技术特征：
1.一种在衬底上沉积经掺杂或未经掺杂的含硅膜的方法，该方法包括：(a)将所述衬底暴露于第一反应物，其中所述第一反应物为含硅反应物；(b)使至少所述第一反应物在第一等离子体中进行反应以形成经掺杂或未经掺杂的含硅材料，以及在所述衬底上沉积一部分的所述经掺杂或未经掺杂的含硅膜，所述经掺杂或未经掺杂的含硅膜具有第一杂质浓度；(c)在所述部分的所述经掺杂或未经掺杂的含硅膜的沉积完成之前，执行杂质减量操作，所述杂质减量操作包括：(i)从等离子体产生气体产生第二等离子体，其中所述等离子体产生气体包括惰性气体和氢(h2)，以及其中所述等离子体产生气体基本上无氧(o2)，以及(ii)将所述衬底暴露于所述第二等离子体，以将所述经掺杂或未经掺杂的含硅膜中的所述第一杂质浓度减小至第二杂质浓度；以及(d)将(a)与(b)或(c)中的至少一者重复进行，直到将所述经掺杂或未经掺杂的含硅膜沉积至最终厚度。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述杂质选自于由氟、碳、氢、氮及其组合所构成的群组。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二反应物为含氧反应物。4.根据权利要求1所述的方法，其还包括(e)将所述衬底暴露于第二反应物，其中使至少所述第一反应物进行反应包括：使所述第一反应物与所述第二反应物进行反应，以形成所述经掺杂或未经掺杂的含硅材料，其中将(a)与(b)或(c)的其中至少一者重复进行还包括重复进行(e)。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一反应物和所述第二反应物以暂时分隔的脉冲被引导至包括所述衬底的室。6.根据权利要求4所述的方法，其中所述第一反应物和所述第二反应物同时被引导至包括所述衬底的室。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述经掺杂或未经掺杂的含硅膜被沉积于在所述衬底的表面中所形成的凹陷特征中，所述方法还包括在所述经掺杂或未经掺杂的含硅膜完全填充所述凹陷特征之前，将所述衬底暴露于蚀刻化学品以对所述凹陷特征中的所述经掺杂或未经掺杂的含硅膜的顶部进行蚀刻。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述经掺杂或未经掺杂的含硅膜被沉积于在所述衬底的表面中所形成的凹陷特征中，所述方法还包括将所述衬底暴露于抑制化学品，以比起所述凹陷特征的底部和中间而选择性抑制所述凹陷特征的顶部附近的沉积。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述第二杂质浓度小于所述第一杂质浓度的1/10。10.一种在衬底上沉积经掺杂或未经掺杂的含硅膜的装置，该装置包括：处理室；输入口，其通向所述处理室以将反应物引导至所述处理室；等离子体产生器，其用于在所述处理室中产生等离子体；以及控制器，其被配置成致使本文所述的方法中的任一项进行。
技术总结
本文中的多种实施方案涉及沉积具有高纯度的经掺杂或未经掺杂的含硅膜的方法和装置。在一示例中，所述方法包括将衬底暴露于第一反应物和第二反应物；使所述第一和第二反应物彼此反应以形成含硅材料，以及在所述衬底上沉积一部分的含硅膜；在所述含硅膜完成之前执行杂质减量操作，执行所述杂质减量操作包括：(i)从包括惰性气体和氢的等离子体产生气体产生等离子体，其中所述等离子体产生气体基本上无氧，以及(ii)将衬底暴露于所述等离子体，从而减小含硅膜中的氟、碳、氢和/或氮浓度；以及重复进行这些操作(或其子集合)直到将含硅膜沉积至最终厚度。积至最终厚度。积至最终厚度。
技术研发人员：阿维尼什
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：2021.07.27
技术公布日：2023/3/3