一种多层级集成电路复合基板芯片的制作方法

本实用新型涉及芯片技术领域，尤其涉及一种多层级集成电路复合基板芯片。

背景技术：

封装基板是substrate(简称sub)。基板可为芯片提供电连接、保护、支撑、散热、组装等功效，以实现多引脚化，缩小封装产品体积、改善电性能及散热性、超高密度或多芯片模块化的目的。封装基板应该属于交叉学科的技术，它涉及到电子、物理、化工等知识。

根据上述，现有技术中的基板多采用压缩一体式结构，而这种构造不仅散热性差，影响稳定，此外也影响电性能，同时容易产生静电堆积，干扰芯片正常运行的问题。故而鉴于以上缺陷，实有必要设计一种多层级集成电路复合基板芯片。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题在于：提供一种多层级集成电路复合基板芯片，来解决背景技术提出的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种多层级集成电路复合基板芯片，包括中间电性层、散热隔层和集成电路层，所述的中间电性层由绝缘罩、导电管和导电圈组成，所述的散热隔层由活性炭压缩框和活性炭压缩网格组成，所述的集成电路层由集成电路板和电连接片组成，所述的散热隔层固设于中间电性层上下两端，所述的散热隔层与中间电性层采用热熔连接，所述的集成电路层固设于中间电性层上下两端，所述的集成电路层与中间电性层采用热熔连接，且所述的集成电路层与散热隔层采用热熔连接，所述的导电管数量为若干件，所述的导电管均匀分布于绝缘罩内部，所述的导电管与绝缘罩采用热熔连接，所述的导电圈固设于导电管外壁中端，所述的导电圈与导电管一体成型，所述的活性炭压缩框固设于绝缘罩上下两端，所述的活性炭压缩框与绝缘罩采用热熔连接，所述的活性炭压缩网格固设于活性炭压缩框内部，所述的活性炭压缩网格与活性炭压缩框一体成型，所述的集成电路板固设于导电管外壁上下两端，所述的集成电路板与导电管采用热熔连接，且所述的集成电路板与活性炭压缩框采用热熔连接，所述的电连接片数量为若干件，所述的电连接片固设于集成电路板上，所述的电连接片与集成电路板采用焊接连接，且所述的电连接片与导电管采用焊接连接。

进一步，所述的绝缘罩内部还设有避让腔，所述的避让腔为空心腔体，所述的避让腔内部还固设有若干数量的电连接线，所述的电连接线与绝缘罩采用热熔连接，且所述的电连接线与导电圈采用焊接连接，所述的绝缘罩前端还固设有若干数量的电连接插口，所述的电连接插口与绝缘罩采用热熔连接，且所述的电连接插口与电连接线采用热熔连接。

进一步，所述的导电管外壁上下两端还固设有限位挡圈，所述的限位挡圈与导电管采用热熔连接，且所述的限位挡圈与集成电路板采用热熔连接。

进一步，所述的活性炭压缩框和活性炭压缩网格内部还设有若干数量的散热孔洞，所述的散热孔洞为通孔。

进一步，所述的集成电路板内部还设有若干数量的安装孔，所述的安装孔为圆形通孔，且所述的安装孔与导电管采用紧配连接。

与现有技术相比，该一种多层级集成电路复合基板芯片具有以下优点：

1、首先通过若干数量的导电管作用，不仅利于散热，提高了中间电性层、散热隔层和集成电路层的降温效果，此外也能够与电连接片进行对接，便于电性流通。

2、其次由活性炭压缩框和活性炭压缩网格的配合作用，不仅利于散热，也有效降低了静电堆积，提高了中间电性层和集成电路层的电性稳定。

3、最后因集成电路层设计在最外层，不仅散热性好，也避免与中间电性层直接接触，有效避免了电性干扰的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是一种多层级集成电路复合基板芯片的主视图；

图2是一种多层级集成电路复合基板芯片的俯视图；

图3是一种多层级集成电路复合基板芯片的a向剖视图；

图4是一种多层级集成电路复合基板芯片的立体图；

图5是一种多层级集成电路复合基板芯片的分离状态立体图；

图6是中间电性层的立体放大图；

图7是散热隔层的立体放大图；

图8是集成电路层的立体放大图。

中间电性层1、散热隔层2、集成电路层3、绝缘罩4、导电管5、导电圈6、活性炭压缩框7、活性炭压缩网格8、集成电路板9、电连接片10、避让腔401、电连接线402、电连接插口403、限位挡圈501、散热孔洞701、安装孔901。

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明。

具体实施方式

在下文中，阐述了多种特定细节，以便提供对构成所描述实施例基础的概念的透彻理解，然而，对本领域的技术人员来说，很显然所描述的实施例可以在没有这些特定细节中的一些或者全部的情况下来实践，在其他情况下，没有具体描述众所周知的处理步骤。

在实用新型的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对实用新型的限制。

如图1、图2、图3、图4、图5、图6、图7、图8所示，一种多层级集成电路复合基板芯片，包括中间电性层1、散热隔层2、集成电路层3、绝缘罩4、导电管5、导电圈6、活性炭压缩框7、活性炭压缩网格8、集成电路板9、电连接片10，所述的散热隔层2固设于中间电性层1上下两端，所述的散热隔层2与中间电性层1采用热熔连接，所述的集成电路层3固设于中间电性层1上下两端，所述的集成电路层3与中间电性层1采用热熔连接，且所述的集成电路层3与散热隔层2采用热熔连接，所述的导电管5数量为若干件，所述的导电管5均匀分布于绝缘罩4内部，所述的导电管5与绝缘罩4采用热熔连接，所述的导电圈6固设于导电管5外壁中端，所述的导电圈6与导电管5一体成型，所述的活性炭压缩框7固设于绝缘罩4上下两端，所述的活性炭压缩框7与绝缘罩4采用热熔连接，所述的活性炭压缩网格8固设于活性炭压缩框7内部，所述的活性炭压缩网格8与活性炭压缩框7一体成型，所述的集成电路板9固设于导电管5外壁上下两端，所述的集成电路板9与导电管5采用热熔连接，且所述的集成电路板9与活性炭压缩框7采用热熔连接，所述的电连接片10数量为若干件，所述的电连接片10固设于集成电路板9上，所述的电连接片10与集成电路板9采用焊接连接，且所述的电连接片10与导电管5采用焊接连接；

需要说明的是该一种多层级集成电路复合基板芯片具备以下功能；

a、中间电性层1内部设有的若干数量的导电管5，不仅利于散热，便于外部气流穿过导电管5内部将热量带走，提高了中间电性层1、散热隔层2和集成电路层3的降温效果，此外导电管5也能够与集成电路板9上的电连接片10进行对接，便于电性流通；

b、散热隔层2位于中间电性层1和集成电路层3之间，不仅利于散热，同时借助活性炭压缩框7和活性炭压缩网格的活性炭吸附作用，也有效降低了静电堆积，提高了中间电性层1和集成电路层3的电性稳定；

c、集成电路层3在最外层，借助散热隔层2的分隔，不仅散热性好，也避免与中间电性层1直接接触，从而易受到电性干扰的问题；

所述的绝缘罩4内部还设有避让腔401，所述的避让腔401为空心腔体，所述的避让腔401内部还固设有若干数量的电连接线402，所述的电连接线402与绝缘罩4采用热熔连接，且所述的电连接线402与导电圈6采用焊接连接，所述的绝缘罩4前端还固设有若干数量的电连接插口403，所述的电连接插口403与绝缘罩4采用热熔连接，且所述的电连接插口403与电连接线402采用热熔连接；

需要说明的是避让腔401能够对导电圈6和电连接线402进行避让，同时也利于绝缘罩4内部进行散热，促进了电性稳定，电连接线402能够将导电圈6与电连接插口403对接，而电连接插口403能够与外部现有技术中的导线插口对接，实现了该基板芯片的通电对接使用；

所述的导电管5外壁上下两端还固设有限位挡圈501，所述的限位挡圈501与导电管5采用热熔连接，且所述的限位挡圈501与集成电路板9采用热熔连接；

需要说明的是限位挡圈501能够对集成电路板9进行限位和支撑，提高了集成电路板9与导电管5连接效果，增强了中间电性层1、散热隔层2和集成电路层3之间整体的相连牢固性；

所述的活性炭压缩框7和活性炭压缩网格8内部还设有若干数量的散热孔洞701，所述的散热孔洞701为通孔；

需要说明的是散热孔洞701便于活性炭压缩框7和活性炭压缩网格8内部的热量外溢，提高了中间电性层1、散热隔层2和集成电路层3之间区域的散热效果；

所述的集成电路板9内部还设有若干数量的安装孔901，所述的安装孔901为圆形通孔，且所述的安装孔901与导电管5采用紧配连接；

需要说明的是安装孔901能够对导电管5进行避让，便于集成电路板9扣入在若干数量的导电管5外侧，实现了集成电路层3与中间电性层1的巧妙安装。