本发明涉及半导体芯片制造技术领域，具体为一种用于制造半导体芯片的方法。
背景技术：
在半导体工业中，为了响应封装或高密度封装的减薄，通过层叠芯片技术进行半导体晶片的减薄，通过在与图形形成表面(电路表面)相反的侧面中研磨晶片表面的所谓后-表面研磨执行减薄，通常，在执行后-表面减薄的常规方法和输送中，尽管仅仅由后研磨保护带保持晶片，但是减薄实际上仅仅可以完成至约150μm的厚度，因为研磨之后具有保护带的晶片被翘曲或研磨处的厚度均匀性低的问题，为了解决这些问题，使用具有高硬度和大厚度(从100至200μm)的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)作为后研磨保护带的衬底，由此可以制造具有约50μm厚度的半导体晶片。
期间，通过被称作切割工序的切割步骤，将减薄的半导体晶片切割为单个芯片，具体，在由减薄至50μm或以下的非常小厚度的半导体晶片获得芯片的过程中，切割工序中的低产量变为一个问题，这是因为，在切割被后-表面研磨减薄的半导体晶片并层叠到称作切割带的压敏胶粘带的普通方法中，在与压合胶粘片接触的半导体晶片的切割处产生碎屑。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种用于制造半导体芯片的方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种用于制造半导体芯片的方法，所述方法包括：对半导体衬底进行结构化以产生多个半导体芯片，使得每个半导体芯片包括第一主面和多个侧面，在透光支撑件上涂敷包括光吸收剂和热可分解树脂的光致发热转换层，在所述晶片上的凹凸不平的所述电路图形中填充液体光可固化的粘合剂，在所述晶片上固化所述光可固化的粘合剂形成粘结层，在每个半导体芯片的第一主面与各侧面之间的过渡部位形成凹处，将金属层布置到第二主面上和布置到所述多个侧面上，其中所述金属层不被沉积到所述凹入内的弯曲表面上。
优选的，在切割该研磨的所述半导体晶片之前，芯片键合带被固定到所述半导体晶片。
优选的，所述光致发热转换层包含炭黑和/或透明的填料。
优选的，在真空中执行通过光可固化粘合剂层叠所述半导体晶片和所述透光支撑件。
优选的，所述形成凹入包括执行蚀刻步骤，所述蚀刻步骤包括各向同性蚀刻步骤，对所述半导体衬底进行结构化包括执行蚀刻步骤，所述蚀刻步骤包括各向异性蚀刻步骤。
优选的，所述半导体晶片被研磨至50μm或以下的厚度。
优选的，对所述半导体衬底进行研磨，在对半导体衬底进行结构化之后对所述半导体芯片进行研磨。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
1、执行后表面研磨，然后在透光支撑件上切割半导体晶片，以将半导体晶片分为半导体芯片的一系列步骤，通过粘结层在硬的透光支撑件上固定半导体晶片，由此晶片可以被研磨至非常小的厚度，而不导致任何损坏，以及也可以被切割，而不产生碎屑。
2、在半导体芯片和透光支撑件之间设置光致发热的转换层，在辐射能如激光的照射下，该光致发热的转换层分解，以及能够将半导体芯片与支撑件分开，具有最小的损坏或者没有损坏。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”、“内”、“外”“前端”、“后端”、“两端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置关系为基于具体所指的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
如下所示，其示出了本发明的具体实施方式：对半导体衬底进行结构化以产生多个半导体芯片，使得每个半导体芯片包括第一主面和多个侧面，在透光支撑件上涂敷包括光吸收剂和热可分解树脂的光致发热转换层，在辐射本能的照射时，光致发热转换层能够将辐射转变为热量，在所述晶片上的凹凸不平的所述电路图形中填充液体光可固化的粘合剂，在所述晶片上固化所述光可固化的粘合剂形成粘结层，由此形成在外表面上具有非电路表面的层叠体，从而使半导体芯片与支撑件分开，在每个半导体芯片的第一主面与各侧面之间的过渡部位形成凹处，将金属层布置到第二主面上和布置到所述多个侧面上，其中所述金属层不被沉积到所述凹入内的弯曲表面上，通过提供凹入，对于金属层的后续沉积将不会发生问题，这是因为金属层无法被沉积在凹入的受到遮蔽的表面区域上，从而金属层将不会被沉积为机械地连接相邻半导体芯片的毗连层。
优选的，在切割该研磨的所述半导体晶片之前，芯片键合带被固定到半导体晶片，能够有效的防止在切割过程中为半导体晶片带来的损坏。
优选的，光致发热转换层包含炭黑和/或透明的填料，炭黑能够显著地减小剥落力，即在辐射能的照射之后将半导体芯片与支撑件分开所需要的力，同时加速分开，透明填料用于防止由于热可分解树脂的热分解形成的空隙层分开的光致发热转换层的重粘结。
优选的，在真空中执行通过光可固化粘合剂层叠所述半导体晶片和透光支撑件，透光支撑件必须是能够透射辐射能如本发明中使用的激光或用于固化光可固化的粘合剂的光的材料，以平坦的状态保持半导体晶片以及在研磨或运输过程中没有损坏，支撑件的主要作用是增强晶片的强度。
优选的，形成凹入包括执行蚀刻步骤，蚀刻步骤包括各向同性蚀刻步骤，对半导体衬底进行结构化包括执行蚀刻步骤，蚀刻步骤包括各向异性蚀刻步骤，使半导体形成凹凸或者镂空成型的效果。
优选的，半导体晶片被研磨至50μm或以下的厚度，是为了在研磨过后获得半导体晶片的厚度均匀性。
优选的，对半导体衬底进行研磨，在对半导体衬底进行结构化之后对半导体芯片进行研磨，实现被加工芯片表面的微量材料去除，使工件的尺寸精度达到要求。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
1.一种用于制造半导体芯片的方法，所述方法包括：对半导体衬底进行结构化以产生多个半导体芯片，使得每个半导体芯片包括第一主面和多个侧面，在透光支撑件上涂敷包括光吸收剂和热可分解树脂的光致发热转换层，在所述晶片上的凹凸不平的所述电路图形中填充液体光可固化的粘合剂，在所述晶片上固化所述光可固化的粘合剂形成粘结层，在每个半导体芯片的第一主面与各侧面之间的过渡部位形成凹处，将金属层布置到第二主面上和布置到所述多个侧面上，其中所述金属层不被沉积到所述凹入内的弯曲表面上。
2.根据权利要求1所述的一种用于制造半导体芯片的方法，其特征在于：在切割该研磨的所述半导体晶片之前，芯片键合带被固定到所述半导体晶片。
3.根据权利要求2所述的一种用于制造半导体芯片的方法，其特征在于：所述光致发热转换层包含炭黑和/或透明的填料。
4.根据权利要求1所述的一种用于制造半导体芯片的方法，其特征在于：在真空中执行通过光可固化粘合剂层叠所述半导体晶片和所述透光支撑件。
5.根据权利要求1所述的一种用于制造半导体芯片的方法，其特征在于：所述形成凹入包括执行蚀刻步骤，所述蚀刻步骤包括各向同性蚀刻步骤，对所述半导体衬底进行结构化包括执行蚀刻步骤，所述蚀刻步骤包括各向异性蚀刻步骤。
6.根据权利要求5所述的一种用于制造半导体芯片的方法，其特征在于：所述半导体晶片被研磨至50μm或以下的厚度。
7.根据权利要求1所述的一种用于制造半导体芯片的方法，其特征在于：对所述半导体衬底进行研磨，在对半导体衬底进行结构化之后对所述半导体芯片进行研磨。