一种三通道DIP12金属陶瓷光电耦合器外壳的制作方法

一种三通道dip12金属陶瓷光电耦合器外壳
技术领域
[0001]
本实用新型涉及一种三通道dip12金属陶瓷光电耦合器外壳。


背景技术：

[0002]
光耦合器是利用光辐射传输电信号，使输入与输出之间达到电隔离耦合的一种半导体光电器件，当输入端在电信号时发光器发出光线，受光器接收光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电-光-电”转换。
[0003]
近年来，金属陶瓷封装光电耦合器的市场需求量不断增加，但国内客户大多数使用的还是国外的产品，从国家发展战略来看，国内市场需求量必定会有很大的缺口，这是良好的市场机遇。
[0004]
现有的光耦合器在封装限制下多数为1通道或2通道，在需要3通道耦合器时只能用1通道和2通道光耦组合使用，但这样使用起来会增加安装的难度和占用有限的线路板。


技术实现要素：

[0005]
为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种三通道dip12金属陶瓷光电耦合器外壳。
[0006]
本实用新型通过以下技术方案得以实现。
[0007]
本实用新型提供的一种三通道dip12金属陶瓷光电耦合器外壳，包括陶瓷底座、管芯安装座、引脚；所述管芯安装座在陶瓷底座内等间距安装有三组，所述引脚为若干且其一端固定在陶瓷底座下端且伸入陶瓷底座内分别与管芯安装座连接，所述陶瓷底座的顶部通过平板封闭,陶瓷底座内还安装有陶瓷内盖辅助固定管芯安装座。
[0008]
所述管芯安装座以陶瓷底座的中心线为对称线，在对称线的两端分别设置有两个平行的金属底座。
[0009]
所述金属底座分别与引脚连接。
[0010]
所述陶瓷底座延其长度方向加工有内盖限位槽,内盖限位槽为倒凸型。
[0011]
所述陶瓷内盖安装在内盖限位槽内，陶瓷内盖的形状为与内盖限位槽匹配的倒凸型，陶瓷内盖伸入陶瓷底座的端面上两端分别加工有限位块a和限位块b。
[0012]
所述引脚在陶瓷底座外且同侧的一端通过引脚连接座连接。
[0013]
所述陶瓷底座顶部边缘加工有封边环。
[0014]
所述管芯安装座为两层，下层为镍镀层，上层为金镀层。
[0015]
本实用新型的有益效果在于：班实用新型具有三个相同的通道，每个通道连接4个引脚，通道之间具有隔层，避免信号干扰。
附图说明
[0016]
图1是本实用新型的主视结构示意图；
[0017]
图2是本实用新型的俯视结构示意图；
[0018]
图3是本实用新型的侧视结构示意图；
[0019]
图4是本实用新型的内盖结构示意图；
[0020]
图中：1-陶瓷底座，11-内盖限位槽，2-封边环，3-管芯安装座，4-引脚，41-延长线，5-引脚连接座，6-陶瓷内盖，61-限位块a，62-限位块b。
具体实施方式
[0021]
下面进一步描述本实用新型的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。
[0022]
一种三通道dip12金属陶瓷光电耦合器外壳，包括陶瓷底座1、管芯安装座3、引脚4；所述管芯安装座3在陶瓷底座1内等间距安装有三组，所述引脚4为若干且其一端固定在陶瓷底座1下端且伸入陶瓷底座1内分别与管芯安装座3连接，所述陶瓷底座1的顶部通过平板封闭,陶瓷底座1内还安装有陶瓷内盖6辅助固定管芯安装座3。
[0023]
所述管芯安装座3以陶瓷底座1的中心线为对称线，在对称线的两端分别设置有两个平行的金属底座。
[0024]
所述金属底座分别与引脚4连接。
[0025]
所述陶瓷底座1延其长度方向加工有内盖限位槽11,内盖限位槽11为倒凸型。
[0026]
所述陶瓷内盖6安装在内盖限位槽11内，陶瓷内盖6的形状为与内盖限位槽11匹配的倒凸型，陶瓷内盖6伸入陶瓷底座1的端面上两端分别加工有限位块a61和限位块b62。
[0027]
所述引脚4在陶瓷底座1外且同侧的一端通过引脚连接座5连接。
[0028]
所述陶瓷底座1顶部边缘加工有封边环2。
[0029]
所述管芯安装座3为两层，下层为镍镀层，上层为金镀层。
[0030]
本实用新型设计的dip12金属陶瓷封装光电耦合器外壳共有3个相同的通道，每个通道连接4个引脚，通道之间具有隔层，避免信号干扰。该设计由三个组件构成：图1为：dip金属化陶瓷腔体、图2金属化陶瓷内盖板、图3金属外盖板。
[0031]
金属化陶瓷腔体每个通道包含4块金属化焊盘，连接通道的两个左排引脚和两个右排引脚，具体线路见附图的设计说明。
[0032]
金属化陶瓷内盖板有2块金属化区域，左右形状不对称设计，可作为极性标识，通过粘接导电浆与金属化陶瓷腔体中台阶上的金属化焊盘形成电连接。
[0033]
金属外盖板外形尺寸与陶瓷腔体封接环内径与外径的平均值，主要功能是将腔体内部封闭，形成密闭腔体。