加工基板的方法和用于加工基板的系统与流程

加工基板的方法和用于加工基板的系统
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年4月20日提交德国专利商标局的、申请号为102021 203 911.1的德国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本技术中。
技术领域
3.本发明涉及一种加工基板(例如晶圆)的方法，该基板具有第一侧、和与第一侧相反的第二侧。此外，本发明涉及一种用于执行该方法的系统。


背景技术：

4.基板(例如晶圆)的加工通常必须以高度的准确性、效率和可靠性来执行。例如，在例如用于生产半导体器件的器件制造工艺中，具有器件区域(device area)的基板(例如晶圆(wafer))被分割成单独的芯片(晶片，chip)或裸片(die)，该器件区域具有通常由多条分割线分隔的多个器件。该制造工艺通常包括：用于调整基板厚度的磨削步骤；以及沿分割线切割基板以获得单独的芯片或裸片的切割步骤。从基板的、与形成有器件区域的基板前侧相反的后侧执行磨削步骤。此外，也可以在基板的后侧上进行其他加工步骤，例如抛光和/或蚀刻。可以从基板的前侧或基板的后侧沿分割线切割基板。为了确保所得到的芯片或裸片的高质量，必须以精确和可靠的方式进行加工步骤。
5.当加工基板时，例如在分割(例如，切割)基板期间，可能会出现可能影响经分割基板的质量的缺陷，特别是对于将基板分割成芯片或裸片的情况亦如此。这些可能的缺陷可能包括：前侧碎裂(chipping)、后侧碎裂、形成于基板材料之上或之中的层的分层、裂纹、非直线切割线(曲折的)、毛刺、晶须、颗粒、污染物、裸片移位、裸片尺寸差异和未分开的裸片(即，彼此未完全分开的裸片)。对于需要满足关键质量标准的高端器件的情况来说，这个问题尤其明显。
6.为了解决上述问题，在一些传统的加工方法中，在加工之后检查基板的缺陷。这种缺陷检查(例如检测碎裂的尺寸是否在可接受的范围内)可以在所使用的加工设备的外部或内部执行。例如，安装在加工设备中的照相机可以用于此目的。
7.然而，传统方法仅允许识别基板的一侧上的缺陷。特别是，如果基板的前侧暴露，则只可能进行前侧检查，而如果基板的后侧暴露，则只可能进行后侧检查。因此，存在可能无法以高度的准确性和可靠性检测缺陷的问题，这对于例如高端器件的情况来说尤其重要。此外，在加工期间可能很难追踪何处以及何时出现缺陷。
8.因此，仍然需要一种有效的加工基板的方法、以及一种有效的基板加工系统，该方法与该基板加工系统允许基板中的缺陷被准确和可靠地识别出。


技术实现要素：

9.因此，本发明的目的在于提供一种有效的加工基板的方法，该方法允许基板中的缺陷被准确和可靠地识别出。此外，本发明目的在于提供一种用于执行该方法的基板加工
系统。这些目标通过具有权利要求1的技术特征的基板加工方法、以及通过具有权利要求16的技术特征的基板加工系统来实现。本发明的优选实施方案由从属权利要求产生。
10.本发明提供了一种加工基板的方法，该基板具有第一侧或表面、和与第一侧或表面相反的第二侧或表面。该方法包括：将保护膜附着到基板的第一侧；在将保护膜附着到基板的第一侧之后，从基板的第二侧加工基板；以及在从基板的第二侧加工基板之后，从基板的第二侧检查基板的第二侧的缺陷。此外，该方法包括：在检查基板的第二侧的缺陷之后，将支承膜(support film)附着到基板的第二侧；从基板的第一侧去除保护膜；以及在从基板的第一侧去除保护膜之后，从基板的第一侧检查基板的第一侧的缺陷。
11.在本发明的方法中，在加工之后，从两侧、即从基板的第一侧和从基板的第二侧检查基板的缺陷。因此，可以准确和可靠地识别出由加工引起的基板中的任何缺陷。此外，由于获得了基板的两侧的缺陷信息，因此可以更精确地确定所识别出的任何一个或多个缺陷的性质。这也提高了缺陷的可追溯性，从而能够更准确和可靠地评估在加工期间何处以及何时出现缺陷。
12.在已经从基板的第一侧去除保护膜之后，从基板的第一侧检查基板的第一侧的缺陷。以此方式，进一步提高了缺陷检查的准确性、可靠性和效率。特别是，当从基板的第一侧去除保护膜时，也可以去除在加工期间已经从基板分离但由于保护膜的存在仍留在基板上的任何微粒(例如碎裂物或碎片)。这样允许在去除保护膜之前检测基板中可能无法识别的缺陷。
13.因此，本发明提供了一种有效的加工基板的方法，该方法允许基板中的缺陷被准确和可靠地识别出。
14.基板的第一侧可以是基板的前侧或后侧。基板的第二侧可以是基板的前侧或后侧。
15.基板的第一侧或表面和基板的第二侧或表面可以基本上彼此平行。
16.待在检查基板的第一侧和第二侧时被识别的可能的缺陷包括：例如，前侧碎裂、后侧碎裂、形成于基板材料之上或之中的层的分层、裂纹、非直线切割线(曲折的)、毛刺、晶须、颗粒、污染物、裸片移位、裸片尺寸差异和未分开的裸片(即，彼此未完全分开的裸片或芯片)。
17.基板可以例如由半导体、玻璃、蓝宝石(al2o3)、陶瓷(例如氧化铝陶瓷)、石英、氧化锆、锆钛酸铅(lead zirconate titanate,pzt)、聚碳酸酯或光学晶体材料等制成。
18.具体地，基板可以例如由碳化硅(sic)、硅(si)、砷化镓(gaas)、氮化镓(gan)、磷化镓(gap)、砷化铟(inas)、磷化铟(inp)、氮化硅(sin)、钽酸锂(lt)、铌酸锂(ln)、氮化铝(aln)或氧化硅(sio2)等制成。
19.基板可以为单晶基板、玻璃基板、化合物基板(例如化合物半导体基板，例如sic、sin、gan或gaas基板)或多晶基板(例如陶瓷基板)。
20.基板可以是晶圆。例如，基板可以是半导体尺寸的晶圆。在本文中，术语“半导体尺寸的晶圆”是指具有半导体晶圆的尺寸(标准化尺寸)、特别是直径(标准化直径)、即外径的晶圆。半导体晶圆的尺寸、特别是直径、即外径在semi标准中定义。例如，经抛光的单晶硅(si)晶圆的尺寸在semi标准m1和m76中定义。该半导体尺寸的晶圆可以是3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸或18英寸晶圆。
21.基板可以是半导体晶圆。例如，基板可以由上面给出的半导体材料中的任一种制成。
22.基板(例如晶圆)可以由单一材料或者不同材料(例如，上述材料中的两种或更多种)的组合制成。例如，基板可以是si与玻璃结合的晶圆，其中由si制成的晶圆元件结合到由玻璃制成的晶圆元件。
23.金属层或金属涂层可以存在于基板的第一侧或第二侧上，特别是存在于基板的整个第一侧或整个第二侧上。金属层或金属涂层可以存在于基板的后侧上，特别是存在于基板的整个后侧上。
24.基板可以具有任意类型的形状。在基板的俯视图中，基板可以具有例如圆形、卵形、椭圆形或多边形(例如矩形或正方形)。
25.本发明的方法还可以包括：在从基板的第一侧去除保护膜之前，穿过(through)保护膜检查基板的第一侧的缺陷。在这种情况下，该方法包括从基板的第一侧检查基板的第一侧的缺陷的两个步骤，一个步骤在从基板的第一侧去除保护膜之前，一个步骤在从基板的第一侧去除保护膜之后。因此，可以进一步提高缺陷检测的准确性和可靠性。特别地，这两个检查步骤的组合允许更精确地确定所识别出的任何一个或多个缺陷的性质。
26.在从基板的第一侧去除保护膜之前，穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷还能够在从基板的第二侧加工基板之后直接检查基板的第一侧。因此，精确地保持了基板的位置，特别是通过分割基板而获得的分离元件的位置。例如，通过从基板的第一侧去除保护膜，可能不会发生基板的或通过分割基板获得的分离元件的移位或移动，因为该保护膜去除步骤是在该方法的后续阶段执行的。此外，可以最小化或甚至消除在后续加工和/或处理步骤中保护膜的任何特性变化(例如保护膜的收缩或松动)对检查过程的影响。此外，下文将详细描述的获得和/或关联位置信息的一个或多个步骤可以以特别准确和可靠的方式进行。
27.此外，通过在从基板的第一侧去除保护膜之前，穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷，可以以特别安全和可靠的方式检查基板的第一侧。特别是，在该检查过程期间，保护膜安全地保护基板的第一侧免受污染，例如灰尘或碎屑的污染。
28.例如，可以通过辐射(例如可见光)而穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷，该辐射透射穿过保护膜，即保护膜对于该辐射是透明的。例如，可以为此目的使用照相机。
29.可以在将支承膜附着到基板的第二侧之前，执行穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷。可以在将支承膜附着到基板的第二侧之后，执行穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷。
30.基板可以在第一侧上具有器件区域，该器件区域具有多个器件。基板的第一侧可以是基板的前侧。
31.器件区域中的器件可以是例如半导体器件、功率器件、光学器件、医疗器件、电子组件、微电子机械系统(micro-electromechanical system,mems)器件或它们的组合。器件可以包括或者可以是例如晶体管，例如金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,mosfet)、或绝缘栅双极型晶体管(insulated-gate bipolar transistor,igbt)、或二极管(例如肖特基势垒二极管(schottky barrier diodes))。
32.基板还可以例如在第一侧上具有外周边缘区域(peripheral marginal area)，该
外周边缘区域不具有器件并且形成在器件区域周围。
33.例如，如果基板是硅通孔(through silicon via,tsv)晶圆，则基板可以在第二侧上具有图案化区域，该图案化区域例如包括器件(例如上文描述的那些器件)和/或电互连。基板的第二侧可以是基板的后侧。
34.该方法还可以包括：如果通过从基板的第二侧检查基板的第二侧的缺陷而识别出一个或多个缺陷，则确定所识别出的一个或多个缺陷的一个或多个位置，从而获得第一位置信息。第一位置信息是指定基板的第二侧上各缺陷的位置的信息。各缺陷的位置可以在基板的坐标系中定义，例如，相对于形成在基板上的分割线和/或器件、和/或相对于基板的其他一个或多个元件(要素，element)定义。基板的一个或多个元件可以是或包括基板的基准标记、基板的对准标记、基板的边缘、基板的凹口(例如晶圆凹口)、基板的定向平面(orientation flat)和基板的中心中的一者或多者。各缺陷的位置可以相对于支承基板的支承装置(例如卡盘台)的一个元件(例如中心)或多个元件、和/或相对于一个或多个密封环、和/或相对于一个或多个保护环定义。
35.当从基板的第二侧检查基板的第二侧的缺陷时，可以获得以下信息：一个或多个缺陷距基板的一个或多个元件的一个或多个距离，所述元件例如是基板的基准标记、基板的对准标记、基板的边缘、基板的凹口(例如晶圆凹口)、基板的定向平面和/或基板的中心；和/或一个或多个缺陷距支承基板的支承装置(例如，卡盘台)的一个元件(例如中心)或多个元件的一个或多个距离；和/或一个或多个缺陷的一个或多个尺寸；和/或一个或多个缺陷距一个或多个密封环的一个或多个距离；和/或一个或多个缺陷距一个或多个保护环的一个或多个距离。该信息可以用于或用作第一位置信息。
36.该方法还可以包括：如果在从基板的第一侧去除保护膜之后、通过从基板的第一侧检查基板的第一侧的缺陷而识别出一个或多个缺陷，则确定所识别出的一个或多个缺陷的一个或多个位置，从而获得第二位置信息。第二位置信息是指定基板的第一侧上的各缺陷的位置的信息。各缺陷的位置可以在基板的坐标系中定义，例如，相对于形成在基板上的分割线和/或器件、和/或相对于基板的其他一个或多个元件定义。基板的一个或多个元件可以是或包括基板的基准标记、基板的对准标记、基板的边缘、基板的凹口(例如晶圆凹口)、基板的定向平面和基板的中心中的一者或多者。各缺陷的位置可以相对于支承基板的支承装置(例如卡盘台)的一个元件(例如中心)或多个元件、和/或相对于一个或多个密封环、和/或相对于一个或多个保护环定义。
37.当在从基板的第一侧去除保护膜之后，从基板的第一侧检查基板的第一侧的缺陷时，可以获得以下信息：一个或多个缺陷距基板的一个或多个元件的一个或多个距离，所述元件例如是基板的基准标记、基板的对准标记、基板的边缘、基板的凹口(例如晶圆凹口)、基板的定向平面和/或基板的中心；和/或一个或多个缺陷距支承基板的支承装置(例如，卡盘台)的一个元件(例如中心)或多个元件的一个或多个距离；和/或一个或多个缺陷的一个或多个尺寸；和/或一个或多个缺陷距一个或多个密封环的一个或多个距离；和/或一个或多个缺陷距一个或多个保护环的一个或多个距离。该信息可以用于或用作第二位置信息。
38.第一位置信息和/或第二位置信息允许缺陷的特别好的可追溯性，从而能够更准确和更可靠地评估在加工期间何处以及何时出现缺陷。例如，第一位置信息和/或第二位置信息可以用在例如进一步加工、处理和/或运输步骤中。特别地，如果在从基板的第二侧加
工基板的步骤中或在后续步骤中，将基板分割成多个分离元件(例如芯片或裸片)，则可以通过依靠第一位置信息和/或第二位置信息，特别是通过依靠第一位置信息和第二位置信息，可靠地分离出有缺陷的元件(例如，有缺陷的芯片或裸片)。由于基板的第二侧和第一侧上的各缺陷的位置分别在第一位置信息和第二位置信息中指定，因此可以以特别准确和有效的方式识别和追踪这些有缺陷的元件(例如，有缺陷的芯片或裸片)。第一位置信息和/或第二位置信息可以与关于基板的特定部分或区域(例如，形成器件或电互连等的部分或区域)的位置的信息相关联。特别地，第一位置信息和/或第二位置信息可以与关于基板中的通过分割基板而获得的各元件的位置的信息相关联。以此方式，可以特别可靠地识别和追踪有缺陷的元件。基板的各特定部分或区域的位置，特别是基板中的通过分割基板而获得的各元件的位置，可以在基板的坐标系中定义，例如，相对于形成在基板上的分割线和/或器件、和/或相对于基板的其他一个或多个元件定义。基板的一个或多个元件可以是或包括基板的基准标记、基板的对准标记、基板的边缘、基板的凹口(例如晶圆凹口)、基板的定向平面和基板的中心中的一者或多者。基板的各特定部分或区域的位置，特别是通过分割基板而获得的各元件的位置，可以相对于支承基板的支承装置(例如，卡盘台)的一个元件(例如中心)或多个元件、和/或相对于一个或多个密封环、和/或相对于一个或多个保护环定义。
39.因此，可以通过检查基板而不是单独检查各元件来识别和追踪有缺陷的元件，从而进一步提高了该方法的效率。
40.可以通过数据加工设备(例如，使用软件)、数据通信设置、和/或为此目的配置的控制功能，执行确定基板的第一侧和第二侧上的各缺陷的位置、以及在后续加工、处理和/或运输步骤中使用第一位置信息和/或第二位置信息。特别地，这种设备可以用于识别和/或追踪有缺陷的元件(例如有缺陷的芯片或裸片)。
41.如果该方法包括在从基板的第一侧去除保护膜之前，穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷的步骤，则该方法还可以包括：如果通过穿过保护膜检查基板的第一侧而识别出一个或多个缺陷，则确定所识别出的一个或多个缺陷的一个或多个位置，从而获得第三位置信息。第三位置信息是指定基板的第一侧上的各缺陷的位置的信息。各缺陷的位置可以在基板的坐标系中定义，例如，相对于形成在基板上的分割线和/或器件、和/或相对于基板的其他一个或多个元件定义。基板的一个或多个元件可以是或包括基板的基准标记、基板的对准标记、基板的边缘、基板的凹口(例如晶圆凹口)、基板的定向平面和基板的中心中的一者或多者。各缺陷的位置可以相对于支承基板的支承装置(例如卡盘台)的一个元件(例如中心)或多个元件、和/或相对于一个或多个密封环、和/或相对于一个或多个保护环定义。
42.当从基板的第一侧去除保护膜之前，穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷时，可以获得以下信息：一个或多个缺陷距基板的一个或多个元件的一个或多个距离，所述元件例如是基板的基准标记、基板的对准标记、基板的边缘、基板的凹口(例如晶圆凹口)、基板的定向平面和/或基板的中心；和/或一个或多个缺陷距支承基板的支承装置(例如，卡盘台)的一个元件(例如中心)或多个元件的一个或多个距离；和/或一个或多个缺陷的一个或多个尺寸；和/或一个或多个缺陷距一个或多个密封环的一个或多个距离；和/或一个或多个缺陷距一个或多个保护环的一个或多个距离。该信息可以用于或用作第三位置信息。
43.例如，第二位置信息与第三位置信息之间的比较允许更精确地确定所识别出的任何一个或多个缺陷的性质。
44.此外，第三位置信息可以用在例如进一步加工、处理和/或运输步骤中，特别是用于识别和追踪有缺陷的元件。
45.该方法还可以包括：将第一位置信息与第二位置信息相关联。
46.通过将第一位置信息与第二位置信息相关联，可以以更高的精确度确定任何所识别出的一个或多个缺陷的性质。此外，可以进一步提高识别和追踪基板的有缺陷的部分(特别是有缺陷的元件)的效率和可靠性。例如，第一位置信息与第二位置信息可以相互关联、并且与关于基板各部分(例如，通过分割基板而获得的各元件)在基板中的位置的信息相关联。
47.该方法可以包括：将第一位置信息与第二位置信息和/或与第三位置信息相关联。
48.将第一位置信息与第二位置信息和/或与第三位置信息相关联可以由数据加工设备(例如上文描述的数据加工设备)来执行。
49.在本发明的方法中，可以使用检查装置从基板的第二侧检查基板的第二侧的缺陷。检查装置还可以用于从基板的第一侧检查基板的第一侧的缺陷。在这种情况下，单一检查装置用于检查基板的第一侧和第二侧。以此方式，本方法可以以简单且成本有效的方式执行。
50.检查装置还可以用于穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷。在这种情况下，单一检查装置用于所有三个检查步骤，从而使该方法更加简单和有效。
51.检查装置可以布置在加工设备或加工装置之上或之中，该加工设备或加工装置用于从基板的第二侧加工基板。检查装置可以形成该加工设备或加工装置的一部分。在这种情况下，该方法可以以特别有效的方式执行。
52.替代地，检查装置可以布置在加工设备或加工装置之外。例如，检查装置可以布置在分离的检查设备(例如光学检查设备)中。
53.检查装置可以是例如照相机，例如用于光学检查的显微照相机。
54.替代地，可以将第一检查装置用于从基板的第二侧检查基板的第二侧的缺陷，并且可以将不同的第二检查装置用于从基板的第一侧检查基板的第一侧的缺陷。可以将第二检查装置或不同的第三检查装置用于穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷。
55.第一检查装置至第三检查装置中的一者、两者或全部可以布置在加工设备或加工装置之上或之中，该加工设备或加工装置用于从基板的第二侧加工基板。第一检查装置至第三检查装置中的一者、两者或全部可以形成该加工设备或加工装置的一部分。
56.第一检查装置至第三检查装置中的一者、两者或全部可以布置在加工设备或加工装置之外。例如，第一检查装置至第三检查装置中的一者、两者或全部可以布置在分离的检查设备(例如光学检查设备)中。第一检查装置至第三检查装置中的全部可以布置在相同的分离的检查设备中。第一检查装置至第三检查装置中的每一个可以布置在不同的分离的检查设备中。
57.第一检查装置可以是例如照相机，例如用于光学检查的显微照相机。第二检查装置可以是例如照相机，例如用于光学检查的显微照相机。第三检查装置可以是例如照相机，例如用于光学检查的显微照相机。
58.支承膜可以由单一材料、特别是单一均匀材料制成。支承膜可以是例如片材或箔。
59.支承膜可以由塑料材料(例如聚合物)制成。例如，支承膜可以由聚烯烃(例如聚乙烯(polyethylene,pe)、聚丙烯(polypropylene,pp)或聚丁烯(polybutylene,pb))制成。
60.支承膜可以具有5μm至500μm、优选5μm至200μm、更优选8μm至100μm、甚至更优选10μm至80μm、再甚至更优选12μm至50μm范围内的厚度。特别优选地，支承膜具有80μm至250μm范围内的厚度。
61.支承膜可以具有任意类型的形状。在支承膜的俯视图中，支承膜可以具有例如圆形、卵形、椭圆形或多边形(例如矩形或正方形)。
62.支承膜可以用粘合剂附着到基板的第二侧。粘合剂可以存在于与基板的第二侧接触的支承膜的整个前表面上。例如，支承膜可以是uv固化性粘合带。
63.替代地，支承膜可以附着到基板的第二侧，使得支承膜的前表面的至少中心区域与基板的第二侧直接接触，使得支承膜的前表面的至少中心区域与基板的第二侧之间不存在粘合剂。
64.通过将支承膜附着到基板的第二侧，使得支承膜的前表面的至少中心区域与基板的第二侧直接接触，可以显著减少或甚至消除可能污染或损坏基板的风险，例如由于基板上的粘合剂层或粘合剂残留物的粘合力造成的可能污染或损坏基板的风险。
65.支承膜可以附着到基板的第二侧，使得在支承膜的前表面与基板的第二侧接触的整个区域中，支承膜的前表面与基板的第二侧直接接触。因此，在支承膜的前表面与基板的第二侧之间不存在材料，特别是不存在粘合剂。
66.以此方式，可以可靠地消除可能污染或损坏基板的风险，例如由于基板上的粘合剂层或粘合剂残留物的粘合力造成的可能污染或损坏基板的风险。
67.支承膜的整个前表面可以没有粘合剂。
68.粘合剂(例如，粘合剂层)可以仅设置在支承膜的前表面的外周区域中。支承膜的前表面的外周区域可以布置为围绕支承膜的前表面的中心区域。
69.支承膜的前表面可以附着到基板的第二侧，使得粘合剂层仅与基板的第二侧的外周部分接触。基板的第二侧的外周部分可以是或对应于基板的外周边缘区域。
70.通过使用这样的粘合剂层，可以进一步改善支承膜到基板的附着。此外，由于粘合剂层仅设置在支承膜的前表面的外周区域中，因此与粘合剂层设置在支承膜的整个前表面上的情况相比，支承膜与基板通过粘合剂层彼此附着的区域显著减少。因此，支承膜可以更容易地从基板分离，并且大大降低了损坏基板的风险。
71.将支承膜附着到基板的第二侧可以由向支承膜施用外部刺激组成、或包括向支承膜施用外部刺激。通过施用外部刺激，在支承膜与基板之间生成附着力，该附着力将支承膜保持于支承膜在基板上的位置。因此，不需要额外的粘合剂材料来将支承膜附着到基板的第二侧。
72.特别地，通过向支承膜施用外部刺激，可以在支承膜与基板之间形成形状配合(例如正配合(positive fit))和/或材料结合(例如粘合剂结合)。术语“材料结合”和“粘合剂结合”定义了由于在这两个组件之间作用的原子力和/或分子力而形成的支承膜与基板之间的附着或连接。
73.术语“粘合剂结合”涉及这些原子力和/或分子力的存在，这些力作用是将支承膜
附着或粘附到基板，但不暗示在支承膜与基板之间存在额外的粘合剂。而是，在上文详细描述的实施方案中，支承膜的前表面的至少中心区域与基板的第二侧直接接触。
74.向支承膜施用外部刺激可以包括以下或由以下组成：加热支承膜，和/或冷却支承膜，和/或向支承膜施用真空，和/或用辐射(例如光)、例如通过使用激光束来照射支承膜。
75.外部刺激可以包括或者是化合物和/或电子或等离子体照射、和/或机械处理(例如压力、摩擦或超声施用)、和/或静电。
76.缓冲层(cushioning layer)可以附着到支承膜的与支承膜的前表面相反的后表面。缓冲层的前表面可以附着到支承膜的后表面。
77.如果突起(protrusion)、凸出(projection)、凹部(recess)和/或沟槽(trench)(例如表面不平整或粗糙、凸块、光学元件(例如，光学透镜))或其他结构等从基板的第二侧沿基板的厚度方向突出、延伸或凸出，则该方法特别有利。在这种情况下，突起或凸出定义了相应的基板侧的表面结构或形貌，从而使该侧不平坦。如果缓冲层附着到支承膜的后表面，则突起和/或凹部可以嵌入缓冲层中。通过将突起嵌入缓冲层中，可靠地保护突起(例如光学元件或其他结构)免受任何损伤。
78.缓冲层的材料不受特别限制。特别地，缓冲层可以由允许沿基板的厚度方向突出的突起嵌入缓冲层中的任何类型的材料形成。例如，缓冲层可以由树脂、粘合剂或凝胶等形成。
79.缓冲层可以通过外部刺激(例如uv辐射、热、电场和/或化学试剂)为固化性的。在这种情况下，当向缓冲层施用外部刺激时，缓冲层至少在某种程度上硬化。例如，缓冲层可由可固化树脂、可固化粘合剂或可固化凝胶等形成。
80.缓冲层可以配置为在其固化之后呈现出一定程度的可压缩性、弹性和/或柔性，即，在固化之后为可压缩的、弹性的和/或柔性的。例如，缓冲层可使得其通过固化而进入橡胶状状态。替代地，缓冲层可以配置为在固化之后达到刚性、坚硬的状态。
81.在本发明的方法中用作缓冲层的uv固化性树脂的优选实施例是disco公司的resiflat、以及denka的temploc。
82.该方法还可以包括：向缓冲层施用外部刺激以固化缓冲层。
83.缓冲层可以具有10μm至300μm、优选20μm至250μm、且更优选50μm至200μm的范围内的厚度。
84.基片(base sheet)可以附着到缓冲层的与其前表面相反的后表面，缓冲层的前表面附着到支承膜。
85.基片的材料不受特别限制。基片可以由软质或韧性材料制成，该软质或韧性材料例如是聚合物材料，例如聚氯乙烯(polyvinyl chloride，pvc)、乙烯醋酸乙烯酯(ethylene vinyl acetate，eva)或聚烯烃。
86.替代地，基片可以由刚性或硬质材料制成，该刚性或硬质材料例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、和/或硅、和/或玻璃、和/或不锈钢(sus)。
87.例如，如果基片由聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)或玻璃制成、并且缓冲层通过外部刺激为固化性的，则可利用可透射穿过聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)或玻璃的辐射(例如，uv辐射)来使缓冲层固化。如果基片由硅或不锈钢(sus)制成，则提供具有成本效益的基片。
88.而且，基片可以由以上列出的材料的组合形成。
89.基片可以具有30μm至1500μm、优选40μm至1200μm、且更优选50μm至1000μm范围内的厚度。
90.保护膜配置为保护基板的第一侧，特别是在从基板的第二侧加工基板期间保护基板的第一侧。
91.保护膜可以由单一材料、特别是单一均匀材料制成。保护膜可以是例如片材或箔。
92.保护膜可以由塑料材料(例如聚合物)制成。例如，保护膜可以由聚烯烃(例如聚乙烯(pe)、聚丙烯(pp)或聚丁烯(pb))制成。
93.保护膜可以具有5μm至500μm、优选5μm至200μm、更优选8μm至100μm、甚至更优选10μm至80μm、且再甚至更优选12μm至50μm范围内的厚度。特别优选地，保护膜具有80μm至150μm范围内的厚度。
94.保护膜可以具有任意类型的形状。在保护膜的俯视图中，保护膜可以具有例如圆形、卵形、椭圆形或多边形(例如矩形或正方形)。
95.保护膜可以通过粘合剂附着到基板的第一侧。粘合剂可以存在于与基板的第一侧接触的保护膜的整个前表面上。例如，保护膜可以是uv固化性粘合带。
96.替代地，保护膜可以附着到基板的第一侧，使得保护膜的前表面的至少中心区域与基板的第一侧直接接触，从而在保护膜的前表面的至少中心区域与基板的第一侧之间不存在粘合剂。
97.通过将保护膜附着到基板的第一侧使得保护膜的前表面的至少中心区域与基板的第一侧直接接触，可以显著减少或甚至消除可能污染或损坏基板的风险，例如由于基板上的粘合剂层或粘合剂残留物的粘合力造成的可能污染或损坏基板的风险。
98.保护膜可以附着到基板的第一侧，使得在保护膜的前表面与基板的第一侧接触的整个区域中，保护膜的前表面与基板的第一侧直接接触。因此，在保护膜的前表面与基板的第一侧之间不存在材料，特别是不存在粘合剂。
99.以此方式，可以可靠地消除可能污染或损坏基板的风险，例如由于基板上的粘合剂层或粘合剂残留物的粘合力造成的可能污染或损坏基板的风险。
100.保护膜的整个前表面可以没有粘合剂。
101.将保护膜附着到基板的第一侧使得保护膜的前表面的至少中心区域与基板的第一侧直接接触进一步便于穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷的步骤。特别地，由于保护膜的前表面的至少中心区域与基板的第一侧之间不存在粘合剂，因此可以以特别有效和可靠的方式执行该检查。例如，如果通过透射穿过保护膜的辐射(例如可见光)穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷，则该辐射至少在保护膜的前表面的中心区域中不会被粘合剂层反射、吸收或散射。
102.粘合剂(例如，粘合剂层)可以仅设置在保护膜的前表面的外周区域中。保护膜的前表面的外周区域可以布置为围绕保护膜的前表面的中心区域。
103.保护膜的前表面可以附着到基板的第一侧，使得粘合剂层仅与基板的第一侧的外周部分接触。基板的第一侧的外周部分可以是或对应于基板的外周边缘区域。
104.通过使用这样的粘合剂层，可以进一步改善保护膜到基板的附着。此外，由于粘合剂层仅设置在保护膜的前表面的外周区域，因此与粘合剂层设置在保护膜的整个前表面上的情况相比，保护膜与基板通过粘合剂层彼此附着的区域显著减少。因此，保护膜可以更容
易地从基板分离，并且大大降低了损坏基板的风险。
105.将保护膜附着到基板的第一侧可以由向保护膜施用外部刺激组成、或包括向保护膜施用外部刺激。通过施用外部刺激，在保护膜与基板之间生成附着力，该附着力将保护膜保持于保护膜在基板上的位置。因此，不需要额外的粘合剂材料来将保护膜附着到基板的第一侧。
106.特别地，通过向保护膜施用外部刺激，可以在保护膜与基板之间形成形状配合(例如正配合(positive fit))和/或材料结合(例如粘合剂结合)。
107.向保护膜施用外部刺激可以包括以下或由以下组成：加热保护膜，和/或冷却保护膜，和/或向保护膜施用真空，和/或用辐射(例如光)、例如通过使用激光束来照射保护膜。
108.外部刺激可以包括或者是化合物和/或电子或等离子体照射、和/或机械处理(例如压力、摩擦或超声施用)、和/或静电。
109.缓冲层可以附着到保护膜的与保护膜的前表面相反的后表面。缓冲层的前表面可以附着到保护膜的后表面。缓冲层可以具有上文描述的性能、特征和特性。
110.特别地，缓冲层可以通过外部刺激(例如uv辐射、热、电场和/或化学试剂)为固化性的。该方法还可以包括：向缓冲层施用外部刺激以固化缓冲层。
111.基片可以附着到缓冲层的与缓冲层的前表面相反的后表面，缓冲层的前表面附着到保护膜。基片可以具有上文描述的性能、特征和特性。
112.从基板的第二侧加工基板可以由以下组成或包括以下：从基板的第二侧将基板分割成多个分离元件。分离元件可以是例如芯片或裸片。
113.在这种情况下，该方法可以包括：在将保护膜附着到基板的第一侧之后，从基板的第二侧将基板分割成多个分离元件；在将基板分割成多个分离元件之后，从经分割基板的第二侧检查经分割基板的第二侧的缺陷；以及在检查经分割基板的第二侧的缺陷之后，将支承膜附着到经分割基板的第二侧。此外，该方法可以包括：从经分割基板的第一侧去除保护膜；以及在从经分割基板的第一侧去除保护膜之后，从经分割基板的第一侧检查经分割基板的第一侧的缺陷。
114.使用本发明的方法，可以通过检查基板(即，经分割基板)、而不是单独检查各元件来有效和可靠地识别和追踪有缺陷的元件(例如有缺陷的芯片或裸片)。
115.从基板的第二侧加工基板可以由沿基板的厚度方向切割基板组成、或包括沿基板的厚度方向切割基板。厚度方向从基板的第二侧朝向基板的第一侧延伸。
116.将基板分割成多个分离元件可以由沿基板的厚度方向切割基板组成、或包括沿基板的厚度方向切割基板。
117.可以沿基板的整个厚度切割基板、以便完全分割基板，或者仅沿基板的厚度的一部分切割基板。
118.可以在基板的第一侧和/或第二侧上形成一条或多条分割线。如果基板在基板的第一侧上和/或在第二侧上具有器件区域，该器件区域具有多个器件，则可以通过一个或多个分割线来分隔器件。优选地，器件区域和一条或多条分割线形成在基板的第一侧上。
119.从基板的第二侧加工基板可以由沿一条或多条分割线切割基板组成、或包括沿一条或多条分割线切割基板。
120.将基板分割成多个分离元件可以由沿一条或多条分割线切割基板组成、或包括沿
一条或多条分割线切割基板。
121.沿基板的厚度方向切割基板可以由以下组成或包括以下：机械切割基板；和/或激光切割基板；和/或等离子体切割基板。例如，可以通过刀片切割(blade dicing)或锯切(sawing)来机械切割基板。
122.可以在单个机械切割步骤、单个激光切割步骤或单个等离子体切割步骤中切割基板。替代地，可以通过一系列机械切割和/或激光切割和/或等离子体切割步骤来切割基板。
123.如果器件区域与一条或多条分割线形成在基板的第一侧上，并且例如通过机械切割(例如刀片切割或锯切)、或者通过激光切割，从基板的第一侧沿一条或多条分割线切割基板，则器件区域中的器件的质量可能会受到切割工艺的影响。这尤其适用于沿基板的整个厚度而不是仅沿基板厚度的一部分切割基板的情况。例如，可能发生例如前侧和/或后侧碎裂、器件区域的污染、以及所得芯片或裸片的裸片强度的退化等问题。如果器件区域和一条或多条分割线形成在基板的第一侧上而不是在基板的第二侧上，则可以通过从基板的第二侧沿一条或多条分割线切割基板来可靠地避免这些问题。任选地，金属层或金属涂层可以存在于基板的第二侧上，特别是存在于基板的整个第二侧上。
124.激光切割可以例如通过烧蚀激光切割和/或通过隐形激光切割来执行，即通过如下文将进一步详述的通过施用激光束在基板内形成改性区(modified region)、和/或通过施用激光束在基板中形成多个孔区域来执行。这些孔区域中的每一个可以由改性区和在改性区中的向基板表面开放的空间组成。
125.在隐形激光切割工艺中，向基板施用激光束，该激光束具有允许激光束透射穿过基板的波长。因此，基板由对激光束透明的材料制成。激光束至少在多个位置被施用到基板，以便在基板中(例如在大部分基板的内部或里面)形成多个改性区。特别地，激光束可以至少在沿至少一条分割线的多个位置被施用到基板，以便沿至少一条分割线在基板中形成多个改性区。
126.激光束可以是脉冲激光束。脉冲激光束可以具有例如在1fs至1000ns范围内的脉冲宽度。
127.改性区是已通过施用激光束而被改性的基板区域。改性区可以是其中基板材料的结构已被改性的基板区域。改性区可以是其中基板已被损坏的基板区域。改性区可以包括非晶区域或形成裂纹的区域，或者可以是非晶区域或形成裂纹的区域。
128.通过形成这些改性区，降低了基板在形成改性区的区域中的强度。因此，极大地便于已形成多个改性区的基板(例如沿至少一条分割线)的分割。
129.例如，如果基板中的裂纹从改性区延伸到基板的第一侧和第二侧，则基板可以在隐形激光切割工艺中被完全分割。如果基板在隐形激光切割工艺中没有被完全分割，则该方法还可以包括：将基板完全分割，例如通过向基板施用外力将基板完全分割。例如，可以通过使支承膜径向膨胀，即通过使用支承膜作为膨胀带(例如，借助膨胀鼓)，向基板施用外力。替代地，可以通过使支承膜膨胀，例如使用膨胀棒，向基板施用外力。例如，de 10 2018 207498a1中描述的膨胀装备可以用于使支承膜膨胀。另外，在这种情况下，支承膜也可以用作膨胀带。在使支承膜膨胀之前，可以执行额外的断裂步骤以便沿形成改性区的区域使基板断裂。
130.如果基板在隐形激光切割工艺中已被完全分割，则可以使支承膜膨胀，例如径向
膨胀，以便增加相邻分离元件(例如芯片或裸片)之间的距离。以此方式，可以显著地降低在后续步骤中从支承膜拾取这些元件时损坏这些元件的风险。
131.在将保护膜附着到基板的第一侧之前，可以从第一侧沿基板的厚度的一部分切割基板。以此方式，可以在基板待被分割的区域中去除形成在第一侧上的一个或多个层，例如低k层或金属层。例如，可以沿一条或多条分割线、沿基板的厚度的一部分切割基板。可以通过机械切割(例如使用刀片或锯)和/或通过激光切割或激光开槽，沿基板的厚度的一部分切割基板。
132.在将保护膜附着到基板的第一侧之前或之后，可以从基板的第一侧在基板上执行隐形激光切割工艺。例如，可以沿一条或多条分割线执行隐形激光切割工艺。从基板的第一侧在基板上执行隐形激光切割工艺对于窄分割线(例如具有20μm或更小的宽度的分割线)的情况而言特别有利。
133.如果在将保护膜附着到基板的第一侧之后，执行隐形激光切割工艺，则激光束穿过保护膜施用到基板。在这种情况下，激光束的波长被选择为使得激光束透射穿过保护膜，即使得保护膜对激光束是透明的。
134.本发明的方法还可以包括：在从基板的第一侧检查基板(特别是经分割基板)的第一侧的缺陷之后，从支承膜拾取分离元件，即通过分割基板而获得的分离元件。分离元件可以是例如芯片或裸片。各分离元件，特别是各芯片或裸片，可以包括形成在器件区域(如果存在)中的器件中的一个或多个器件。
135.因此，在已经从基板的第一侧检查了基板的第一侧的缺陷之后，从支承膜拾取分离元件。因此，可以通过检查基板、特别是通过依赖于关于基板中各元件的位置的信息，而不是通过单独检查各元件来识别和追踪有缺陷的元件。因此，可以以特别高度的效率执行该方法。
136.通过从基板(特别是经分割基板)的第一侧去除保护膜，也可以去除在加工(特别是分割)期间从基板分离但由于保护膜的存在而仍留在基板上的微粒(例如碎裂物或碎片)。特别是，例如由于保护膜上存在粘合剂或由于微粒与保护膜之间的材料结合，这些微粒可能会粘附到保护膜，使得微粒与保护膜一起从基板去除。
137.在从基板的第一侧去除保护膜之后，从支承膜拾取分离元件。因此，当分离元件被拾取时，存在于分离元件上的微粒的量大大减少。分离元件甚至可以基本上不含这些微粒。因此，获得了具有高质量的分离元件，并且可以使分离元件的进一步加工、处理和/或运输更有效得多。例如，分离元件(例如芯片或裸片)可以在它们从支承膜被拾取之后直接投入使用，例如，组装到半导体封装器件中或结合到电子设备中。
138.从基板的第二侧加工基板可以由以下组成或者包括以下：减薄基板以减小基板的厚度。可以在从基板的第二侧将基板分割成多个分离元件之前和/或之后执行基板的减薄。
139.减薄基板可以由以下组成或包括以下：从基板的第二侧研磨基板、和/或从基板的第二侧抛光基板、和/或从基板的第二侧蚀刻基板。
140.本发明还提供了一种用于加工基板的系统，该基板具有第一侧、和与第一侧相反的第二侧。该系统包括：附着装置，所述附着装置配置为将保护膜附着到基板的第一侧；加工装置，所述加工装置配置为在将保护膜附着到基板的第一侧之后，从基板的第二侧加工基板；以及检查装置，所述检查装置配置为在从基板的第二侧加工基板之后，从基板的第二
侧检查基板的第二侧的缺陷。该系统还包括：附着装置，所述附着装置配置为在检查基板的第二侧的缺陷之后，将支承膜附着到基板的第二侧；保护膜去除装置，所述保护膜去除装置配置为从基板的第一侧去除保护膜；以及检查装置，所述检查装置配置为在从基板的第一侧去除保护膜之后，从基板的第一侧检查基板的第一侧的缺陷。
141.本发明的基板加工系统是配置为执行本发明的基板加工方法的系统。因此，基板加工系统提供了上文针对基板加工方法已经详细描述的技术效果和优点。
142.上文针对本发明的基板加工方法描述的特征也适用于本发明的基板加工系统。
143.特别地，基板、保护膜和支承膜可以与上文描述的相同。如上文已经描述的，保护膜和/或支承膜可以具有缓冲层、或附着到保护膜和/或支承膜的缓冲层和基片。
144.基板加工系统可以包括用于控制系统，特别是用于控制系统的组件的控制器。该控制器可以包括多个控制单元，例如用于控制系统的不同组件的控制单元。控制单元可以是分离的或单独的控制单元。
145.控制器可以配置为控制基板加工系统，以便执行本发明的基板加工方法。
146.控制器可以配置为控制附着装置，以便将保护膜附着到基板的第一侧。控制器可以配置为控制加工装置，以便在将保护膜附着到基板的第一侧之后，从基板的第二侧加工基板。控制器可以配置为控制检查装置，以便在从基板的第二侧加工基板之后，从基板的第二侧检查基板的第二侧的缺陷。控制器可以配置为控制附着装置，以便在检查基板的第二侧的缺陷之后，将支承膜附着到基板的第二侧。控制器可以配置为控制保护膜去除装置，以便从基板的第一侧去除保护膜。控制器可以配置为控制检查装置，以便在从基板的第一侧去除保护膜之后，从基板的第一侧检查基板的第一侧的缺陷。
147.本发明的基板加工系统可以由单个装备或机器组成、或包括单个装备或机器。替代地，本发明的基板加工系统可以由多个装备或机器(例如，多个分离的或单独的装备或机器)组成、或包括多个装备或机器(例如，多个分离的或单独的装备或机器)。这些装备或机器可以被布置(例如，彼此连接)，以便形成直列系统。这些装备或机器中的一个、一些或全部可以配置为执行本发明的基板加工方法的一个步骤或多个步骤。
148.基板加工系统还可以包括位置确定装置，该位置确定装置配置为：如果通过从基板的第二侧检查基板的第二侧的缺陷而识别出一个或多个缺陷，则确定所识别的一个或多个缺陷的一个或多个位置，从而获得第一位置信息。控制器可以配置为控制位置确定装置，以便如果通过从基板的第二侧检查基板的第二侧的缺陷而识别出一个或多个缺陷，则确定所识别的一个或多个缺陷的一个或多个位置，从而获得第一位置信息。第一位置信息是指定基板的第二侧上各缺陷的位置的信息。各缺陷的位置可以在基板的坐标系中定义，例如，相对于形成在基板上的分割线和/或器件、和/或相对于基板的其他一个或多个元件定义。基板的一个或多个元件可以是或包括基板的基准标记、基板的对准标记、基板的边缘、基板的凹口(例如晶圆凹口)、基板的定向平面和基板的中心中的一者或多者。各缺陷的位置可以相对于支承基板的支承装置(例如卡盘台)的一个元件(例如中心)或多个元件、和/或相对于一个或多个密封环、和/或相对于一个或多个保护环定义。
149.第一位置信息可以由以下信息组成或包括以下信息：一个或多个缺陷距基板的一个或多个元件的一个或多个距离，所述元件例如是基板的基准标记、基板的对准标记、基板的边缘、基板的凹口(例如晶圆凹口)、基板的定向平面和/或基板的中心；和/或一个或多个
缺陷距支承基板的支承装置(例如，卡盘台)的一个元件(例如中心)或多个元件的一个或多个距离；和/或一个或多个缺陷的一个或多个尺寸；和/或一个或多个缺陷距一个或多个密封环的一个或多个距离；和/或一个或多个缺陷距一个或多个保护环的一个或多个距离。
150.位置确定装置可以由数据加工设备组成或包括数据加工设备，该数据加工设备例如具有软件、数据通信设置和/或控制功能。
151.基板加工系统还可以包括位置确定装置，该位置确定装置配置为如果在从基板的第一侧去除保护膜之后、通过从基板的第一侧检查基板的第一侧的缺陷而识别出一个或多个缺陷，则确定所识别出的一个或多个缺陷的一个或多个位置，从而获得第二位置信息。控制器可以配置为控制位置确定装置，以便如果在从基板的第一侧去除保护膜之后、通过从基板的第一侧检查基板的第一侧的缺陷而识别出一个或多个缺陷，则确定所识别出的一个或多个缺陷的一个或多个位置，从而获得第二位置信息。第二位置信息是指定基板的第一侧上的各缺陷的位置的信息。各缺陷的位置可以在基板的坐标系中定义，例如，相对于形成在基板上的分割线和/或器件、和/或相对于基板的其他一个或多个元件定义。基板的一个或多个元件可以是或包括基板的基准标记、基板的对准标记、基板的边缘、基板的凹口(例如晶圆凹口)、基板的定向平面和基板的中心中的一者或多者。各缺陷的位置可以相对于支承基板的支承装置(例如卡盘台)的一个元件(例如中心)或多个元件、和/或相对于一个或多个密封环、和/或相对于一个或多个保护环定义。
152.第二位置信息可以由以下信息组成或包括以下信息：一个或多个缺陷距基板的一个或多个元件的一个或多个距离，所述元件例如是基板的基准标记、基板的对准标记、基板的边缘、基板的凹口(例如晶圆凹口)、基板的定向平面和/或基板的中心；和/或一个或多个缺陷距支承基板的支承装置(例如，卡盘台)的一个元件(例如中心)或多个元件的一个或多个距离；和/或一个或多个缺陷的一个或多个尺寸；和/或一个或多个缺陷距一个或多个密封环的一个或多个距离；和/或一个或多个缺陷距一个或多个保护环的一个或多个距离。
153.位置确定装置可以由数据加工设备组成或包括数据加工设备，该数据加工设备例如具有软件、数据通信设置和/或控制功能。
154.配置为确定基板的第二侧上的一个或多个缺陷的一个或多个位置的位置确定装置和配置为确定基板的第一侧上的一个或多个缺陷的一个或多个位置的位置确定装置可以是相同的单一位置确定装置。替代地，可以使用第一位置确定装置来确定基板的第二侧上的一个或多个缺陷的一个或多个位置，并且可以使用不同的第二位置确定装置来确定基板的第一侧上的一个或多个缺陷的一个或多个位置。第一位置确定装置可以由数据加工设备组成或包括数据加工设备，该数据加工设备例如具有软件、数据通信设置和/或控制功能。第二位置确定装置可以由数据加工设备组成或包括数据加工设备，该数据加工设备例如具有软件、数据通信设置和/或控制功能。
155.控制器可以配置为将第一位置信息和/或第二位置信息与关于基板的特定部分或区域(例如，形成器件或电互连等的部分或区域)的位置的信息相关联。特别地，控制器可以配置为将第一位置信息和/或第二位置信息与关于待通过在基板中分割基板而获得的各元件的位置的信息相关联。
156.基板加工系统还可以包括检查装置，该检查装置配置为在从基板的第一侧去除保护膜之前，穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷。控制器可以配置为控制检查装置，以便在
从基板的第一侧去除保护膜之前，穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷。
157.检查装置可以配置为在将支承膜附着到基板的第二侧之前，穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷。检查装置可以配置为在将支承膜附着到基板的第二侧之后，穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷。
158.控制器可以配置为控制检查装置，以便在将支承膜附着到基板的第二侧之前，穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷。控制器可以配置为控制检查装置，以便在将支承膜附着到基板的第二侧之后，穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷。
159.基板加工系统还可以包括位置确定装置，该位置确定装置配置为如果通过穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷而识别出一个或多个缺陷，则确定所识别出的一个或多个缺陷的一个或多个位置，从而获得第三位置信息。控制器可以配置为控制位置确定装置，以便如果通过穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷而识别出一个或多个缺陷，则确定所识别出的一个或多个缺陷的一个或多个位置，从而获得第三位置信息。第三位置信息是指定基板第一侧上的各缺陷的位置的信息。各缺陷的位置可以在基板的坐标系中定义，例如，相对于形成在基板上的分割线和/或器件、和/或相对于基板的其他一个或多个元件定义。基板的一个或多个元件可以是或包括基板的基准标记、基板的对准标记、基板的边缘、基板的凹口(例如晶圆凹口)、基板的定向平面和基板的中心中的一者或多者。各缺陷的位置可以相对于支承基板的支承装置(例如卡盘台)的一个元件(例如中心)或多个元件、和/或相对于一个或多个密封环、和/或相对于一个或多个保护环定义。
160.第三位置信息可以由以下信息组成或包括以下信息：一个或多个缺陷距基板的一个或多个元件的一个或多个距离，所述元件例如是基板的基准标记、基板的对准标记、基板的边缘、基板的凹口(例如晶圆凹口)、基板的定向平面和/或基板的中心；和/或一个或多个缺陷距支承基板的支承装置(例如，卡盘台)的一个元件(例如中心)或多个元件的一个或多个距离；和/或一个或多个缺陷的一个或多个尺寸；和/或一个或多个缺陷距一个或多个密封环的一个或多个距离；和/或一个或多个缺陷距一个或多个保护环的一个或多个距离。
161.位置确定装置可以由数据加工设备组成或包括数据加工设备，该数据加工设备例如具有软件、数据通信设置和/或控制功能。
162.配置为穿过保护膜确定基板的第一侧上所识别出的一个或多个缺陷的一个或多个位置的位置确定装置可以是与配置为确定基板的第二侧上的一个或多个缺陷的一个或多个位置的位置确定装置、和/或配置为在从基板的第一侧去除保护膜之后确定基板的第一侧上的一个或多个缺陷的一个或多个位置的的位置确定装置相同的单一位置确定装置。替代地，可以使用不同的第三位置确定装置来穿过保护膜确定在基板的第一侧上所识别出的一个或多个缺陷的一个或多个位置。第三位置确定装置可以由数据加工设备组成或包括数据加工设备，该数据加工设备例如具有软件、数据通信设置和/或控制功能。
163.控制器可以配置为将第一位置信息与第二位置信息相关联。控制器可以配置为将第一位置信息与第二位置信息和/或与第三位置信息相关联。
164.配置为检查基板的第二侧的检查装置和配置为在从基板的第一侧去除保护膜之后检查基板的第一侧的检查装置可以是相同的单一检查装置。配置为在从基板的第一侧去除保护膜之前穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷的检查装置可以是与配置为检查基板的第二侧的检查装置和/或配置为在从基板的第一侧去除保护膜之后检查基板的第一侧的
检查装置相同的单一检查装置。
165.检查装置可以布置在配置为从基板的第二侧加工基板的加工装置之上或之中。检查装置可以形成加工装置的一部分。
166.替代地，检查装置可以布置在加工装置之外。例如，检查装置可以布置在单独的检查设备(例如光学检查设备)中。
167.检查装置可以是例如照相机，例如用于光学检查的显微照相机。
168.替代地，可以使用第一检查装置从基板的第二侧检查基板的第二侧的缺陷，并且在从基板的第一侧去除保护膜之后，可以使用不同的第二检查装置从基板的第一侧检查基板的第一侧的缺陷。可以将第二检查装置或不同的第三检查装置用于穿过保护膜检查基板的第一侧的缺陷。
169.第一检查装置至第三检查装置中的一个、两个或全部可以布置在配置为从基板的第二侧加工基板的加工装置之上或之中。第一检查装置至第三检查装置中的一个、两个或全部可以形成加工装置的一部分。
170.第一检查装置至第三检查装置中的一个、两个或全部可以布置在加工装置之外。例如，第一检查装置至第三检查装置中的一个、两个或全部可以布置在单独的检查设备(例如光学检查设备)中。第一检查装置至第三检查装置中的全部可以布置在相同的单独的检查设备中。第一检查装置至第三检查装置中的每一个可以布置在不同的单独的检查设备中。
171.第一检查装置可以是例如照相机，例如用于光学检查的显微照相机。第二检查装置可以是例如照相机，例如用于光学检查的显微照相机。第三检查装置可以是例如照相机，例如用于光学检查的显微照相机。
172.附着装置可以配置为将支承膜附着到基板的第二侧，使得支承膜的前表面的至少中心区域与基板的第二侧直接接触，从而在支承膜的前表面的至少中心区域与基板的第二侧之间不存在粘合剂。控制器可以配置为控制附着装置，以便将支承膜附着到基板的第二侧，使得支承膜的前表面的至少中心区域与基板的第二侧直接接触，从而在支承膜的前表面的至少中心区域与基板的第二侧之间不存在粘合剂。
173.附着装置可以配置为将支承膜附着到基板的第二侧，使得在支承膜的前表面与基板的第二侧接触的整个区域中，支承膜的前表面与基板的第二侧直接接触。控制器可以配置为控制附着装置，以便将支承膜附着到基板的第二侧，使得在支承膜的前表面与基板的第二侧接触的整个区域中，支承膜的前表面与基板的第二侧直接接触。
174.粘合剂(例如，粘合剂层)可以仅设置在支承膜的前表面的外周区域中。支承膜的前表面的外周区域可以布置为围绕支承膜的前表面的中心区域。
175.附着装置可以配置为将支承膜的前表面附着到基板的第二侧，使得粘合剂层仅与基板的第二侧的外周部分接触。控制器可以配置为控制附着装置，以便将支承膜的前表面附着到基板的第二侧，使得粘合剂层仅与基板的第二侧的外周部分接触。基板的第二侧的外周部分可以是或对应于基板的外周边缘区域。
176.基板加工系统、特别是附着装置，可以包括外部刺激施用装置，该外部刺激施用装置配置为向支承膜施用外部刺激。控制器可以配置为控制外部刺激施用装置，以便向支承膜施用外部刺激。通过施用外部刺激，在支承膜与基板之间生成附着力，该附着力将支承膜
保持在支承膜在基板上的位置。外部刺激可以如上所述。
177.外部刺激施用装置可以由以下组成或包括以下：加热装置，该加热装置配置为加热支承膜；和/或冷却装置，该冷却装置配置为冷却支承膜；和/或真空施用装置，该真空施用装置配置为向支承膜施用真空；和/或照射装置，该照射装置配置为用辐射(例如光)、例如通过使用激光束来照射支承膜。
178.附着装置可以配置为将保护膜附着到基板的第一侧，使得保护膜的前表面的至少中心区域与基板的第一侧直接接触，从而在保护膜的前表面的至少中心区域与基板的第一侧之间不存在粘合剂。控制器可以配置为控制附着装置，以便将保护膜附着到基板的第一侧，使得保护膜的前表面的至少中心区域与基板的第一侧直接接触，从而在保护膜的前表面的至少中心区域与基板的第一侧之间不存在粘合剂。
179.附着装置可以配置为将保护膜附着到基板的第一侧，使得在保护膜的前表面与基板的第一侧接触的整个区域中，保护膜的前表面与基板的第一侧直接接触。控制器可以配置为控制附着装置，以便将保护膜附着到基板的第一侧，使得在保护膜的前表面与基板的第一侧接触的整个区域中，保护膜的前表面与基板的第一侧直接接触。
180.粘合剂(例如，粘合剂层)可以仅设置在保护膜的前表面的外周区域中。保护膜的前表面的周边区域可以布置为围绕保护膜的前表面的中心区域。
181.附着装置可以配置为将保护膜的前表面附着到基板的第一侧，使得粘合剂层仅与基板的第一侧的外周部分接触。控制器可以配置为控制附着装置，以便将保护膜的前表面附着到基板的第一侧，使得粘合剂层仅与基板的第一侧的外周部分接触。基板的第一侧的外周部分可以是或对应于基板的外周边缘区域。
182.基板加工系统、特别是附着装置，可以包括外部刺激施用装置，该外部刺激施用装置配置为向保护膜施用外部刺激。控制器可以配置为控制外部刺激施用装置，以便向保护膜施用外部刺激。通过施用外部刺激，在保护膜与基板之间生成附着力，该附着力将保护膜保持在保护膜在基板上的位置。外部刺激可以如上所述。
183.外部刺激施用装置可以由以下组成或包括以下：加热装置，该加热装置配置为加热保护膜；和/或冷却装置，该冷却装置配置为冷却保护膜；和/或真空施用装置，该真空施用装置配置为向保护膜施用真空；和/或照射装置，该照射装置配置为用辐射(例如光)、例如通过使用激光束来照射保护膜。
184.配置为将保护膜附着到基板的第一侧的附着装置和配置为将支承膜附着到基板的第二侧的附着装置可以是相同的单一附着装置。替代地，可以使用第一附着装置将保护膜附着到基板的第一侧，并且可以使用不同的第二附着装置将支承膜附着到基板的第二侧。
185.配置为将保护膜附着到基板的第一侧的附着装置可以不同于配置为从基板的第一侧去除保护膜的保护膜去除装置。
186.配置为将支承膜附着到基板的第二侧的附着装置和配置为从基板的第一侧去除保护膜的保护膜去除装置可以是相同的单一装置。在这种情况下，使用相同的单一装置将支承膜附着到基板的第二侧、并从基板的第一侧去除保护膜。例如，该相同的单一装置可以由贴装机(mounter)与剥离机(peeler)系统组成、或包括贴装机与剥离机系统。
187.配置为向支承膜施用外部刺激的外部刺激施用装置和配置为向保护膜施用外部
刺激的外部刺激施用装置可以是相同的单一外部刺激施用装置。替代地，可以使用第一外部刺激施用装置向支承膜施用外部刺激，并且可以使用不同的第二外部刺激施用装置向保护膜施用外部刺激。
188.加工装置可以由分割装置组成或包括分割装置，该分割装置配置为从基板的第二侧将基板分割成多个分离元件。控制器可以配置为控制分割装置，以便从基板的第二侧将基板分割成多个分离元件。分离元件可以如上所述。
189.加工装置、特别是分割装置，可以由切割装置组成或包括切割装置，该切割装置配置为沿基板的厚度方向切割基板。控制器可以配置为控制切割装置，以便沿基板的厚度方向切割基板。控制器可以配置为控制切割装置，以便沿基板的整个厚度切割基板、从而将基板完全分割，或仅沿基板的厚度的一部分切割基板。
190.切割装置可以由以下组成或包括以下：机械切割装置；和/或激光切割装置；和/或等离子体切割装置。例如，机械切割装置可以由刀片或锯组成、或包括刀片或锯。
191.激光切割装置可以配置为执行激光切割，例如，通过烧蚀激光切割和/或通过隐形激光切割，即如上文已详述的通过施用激光束而在基板内形成改性区；和/或通过施用激光束而在基板中形成多个孔区域。例如，激光切割装置可以是隐形激光切割装置。
192.激光切割装置可以配置为发射脉冲激光束。脉冲激光束可以具有例如在1fs至1000ns范围内的脉冲宽度。
193.基板加工系统还可以包括外力施用装置，该外力施用装置配置为向基板施用外力。控制器可以配置为控制外力施用装置以向基板施用外力。外力施用装置可以由膨胀装置组成、或包括膨胀装置，该膨胀装置配置为使支承膜膨胀(例如，径向膨胀)。控制器可以配置为控制膨胀装置，以便使支承膜膨胀。
194.基板加工系统还可以包括断裂装置，该断裂装置配置为使基板断裂，特别是沿基板的形成改性区的区域使基板断裂。控制器可以配置为控制断裂装置，以便使基板断裂。
195.基板加工系统还可以包括拾取装置，该拾取装置配置为在从基板的第一侧检查基板的第一侧的缺陷之后，从支承膜拾取分离元件。控制器可以配置为控制拾取装置，以便在从基板的第一侧检查基板的第一侧的缺陷之后，从支承膜拾取分离元件。
196.基板加工系统还可以包括基板减薄装置，该基板减薄装置配置为将基板减薄以减小基板的厚度。控制器可以配置为控制基板减薄装置以将基板减薄。基板减薄装置可以配置为在从基板的第二侧将基板分割成多个分离元件之前和/或之后将基板减薄。控制器可以配置为控制基板减薄装置，以便在从基板的第二侧将基板分割成多个分离元件之前和/或之后将基板减薄。
197.基板减薄装置可以由以下组成或包括以下：研磨装置，该研磨装置配置为从基板的第二侧研磨基板；和/或抛光装置，该抛光装置配置为从基板的第二侧抛光基板；和/或蚀刻装置，该蚀刻装置配置为从基板的第二侧蚀刻基板。
附图说明
198.在下文中，参照附图解释本发明的非限制性实施例，在附图中：
199.图1为示出了作为待通过本发明的方法加工的基板的晶圆的立体图；
200.图2为示出了在根据本发明的第一实施方案的方法中将保护膜附着到晶圆的第一
侧的步骤的横截面图；
201.图3为示出了在根据第一实施方案的方法中从晶圆的第二侧加工晶圆的步骤的横截面图；
202.图4为示出了在根据第一实施方案的方法中从晶圆的第二侧检查晶圆的第二侧的缺陷的步骤的横截面图；
203.图5为示出了在根据第一实施方案的方法中切割保护膜的步骤的横截面图；
204.图6为示出了在根据第一实施方案的方法中将支承膜附着到晶圆的第二侧的步骤的横截面图；
205.图7为示出了在根据第一实施方案的方法中穿过保护膜检查晶圆的第一侧的缺陷的步骤的横截面图；
206.图8为示出了在根据第一实施方案的修改的方法中，穿过保护膜并穿过透明的卡盘台检查晶圆的第一侧的缺陷的步骤的横截面图；
207.图9为示出了在根据第一实施方案的方法中从晶圆的第一侧去除保护膜的步骤的横截面图；
208.图10为示出了在根据第一实施方案的方法中从晶圆的第一侧检查晶圆的第一侧的缺陷的步骤的横截面图；
209.图11为示出了在根据本发明的第二实施方案的方法中从晶圆的第一侧在晶圆上执行隐形激光切割工艺的步骤的横截面图；
210.图12为示出了在根据本发明的第三实施方案的方法中从晶圆的第一侧穿过保护膜在晶圆上执行隐形激光切割工艺的步骤的横截面图；
211.图13为示出了在根据本发明的第四实施方案的方法中从晶圆的第二侧在晶圆上执行刀片切割工艺的步骤的横截面图；
212.图14为示出了在根据第四实施方案的方法中从晶圆的第二侧检查晶圆的第二侧的缺陷的步骤的横截面图；
213.图15为示出了在根据第四实施方案的方法中将支承膜附着到晶圆的第二侧的步骤的横截面图；
214.图16为示出了在根据第四实施方案的方法中从晶圆的第一侧穿过保护膜在晶圆上执行隐形激光切割工艺的步骤的横截面图；以及
215.图17为示出了在根据第四实施方案的方法中通过使支承膜径向膨胀而向晶圆施用外力的步骤的横截面图。
具体实施方式
216.现将参照附图描述本发明的优选实施方案。优选实施方案涉及加工基板的方法，并且涉及用于执行这些方法的基板加工系统。
217.在第一实施方案至第四实施方案中，在作为基板的晶圆2(见图1)上执行本发明的加工方法。晶圆2可以是例如mems晶圆，该mems晶圆具有在其第一侧4(即，前侧)的表面上形成的mems器件。然而，晶圆2不限于mems晶圆，而是也可以是具有在其第一侧4上形成的cmos器件(优选作为固态成像器件)的cmos晶圆、或者在第一侧4上具有其他类型器件的晶圆。
218.晶圆2可以由半导体(例如，硅(si))制成。这种硅晶圆2可以包括在硅基板上的诸
如ic(集成电路)和lsi(大规模集成电路)的器件。替代地，晶圆2可以是通过在例如陶瓷、玻璃或蓝宝石的无机材料基板上形成例如led(发光二极管)的光学器件而配置的光学器件晶圆。晶圆2不限于此，并且可以以任何其他方式形成。此外，上述示例性晶圆设计的组合也是可以的。
219.晶圆2可以具有微米(μm)范围内的厚度，优选30μm至1000μm范围内的厚度。
220.晶圆2优选呈现出圆形形状。然而，晶圆2的形状不受特别限制。在其他实施方案中，晶圆2可以具有例如卵形、椭圆形或多边形(例如矩形或正方形)。
221.晶圆2设置有形成在其第一侧4上的多条交叉分割线6(见图1)(也称为划片道(street))，从而将晶圆2分隔成分别形成器件8(例如之前描述的那些器件)的多个矩形区域。这些器件8形成在晶圆2的器件区域10中。在圆形晶圆2的情况下，该器件区域10优选为基本圆形的、并且与晶圆2的外圆周同心布置。
222.如在图1中示意性示出的，器件区域10被环形外周边缘区域12包围。在该外周边缘区域12中，没有形成器件。外周边缘区域12优选地与器件区域10和/或晶圆2的外圆周同心布置。外周边缘区域12的径向延伸可以在毫米(mm)范围内、并且优选在1mm至3mm的范围内。
223.晶圆2还具有与第一侧4相反的第二侧14，即后侧(见图1)。
224.在下文中，将参照图1至图10描述本发明的第一实施方案。
225.如在图2中示出的，保护膜16附着到晶圆2的第一侧4。保护膜16覆盖形成在器件区域10中的器件8，并由此保护器件8免受例如污染和损坏。任选地，在将保护膜16附着到晶圆2的第一侧4之前，可以从第一侧4沿晶圆2的厚度的一部分，特别是沿分割线6切割晶圆2。晶圆2的厚度是第一侧4与第二侧14之间的距离。以此方式，如果在第一侧4上形成一个或多个层，例如低k层或金属层，则可以在晶圆2(特别是沿分割线6)待被分割的区域中去除该一个或多个层。例如，可以通过机械切割(例如使用刀片或锯)、和/或通过激光切割或激光开槽，沿晶圆2的厚度的一部分切割晶圆2。
226.保护膜16可以由塑料材料(例如聚合物)制成。例如，保护膜16可以由聚烯烃(例如聚乙烯(pe)、聚丙烯(pp)或聚丁烯(pb))制成。保护膜16可以具有5μm至500μm、优选5μm至200μm、更优选8μm至100μm、甚至更优选10μm至80μm、且再甚至更优选12μm至50μm范围内的厚度。在本实施方案中，保护膜16在其俯视图中具有基本圆形的形状，并且其具有的直径大于晶圆2的直径。
227.保护膜16可以用粘合剂附着到晶圆2的第一侧4。粘合剂可以存在于与晶圆2的第一侧4接触的保护膜16的整个前表面18上。例如，保护膜16可以是uv固化性粘合带。替代地，保护膜16可以附着到晶圆2的第一侧4，使得保护膜16的前表面18的至少中心区域与晶圆2的第一侧4直接接触，从而在保护膜16的前表面18的至少中心区域与晶圆2的第一侧4之间不存在粘合剂。保护膜16可以附着到晶圆2的第一侧4，使得在保护膜16的前表面18与晶圆2的第一侧4接触的整个区域中，保护膜16的前表面18与晶圆2的第一侧4直接接触。保护膜16的整个前表面18可以没有粘合剂。
228.粘合剂(例如，粘合剂层)可以仅设置在保护膜16的前表面18的外周区域中，如上文已经详述的。保护膜16的前表面18的外周区域可以布置为包围保护膜16的前表面18的中心区域。
229.保护膜16的外周部分附着到环形框架20，使得保护膜16封闭环形框架20的中心开
口，即环形框架20的内径内的区域。环形框架20便于保护膜16的处理，特别是在将保护膜16附着到晶圆2的第一侧4的过程中保护膜16的处理。
230.保护膜16通过第一附着装置附着到晶圆2的第一侧4，该第一附着装置包括卡盘台22和环形框架保持器24。晶圆2由卡盘台22支承，并且附着有保护膜16的环形框架20由环形框架保持器24保持，使得可以将保护膜16可靠和准确地附着到晶圆2的第一侧4。例如，第一附着装置可以是带层压机或带贴装机。真空室、压辊、压膜、压片或压块、或这些元件的组合可用于向保护膜16施用压力，从而将保护膜16压靠在晶圆2的第一侧4上。第一附着装置形成根据本实施方案的基板加工系统的一部分。
231.将保护膜16附着到晶圆2的第一侧4可以包括向保护膜施用外部刺激16，如上文已经详述的。为此目的，第一附着装置还可以包括外部刺激施用装置，例如加热装置、冷却装置、真空施用装置和/或照射装置。
232.在将保护膜16附着到晶圆2的第一侧4之后，从晶圆2的第二侧14加工晶圆2，如图3中所示。在本实施方案中，从第二侧14加工晶圆2由以下组成或包括以下：在晶圆2的整个厚度上沿分割线6切割晶圆2。因此，晶圆2在切割过程中被完全分割，从而获得芯片或裸片26形式的多个分离元件。各芯片或裸片26包括形成在器件区域10中的器件8之一。
233.晶圆2通过切割装置28沿分割线6被分割(见图3)。在本实施方案中，切割装置28是配置为机械切割晶圆2的切割刀片。切割装置28形成根据本实施方案的基板加工系统的一部分。
234.替代地，如上文已经详述的，晶圆2可以通过激光切割和/或等离子体切割沿分割线6被切割。此外，可以应用一系列机械切割步骤和/或激光切割步骤和/或等离子体切割步骤。
235.在将晶圆2分割成多个芯片或裸片26之后，从经分割晶圆2的第二侧14检查经分割晶圆2的第二侧14的缺陷，如图4所示。待在检查经分割晶圆2的第二侧14时被识别的可能的缺陷包括：例如，后侧碎裂、形成于晶圆材料之上或之中的层的分层、裂纹、非直线切割线(曲折的)、毛刺、晶须、颗粒、污染物、裸片移位(即芯片或裸片26的不期望的移动)、和裸片尺寸差异(例如，由不期望的倾斜切割、或因切割刀片磨损造成的切割宽度变化而导致的裸片尺寸差异)。该检查步骤允许经分割晶圆2中源自切割过程的缺陷被识别。
236.通过第一检查装置30(见图4)、特别是照相机(例如用于光学检查的显微照相机)，从第二侧14检查经分割晶圆2的第二侧14的缺陷。第一检查装置30形成根据本实施方案的基板加工系统的一部分。
237.如果通过检查晶圆2的第二侧14而识别出一个或多个缺陷，则确定所识别出的一个或多个缺陷的一个或多个位置，从而获得第一位置信息。根据本实施方案的基板加工系统可以包括配置为执行该步骤的位置确定装置。第一位置信息是指定经分割晶圆2的第二侧14上的各缺陷的位置的信息。各缺陷的位置可以在晶圆2的坐标系中定义，例如，相对于分割线6和/或器件8定义。
238.如上文已详述的，第一位置信息可以与关于经分割晶圆2中各芯片或裸片26的位置的信息相关联，从而允许以特别准确和有效的方式识别和追踪有缺陷的芯片或裸片26，而无需分别地检查各芯片或裸片26。根据本实施方案的基板加工系统可以包括配置为执行该步骤的控制器。晶圆2中各芯片或裸片26的位置可以在晶圆2的坐标系中定义，例如，相对
于分割线6和/或器件8定义。
239.本实施方案的方法还包括在从经分割晶圆2的第二侧14检查经分割晶圆2的第二侧14的缺陷之后切割保护膜16的任选步骤，如图5所示。保护膜16沿经分割晶圆2的外圆周以圆形方式被切割，如图5中的弯箭头所示。针对该切割步骤使用膜切割装置32(例如切割刀片)。膜切割装置32形成根据本实施方案的基板加工系统的一部分。在切割过程期间，晶圆2由第一附着装置的卡盘台22支承，并且环形框架20由第一附着装置的环形框架保持器24保持。经切割的保护膜16例如在图6和图7中示出。
240.通过以此方式切割保护膜16，减小了保护膜16的直径，使得保护膜16具有与晶圆2基本相同的直径，从而便于保护膜16与晶圆2的组合的进一步处理。
241.在切割保护膜16之后，将支承膜34附着到经分割晶圆2的第二侧14，如图6所示。支承膜34支承经分割晶圆2，并且还在从经分割晶圆2去除保护膜16之后可靠地将芯片或裸片26保持在它们的位置上(见图9)。
242.支承膜34可以由塑料材料(例如聚合物)制成。例如，支承膜34可以由聚烯烃(例如聚乙烯(pe)、聚丙烯(pp)或聚丁烯(pb))制成。支承膜34可以具有5μm至500μm、优选5μm至200μm、更优选8μm至100μm、甚至更优选10μm至80μm、且再甚至更优选12μm至50μm范围内的厚度。在本实施方案中，支承膜34在其俯视图上具有基本圆形的形状，并且其具有的直径大于晶圆2的直径。
243.支承膜34可以用粘合剂附着到经分割晶圆2的第二侧14。粘合剂可以存在于与经分割晶圆2的第二侧14接触的支承膜34的整个前表面36上。例如，支承膜34可以是uv固化性粘合带。替代地，支承膜34可以附着到经分割晶圆2的第二侧14，使得支承膜34的前表面36的至少中心区域与经分割晶圆2的第二侧14直接接触，从而在支承膜34的前表面36的至少中心区域与经分割晶圆2的第二侧14之间不存在粘合剂。支承膜34可以附着到经分割晶圆2的第二侧14，使得在支承膜34的前表面36与经分割晶圆2的第二侧14接触的整个区域中，支承膜34的前表面36与经分割晶圆2的第二侧14直接接触。支承膜34的整个前表面36可以没有粘合剂。
244.如上文已经详述的，粘合剂(例如，粘合剂层)可以仅设置在支承膜34的前表面36的外周区域中。支承膜34的前表面36的外周区域可以布置为包围支承膜34的前表面36的中心区域。
245.支承膜34的外周部分附着到环形框架38，使得支承膜34封闭环形框架38的中心开口，即环形框架38的内径内的区域。环形框架38便于支承膜34的处理，特别是在将支承膜34附着到经分割晶圆2的第二侧14的过程中支承膜34的处理。
246.支承膜34通过第二附着装置附着到经分割晶圆2的第二侧14，该第二附着装置包括卡盘台40和环形框架保持器42。经分割晶圆2由卡盘台40支承，并且附着有支承膜34的环形框架38由环形框架保持器42保持，使得支承膜34可以可靠和准确地附着到经分割晶圆2的第二侧14。例如，第二附着装置可以是带层压机或带贴装机。真空室、压辊、压膜、压片或压块、或这些元件的组合可用于向支承膜34施用压力，以便将支承膜34压靠在经分割晶圆2的第二侧14上。第二附着装置形成根据本实施方案的基板加工系统的一部分。
247.在本发明的其他实施方案中，可以使用相同的单一附着装置作为第一附着装置和第二附着装置。
248.如上文已经详述的，将支承膜34附着到经分割晶圆2的第二侧14可以包括向支承膜施用外部刺激34。为此目的，第二附着装置还可以包括外部刺激施用装置，例如加热装置、冷却装置、真空施用装置和/或照射装置。
249.在本实施方案中，在将支承膜34附着到经分割晶圆2的第二侧14之后，执行穿过保护膜16检查经分割晶圆2的第一侧4的缺陷的任选步骤，如图7所示。待在穿过保护膜16检查经分割晶圆2的第一侧4时被识别的可能的缺陷包括：例如，前侧碎裂、形成于晶圆材料之上或之中的层的分层、裂纹、非直线切割线(曲折的)、毛刺、晶须、颗粒、污染物、裸片移位(即芯片或裸片26的不期望的移动)、和裸片尺寸差异(例如，由不期望的倾斜切割、或因切割刀片磨损造成的切割宽度变化而导致的裸片尺寸差异)。该检查步骤允许经分割晶圆2中源自切割过程的其他缺陷被识别。
250.通过第二检查装置44(见图7)、特别是照相机(例如用于光学检查的显微照相机)，穿过保护膜16检查经分割晶圆2的第一侧4的缺陷。保护膜16对于可见光是透明的。第二检查装置44形成根据本实施方案的基板加工系统的一部分。在本发明的其他实施方案中，可以使用相同的单一检查装置作为第一检查装置30和第二检查装置44。
251.如果通过穿过保护膜16检查经分割晶圆2的第一侧4而识别出一个或多个缺陷，则确定所识别出的一个或多个缺陷的一个或多个位置，从而获得第三位置信息。根据本实施方案的基板加工系统可以包括配置为执行该步骤的位置确定装置。为此目的，可以使用配置为获得第一位置信息的位置确定装置或不同的位置确定装置。第三位置信息是指定经分割晶圆2的第一侧4上的各缺陷的位置的信息。各缺陷的位置可以在晶圆2的坐标系中定义，例如，相对于分割线6和/或器件8定义。
252.如上文已经详述的，第三位置信息可以与关于经分割晶圆2中各芯片或裸片26的位置的信息相关联，从而允许以更加准确和有效的方式识别和追踪有缺陷的芯片或裸片26，而无需单独检查各芯片或裸片26。根据本实施方案的基板加工系统的控制器可以配置为执行该步骤。
253.如上文已经详述的，第三位置信息可以与第一位置信息相关联。根据本实施方案的基板加工系统的控制器可以配置为执行该步骤。以此方式，可以以特别高的精度确定所识别出的任何一个或多个缺陷的性质。此外，可以进一步提高识别和追踪有缺陷的芯片或裸片26的效率和可靠性。
254.图8示出了在根据第一实施方案的修改的方法中穿过保护膜16检查经分割晶圆2的第一侧4的缺陷的步骤。本修改的方法与第一实施方案的方法的差异在于：在将支承膜34附着到晶圆2的第二侧14的步骤之前，执行穿过保护膜16检查经分割晶圆2的第一侧4的缺陷的步骤；切割保护膜16的步骤(见图5)已被省略；通过对可见光透明的卡盘台46从晶圆2的下方(而不是如图7中针对第一实施方案的方法所示出的从晶圆2的上方)检查经分割晶圆2的第一侧4的缺陷。
255.在图8中示出的经修改方法中，穿过保护膜16检查经分割晶圆2的第一侧4的缺陷，并且晶圆2经由保护膜16由环形框架20支承。此外，经分割晶圆2搁置在卡盘台46上。穿过保护膜16并穿过透明的卡盘台46，通过第二检查装置44检查经分割晶圆2的第一侧4的缺陷。第二检查装置44布置在透明的卡盘台46下方，如图8所示，使得第二检查装置可以从晶圆2的下方检查经分割晶圆2的第一侧4的缺陷。可以以与上文详述的相同的方式获得第三位置
信息。
256.通过第二检查装置44，穿过保护膜16并穿过透明的卡盘台46检查经分割晶圆2的第一侧4的缺陷提供了以下优点：允许在分割晶圆2之后立即检查第一侧4的缺陷，而不必移动晶圆2，特别是不必从卡盘台46移除晶圆2。因此，可以以特别准确和可靠的方式执行检查过程。
257.如果从晶圆2上方通过第一检查装置30从第二侧14检查经分割晶圆2的第二侧14的缺陷(见图4)，并且通过从晶圆2的下方穿过保护膜16并穿过透明的卡盘台46通过第二检查装置44检查经分割晶圆2的第一侧4的缺陷(见图8)，则这两个检查过程可以在不必移动晶圆2的情况下执行，特别是在不必从卡盘台46移除晶圆2的情况下执行。因此，可以以特别准确和可靠的方式执行获得位置信息的过程和关联位置信息的过程。
258.替代地，如上文已经详述的，可以使用相同的单一检查装置作为第一检查装置30和第二检查装置44。
259.在经修改方法中，在穿过保护膜16并穿过透明的卡盘台46检查经分割晶圆2的第一侧4的缺陷之后，支承膜34基本上以与上文针对第一实施方案的方法所详述的相同的方式附着到经分割晶圆2的第二侧14。此外，后续步骤，特别是从经分割晶圆2的第一侧4去除保护膜16、然后从经分割晶圆2的第一侧4检查经分割晶圆2的第一侧4的缺陷的步骤，与下文针对第一实施方案的方法所描述的那些基本上相同。
260.在第一实施方案的方法和第一实施方案的修改的方法中穿过保护膜16检查经分割晶圆2的第一侧4的缺陷之后，从经分割晶圆2的第一侧4去除(即剥离)保护膜16，如图9所示。
261.通过保护膜去除装置48从经分割晶圆2的第一侧4去除保护膜16。保护膜去除装置48配置为将保护膜16保持在保护膜16的外周部分处，并沿经分割晶圆2的第一侧4的方向拉动该部分，如图9中箭头所示，以便从经分割晶圆2的第一侧4去除保护膜16。保护膜去除装置48形成根据本实施方案的基板加工系统的一部分。
262.通过从经分割晶圆2的第一侧4去除保护膜16，也可以去除在切割过程期间已经从晶圆2分离但由于保护膜16的存在仍留在晶圆2上的颗粒(例如碎裂物或碎片)。特别地，这些颗粒可能会粘附到保护膜16，例如由于保护膜16上存在粘合剂或由于颗粒与保护膜16之间的材料结合而粘附到保护膜16，使得这些颗粒与保护膜16一起从经分割晶圆2被去除。因此，极大地减少了在从支承膜34拾取芯片或裸片26时存在于芯片或裸片26上的颗粒的量。芯片或裸片26甚至可以基本上不含这些颗粒。因此，获得了具有高质量的芯片或裸片26，并且可以使芯片或裸片26的进一步加工、处理和/或运输更有效得多。例如，芯片或裸片26可以在它们从支承膜34被拾取之后直接投入使用，例如，组装到半导体封装器件中或结合到电子设备中。此外，如将在下文中详述的，可以进一步改进经分割晶圆2的第一侧4的检查的准确性和可靠性。
263.在从经分割晶圆2的第一侧4去除保护膜16的步骤期间和之后，芯片或裸片26被支承膜34可靠地保持在它们的位置上。
264.在从经分割晶圆2的第一侧4去除保护膜16之后，从经分割晶圆2的第一侧4检查经分割晶圆2的第一侧4的缺陷，如图10所示。待在检查经分割晶圆2的第一侧4时被识别的可能的缺陷包括：例如，前侧碎裂、形成于晶圆材料之上或之中的层的分层、裂纹、非直线切割
线(曲折的)、毛刺、晶须、颗粒、污染物、裸片移位(即芯片或裸片26的不期望的移动)、和裸片尺寸差异(例如，由不期望的倾斜切割、或因切割刀片磨损造成的切割宽度变化而导致的裸片尺寸差异)。该检查步骤允许以更高的准确度识别经分割晶圆2中源自切割过程的缺陷。特别地，如上文已经详述的，从经分割晶圆2的第一侧4去除保护膜16导致或能够去除在切割过程期间已经从晶圆2分离的颗粒(例如碎裂物或碎片)。这允许检测经分割晶圆2中的在去除保护膜16之前可能无法识别的缺陷。
265.通过第三检查装置50(见图10)、特别是照相机(例如用于光学检查的显微照相机)，检查经分割晶圆2的第一侧4的缺陷。第三检查装置50形成根据本实施方案的基板加工系统的一部分。在本发明的其他实施方案中，可以使用相同的单一检查装置作为第一检查装置30、第二检查装置44和第三检查装置50。可以使用相同的单一检查装置作为第一检查装置30和第三检查装置50。
266.如果通过检查经分割晶圆2的第一侧4而识别出一个或多个缺陷，则确定所识别出的一个或多个缺陷的一个或多个位置，从而获得第二位置信息。根据本实施方案的基板加工系统可以包括配置为执行该步骤的位置确定装置。为此目的，可以使用配置为获得第一位置信息的位置确定装置、配置为获得第三位置信息的位置确定装置、或不同的位置确定装置。第二位置信息是指定经分割晶圆2的第一侧4上的各缺陷的位置的信息。各缺陷的位置可以在晶圆2的坐标系中定义，例如，相对于分割线6和/或器件8定义。
267.如上文已经详述的，第二位置信息可以与关于经分割晶圆2中各芯片或裸片26的位置的信息相关联，从而允许以更加准确和有效的方式识别和追踪有缺陷的芯片或裸片26，而无需单独检查各芯片或裸片26。根据本实施方案的基板加工系统的控制器可以配置为执行该步骤。
268.如上文已经详述的，第二位置信息可以与第一位置信息和/或第三位置信息相关联。根据本实施方案的基板加工系统的控制器可以配置为执行该步骤。以此方式，可以以更高的精度确定所识别出的任何一个或多个缺陷的性质。此外，可以进一步提高识别和追踪有缺陷的芯片或裸片26的效率和可靠性。
269.在从第一侧4检查经分割晶圆2的第一侧4的缺陷之后，从支承膜34拾取芯片或裸片26。由于通过如上文已经详述的检查步骤可靠且准确地识别和追踪有缺陷的芯片或裸片26，因此可以有效地分出和剔除这些芯片或裸片26。那些没有检测到缺陷的芯片或裸片26可以在它们从支承膜34被拾取之后直接投入使用，例如组装到半导体封装器件中或结合到电子设备中，如上文也已详述的。
270.根据本实施方案的基板加工系统还可以包括拾取装置，该拾取装置配置为在从第一侧4检查经分割晶圆2的第一侧4的缺陷之后，从支承膜34拾取芯片或裸片26。
271.下面，将参照图11描述本发明的第二实施方案。
272.第二实施方案的方法与第一实施方案的方法的差别在于：在将保护膜16附着到晶圆2的第一侧4之前执行隐形激光切割步骤，并且可以在切割步骤中不沿晶圆2的整个厚度切割晶圆2(见图3)。第一实施方案的方法的其余步骤以与第二实施方案的方法相同的方式执行。因此，省略了对其的重复的详细描述。
273.特别地，在第二实施方案的方法中，在将保护膜16附着到第一侧4之前，从晶圆2的第一侧4沿分割线6执行隐形激光切割步骤，如图11所示。在该步骤中，向晶圆2施用激光束
lb，该激光束lb具有允许激光束lb透射穿过晶圆2的波长。激光束lb在沿分割线6的多个位置中施用到晶圆2，以便在晶圆2中沿分割线6形成多个改性区。通过形成这些改性区，降低了晶圆2在其形成改性区的区域中的强度。因此，极大地便于晶圆2在后续切割步骤或随后的分离步骤中沿分割线6的分割。
274.激光束lb可以为脉冲激光束。脉冲激光束可以具有例如在1fs至1000ns范围内的脉冲宽度。
275.激光束lb通过隐形激光切割装置52施用到晶圆2(见图11)。隐形激光切割装置52形成根据本实施方案的基板加工系统的一部分。
276.在从晶圆2的第二侧14切割晶圆2的步骤中，可以仅沿晶圆2的厚度的一部分(例如一半)切割晶圆2。对于该切割步骤，使用配置为机械切割晶圆2的切割刀片形式的切割装置28(见图3)。由切割装置28施加在晶圆2上的机械切割载荷可以帮助在隐形激光切割步骤中生成的晶圆2中的裂纹传播到晶圆2的第一侧4，从而将晶圆2完全分割成分离的芯片或裸片26。
277.替代地，在切割步骤中，可以例如通过机械切割和/或激光切割和/或等离子体切割、沿晶圆2的整个厚度切割晶圆2。在此情况下，沿分割线6的改性区的存在由于晶圆2的强度的局部降低而便于切割过程。
278.在穿过保护膜16检查晶圆2的第一侧4的缺陷的步骤(见图7和图8)中和/或在去除保护膜16之后从晶圆2的第一侧4检查晶圆2的第一侧4的缺陷的步骤(见图10)中，可以识别出在隐形激光切割步骤中生成的晶圆2中的裂纹是否已经传播至晶圆2的第一侧4。
279.如果在这些检查步骤中的一个或两个中识别出这些裂纹尚未传播到晶圆2的第一侧4，或者晶圆2尚未通过裂纹传播而完全分割成分离的芯片或裸片26，则可以在去除保护膜16之后从晶圆2的第一侧4检查从晶圆2的第一侧4的缺陷，随后执行分离步骤。在该分离步骤中，可以向晶圆2施用外力，特别是通过使支承膜34膨胀(例如径向膨胀)，即通过使用支承膜34作为膨胀带。以此方式，可以沿分割线6将晶圆2完全分割成分离的芯片或裸片26。对于本发明的第四实施方案的方法，下面将参照图17更详细地解释使支承膜34膨胀(特别是径向膨胀)的该步骤。
280.如果在穿过保护膜16检查晶圆2的第一侧4的缺陷的步骤中识别出裂纹尚未传播到晶圆2的第一侧4或晶圆2尚未通过裂纹传播而被完全分割成分离的芯片或裸片26，则可以在去除保护膜16之后从晶圆2的第一侧4检查晶圆2的第一侧4的缺陷之前，执行分离步骤。在此情况下，可能由分离步骤引起的晶圆2中的任何缺陷都可以在该稍后的检查步骤中被可靠地识别出。
281.任选地，在使支承膜34膨胀之前，可以在晶圆2上执行断裂步骤，以便沿分割线6使晶圆2断裂。
282.此外，如果在切割过程中将晶圆2完全分割成芯片或裸片26(见图3)，则可以在从第一侧4检查晶圆2的第一侧4的缺陷之前或之后进行使支承膜34膨胀(例如，径向膨胀)的步骤。以此方式，经分离的芯片或裸片26可以彼此远离，从而增加相邻的芯片或裸片26之间的距离。以此方式增加裸片到裸片的距离特别可靠地确保了芯片或裸片26在从支承膜34拾取它们的步骤中不被损坏。
283.下面，将参照图12描述本发明的第三实施方案。
284.第三实施方案的方法与第二实施方案的方法的差别仅在于将保护膜16附着到晶圆2的第一侧4的步骤以及在晶圆2上执行隐形激光切割步骤的步骤的顺序。第二实施方案的方法的其余步骤以与第三实施方案的方法相同的方式执行。因此，省略了对其的重复的详细描述。
285.特别地，在第三实施方案的方法中，首先将保护膜16附着到晶圆2的第一侧4(见图2)。在该附着步骤之后，但在从晶圆2的第二侧14切割晶圆2之前(见图3)，基本上以与在第二实施方案的方法中相同的方式、从晶圆2的第一侧4沿分割线6执行隐形激光切割步骤。唯一的差别在于：激光束lb穿过保护膜16施用到晶圆2，如图12所示。因此，激光束lb的波长被选择为使得激光束lb透射穿过保护膜16，即使得保护膜16对于激光束lb是透明的。
286.下面，将参照图13至图17描述本发明的第四实施方案。
287.第四实施方案的方法与第一实施方案的方法的差别在于：在切割步骤(见图3)中，仅从第二侧14沿晶圆2的厚度的一部分切割晶圆2，并且在将支承膜34附着到晶圆2的第二侧14之后在晶圆2上执行隐形激光切割步骤。第一实施方案的方法的其余步骤以与第四实施方案的方法相同的方式执行。因此，省略对其的重复的详细描述。
288.特别地，在第四实施方案的方法中，如上文针对第一实施方案的方法所描述的，将保护膜16附着到晶圆2的第一侧4(见图2)。随后，通过切割装置28从晶圆2的第二侧14沿分割线6切割晶圆2。在该步骤中，仅沿晶圆2的厚度的一部分切割晶圆2，使得晶圆2在切割过程中未被完全分割。相反，提供有切割槽54，该切割槽54从晶圆2的第二侧14朝向晶圆2的第一侧4延伸，但不到达第一侧4。
289.替代地，如上面已经详述的，可以通过激光切割和/或等离子体切割沿分割线6沿晶圆2的厚度的一部分切割晶圆2。此外，可以应用一系列机械切割步骤和/或激光切割步骤和/或等离子体切割步骤。
290.在沿分割线6沿晶圆2的厚度的一部分切割晶圆2之后，通过第一检查装置30从晶圆2的第二侧14检查部分切割的晶圆2的第二侧14的缺陷，如图14所示。该检查步骤和获得第一位置信息、并将该信息与关于待从晶圆2中获得的各芯片或裸片26的位置的信息相关联的后续步骤以与上文针对第一实施方案的方法所描述的相同的方式执行。
291.在从晶圆2的第二侧14检查部分切割的晶圆2的第二侧14的缺陷之后，以与第一实施方案相同的方式进行沿晶圆2的外圆周以圆形方式切割保护膜16的任选步骤(见图5)。随后，通过包括卡盘台40和环形框架保持器42的第二附着装置将支承膜34附着到部分切割的晶圆2的第二侧14，如图15所示。此外，该稍后的步骤以与上文针对第一实施方案的方法(另见图6)所描述的相同的方式执行。
292.在将支承膜34附着到部分切割的晶圆2的第二侧14之后，从晶圆2的第一侧4沿分割线6穿过保护膜16执行隐形激光切割步骤，如图16所示。在基本上以与上文针对第三实施方案的方法(另见图12)所描述的相同的方式执行的该步骤中，通过隐形激光切割装置52将激光束lb施用到晶圆2，该激光束lb所具有的波长允许激光束lb透射穿过保护膜16并穿过晶圆2。激光束lb在沿分割线6的、形成有切割槽54的多个位置中施用到晶圆(见图13)，以便在晶圆2中沿分割线6形成多个改性区。改性区形成在晶圆2的沿分割线6的其余部分中，该其余部分在切割步骤中未被切割，即改性区形成在从晶圆2的第一侧14朝向晶圆2的第一侧4的方向上的切割槽54上方。
293.通过形成这些改性区，晶圆2的其余部分的强度降低。在隐形激光切割步骤中生成的晶圆2中的裂纹可能会传播到晶圆2的第一侧4并传播到切割槽54的底部，从而将晶圆2完全分割成分离的芯片或裸片26(见图17)。替代地，晶圆2可以在隐形激光切割过程中没有被完全分割。
294.在从晶圆2的第一侧4沿分割线6穿过保护膜16执行隐形激光切割步骤之后，以与上文针对第一实施方案的方法(见图9)所述的相同方式从晶圆2的第一侧4去除、即剥离保护膜16。
295.在从晶圆2的第一侧4去除保护膜16之后，以与如上文所述的第一实施方案的方法(见图10)相同的方式从晶圆2的第一侧4检查晶圆2的第一侧4的缺陷。此外，以与如上文针对第一实施方案的方法所述的相同方式执行在晶圆2中获取第二位置信息、并将该信息与第一位置信息以及与关于待从晶圆2获得的各芯片或裸片26的位置的信息相关联的后续步骤。
296.在从晶圆2的第一侧4去除保护膜16之后，进行分离步骤，如图17所示。分离步骤可以在从晶圆2的第一侧4检查晶圆2的第一侧4的缺陷之前或之后执行。在该分离步骤中，支承膜34径向膨胀，即用作膨胀带。如果晶圆2在隐形激光切割步骤中没有被完全分割，则支承膜34的径向膨胀向晶圆2施用外力，从而沿分割线6将晶圆2完全分割成单独的芯片或裸片26(见图17)。如果晶圆2在隐形激光切割步骤中已被完全分割，则支承膜34的径向膨胀使分离的芯片或裸片26彼此背离地移动，从而增加相邻的芯片或裸片26之间的距离。以这种方式增加裸片到裸片的距离特别可靠地确保了芯片或裸片26在从支承膜34拾取芯片或裸片26的后续步骤中不被损坏。
297.如果在从晶圆2的第一侧4检查晶圆2的第一侧4的缺陷后执行分离步骤，则在该检查步骤中可以识别在隐形激光切割步骤中产生的晶圆2中的裂纹是否具有传播到晶圆2的第一侧4，如上面针对第二实施例的方法所详述的。
298.如果在从晶圆2的第一侧4检查晶圆2的第一侧4的缺陷之前执行分离步骤，则可以在该检查步骤中可靠地识别出晶圆2中可能由分离步骤引起的任何缺陷。
299.支承膜34通过包括膨胀鼓56的膨胀装置而径向膨胀(见图17)。在膨胀过程中，膨胀鼓56的上边缘从支承膜34的下方与沿晶圆2的外周布置的支承膜34的一部分接触。随后，膨胀鼓56和附着有支承膜34的环形框架38在竖直方向上、即在从晶圆2的第二侧14朝向晶圆2的第一侧4的方向上相对于彼此移动。特别地，如图17中的箭头所示，膨胀鼓56向上移动和/或环形框架38向下移动。以此方式，支承膜34径向膨胀。膨胀装置形成根据本实施方案的基板加工系统的一部分。
300.在本发明的方法和系统的其他实施方案中，可以使用不同的膨胀装置、例如采用膨胀棒来使支承膜34膨胀。例如，de 10 2018 207 498a1中描述的膨胀装备可以用作使支承膜34膨胀的膨胀装置。
301.任选地，在使支承膜34膨胀(例如径向膨胀)之前，可以在晶圆2上执行断裂步骤，以便沿分割线6使晶圆2断裂。
302.如上文针对第一实施方案的方法所描述的，在使支承膜34膨胀之后，从支承膜34拾取芯片或裸片26。
303.第四实施方案的方法可以通过改变从晶圆2的第一侧4沿分割线6执行隐形激光切
割步骤的步骤和从晶圆2的第一侧4去除保护膜16的步骤的顺序而进行修改。具体地，在经修改方法中，在从晶圆2的第一侧4进行隐形激光切割步骤之前，从晶圆2的第一侧4去除保护膜16。因此，激光束lb以与上述第二实施方案的方法相同的方式直接施用到晶圆2，即不必穿过保护膜16(见图11)。经修改方法的其余步骤与根据第四实施方案的方法的其余步骤相同。
304.根据上述第一实施方案至第四实施方案的方法和系统可以通过如上文已详述的使用具有缓冲层的保护膜16和/或支承膜34、或具有附着有缓冲层和基片的保护膜16和/或支承膜34而进行修改。
305.在根据上述第一实施方案至第四实施方案的方法和系统中，在基板(即晶圆2)的后侧上执行加工。然而，在本发明的其他实施方案中，可以从基板的前侧加工基板。