1.一种发光二极管(led)结构，其特征在于，所述led结构包括：
基板；
led单元，所述led单元在所述基板上形成；
第一反射器层，所述第一反射器层在所述基板和所述led单元之间形成；以及
第二反射器层，所述第二反射器层在所述led单元上形成，
其中，所述led单元的公共阳极层在所述第一反射器层上形成；并且
所述第一反射器层、所述led单元和所述第二反射器层被配置成共同提供谐振腔。
2.根据权利要求1所述的led结构，其特征在于，所述第一反射器层的第一反射率大于所述第二反射器层的第二反射率，并且，所述led单元发出的光从所述第二反射器层射出所述led结构。
3.根据权利要求1所述的led结构，其特征在于，所述第二反射器层是分布式布拉格反射器(dbr)。
4.根据权利要求3所述的led结构，其特征在于，所述dbr包括多个tio2/sio2层或多个sio2/hfo2层。
5.根据权利要求1所述的led结构，其特征在于，所述led单元包括：
第一掺杂型半导体层，所述第一掺杂型半导体层在所述第一反射器层上形成；
多量子阱层，所述多量子阱层在所述第一掺杂型半导体层上形成；和
第二掺杂型半导体层，所述第二掺杂型半导体层在所述mqw层上形成，其中，所述第二掺杂型半导体层包括通过离子注入制成的隔离材料，并且所述隔离材料将所述第二掺杂型半导体层划分为多个led台面，
其中，所述隔离材料的第一折射率低于所述led台面的第二折射率。
6.根据权利要求5所述的led结构，其特征在于，所述第一反射器层是第一掺杂型欧姆接触层。
7.根据权利要求5所述的led结构，其特征在于，所述led单元进一步包括：
钝化层，所述钝化层在所述第二掺杂型半导体层上形成；和
电极层，所述电极层在所述钝化层上形成，通过所述钝化层上的开口接触所述第二掺杂型半导体层的一部分，
其中，所述led台面的孔径小于所述钝化层上的所述开口。
8.一种发光二极管(led)结构，其特征在于，所述led结构包括：
基板；
第一反射器层，所述第一反射器层在所述基板上形成；
光学腔结构，所述光学腔结构在所述第一反射器层上形成；以及
第二反射器层，所述第二反射器层在所述光学腔结构上形成，
其中，所述光学腔结构由被离子注入材料所围绕的至少一个led单元形成。
9.根据权利要求8所述的led结构，其特征在于，所述第二反射器层是分布式布拉格反射器(dbr)。
10.根据权利要求9所述的led结构，其特征在于，所述dbr包括多个tio2/sio2层或多个sio2/hfo2层。
11.根据权利要求8所述的led结构，其特征在于，所述第一反射器层的第一反射率大于所述第二反射器层的第二反射率。
12.根据权利要求8所述的led结构，其特征在于，所述led单元包括：
第一掺杂型半导体层，所述第一掺杂型半导体层在所述第一反射器层上形成；
多量子阱层，所述多量子阱层在所述第一掺杂型半导体层上形成；和
第二掺杂型半导体层，所述第二掺杂型半导体层在所述mqw层上形成，其中，所述第二掺杂型半导体层包括通过离子注入制成的隔离材料，并且所述隔离材料将所述第二掺杂型半导体层划分为多个led台面，其中，所述隔离材料的第一折射率低于所述led台面的第二折射率。
13.根据权利要求12所述的led结构，其特征在于，所述第一反射器层是第一掺杂型欧姆接触层。
14.根据权利要求12所述的led结构，其特征在于，所述led单元进一步包括：
钝化层，所述钝化层在所述第二掺杂型半导体层上形成；和
电极层，所述电极层在所述钝化层上形成，通过所述钝化层上的开口接触所述第二掺杂型半导体层的一部分，
其中，所述led台面的孔径小于所述钝化层上的所述开口。
15.一种制造发光二极管结构的方法，其特征在于，所述方法包括：
在第一基板上形成第一反射器层和半导体结构；
在所述半导体结构中执行离子注入操作以形成隔离材料，并围绕至少一个光学腔单元；以及
在所述半导体结构上形成第二反射器层，
其中，所述第一反射器层、每个光学腔单元以及所述第二反射器层被配置成共同提供谐振腔。
16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，形成所述半导体结构进一步包括：
在所述第一反射器层上形成第一掺杂型半导体层；
在所述第一掺杂型半导体层上形成多量子阱层；和
在所述mqw层上形成第二掺杂型半导体层。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，在所述半导体结构中执行所述注入操作以形成所述隔离材料，并围绕至少一个光学腔单元进一步包括：
执行所述注入操作以在所述第二掺杂型半导体层中形成离子注入材料，以将所述第二掺杂型半导体层划分为多个led台面，其中，每个led台面通过所述离子注入材料电隔离。
18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述离子注入材料的第一折射率低于所述led台面的第二折射率。
19.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，在所述半导体结构上形成所述第二反射器层进一步包括：
在所述半导体结构上形成分布式布拉格反射器(dbr)，其中，所述dbr包括多个tio2/sio2层或多个sio2/hfo2层。
20.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一反射器层的第一反射率大于所述第二反射器层的第二反射率。