硅基OLED显示面板及其制备方法与流程

硅基oled显示面板及其制备方法
技术领域
1.本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种硅基oled显示面板及其制备方法。


背景技术：

2.硅基oled(organic electroluminescence display，有机电致发光显示器)因其具有亮度、色彩丰富、驱动电压低、响应速度快和功耗低等优异的特点，使其发展非常迅速。
3.但是，目前，硅基oled显示面板均存在载流子的横向流动导致的横向漏电问题。


技术实现要素：

4.本发明提供一种硅基oled显示面板及其制备方法，以实现降低硅基oled显示面板的横向漏电。
5.第一方面，本发明实施例提供了一种硅基oled显示面板，包括：
6.基板；
7.发光器件层，所述发光器件层包括自所述基板一侧的层叠设置的第一电极层、发光功能层和第二电极层；所述第一电极层包括多个相互绝缘的第一电极；所述发光功能层包括多个相互分离的发光功能单元，所述发光功能单元与所述第一电极对应设置；所述第二电极层包括层叠设置的至少两层子电极层，至少两层所述子电极层的电阻差异大于设定阈值。
8.可选的，所述硅基oled显示面板还包括像素限定层，所述像素限定层位于所述基板的一侧，所述像素限定层包括限定本体部和开口，所述限定本体部至少位于相邻所述第一电极之间以及相邻所述发光功能层之间，所述发光功能层位于所述开口中。
9.可选的，所述第二电极层包括自所述发光功能层一侧向所述发光功能层远离所述基板方向层叠设置的第一子电极层、第二子电极层和第三子电极层，所述第二子电极层的阻值大于所述第一子电极层的阻值和所述第三子电极层的阻值。
10.可选的，所述第一子电极层包括多个相互绝缘的第二电极，所述第二电极与所述第一电极对应设置；所述发光功能单元位于所述第一电极与对应的所述第二电极之间，且所述第一电极、与所述第一电极对应的所述发光功能单元和与所述第一电极对应的第二电极包括在同一发光器件内。
11.可选的，所述发光器件的所述第二电极在所述基板上的垂直投影覆盖所述发光功能单元的在所述基板的垂直投影；
12.且在设定方向上，所述发光器件的所述发光功能单元的尺寸小于所述第二电极的尺寸；
13.可选的，设定方向包括所述硅基oled显示面板中所述发光器件排布的行方向和/或列方向。
14.可选的，所述第一子电极层、所述第三子电极层的电阻率均在103ω*cm数量级，所
述第二子电极层的电阻率在105ω*cm数量级。
15.可选的，所述第一子电极层为整面连续的面状电极。
16.可选的，所述第一子电极层厚度为100
‑
5000a，所述第二子电极层厚度为10
‑
500a，所述第三子电极层厚度为500
‑
3000a。
17.可选的，所述发光功能层包括自所述第一电极层一侧向所述第一电极层远离所述基板方向层叠设置的第一发光层、第二发光层、电荷产生层和第三发光层，所述第一发光层、所述第二发光层、所述第三发光层发光颜色均不同；
18.可选的，所述第一发光层发红光、所述第二发光层发绿光、所述第三发光层发蓝光。
19.第二方面，本发明实施例还提供了一种硅基oled显示面板的制备方法，该硅基oled显示面板的制备方法包括：
20.提供基板；
21.在所述基板的一侧依次形成第一电极层、发光功能层和包括至少两层子电极层的第二电极层；
22.其中，所述第一电极层包括多个相互绝缘的第一电极；所述发光功能层包括多个相互分离的发光功能单元，所述发光功能单元与所述第一电极对应设置；至少两层所述子电极层的电阻差异大于设定阈值。
23.本发明实施例提供了硅基oled显示面板及其制备方法，硅基oled显示面板包括基板和发光器件层，发光器件层包括自基板一侧的层叠设置的第一电极层、发光功能层和第二电极层；第一电极层包括多个相互绝缘的第一电极；发光功能层包括多个相互分离的发光功能单元，发光功能单元与第一电极对应设置；第二电极层包括层叠设置的至少两层子电极层，至少两层子电极层的电阻差异大于设定阈值。本发明实施例的硅基oled显示面板的发光功能单元相互分离，使得相邻发光器件的发光功能单元之间互不接触，进而使得发光功能层之间不存在载流子的横向流动，避免硅基oled显示面板的横向漏电。同时，包括至少两层子电极层的第二电极层整体电阻较大，从而抑制第二电极层中载流子的横向流动，进一步避免硅基oled显示面板的横向漏电。
附图说明
24.图1是本发明实施例提供的一种硅基oled显示面板的截面结构示意图。
25.图2是本发明实施例提供的另一种硅基oled显示面板的截面结构示意图。
26.图3是本发明实施例提供的另一种硅基oled显示面板的截面结构示意图。
27.图4是本发明实施例提供的另一种硅基oled显示面板的截面结构示意图。
28.图5是本发明实施例提供的一种硅基oled显示面板的俯视图。
29.图6是本发明实施例提供的另一种硅基oled显示面板的俯视图。
30.图7是本发明实施例提供的另一种硅基oled显示面板的截面结构示意图。
31.图8是本发明实施例提供的一种硅基oled显示面板的制备方法的流程图。
32.图9是本发明实施例提供的一种硅基oled显示面板制备过程中完成沉积第一子电极层时的截面结构示意图。
33.图10是本发明实施例提供的一种硅基oled显示面板制备过程中对第一子电极层
进行图案化时的截面结构示意图。
34.图11是本发明实施例提供的一种硅基oled显示面板制备过程中对第一子电极层完成图案化时的截面结构示意图。
35.图12是本发明实施例提供的一种硅基oled显示面板制备过程中完成沉积第二子电极层时的截面结构示意图。
36.图13是本发明实施例提供的另一种硅基oled显示面板的截面结构示意图。
具体实施方式
37.下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
38.正如背景技术中所述，现有硅基oled显示面板存在横向漏电的问题。经发明人研究发现，出现上述问题的原因在于，现有技术中，发光功能层为整面连通的结构，相邻发光器件的发光功能层中的载流子横向流动，导致硅基oled显示面板的横向漏电，同时，阴极层电阻较小，导致阴极层中也存在一定的载流子的横向流动，从而也会导致oled显示面板的横向漏电。
39.基于上述原因，本发明实施例提供了一种硅基oled显示面板，图1为本发明实施例提供的一种硅基oled显示面板的截面结构示意图，参考图1，该硅基oled显示面板包括：
40.基板100；
41.发光器件层200，发光器件层200包括自基板100一侧的层叠设置的第一电极层210、发光功能层220和第二电极层230；第一电极层210包括多个相互绝缘的第一电极211；发光功能层220包括多个相互分离的发光功能单元221，发光功能单元221与第一电极211对应设置；第二电极层230包括层叠设置的至少两层子电极层，至少两层子电极层的电阻差异大于设定阈值。
42.基板100包括依次层叠设置的基底和驱动电路层，基底可以为硅基底，驱动电路层包括多个薄膜晶体管和电容，薄膜晶体管和电容可以用于构成像素驱动电路，发光器件层200形成在驱动电路层上，发光器件层200在像素驱动电路的驱动下发光。
43.发光功能单元221与第一电极211在硅基oled显示面板厚度方向y上对应设置。多个第一电极211之间相互绝缘，第一电极211、第二电极层230以及第一电极211与第二电极层230之间与第一电极211对应的发光功能单元221形成一oled发光器件。第一电极211可以为长方形、正方形、圆形或其他形状，发光功能单元221的形状可以与第一电极211相同。其中，第一电极211可以是阳极，第二电极层230可以是阴极。第一电极211可以采用四层结构，自基板100一侧向基板100靠近发光功能层220方向层叠设置的四层膜层结构的材料可以分别为钛、铝、钛和钼，也可以分别为钛、铝、钛、铟锡氧化物。第一电极211也可以采用三层结构，自基板100一侧向基板100靠近发光功能层220方向层叠设置的三层膜层结构的材料可以分别为钛、铝和锡，本实施例对第一电极211的膜层结构和材料不做具体限定。
44.本实施例发光功能层220可以只包括单层膜层，即只包括发光材料层，也可以包括自第一电极层210至第二电极层230层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层等形成的多层结构，本实施例在此不做具体限定。在硅基oled显示面板
中，发光功能层220还包括电荷产生层，其中电荷产生层位于空穴传输层与电子传输层之间。电荷产生层可以产生空穴和电子，提高注入到发光材料层中的空穴和电子数量，进而提升显示效果。如背景技术中所述的，现有技术中各发光器件的发光功能层连续，使得相邻的发光器件对应的发光功能层之间存在载流子的横向流动，且电荷产生层提高了注入到发光材料层中的载流子的数量，从而加剧了发光功能层中载流子的横向流动。本实施例中即使电荷产生层中的载流子不断向发光材料层移动，因发光功能单元221之间相互分离，使得相邻发光器件互不连通，避免发光功能层220中载流子的横向流动，进而避免发光时发光颜色受到相邻发光功能单元221的影响。
45.发光功能层220可以整层铺设白发光层，再进行图案化形成相互分离的发光功能单元221，以减小制备工艺的难度，另外增设彩色滤光层覆盖白发光层以实现多种颜色的显示，发光功能层220也可以包括多个发光颜色不同的膜层，本实施例在此不做具体限定。
46.本实施例示例性的示出第二电极层230包括层叠设置的两层子电极层，靠近发光功能层220的为第一子电极层231，远离发光功能层220的为第二子电极层232。第一子电极层231和第二子电极层232均可以为透明材料，以减少对发光器件发出光线的遮挡。第一子电极层231可以为金属氧化物层例如可以是铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)、氧化锌(zno)或一氧化铌(nbo)，优选的，第一子电极层231材料和第二子电极层232材料均可以为铟锡氧化物(ito)或铟锌氧化物(izo)。第一子电极层231的电阻小于第一阈值，第二子电极层的电阻大于第二阈值，第一阈值小于第二阈值，从而使得第一子电极层231和第二子电极层232的阻值差异大于设定阈值，使得第二电极层230的整体电阻较大。第二电极层230整体电阻较大，可以抑制载流子在第二电极层230中的横向流动，缓解硅基oled显示面板的横向导通和漏电问题。
47.第一子电极层231电阻小于第二子电极层232电阻，第一子电极层231阻值较低，可以降低第一子电极层231与发光功能层220之间的传输电阻，有利于第一子电极层231的载流子向发光功能层220的传输，进而提高显示效果。
48.本实施例提供了硅基oled显示面板，硅基oled显示面板包括基板和发光器件层，发光器件层包括自基板一侧的层叠设置的第一电极层、发光功能层和第二电极层；第一电极层包括多个相互绝缘的第一电极；发光功能层包括多个相互分离的发光功能单元，发光功能单元与第一电极对应设置；第二电极层包括层叠设置的至少两层子电极层，至少两层子电极层的电阻差异大于设定阈值。本实施例的硅基oled显示面板的发光功能单元相互分离，使得相邻发光器件的发光功能单元之间互不接触，进而使得发光功能层之间不存在载流子的横向流动，避免硅基oled显示面板的横向漏电。同时，包括至少两层子电极层的第二电极层整体电阻较大，从而抑制第二电极层中载流子的横向流动，进一步避免硅基oled显示面板的横向漏电。
49.图2为本发明实施例提供的另一种硅基oled显示面板的截面结构示意图，参考图2，可选的，硅基oled显示面板还包括像素限定层300，像素限定层300位于基板100的一侧，像素限定层300包括限定本体部310和开口320，限定本体部310至少位于相邻第一电极211之间以及相邻发光功能层220之间，发光功能层220位于开口320中。
50.像素限定层300可通过开设对应每个发光功能单元221的开口320以用于限定发光功能单元221。像素限定层300通常由诸如聚丙烯酸酯和聚酰亚胺等材料中的有机材料的单
一材料层或复合材料层形成，也可以由氧化硅或氮化硅等无机材料形成。发光功能层220位于像素限定层300的开口320中，像素限定层300的本体部310可阻隔各个发光器件的发光功能层220间的横向电流，改善相邻发光区域间串色的现象。并且，像素限定层300的结构在发光功能层220蒸镀之前制作完成，可以使得在发光功能层220进行蒸镀时，可以被像素限定层300自动分隔开，进而使得不同发光区域的发光功能层220不连续，进而减轻串色问题。
51.图3为本发明实施例提供的另一种硅基oled显示面板的截面结构示意图，参考图3，可选的，第二电极层230包括自发光功能层220一侧向发光功能层220远离基板100方向层叠设置的第一子电极层231、第二子电极层232和第三子电极层233，第二子电极层232的阻值大于第一子电极层231的阻值和第三子电极层233的阻值。
52.第一子电极层231的电阻小于第一阈值，第二子电极层232的电阻大于第二阈值，第三子电极层233的电阻小于第三阈值，第二阈值大于第一阈值和第三阈值，第一阈值和第三阈值的大小关系不做限定。可选的，第一子电极层231和第二子电极层232的电阻差异大于设定阈值，和/或第二子电极层232和第三子电极层233的电阻差异大于设定阈值。第一子电极层231阻值较低，可以降低第一子电极层231与发光功能层220之间的传输电阻，有利于电子向发光功能层220的传输，进而提高显示效果。第二子电极层232阻值较高可以抑制第二子电极层232中载流子的横向流动，缓解硅基oled显示面板的横向导通和漏电问题。第二电极层230与显示面板搭接区的驱动电源连接，第一子电极层231和第三子电极层233电阻较小，使得第二电极层230整体电阻不会过大，信号传输的电压损耗不会过大，进而使得硅基oled显示面板的能耗不会过大。
53.继续参考图3，可选的，第一子电极层231为整面连续的面状电极。
54.图3所示的硅基oled显示面板不包含像素限定层，第一子电极层231、第二子电极层232和第三子电极层233均可以为整面连续的面状电极。第一子电极层231为整面连续的面状电极，从而可以通过一次工艺过程即可制备完成第一子电极层231，进而简化硅基oled显示面板的制备工艺。
55.图4为本发明实施例提供的另一种硅基oled显示面板的截面结构示意图，参考图4，可选的，第一子电极层231包括多个相互绝缘的第二电极2311，第二电极2311与第一电极211对应设置；发光功能单元221位于第一电极211与对应的第二电极2311之间，且第一电极211、与第一电极211对应的发光功能单元221和与第一电极211对应的第二电极2311包括在同一发光器件内400。
56.第二电极2311与第一电极211在硅基oled显示面板厚度方向y上对应设置。参考图2，当硅基oled显示面板中包含像素限定层300且第一子电极层231为整面连通的面状结构时，像素限定层300的本体部310容易突起使得第一子电极层231靠近基板一侧的部分区域变薄，使得第一子电极层231极易断裂，且第一子电极层231变薄导致第一子电极层231电阻变大，不利于第一子电极层231的载流子向发光功能层220的传输，进而影响硅基oled显示面板的显示效果。参考图4，本实施例中，第一子电极层231包括多个相互绝缘的第二电极2311，第一子电极层231不再为面状结构，可以消除像素限定层300的突起对第一子电极层231造成的影响。
57.图5为本发明实施例提供的一种硅基oled显示面板的俯视图，图4可由图5沿bb’剖切得到。参考图4和图5，可选的，发光器件400的第二电极2311在基板100上的垂直投影覆盖
发光功能单元221的在基板100的垂直投影；
58.且在设定方向上，发光器件400的发光功能单元221的尺寸小于第二电极2311的尺寸；
59.设定方向可以为硅基oled显示面板的行方向x，也可以为硅基oled显示面板的列方向z。第二电极2311可以阵列排布。本实施例示例性的示出在行方向x上，第二电极2311的尺寸大于发光功能单元221的尺寸，在列方向z上，第二电极2311的尺寸等于发光功能单元221的尺寸。在其他实施例中，可以在行方向x上，第二电极2311的尺寸等于发光功能单元221的尺寸，在列方向z上，第二电极2311的尺寸大于发光功能单元221的尺寸。
60.可选的，在设定方向上，发光器件400的发光功能单元221的尺寸小于或等于第一电极211的尺寸。
61.在制备第二电极层230时，先沉积第一子电极层231，然后在第一子电极层231上沉积第二子电极层232，在行方向x上，第二电极2311的尺寸大于发光功能单元221的尺寸，使得沉积第二子电极层232时，第二子电极层232不会沉积到第一子电极层231以下对应的区域，进而减少发光功能单元221与第二子电极层232的接触，降低载流子的横向流动，进而减少发生硅基oled显示面板的横向漏电问题。
62.图6为本发明实施例提供的另一种硅基oled显示面板的俯视图，图4可由图6沿bb’剖切得到，参考图4和图6，可选的，设定方向包括硅基oled显示面板中发光器件400排布的行方向x和列方向z。
63.行方向x上，第二电极2311的尺寸大于发光功能单元221的尺寸，且列方向z上，第二电极2311的尺寸大于发光功能单元221的尺寸。相较于行方向x上，第二电极2311的尺寸大于发光功能单元221的尺寸，列方向z上，第二电极2311的尺寸等于发光功能单元221的尺寸而言，可以进一步减少发光功能单元221与第二子电极层232的接触，降低载流子的横向流动，进而避免发生硅基oled显示面板的横向漏电问题。
64.可选的，第一子电极层、第三子电极层的电阻率均在103ω*cm数量级，第二子电极层的电阻率在105ω*cm数量级。可选的，第一子电极层、第三子电极层的电阻率的范围为(0.7
‑
1.3)*103ω*cm；第二子电极层的电阻率的范围：3
‑
8105ω*cm。
65.可选的，第一子电极层厚度为100
‑
5000a，第二子电极层厚度为10
‑
500a，第三子电极层厚度为500
‑
3000a。
66.第一子电极层、第二子电极层和第三子电极层过薄，硅基oled显示面板的机械可靠性差，容易导致膜层断裂，而第一子电极层、第二子电极层和第三子电极层过厚，不利于硅基oled显示面板的轻薄化。因此，将第一子电极层、第二子电极层和第三子电极层的厚度控制在上述范围，可以在保证第二电极层整体电阻较大的基础上，有利于硅基oled显示面板的轻薄化。
67.图7为本发明实施例提供的另一种硅基oled显示面板的截面结构示意图，参考图7，可选的，发光功能层220包括自第一电极层210一侧向第一电极层210远离基板100方向层叠设置的第一发光层222、第二发光层223、电荷产生层224和第三发光层225，第一发光层222、第二发光层223、第三发光层225发光颜色均不同；
68.第一发光层222、第二发光层223和第三发光层225均包含多个发光功能单元221。电荷产生层224可以产生电子和空穴，提高注入到发光功能单元221的载流子数量。当第一
电极层210为阳极、第二电极层230为阴极时，第一电极层210的空穴和第二电极层230的电子分别在第一发光层222和第二发光层223各自的发光功能单元221结合，使得第一发光层222和第二发光层223发光。第一电极层210的空穴和第一子电极层231的电子在第三子发光层225的发光功能单元221结合，使得第三子发光层225发光。
69.继续参考图7，可选的，第一发光层222发红光、第二发光层223发绿光、第三发光层225发蓝光，进而使得第二发光层222、第二发光层223和第三发光层225发出的光混合后为白光。
70.可选的，硅基oled显示面板的发光功能层还包括第一电极层与发光功能层之间(对于图7所示结构为第一电极层210与第一发光层222)层叠设置的第一空穴注入层和第一空穴传输层，还包括在第二电极层与发光功能层之间(对于图7所示结构为第一电极层210与第三发光层225)层叠设置的电子注入层和电子传输层。对于图7所示的硅基oled显示面板结构，还可以包括在电荷产生层224与第三发光层225之间层叠设置的第二空穴注入层和第二空穴传输层，其中第二空穴注入层位于第二空穴传输层远离第三发光层225的一侧。
71.本发明实施例还提供了一种硅基oled显示面板的制备方法，图8为本发明实施例提供的一种硅基oled显示面板的制备方法的流程图，参考图8，可选的，该硅基oled显示面板的制备方法包括：
72.s10：提供基板；
73.s20：在基板的一侧依次形成第一电极层、发光功能层和包括至少两层子电极层的第二电极层；
74.其中，第一电极层包括多个相互绝缘的第一电极；发光功能层包括多个相互分离的发光功能单元，发光功能单元与第一电极对应设置；至少两层子电极层的电阻差异大于设定阈值。
75.本实施例在提供的制备方法制备的硅基oled显示面板时，发光功能单元相互分离，使得相邻发光器件的发光功能单元之间互不接触，进而使得发光功能层之间不存在载流子的横向流动，避免硅基oled显示面板的横向漏电。同时，包括至少两层子电极层的第二电极层整体电阻较大，从而抑制第二电极层中载流子的横向流动，进一步避免硅基oled显示面板的横向漏电。
76.图9为本发明实施例提供的一种硅基oled显示面板制备过程中完成沉积第一子电极层时的截面结构示意图，图10为本发明实施例提供的一种硅基oled显示面板制备过程中对第一子电极层进行图案化时的截面结构示意图，图11为本发明实施例提供的一种硅基oled显示面板制备过程中对第一子电极层完成图案化时的截面结构示意图，图12为本发明实施例提供的一种硅基oled显示面板制备过程中完成沉积第二子电极层时的截面结构示意图，图13为本发明实施例提供的一种硅基oled显示面板的另一种截面结构示意图，参考图9
‑
图13，在制备完成的基板100上制备第一电极层210完成后，第一电极层210包括多个相互绝缘的第一电极211，沉积像素限定层300并图案化，在像素限定层300的开口320中形成发光功能层220，发光功能层220包括多个相互分离的发光功能单元221，然后在发光功能层220上沉积整面连通的透明的第一子电极层231，此时得到的硅基oled显示面板的截面结构如图9所示。在图9所示截面结构的基础上，因为像素限定层300的本体部310突起(因突起较小，未在图中明确示出)，使得第一子电极层231与本体部310接触的部分变薄，使得第一子
电极层231极易断裂，因此，需将整面连通的面状的第一子电极层231刻蚀成包括多个相互绝缘的第二电极2311。在图9所示截面结构的基础上，将不用被刻蚀掉的部分涂覆光刻胶500，然后进行曝光、显影，通过干刻方案对第一子电极层231进行刻蚀，将未涂覆光刻胶500处的透明的第一子电极层231刻蚀掉。其中，第一子电极层231的材料可以选择为高选择比的材料，使得干刻第一子电极层231时不会对第一电极层210以及像素限定层300造成损伤。然后通过过刻将超出第一电极211或第二电极2311边界的发光功能单元221刻蚀掉，形成如图11所示的截面结构。在图11所示截面结构的基础上继续沉积第二子电极层232，形成如图12所示的截面结构示意图。在图12所示截面结构的基础上，继续依次沉积第三子电极层233、封装层600、彩色滤光层700、贴合胶800、盖板900后形成具有如图13所示的截面结构的显示面板。
77.注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。