技术特征：
1.一种半导体装置，其包括：半导体裸片，其具有界面表面；以及连接器，其从所述界面表面突出，所述连接器包含：外围壁，其位于所述界面表面上且具有沿着正交于所述界面表面的方向测量的壁高度，其中所述外围壁包含第一导电材料，以及焊料芯，其由所述外围壁包围且具有沿着正交于所述界面表面的所述方向测量的芯高度，所述芯高度大于所述壁高度。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述焊料芯包含锡、银、铅或其组合。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一导电材料包括铜或镍。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述连接器为多个此类连接器中的第一连接器。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述半导体裸片包含介电常数小于3.9的层间电介质。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述半导体裸片包含
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连接层，其配置成在所述半导体装置内路由电信号，凸块下金属化层ubm，其直接接触所述连接层的一部分，其中所述ubm配置成提供用于外部传送一或多个电信号的界面；且所述焊料芯直接接触所述ubm。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述外围壁的至少一部分直接位于所述ubm上方且接触所述ubm。8.根据权利要求6所述的半导体装置，其进一步包括：装置衬底，其附接到所述半导体裸片，所述装置衬底包含衬垫，其中内芯直接接触与所述ubm相对的所述衬垫。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述焊料芯突出超过所述外围壁的远离所述界面表面的远侧边缘。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述焊料芯的突出超过所述外围壁的所述远侧边缘的一部分具有圆顶形状。11.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述焊料芯的突出超过所述外围壁的所述远侧边缘的一部分悬垂于所述外围壁上。12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述外围壁具有大体上圆形的横截面形状，且限定由所述焊料芯填充的圆柱形内部空间。13.一种半导体封装，其包括：半导体裸片，其具有界面表面；一组连接器，其从所述界面表面突出，其中所述组连接器中的每一连接器包含：外围壁，其位于所述界面表面上且具有沿着正交于所述界面表面的方向测量的壁高度，其中所述外围壁包含第一导电材料，以及焊料芯，其由所述外围壁包围且具有沿着正交于所述界面表面的所述方向测量的芯高
度，所述芯高度大于所述壁高度；以及衬底，其具有附接到所述焊料芯的衬垫，其中所述衬底包含电耦合到所述半导体裸片中的电路的电路。14.根据权利要求13所述的半导体封装，其中所述外围壁在室温下是刚性的且非柔性的。15.根据权利要求14所述的半导体封装，其中所述壁高度对应于所述半导体裸片与所述衬底之间的间隔距离。16.根据权利要求14所述的半导体封装，其中所述外围壁包含铜、镍或其组合。17.根据权利要求13所述的半导体封装，其中：所述半导体裸片为第一裸片；且所述衬底为第二裸片。18.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：提供具有界面表面的半导体裸片；在所述界面表面上形成外围连接器壁，其中所述外围壁远离所述界面表面延伸壁高度；以及在所述外围连接器壁内形成焊料芯，且在所述外围连接器壁上方突出。19.根据权利要求18所述的方法，其进一步包括：基于回焊所述焊料芯而将半导体芯片连接到装置衬底。20.根据权利要求18所述的方法，其中所述外围连接器壁包括铜或镍。
技术总结
本公开涉及一种包含焊料芯连接器的设备及其制造方法。本文中公开了包含连续芯连接器的半导体装置以及相关联的系统和方法。所述连续芯连接器各自包含围绕内芯的外围壁，所述内芯配置成使用均匀材料提供电路径。芯配置成使用均匀材料提供电路径。芯配置成使用均匀材料提供电路径。
技术研发人员：杨博智 郭柏辰 王誌鸿
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2022.04.14
技术公布日：2022/10/21