1.一种真空吸附系统，其用于吸附及释放位于反应腔室(100)内的、真空吸附式加热器(200)的承载表面上的晶圆，所述反应腔室(100)具有抽气口(101)，所述真空吸附式加热器(200)具有通气口(201)，所述系统包括：
2.根据权利要求1所述的真空吸附系统，其中所述第二管路(b)上靠近所述通气口(201)处安置有第一阀门(chcv-1)，所述第三管路(c)连接至所述第二管路(b)上的所述第一阀门(chcv-1)的下游。
3.根据权利要求2所述的真空吸附系统，其中所述第三管路(c)上安置有第二阀门(chcv-2)。
4.根据权利要求3所述的真空吸附系统，其中所述第三管路(c)上进一步安置有气压控制器(401)，其用于调节供应至所述真空吸附系统的气体的流量。
5.根据权利要求4所述的真空吸附系统，其中所述气压控制器(401)包括质量流量控制器(mfm)、可调流量阀(402)和气压测量装置(403)。
6.根据权利要求3所述的真空吸附系统，其中：
7.根据权利要求6所述的真空吸附系统，其中所述第二歧管路(b2)上进一步安置有气压测量装置(500)。
8.根据权利要求6所述的真空吸附系统，其中所述第一阀门(chcv-1)、所述第二阀门(chcv-2)、所述第三阀门(chcv-3)和所述第四阀门(chcv-4)均为电磁气动阀。
9.一种利用根据权利要求1所述的真空吸附系统吸附晶圆的方法，其包括：在吸附和/或释放所述晶圆的过程中，利用所述第二管路(b)和所述第三管路(c)将来自所述气体源(400)的气体供应到所述真空吸附式加热器(200)内部的吸附管路中，以调节所述晶圆的背面与正面的压力差，其中所述吸附管路与所述通气口(201)流体连通。
10.根据权利要求9所述的方法，其中：在吸附所述晶圆的过程中，利用所述第二管路(b)和所述第三管路(c)将来自所述气体源(400)的气体供应到所述吸附管路，使所述晶圆的背面的压力保持比其正面的压力小30-150torr。
11.根据权利要求9所述的方法，其中：在释放所述晶圆的过程中，利用所述第二管路(b)和所述第三管路(c)将来自所述气体源(400)的气体供应到所述吸附管路，使所述晶圆的背面的压力升高至大于或等于其正面的压力。
12.根据权利要求9所述的方法，其中：在释放所述晶圆的过程中，利用所述第二管路(b)和所述第三管路(c)将来自所述气体源(400)的气体供应到所述吸附管路，使所述晶圆的背面的压力升高至比其正面的压力大5-10torr。
13.一种利用根据权利要求1所述的真空吸附系统吸附晶圆的方法，其包括如下步骤：
14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括如下步骤中的至少一者：
15.根据权利要求14所述的方法，其中：
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述阈值为100torr。
17.根据权利要求13所述的方法，其中：
18.根据权利要求13所述的方法，其中：
19.根据权利要求18所述的方法，其中：
20.根据权利要求18所述的方法，其中：
21.根据权利要求20所述的方法，其中：在步骤(b)中，调节所述第三管路(c)中的气体的流量，使得所述晶圆的背面的压力保持比其正面的压力小30-150torr。
22.根据权利要求18所述的方法，其中：
23.根据权利要求22所述的方法，其中：在步骤(c)中，调节所述第三管路(c)中的气体的流量，使得所述晶圆的背面的压力升高至等于或大于其正面的压力。
24.根据权利要求23所述的方法，其中：在步骤(c)中，调节所述第三管路(c)中的气体的流量，使得所述晶圆的背面的压力升高至比其正面的压力大5-10torr。