1.一种异质结太阳能电池，包括硅片，镀附于所述硅片一面的本征非晶硅薄膜层、n型非晶硅/微晶硅薄膜层、透明导电层，镀附于所述硅片另一面的本征非晶硅薄膜层、p型非晶硅/微晶硅薄膜层、透明导电层，以及位于所述透明导电层上的电极，其特征在于，所述电极为栅线，至少部分嵌入到所述透明导电层的内部。
2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，至少一面的所述透明导电层表层与部分或全部所述栅线对应的区域设有凹槽，部分或全部所述栅线嵌入所述凹槽内。
3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述电极包括主栅线和副栅线，在所述透明导电层表层，仅在对应于设置所述主栅线的区域设置所述凹槽。
4.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述凹槽在垂直于所述透明导电层所在平面的横截面形状为方形或梯形，所述凹槽的最大宽度为0.5-1.2mm。
5.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述凹槽在对应所述栅线所在区域贯穿所述透明导电层，使得所述栅线与所述n型非晶硅/微晶硅薄膜层或p型非晶硅/微晶硅薄膜层直接接触。
6.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，至少一面的所述透明导电层上与至少部分栅线对应的区域设有多个且不连通的凹坑，部分或全部所述栅线嵌入所述凹坑内。
7.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述电极包括主栅线和副栅线，在所述透明导电层表层，仅在对应于设置所述主栅线的区域设置所述凹坑。
8.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述凹坑在对应所述栅线所在区域贯穿所述透明导电层，所述栅线与所述n型非晶硅/微晶硅薄膜层或p型非晶硅/微晶硅薄膜层直接接触。
9.根据权利要求6所述的异质结太阳能电池，其特征在于，位于每条所述栅线处的多个所述凹坑等距离分布。
10.根据权利要求1-9任一项所述的异质结太阳能电池，其特征在于，嵌入到所述透明导电层的内部的所述栅线部分：
当所述栅线为银栅线或银裹铜栅线时，嵌入部分为银浆；
当所述栅线为表面浸润有导电胶的铜栅线时，嵌入部分为导电胶。