技术特征：
1.一种电磁体，包括一个或多个通道，每个通道均具有设置于其中的导体元件，所述导体元件包括一层或多层超导体材料以用于沿着所述通道的轴线传导电流，所述导体元件被布置成通过相对于彼此倾斜的第一楔形表面和第二楔形表面接触所述通道的侧壁，使得在垂直于所述轴线的方向上偏压所述导体元件的力在所述楔形表面上产生相反的接触力，所述相反的接触力起作用以用垂直于所述力的分量沿着一方向压缩所述导体元件。2.根据权利要求1所述的电磁体，其中，每个导体元件均包括高温超导体(hts)带的一个或多个叠层，每个高温超导体带均包括沿着所述通道的轴线延伸的高温超导体材料层。3.根据权利要求2所述的电磁体，其中，所述高温超导体材料是rebco。4.根据权利要求2或3所述的电磁体，其中，每个导体元件均包括楔形构件，所述楔形构件设置在所述高温超导体带的叠层和所述通道的侧壁中的一个侧壁之间，所述第一楔形表面设置在所述楔形构件上。5.根据权利要求4所述的电磁体，其中，所述楔形构件固定到所述高温超导体带的叠层。6.根据权利要求4或5所述的电磁体，其中，所述楔形构件包括与所述叠层接触的表面，所述表面基本上垂直于所述高温超导体材料层。7.根据权利要求6所述的电磁体，其中，对于所述导体元件中的一个或多个导体元件，所述第一楔形表面和与所述叠层接触的所述表面之间的锐角大于1度，大于3度，或大于5度。8.根据权利要求7所述的电磁体，其中，每个导体元件均包括另一个楔形构件，所述另一个楔形构件附接到所述高温超导体带的一个或多个叠层，所述第二楔形表面设置在所述另一个楔形构件上。9.根据前述权利要求中任一项所述的电磁体，其中，所述导体元件的楔形表面中的每个楔形表面与所述通道的侧壁之间的静摩擦系数为0.1至0.3，或大于0.3，或大于0.4。10.根据前述权利要求中任一项所述的电磁体，其中，所述导体元件中的每个导体元件均是封装的。11.根据前述权利要求中任一项所述的电磁体，还包括支撑构件，所述通道设置于所述支撑构件中，所述支撑构件包括一个或多个通孔，所述通孔在具有平行于所述通道中的一个或多个通道的分量的方向上延伸。12.根据权利要求11所述的电磁体，其中，所述一个或多个孔位于所述通道的侧壁中的一个或多个侧壁附近。13.一种用于托卡马克等离子体室的环形场线圈的中心柱，所述中心柱包括多个根据前述权利要求中任一项所述的电磁体，所述通道围绕中心轴线间隔开，并且所述一层或多层超导体材料被布置成平行于所述中心轴线传导电流，其中，所述力是将所述导体元件朝所述中心轴线偏压的径向力。14.根据权利要求13所述的中心柱，其中，所述通道设置于单个支撑构件中。15.根据权利要求13或14所述的中心柱，包括一个或多个贯穿所述支撑构件或每个支撑构件的孔，每个孔均平行于所述中心轴线延伸。16.根据权利要求15所述的中心柱，其中，所述一个或多个孔位于所述导体元件的径向内边缘的径向外侧。
17.根据权利要求13至16中任一项所述的中心柱，其中，所述支撑构件或每个支撑构件均包括一个或多个可移除的角段，每个角段均包括所述多个通道中的一个或多个通道。18.一种用于托卡马克等离子体室的环形场线圈的中心柱，所述中心柱包括支撑构件，所述支撑构件具有围绕中心轴线间隔开的多个通道，每个通道均具有设置于其中的导体元件，所述导体元件包括一层或多层超导体材料以用于平行于所述中心轴线传导电流，所述导体元件被布置成通过相对于彼此倾斜的第一楔形表面和第二楔形表面接触所述通道的侧壁，使得将所述导体元件朝所述中心轴线偏压的径向力在所述楔形表面上产生相反的接触力，所述相反的接触力起作用以用垂直于所述径向力的分量沿着一方向压缩所述导体元件。19.一种用于托卡马克的环形场线圈，所述环形场线圈包括根据权利要求13至18中任一项所述的中心柱。20.一种托卡马克，包括根据权利要求19所述的环形场线圈。
技术总结
一种电磁体包括一个或多个通道。每个通道均具有设置于其中的导体元件，该导体元件包括一层或多层超导体材料以用于沿着通道的轴线传导电流。导体元件被布置成通过相对于彼此倾斜的第一楔形表面和第二楔形表面接触通道的侧壁，使得在垂直于所述轴线的方向上偏压导体元件的力在楔形表面上产生相反的接触力，该相反的接触力起作用以用垂直于所述力的分量沿着一方向压缩导体元件。着一方向压缩导体元件。着一方向压缩导体元件。
技术研发人员：托尼
受保护的技术使用者：托卡马克能量有限公司
技术研发日：2021.05.14
技术公布日：2023/1/13