技术特征：
1.一种二极管标准单元电路结构，其用于受天线效应影响的cmos器件，其特征在于，包括：负极相连的第一类型二极管和第二类型二极管；第一类型二极管由第一类型注入层(sdp)和第二类型阱(nw)组成，其正极是连接受天线效应影响的cmos器件的栅极(ant)，其负极是连接第二类型二极管的负极；第二类型二极管由第二类型注入层(sdn)与第一类型阱(pw)形成，其正极连接第一类型阱(pw)，其负极是连接第一类型二极管的负极。2.如权利要求1所述的二极管标准单元电路结构，其特征在于：其基于fdsoi工艺，用于天线效应保护。3.如权利要求1所述的二极管标准单元电路结构，其特征在于：所述第一类型是p型，所述第二类型是n型。4.一种权利要求1所述二极管标准单元电路结构的二极管标准单元版图结构，其特征在于：其划分为：第一版图区域、第二版图区域、第三版图区域、第四版图区域、第五版图区域上边缘版图结构、和下边缘版图结构；第一版图区域，其位于该二极管标准单元的最左边；第二版图区域，其与所述第一版图区域相邻，位于所述第一版图区域右边；第三版图区域，其与第二版图区域和第五版图区域相邻，其位于所述第二版图区域与第五版图区域之间的上半部分，位于第四版图区域上方；第四版图区域，其与第二版图区域和第五版图区域相邻，所述第二版图区域与第五版图区域之间的下半部分，位于第三版图区域下方；第五版图区域，位于所述二极管标准单元的最右边；上下边缘版图结构，包括由第一多晶硅截断层(poc_1)的中线与第一金属层的第一金属线(m1_1)的中线保持一致组成的上边缘；以及，第二多晶硅截断层(poc_2)的中线与第一金属层的第二金属线(m1_2)的中线保持一致组成的下边缘。5.如权利要求4所述的二极管标准单元版图结构，其特征在于，第一版图区域基于设计规则以及标准单元拼接要求实现，由第二类型阱(nw)、第一类型注入层(sdp)、第二型注入层(sdn)、第一类型mos开启电压识别层(rvtp)、第二类型mos开启电压识别层(rvtn)、多晶硅(po)、第一多晶硅截断层(poc_1)和第二多晶硅截断层(poc_2)组成；其中，第一类型注入层(sdp)与第二型注入层(sdn)的左边沿保持一致，第一类型mos开启电压识别层(rvtp)与第二类型mos开启电压识别层(rvtn)的左边沿保持一致，左边多晶硅(po)的中线作为单元的左边界，第一类型注入层(sdp)的下边沿，第一类型mos开启电压识别层(rvtp)的下边沿，第二型注入层(sdn)的上边沿，第二类型mos开启电压识别层(rvtn)的上边沿以及第二类型阱(nw)的下边沿位置保持一致，第一多晶硅截断层(poc_1)的中线与第一金属层的第一金属线(m1_1)的中线位置保持一致，第二多晶硅截断层(poc_2)的中线与第一金属层的第二金属线(m1_2)的中线保持一致。6.如权利要求4所述的二极管标准单元版图结构，其特征在于，第二版图区域基于设计规则以及标准单元拼接要求实现，由第二类型阱(nw)、有源区(aa)、混合外延(hyb)、第一类
型注入层(sdp)、二极管识别层(dioid)、接触孔(ct)、第一金属层的第三金属线(m1_3)组成第一类型二极管(p管)；第二类型阱(nw)的下边沿与第一类型注入层(sdp)的上边沿保持一致，第一多晶硅截断层(poc_1)的中线与第一金属层的第一金属线(m1_1)的中线位置以及混合外延(hyb)的上边沿保持一致，第二多晶硅截断层(poc_2)的中线与第一金属层的第二金属线(m1_2)的中线位置以及混合外延(hyb)的下边沿保持一致，分别形成所述上下边缘版图结构的一部分，混合外延(hyb)的左边沿作为所述第一版图区域与所述第二版图区域的分界线。7.如权利要求4所述的二极管标准单元版图结构，其特征在于，第三版图区域基于设计规则以及标准单元拼接要求实现，由第二类型阱(nw)、有源区(aa)、混合外延(hyb)、第二类型注入层(sdn)、接触孔(ct)、第一金属层的第四金属线(m1_4)组成第一类型二极管负极；接触孔(ct)通过第一金属层的第四金属线(m1_4)与所述第四版图区域中的接触孔(ct)相连；第二类型阱(nw)的下边沿是所述第三版图区域与所述第四版图区域的分界线；第一类型注入层(sdp)，第一多晶硅截断层(poc_1)的中线与第一金属层的第一金属线(m1_1)的中线位置以及混合外延(hyb)的上边沿保持一致形成所述上下边缘版图结构的一部分。8.如权利要求4所述的二极管标准单元版图结构，其特征在于，第四版图区域基于设计规则以及标准单元拼接要求实现，由有源区(aa)、混合外延(hyb)、第二类型注入层(sdn)、二极管识别层(dioid)、接触孔(ct)、第一金属层的第四金属线(m1_4)组成所述第二类型二极管；第二多晶硅截断层(poc_2)的中线与第一金属层的第二金属线(m1_2)的中线位置以及混合外延(hyb)的下边沿保持一致形成所述上下边缘版图结构的一部分，混合外延(hyb)的右边缘与所述第三版图区域中混合外延(hyb)的右边沿保持一致成为所述第三版图区域和第四版图区域与所述第五版图区域的分界线。9.如权利要求4所述的二极管标准单元版图结构，其特征在于，第五版图区域基于设计规则以及标准单元拼接要求实现，由第二类型阱(nw)、第一类型注入层(sdp)、第二类型注入层(sdn)，第一类型mos开启电压识别层(rvtp)、第二类型mos开启电压识别层(rvtn)、多晶硅(po)、第一多晶硅截断层(poc_1)、第二多晶硅截断层(poc_2)组成；其中，第一类型注入层(sdp)与第二类型注入层(sdn)的右边沿保持一致，第一类型mos开启电压识别层(rvtp)与第二类型mos开启电压识别层(rvtn)的右边沿保持一致；右边多晶硅(po)的中线作为单元的右边界，第一多晶硅截断层(poc_1)的中线与第一金属层的第一金属线(m1_1)的中线位置保持一致，第二多晶硅截断层(poc_2)的中线与第一金属层的第二金属线(m1_2)的中线位置保持一致分别形成所述上下边缘版图结构的一部分。
技术总结
本发明公开了一种二极管标准单元电路结构，包括：负极相连的第一类型二极管和第二类型二极管；第一类型二极管由第一类型注入层和第二类型阱组成，其正极是连接受天线效应影响的CMOS器件的栅极，其负极是连接第二类型二极管的负极；第二类型二极管由第二类型注入层与第一类型阱形成，其正极连接第一类型阱，其负极是连接第一类型二极管的负极。本发明中的第一类型二极管能起到对第二类型二极管反偏截至的作用，避免漏电的产生。避免漏电的产生。避免漏电的产生。
技术研发人员：虞蓓蕾
受保护的技术使用者：上海华力集成电路制造有限公司
技术研发日：2022.06.02
技术公布日：2022/9/23