1.一种带有贵金属的功率半导体模块，其特征在于，包括：
铜底板；所述为铜底板长方形紫铜两面平行精磨抛光紫铜板
塑料外壳，所述塑料外壳设置于所述铜底板的上方；
平板芯片，所述平板芯片安装于所述铜底板的顶部与所述塑料外壳的底部之间；
贵金属导电连接片，所述贵金属导电连接片设置于所述平板芯片的顶部；
电极铜压块，所述电极铜压块设置于所述贵金属导电连接片的顶部；
带弹垫安装螺杆，所述带弹垫安装螺杆螺纹连接于所述铜底板上；
绝缘压板，所述绝缘压板设置于所述带弹垫安装螺杆的表面，所述绝缘压板的底部固定连接有推动盘，所述推动盘的尺寸与所述电极铜压块的尺寸相适配，所述平板芯片的上方设置有限位组件，所述限位组件包括连接盒，所述连接盒的内部固定连接有缓冲弹簧，所述缓冲弹簧的一侧固定连接有联动滑板，所述联动滑板的一侧固定连接有伸缩滑轴，所述伸缩滑轴的一端固定连接有限位板，所述连接盒的底部与所述平板芯片的顶部固定连接，所述缓冲弹簧水平设置，所述联动滑板的表面与所述连接盒的内表面滑动连接，所述伸缩滑轴的一端贯穿所述连接盒且延伸至所述连接盒的外部，所述限位板为弧形的结构，并且限位板位于所述连接盒的外部。
2.根据权利要求1所述的带有贵金属的功率半导体模块，其特征在于，所述电极铜压块共设置有两组，两组电极铜压块分别为阴电极和阳电极。
3.根据权利要求2所述的带有贵金属的功率半导体模块，其特征在于，所述贵金属导电连接片设置有两个，两个所述贵金属导电连接片分别对应阳电极和阴电极。