技术特征：
1.一种陶瓷电子器件，包括：层叠芯片，其中多个电介质层中的每一层和多个内部电极层中的每一层交替地层叠，所述电介质层的主要成分是陶瓷，其中所述多个内部电极层包括ni、s和sn。2.根据权利要求1所述的陶瓷电子器件，其中相比于所述多个内部电极层中的每一层的中心部分，所述多个内部电极层在所述多个内部电极层与所述多个电介质层之间的界面附近的sn浓度和s浓度较高。3.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子器件，其中所述多个内部电极层中的每一层在其厚度方向上的中心部分包括ni层，所述ni层的主要成分是ni，并且其中所述多个内部电极层中的每一层在与所述ni层相比更靠所述多个电介质层中的每一层的一侧包括高浓度部分，相比于ni层，所述高浓度部分的s浓度和sn浓度较高。4.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子器件，其中所述多个内部电极层中的每一层在其厚度方向上的中心部分包括ni层，所述ni层的主要成分是ni，其中所述多个内部电极层中的每一层包括高s浓度部分和高sn浓度部分，其中比起所述ni层，所述高s浓度部分的s浓度较高，并且比起所述ni层，所述高s浓度部分更靠所述多个电介质层中的每一层，并且其中比起所述高s浓度部分，所述高sn浓度部分的sn浓度较高，并且比起所述高s浓度部分，所述高sn浓度部分更靠所述多个电介质层中的每一层。5.根据权利要求1或2所述的陶瓷电子器件，其中所述多个内部电极层中的每一层在其厚度方向上的中心部分包括ni层，所述ni层的主要成分是ni，其中所述多个内部电极层中的每一层包括高sn浓度部分和高s浓度部分，其中比起所述ni层，所述高sn浓度部分的sn浓度较高，并且比起所述ni层，所述高sn浓度部分更靠所述多个电介质层中的每一层，并且其中比起所述高sn浓度部分，所述高s浓度部分的s浓度较高，并且比起所述高sn浓度部分，所述高s浓度部分更靠所述多个电介质层中的每一层。6.根据权利要求1～5中任一项所述的陶瓷电子器件，其中所述多个内部电极层中的每一层的厚度为0.4μm以下。7.一种陶瓷电子器件的制造方法，包括：通过在多个电介质生片中的每一个上形成多个内部电极图案中的每一个，形成多个层叠单元，所述内部电极图案中的每一个是包括sn、s和ni的导电膏，所述多个电介质生片包括陶瓷材料粉末和有机粘合剂；通过层叠所述多个层叠单元，形成层叠结构；和烧制所述层叠结构。8.根据权利要求7所述的制造方法，其中相比于所述多个内部电极图案中的每一个的中心部分，所述多个内部电极图案中的每一个在所述多个内部电极图案与所述多个电介质生片之间的界面附近的sn浓度和s浓度较高。
9.根据权利要求7或8所述的制造方法，其中所述多个内部电极图案中的每一个在其厚度方向上的中心部分包括ni图案，所述ni图案的主要成分是ni，其中所述多个内部电极图案中的每一个包括高sn浓度部分和高s浓度部分，其中比起所述ni图案，所述高sn浓度部分的sn浓度较高，并且比起所述ni图案，所述高sn浓度部分更靠所述多个电介质生片中的每一个，并且其中比起所述高sn浓度部分，所述高s浓度部分的s浓度较高，并且比起所述高sn浓度部分，所述高s浓度部分更靠所述多个电介质生片中的每一个。10.根据权利要求7～9中任一项所述的制造方法，其中ni粉末中的氧(o)相对于ni的量为2质量％以上，其中s/sn的重量比为0.042以上且5.5以下，其中o/sn的重量比为40以下。11.一种粉末材料，包括：包括sn的ni粉末；和s源，其中所述ni粉末中的氧(o)相对于ni的量为2质量％以上，其中s/sn的重量比为0.042以上且5.5以下，并且其中o/sn的重量比为0.39以上且40以下。12.根据权利要求11所述的粉末材料，其中所述ni粉末中的所述氧是所述ni粉末的表面氧化物中的氧。13.根据权利要求11或12所述的粉末材料，其中s相对于ni的量为0.2质量％以上。14.根据权利要求11～13中任一项所述的粉末材料，其中所述ni粉末的平均粒径为0.01μm以上且0.2μm以下。15.一种膏剂材料，包括：包括sn的ni粉末；和s源，其中所述ni粉末中的氧(o)相对于ni的量为2质量％以上，其中s/sn的重量比为0.042以上且5.5以下，并且其中o/sn的重量比为0.39以上且40以下。16.根据权利要求15所述的膏剂材料，其中所述ni粉末中的所述氧是所述ni粉末的表面氧化物中的氧。17.根据权利要求15或16所述的膏剂材料，其中s相对于ni的量为0.2质量％以上。18.根据权利要求15～17中任一项所述的膏剂材料，其中所述ni粉末的平均粒径为0.01μm以上且0.2μm以下。19.一种陶瓷电子器件的制造方法，包括：通过在电介质生片中的每一个上形成内部电极图案中的每一个，形成多个层叠单元，所述内部电极图案中的每一个包括ni粉末和s源，所述ni粉末包括sn，所述电介质生片中的每一个包括陶瓷材料粉末和有机粘合剂；通过层叠所述多个层叠单元，形成层叠结构；和
烧制所述层叠结构，其中所述ni粉末中的氧(o)相对于ni的量为2质量％以上，其中s/sn的重量比为0.042以上且5.5以下，并且其中o/sn的重量比为0.39以上且40以下。20.根据权利要求19所述的制造方法，其中所述ni粉末中的所述氧是所述ni粉末的表面氧化物中的氧。
技术总结
一种陶瓷电子器件，包括层叠芯片，其中多个电介质层中的每一个的主要成分是陶瓷，并且多个内部电极层中的每一个交替地层叠。多个内部电极层包括Ni、S和Sn。S和Sn。S和Sn。
技术研发人员：水野高太郎
受保护的技术使用者：太阳诱电株式会社
技术研发日：2022.03.01
技术公布日：2022/9/19