集成电路穿管辅助装置的制作方法

[0001]
本申请是有关于一种装置，详细来说，是有关于一种集成电路穿管辅助装置。


背景技术：

[0002]
传统上，要将集成电路(如封装芯片)装入塑料管时，必须通过人工方式以镊子夹取芯片后，再一一装入塑料管中。然而，以此方式作业的风险在于容易碰撞芯片，造成芯片的引脚弯折或断裂；另外，以人工方式进行作业十分费时。


技术实现要素：

[0003]
本申请的目的之一在于提供一种集成电路穿管辅助装置以解决背景技术中的问题。
[0004]
依据本申请的一实施例，公开一种集成电路穿管辅助装置，所述集成电路穿管辅助装置包括底槽。所述底槽包括相邻设置的导流区和对接区。所述导流区包括导流平面部与自所述导流平面部延伸向下的导流沟槽部。所述对接区包括对接平面部与自所述对接平面部延伸向下的对接沟槽部。
[0005]
依据本申请的一实施例，所述导流平面部的位置高于所述对接平面部的位置。
[0006]
依据本申请的一实施例，所述对接沟槽部的宽度大于所述导流沟槽部的宽度。
[0007]
依据本申请的一实施例，所述对接沟槽部的沟槽底部的位置低于所述导流沟槽部的沟槽底部的位置。
[0008]
依据本申请的一实施例，所述对接区包括自所述对接沟槽部的两侧向上延伸的上挡板结构。
[0009]
依据本申请的一实施例，所述上挡板结构、所述对接平面部以及所述对接沟槽部所包围的区域形状为倒凹形。
[0010]
依据本申请的一实施例，所述导流区在相对于所述对接区的一侧包括挡板结构。
[0011]
依据本申请的一实施例，所述挡板结构包括通孔，所述集成电路穿管辅助装置还包括推杆。所述推杆通过所述通孔并朝所述对接区延伸。
[0012]
依据本申请的一实施例，所述底槽包括铝。
[0013]
依据本申请的一实施例，所述导流平面部的宽度在3～15mm的范围。
[0014]
依据本申请的一实施例，所述导流平面部的宽度是8mm。
[0015]
依据本申请的一实施例，所述对接平面部的宽度在3～15mm的范围。
[0016]
依据本申请的一实施例，所述对接平面部的宽度是8mm。
[0017]
依据本申请的一实施例，所述导流沟槽部的宽度在2～10mm的范围。
[0018]
依据本申请的一实施例，所述导流沟槽部的宽度是6mm。
[0019]
依据本申请的一实施例，所述对接沟槽部的宽度在5～17mm的范围。
[0020]
依据本申请的一实施例，所述对接沟槽部的宽度是10mm。
[0021]
依据本申请的一实施例，所述导流沟槽部自所述导流平面部向下延伸的高度在5
～17mm的范围。
[0022]
依据本申请的一实施例，所述导流沟槽部自所述导流平面部向下延伸的高度是10mm。
[0023]
依据本申请的一实施例，所述对接沟槽部自所述对接平面部向下延伸的高度在5～17mm的范围。
[0024]
依据本申请的一实施例，所述对接沟槽部自所述对接平面部向下延伸的高度是10mm。
[0025]
依据本申请的一实施例，所述对接区的长度在5～17mm的范围。
[0026]
依据本申请的一实施例，所述对接区的长度是10mm。
[0027]
依据本申请的一实施例，所述集成电路穿管辅助装置还包括遮罩，所述遮罩用于遮盖所述导流区。
[0028]
依据本申请的一实施例，所述遮罩为空心的长方体，所述长方体的侧面包括开口，所述长方体的内部空间用于容纳所述导流区。
[0029]
依据本申请的一实施例，所述长方体的长在150～300mm的范围、所述长方体的宽在30～150mm的范围、所述长方体的高在5～20mm的范围。
[0030]
依据本申请的一实施例，所述长方体位于所述导流区上方的顶面包括镂空结构，所述镂空结构暴露所述导流平面部的一部分。
[0031]
依据本申请的一实施例，所述遮罩包括铝或不锈钢。
[0032]
依据本申请的一实施例，所述遮罩以旋钮、卡榫或磁扣与所述底槽连接。
[0033]
依据本申请的一实施例，所述遮罩以所述底槽为轴旋转。
附图说明
[0034]
附图是用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本申请，但并不构成对本申请的限制。在附图中：
[0035]
图1描绘封装芯片的俯视视图与部分塑料管的立体视图。
[0036]
图2a、2b与2c分别是依据本申请一实施例之集成电路穿管辅助装置的立体视图、俯视视图与侧视视图。
[0037]
图3是依据本申请一实施例之集成电路穿管辅助装置的操作示意图。
[0038]
图4是依据本申请另一实施例之底槽的示意图。
[0039]
图5是依据本申请一实施例之遮罩的示意图。
[0040]
图6a与6b是依据本申请一实施例之遮罩遮盖导流区的示意图。
[0041]
图7是依据本申请另一实施例之遮罩的示意图。
[0042]
图8是依据本申请一实施例之遮罩遮盖导流区的示意图。
[0043]
图9是依据本申请另一实施例之遮罩的示意图。
[0044]
图10是依据本申请另一实施例之底槽的示意图。
具体实施方式
[0045]
以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例
示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。
[0046]
再者，在此处使用空间上相对的词汇，譬如「之下」、「下方」、「低于」、「之上」、「上方」及与其相似者，可能是为了方便说明图中所绘示的一组件或特征相对于另一或多个组件或特征之间的关系。这些空间上相对的词汇其本意除了图中所绘示的方位之外，还涵盖了装置在使用或操作中所处的多种不同方位。可能将所述设备放置于其他方位(如，旋转90度或处于其他方位)，而这些空间上相对的描述词汇就应该做相应的解释。
[0047]
虽然用以界定本申请较广范围的数值范围与参数皆是约略的数值，此处已尽可能精确地呈现具体实施例中的相关数值。然而，任何数值本质上不可避免地含有因个别测试方法所致的标准偏差。在此处，「约」通常系指实际数值在一特定数值或范围的正负10％、5％、1％或0.5％之内。或者是，「约」一词代表实际数值落在平均值的可接受标准误差之内，视本申请所属技术领域中具有通常知识者的考虑而定。当可理解，除了实验例之外，或除非另有明确的说明，此处所用的所有范围、数量、数值与百分比(例如用以描述材料用量、时间长短、温度、操作条件、数量比例及其他相似者)均经过「约」的修饰。因此，除非另有相反的说明，本说明书与附随权利要求书所揭示的数值参数皆为约略的数值，且可视需求而更动。至少应将这些数值参数理解为所指出的有效位数与套用一般进位法所得到的数值。在此处，将数值范围表示成由一端点至另一端点或介于二端点之间；除非另有说明，此处所述的数值范围皆包括端点。
[0048]
图1是描绘封装芯片sx的俯视视图与部分塑料管sl的立体视图。传统上，当要对封装芯片sx进行可靠性试验时，必须通过人工方式以镊子夹取封装芯片sx，并放入塑料管sl之中，借此移动封装芯片sx至试验进行地点。详细来说，封装芯片sx放入塑料管sl后，封装芯片sx的塑封胶部分sxf会放置于塑料管sl的平面部slp之上，而封装芯片sx的引脚部分sxj放置于塑料管sl的沟槽部slt之中。
[0049]
然而，以人工方式放置封装芯片sx容易产生碰撞，尤其是封装芯片sx的引脚部分sxj受到碰撞后容易弯折甚至断裂，造成无法修复的损伤。另外，以人工方式作业较为费时。
[0050]
塑料管sl的内部空间规格大致说明如下：平面部slp的内部宽度w01’在3～15mm的范围。平面部slp的内部到塑料管sl上壁的高度h02’在2～12mm的范围。沟槽部slt的内部宽度w02’在2～10mm的范围。沟槽部slt的内部到塑料管sl上壁的高度h03’在3～14mm的范围。塑料管sl的内部空间定义了置放封装芯片sx的区域。
[0051]
一般来说，塑料管sl的管壁厚度d一致，管壁厚度d在3～14mm的范围。优选地，管壁厚度d是8mm。在管壁厚度d为一致的情况下，平面部slp的外部宽度w01相当于内部宽度w01’减去管壁厚度d的两倍。沟槽部slt的外部宽度w02相当于内部宽度w02加上两倍管壁厚度d的两倍。平面部slp向下延伸的高度h01’相当于高度h03’减去高度h02’。平面部slp的外部宽度w01、沟槽部slt的外部宽度w02以及平面部slp向下延伸的高度h01’定义了塑料管sl的外部形状。
[0052]
本申请提出一种集成电路穿管辅助装置解决现有技术的问题，所述集成电路穿管辅助装置搭配塑料管sl的外部形状以及封装芯片sx的尺寸来实现。
[0053]
图2a、图2b及图2c分别为依据本申请一实施例之集成电路穿管辅助装置1的立体视图、俯视视图及侧视视图，其中图2c是朝虚线a-a’方向观看的侧视视图。在本申请中，集成电路穿管辅助装置1用于协助使用者快速地将封装芯片sx移入塑料管sl中。
[0054]
集成电路穿管辅助装置1包括底槽10。底槽10包括相邻设置的导流区11以及对接区12，其中导流区11用于放置封装芯片sx，而对接区12用于放置塑料管sl。底槽10还包括挡板结构13。挡板结构13与对接区12分别位于导流区11的相对两侧，其中档板结构13用于防止导流区11上的封装芯片sx朝档板结构13的方向滑出。
[0055]
在本申请中，底槽10优选地以金属制成，并且经过抛光处理，使得放置于导流区11上的封装芯片sx可以顺利移动。在某些实施例中，底槽10包括铝。
[0056]
导流区11包括导流平面部111与自导流平面部111延伸向下的导流沟槽部112。导流平面部111用于承载封装芯片sx的塑封胶部分sxf。导流沟槽部112具有相对导流平面部111设置的两沟槽，用于放置封装芯片的引脚部分sxj。
[0057]
对接区12包括对接平面部121与自对接平面部121延伸向下的对接沟槽部122。对接平面部121用于承载塑料管sl的平面部slp，对接沟槽部122具有相对对接平面部121设置的两沟槽，用于放置塑料管sl的沟槽部slt。
[0058]
在本实施例中，导流平面部111的位置高于对接平面部121的位置，导流平面部111的宽度w11大于对接平面部121的宽度w21，导流沟槽部112的宽度w12小于对接沟槽部122的宽度w22，导流沟槽部112的沟槽底部的位置高于对接沟槽部122的沟槽底部的位置。
[0059]
详细来说，导流平面部111的宽度w11对应塑料管sl的平面部slp的内部宽度w01’，导流沟槽部112的单一沟槽宽度w12对应塑料管sl的沟槽部slt的内部宽度w02’，对接平面部121的宽度w21对应塑料管sl的平面部slp的外部宽度w01,对接沟槽部122的单一沟槽宽度w22对应塑料管sl的沟槽部slt的外侧宽度w02，对接沟槽部122自对接平面部121向下延伸的高度h21对应塑料管sl的平面部slp向下延伸的高度h01’。
[0060]
另外，导流平面部111与对接平面部121的高度差h1、导流沟槽部112的单一沟槽宽度w12与对接沟槽部122的单一沟槽宽度w22的差值，以及，导流沟槽部112的沟槽底部与对接沟槽部122的沟槽底部的高度差h2皆对应塑料管sl的管壁厚度d。
[0061]
在如此设置下，导流区11与对接区12的交界处对应塑料管sl的外部形状。当塑料管sl放置在对接区12上时，塑料管sl的空心区域将与导流沟槽部112契合，借此位于导流区11的封装芯片sx将可以无障碍地移入塑料管sl之中。
[0062]
然而上述尺寸规格此并非本申请的限制。在某些实施例中，导流平面部111的宽度w11可以小于或等于对接平面部121的宽度w21。在某些实施例中，导流沟槽部112的宽度w12可以小于或等于对接沟槽部122的宽度w22。在某些实施例中，导流沟槽部112的沟槽底部的位置可以低于或等于对接沟槽部122的沟槽底部的位置。
[0063]
本领域技术人员应能理解，在考虑塑料管sl的管壁厚度d的情况下，为了使放置于导流区11上的封装芯片sx可以无障碍地移入放置于对接区12的塑料管sl中，需要导流平面部111的位置高于对接平面部121的位置。详细来说，当导流平面部111与对接平面部121的高度差h1等于塑料管sl的管壁厚度d时，封装芯片sx可以无障碍地移入塑料管sl之中。当导
流平面部111与对接平面部121的高度差h1大于塑料管sl的管壁厚度d时，则需要塑料管sl的管壁厚度d与塑料管sl的空间高度h02的和大于导流平面部111与对接平面部121的高度差h1与封装芯片sx的塑封胶部分sxf的厚度。如此一来，封装芯片sx才能无障碍地移入塑料管sl之中。
[0064]
在某些实施例中，导流平面部111的宽度w11在3～15mm的范围。优选地，导流平面部111的宽度w11是8mm。
[0065]
在某些实施例中，导流沟槽部112的宽度w12在2～10mm的范围。优选地，导流沟槽部112的宽度w12是6mm。
[0066]
在某些实施例中，对接平面部121的宽度w21在3～15mm的范围。优选地，对接平面部121的宽度w21是8mm。
[0067]
在某些实施例中，对接沟槽部122的宽度w22在2～10mm的范围。优选地，对接沟槽部122的宽度w22是6mm。
[0068]
在某些实施例中，导流沟槽部112自导流平面部111向下延伸的高度h11在2～10mm的范围。优选地，导流沟槽部112自导流平面部111向下延伸的高度h11是5mm。
[0069]
在某些实施例中，对接沟槽部122自对接平面部121向下延伸的高度h21在2～10mm的范围。优选地，对接沟槽部122自对接平面部121向下延伸的高度h21是n mm。
[0070]
在某些实施例中，对接区12的长度l1在5～17mm的范围。优选地，对接区12的长度l1是10mm。
[0071]
图3是依据本申请一实施例之集成电路穿管辅助装置1的操作示意图。当要将封装芯片sx移入塑料管sl时，先将封装芯片sx放置于导流区11之中，并且，将塑料管sl放置于对接区12之上。接着通过外力，例如倾斜底槽10，来将导流区11上的封装芯片sx快速地移入塑料管sl中。通过本申请提出的集成电路穿管辅助装置1，可节省大量作业时间并且避免因人为疏失造成封装芯片sx的损伤。
[0072]
图4是依据本申请一实施例之底槽20的立体示意图。底槽20与上述实施例的底槽10大致相同，差异仅在于底槽20包括自对接沟槽部122的两侧向上延伸的上挡板结构20，使得上挡板结构20、对接平面部121和对接沟槽部122形成的包围区域22呈现倒凹形，所述倒凹形对应塑料管sl的形状。在如此设置下，当要将封装芯片sx移入塑料管sl之中时，可将塑料管sl插入包围区域22之中，借此以稳固塑料管sl，避免塑料管sl的晃动。优选地，对接平面部121与上挡板结构21的距离h22对应塑料管sl的空间高度h02与塑料管sl的管壁厚度d的两倍之和。
[0073]
在上述实施例中，当使用集成电路穿管装置1时，需先将封装芯片sx和塑料管sl放置妥当，接着通过外力，例如将底槽10或底槽20倾斜，来将封装芯片sx快速地移入塑料管sl中。然而，底槽10或20属于开放式底槽，在作业进行当中封装芯片sx仍有脱离底槽10或底槽20的风险。因此，集成电路穿管装置1还可包括其他元部件达到降低封装芯片sx脱离的风险。
[0074]
图5是依据本申请一实施例之遮罩30的示意图。遮罩30用于遮盖导流区11，以达到降低封装芯片sx脱离的风险。在某些实施例中，遮罩30为一个空心的长方体，其中长方体的一侧面包括开口31，长方体的其余面为封闭。长方体的内部空间用于容纳导流区11。在某些实施例中，长方体的长l5在150～300mm的范围、长方体的宽w5在30～150mm的范围、长方体
的高h5在5～20mm的范围。优选地，长方体的长l5大于底槽10或底槽20的长约2mm，长方体的宽w5大于底槽10或底槽20的宽约2mm，长方体的高h5大于底槽10或底槽20的高约2mm。图6a与图6b分别为使用遮罩30以遮盖导流区11的俯视图与立体图。在图6a与图6b的实施例中以底槽20为范例说明。
[0075]
图7是依据本申请一实施例之遮罩40的示意图。遮罩40与遮罩30大致相同，差异仅在于遮罩40包括镂空结构41。当遮罩40遮盖导流区11时，镂空结构41暴露导流平面部111的一部分。参考图8，通过遮罩40的镂空结构41可直接观察导流区11上的封装芯片sx，并且，由于镂空结构41的关系，遮罩40的用料较少，因此重量较轻，使用者在使用时较为省力。另外，由于镂空结构41仅暴露导流平面部111的一部分，并未暴露导流沟槽部112，因此，放置于导流区11上的封装芯片sx不会从镂空结构41掉出。优选地，镂空结构41的宽度不大于对流平面部的宽度w11。
[0076]
本领域技术人员应能理解镂空结构41不限定于图7所示的形状，只要能防止放置于导流区11上的封装芯片sx从镂空结构41掉出皆应隶属于本申请的范畴。
[0077]
另外，本申请并不限制以图5或图7所示的套盖式遮罩来实现。图9是依据本申请另一实施例之遮罩50的示意图。以底槽20为范例说明，在图9实施例中，遮罩50以底槽20为轴旋转，并遮盖导流区11。在某些实施例中，遮罩50的长边可通过链接的方式与底槽20固定，并且当旋转遮罩50遮盖导流区11后，可通过旋钮、卡榫或磁扣等方式将遮罩50与底槽20固定，避免遮罩50的松脱。
[0078]
图10是依据本申请另一实施例之底槽60的示意图。底槽60与底槽10、20大致相同，差异仅在于底槽60的挡板结构13上包括通孔61及推杆62。推杆62通过通孔61向对接区12延伸，推杆62的一端可连接有推块63。当要将封装芯片sx移入塑料管sl时，先将封装芯片sx放置于导流区11之中，并且，将塑料管sl放置于对接区12之上。接着通过外力，例如推动推杆62，来将导流区11上的封装芯片sx快速地移入塑料管sl中。
[0079]
为求增加作业效率，集成电路穿管辅助装置的底槽可以包括多组导流区11与对接区12。在如此设置下，可同时进行多组集成电路穿管作业，以更快速地转移封装芯片。本领域技术人员在阅读完上述实施例后应能理解，包括多组导流区11与对接区12的底槽的实现方式，详细说明在此省略以省篇幅。
[0080]
本申请申请人通过试验发现，以本申请提出的集成电路穿管辅助装置进行穿管作业，相较于传统人工作业方式，其作业时间缩短近38％。由此可知，本申请提出的集成电路穿管辅助装置的确有效地提升作业效率。
[0081]
另外，本申请提出的集成电路穿管辅助装置还可直接进行可靠性试验。举例来说，可将封装芯片sx放置于导流区11之上，接着直接对底槽10或底槽20进行试验。如此可避免移动封装芯片sx，进而增加碰撞封装芯片sx的风险。