路的 一部分， 上述第1处理用部和第2处理用部中，至少第2处理用部具备受压面，且该受压面的至少 一部分由上述的第2处理用面构成， 该受压面受到上述的流体压力赋予机构赋予被处理流动体的压力，而产生在使第2处 理用面从第1处理用面分离的方向移动的力， 通过在可接近?分离、且相对地进行旋转的第1处理用面和第2处理用面之间使上述的 被赋予了压力的被处理流动体通过，上述被处理流动体形成上述薄膜流体， 在该薄膜流体中进行上述铜酞菁微粒的析出。6. 根据权利要求5所述的铜酞菁微粒的制造方法，其特征在于， 一种被处理流动体在上述第1处理用面和第2处理用面之间通过， 具备与上述一种被处理流动体不同的其它的一种被处理流动体通过的独立的另外的 导入路， 与该导入路相通的至少一个开口部设于上述第1处理用面和第2处理用面的至少任一 方， 从该导入路将上述的其它的一种被处理流动体导入上述两处理用面间， 在上述薄膜流体中混合上述一种被处理流动体和其它的一种被处理流动体。7. 根据权利要求6所述的铜酞菁微粒的制造方法，其特征在于，上述被处理流动体的混 合，在比上述的一种被处理流动体的流动在上述两处理用面间形成层流的点的下游侧设置 上述开口部、从上述开口部导入上述的其它的一种被处理流动体来进行。
【文档编号】C09B67/20GK105860577SQ201610205988
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2011年3月4日
【发明人】前川昌辉, 本田大介, 榎村真, 榎村真一
【申请人】M技术株式会社