一种带有贵金属的功率半导体模块的制作方法

本实用新型涉及新型电子元器件-大功率半导体器件领域，尤其涉及一种带有贵金属的功率半导体模块器件。

背景技术：

大功率功率半导体模块一般采用压接式封装形式，将芯片平行压接在阴阳电极铜压块之间，压接方法分为直接压接和加金属片压接，金属片一般采用铝箔、铜箔镀银、银箔材料，直接压接存在着欧姆接触压降增大，铝箔片存在着会产生铝箔电腐蚀现象，银箔存在着易氧化现象，中国叫“电力电子”，国际通用称“功率半导体”，现在我们一般沿用国际叫法，称功率半导体，比如说：功率半导体芯片、功率半导体模块、功率半导体元器件。

现有的半导体模块中的导电片在安装时容易发生偏移和错位，稳定性较差。

因此，有必要提供一种带有贵金属的功率半导体模块解决上述技术问题。

技术实现要素：

本实用新型提供一种带有贵金属的功率半导体模块，解决了现有的半导体模块中的导电片在安装时容易发生偏移和错位，稳定性较差的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供的带有贵金属的功率半导体模块包括：铜底板；塑料外壳，所述塑料外壳设置于所述铜底板的上方；平板芯片，所述平板芯片安装于所述铜底板的顶部与所述塑料外壳的底部之间；贵金属导电连接片，所述贵金属导电连接片设置于所述平板芯片的顶部，电极铜压块，所述电极铜压块设置于所述贵金属导电连接片的顶部；带弹垫安装螺杆，所述带弹垫安装螺杆螺纹连接于所述铜底板上；绝缘压板，所述绝缘压板设置于所述带弹垫安装螺杆的表面，所述绝缘压板的底部固定连接有推动盘，所述推动盘的尺寸与所述电极铜压块的尺寸相适配。

优选的，所述电极铜压块共设置有两组，两组电极铜压块分别为阴电极和阳电极。

优选的，所述贵金属导电连接片设置有两个，两个所述贵金属导电连接片分别对应阳电极和阴电极。

优选的，还包括：所述平板芯片的上方设置有限位组件，所述限位组件包括连接盒，所述连接盒的内部固定连接有缓冲弹簧，所述缓冲弹簧的一侧固定连接有联动滑板，所述联动滑板的一侧固定连接有伸缩滑轴，所述伸缩滑轴的一端固定连接有限位板。

优选的，所述连接盒的底部与所述平板芯片的顶部固定连接，所述缓冲弹簧水平设置。

优选的，所述联动滑板的表面与所述连接盒的内表面滑动连接，所述伸缩滑轴的一端贯穿所述连接盒且延伸至所述连接盒的外部，所述限位板为弧形的结构，并且限位板位于所述连接盒的外部。

与相关技术相比较，本实用新型提供的带有贵金属的功率半导体模块具有如下有益效果：

本实用新型提供一种带有贵金属的功率半导体模块，采用金银合金导电片，利用贵金属金银合金的超高导电导热性、高物理稳定性、极小欧姆接触，达到高端模块应用的稳定可靠效果，避免了功率半导体模块封装中直接压接和加普通金属片压接易产生欧姆接触及稳定可靠性隐患的问题，提高功率半导体模块运行的稳定性。

附图说明

图1为本实用新型提供的带有贵金属的功率半导体模块的第一实施例的结构示意图；

图2为本实用新型提供的带有贵金属的功率半导体模块的第二实施例的结构示意图；

图3为图2所示的限位组件部分的结构示意图；

图4为图2所示的限位组件部分的俯视图。

图中标号：1、铜底板，2、塑料外壳，3、平板芯片，4、贵金属导电连接片，5、电极铜压块，6、带弹垫安装螺杆，7、绝缘压板，71、推动盘，8、限位组件，81、连接盒，82、缓冲弹簧，83、联动滑板，84、伸缩滑轴，85、限位板。

具体实施方式

下面结合附图和实施方式对本实用新型作进一步说明。

请结合参阅图1，其中，图1为本实用新型提供的带有贵金属的功率半导体模块的第一实施例的结构示意图。一种带有贵金属的功率半导体模块包括：铜底板1；塑料外壳2，所述塑料外壳2设置于所述铜底板1的上方；平板芯片3，所述平板芯片3安装于所述铜底板1的顶部与所述塑料外壳2的底部之间；贵金属导电连接片4，所述贵金属导电连接片4设置于所述平板芯片3的顶部；电极铜压块5，所述电极铜压块5设置于所述贵金属导电连接片4的顶部；带弹垫安装螺杆6，所述带弹垫安装螺杆6螺纹连接于所述铜底板1上；绝缘压板7，所述绝缘压板7设置于所述带弹垫安装螺杆6的表面，所述绝缘压板7的底部固定连接有推动盘71，所述推动盘71的尺寸与所述电极铜压块5的尺寸相适配。

所述贵金属导电连接片4由金银合金材料制成，所述贵金属导电连接片4的合金原料的配比为金80％：银20％。

贵金属导电连接片4即金银合金片，材质为金80％：银20％之合金原材料，正反表面平整、均匀、洁净，贵金属导电连接片4的规格为圆片厚度为0.35±0.1mm，直径＝平板芯片阴极面-2mm。

所述电极铜压块5共设置有两组，两组电极铜压块5分别为阴电极和阳电极。

所述贵金属导电连接片4设置有两个，两个所述贵金属导电连接片4分别对应阳电极和阴电极。

功率半导体模块主要属于大功率半导体元器件领域。

与相关技术相比较，本实用新型提供的带有贵金属的功率半导体模块具有如下有益效果：

采用金银合金导电片，利用贵金属金银合金的超高导电导热性、高物理稳定性、极小欧姆接触，达到高端模块应用的稳定可靠效果，避免了大功率半导体模块封装中直接压接和加普通金属片压接易产生欧姆接触及稳定可靠性隐患的问题，提高功率半导体模块运行的稳定性。

第二实施例：

请参阅图2、图3和图4，基于本申请的第一实施例提供的一种带有贵金属的功率半导体模块，本申请的第二实施例提出另一种带有贵金属的功率半导体模块。第二实施例仅仅是第一实施例优选的方式，第二实施例的实施对第一实施例的单独实施不会造成影响。

具体的，本申请的第二实施例提供的带有贵金属的功率半导体模块的不同之处在于，带有贵金属的功率半导体模块，还包括：

所述平板芯片3的上方设置有限位组件8，所述限位组件8包括连接盒81，所述连接盒81的内部固定连接有缓冲弹簧82，所述缓冲弹簧82的一侧固定连接有联动滑板83，所述联动滑板83的一侧固定连接有伸缩滑轴84，所述伸缩滑轴84的一端固定连接有限位板85。

通过在平板芯片3的上方设置有限位组件8，每两个限位组件8组成一组限位结构，两侧弧形结构的限位板85方便待安装的导电片进行安装，同时方便电极铜压块5对接在导电片的正上方，以保障电极铜压块5安装在导电片上的稳定性，避免导电片安装时发生偏移和错位，提高导电片安装时的稳定性，方便导电片和电极铜压块5之间进行对接和安装，限位结构简单，使用方便。

所述连接盒81的底部与所述平板芯片3的顶部固定连接，所述缓冲弹簧82水平设置。

连接盒81通过固定在平板芯片3的上方，为限位板85提供支撑，保障限位板85使用时的稳定性，缓冲弹簧82为限位板85的活动提供支撑和缓冲的作用。

所述联动滑板83的表面与所述连接盒81的内表面滑动连接，所述伸缩滑轴84的一端贯穿所述连接盒81且延伸至所述连接盒81的外部，所述限位板85为弧形的结构，并且限位板85位于所述连接盒81的外部。

联动滑板83在连接盒81的内部滑动，保障限位板85水平推动调节时通过伸缩滑轴84在连接盒81上滑动的稳定性，限位板85在实际使用过程中可以根据使用的需求进行推动调节，增大两个相对的限位板85之间的距离，以方便零件的安装，安装完成后缓冲弹簧82通过弹力推动联动滑板83，联动滑板83通过伸缩滑轴84同步推动限位板85，限位板85对安装后的零件进行推动和限位，保持安装后零件的稳定性。

以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。