技术特征：
1.一种斜切6
°
goi衬底，其特征在于，包括由下至上的硅衬底、介质堆叠层、斜切6
°
锗层。2.根据权利要求1所述的斜切6
°
goi衬底，其特征在于，所述介质堆叠层为多层氧化硅的堆叠，或者氧化硅与氧化铝的交叉堆叠，或者多层氧化铝的堆叠；和/或，所述斜切6
°
锗层的厚度为100～500nm。3.一种斜切6
°
goi衬底的制备方法，其特征在于，包括：提供斜切6
°
硅衬底；在所述斜切6
°
硅衬底上依次形成低温锗层、高温锗层；在所述高温锗层上形成第一介质层，得到牺牲衬底；提供硅衬底；在所述硅衬底上形成第二介质层，得到支撑衬底；以所述第一介质层和所述第二介质层为键合面，将所述牺牲衬底和所述支撑衬底键合；然后依次去除所述斜切硅衬底、低温锗层；任选对所述高温锗层表面进行平整化处理。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一介质层和所述第二介质层各自独立地采用氧化硅、氧化铝或teos中的至少一个；和/或，所述第二介质层为多层材料的堆叠层。5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，采用ald法形成所述第一介质层；和/或，采用热氧化法和cvd法中的至少一种形成所述第二介质层。6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，采用磨抛或者干法刻蚀去除所述斜切6
°
硅衬底；和/或，采用tmah腐蚀法去除所述低温锗层。7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在形成低温锗层之前先在所述斜切6
°
硅衬底上形成组分渐变的锗硅缓冲层。8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在形成所述高温锗层时还进行高温退火或循环退火处理，所述高温退火的温度为820℃，退火时间为10min，退火氛围为h2。9.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述高温锗层的生长温度为550-750℃，所述低温锗层的生长温度为350-450℃。10.一种短波红外焦平面像元，其特征在于，包括：权利要求1或2所述的斜切6
°
goi衬底；位于在所述6
°
goi衬底衬底之上的gaas缓冲层；位于所述gaas缓冲层之上的pin堆叠结构，且所述pin堆叠结构采用iii-v族材料，所述pin堆叠结构优选为：n
+-ingaas/i-ingaas/p
+-ingaas，n
+-inp/i-ingaas/p
+-inp，p
+-gaassb/i-ingaas/n
+-inp，n
+-gaas/i-algaas/ingaas多量子阱/p
+-gaas，n
+-gaas/i-algaas/ingaas多量子点/p
+-gaas；以及分别与所述pin堆叠结构中n层和p层实现欧姆接触的n型接触结构和p型接触结构。
11.根据权利要求10所述的短波红外焦平面像元，其特征在于，所述pin堆叠结构为垂直堆叠结构。12.权利要求10或11所述的短波红外焦平面像元的制备方法，其特征在于，包括：利用权利要求3-9任一项所述制备方法获得斜切6
°
goi衬底；在所述斜切6
°
goi衬底上形成gaas缓冲层；在所述述gaas缓冲层上形成pin堆叠结构；分别形成所述n型接触结构和p型接触结构。13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，采用低温-中温-高温三步法形成gaas缓冲层，且低温、中温、高温的范围分别为390～410℃、580～610℃、660～680℃，低温、中温、高温的范围优选为400℃、600℃、670℃。14.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，在形成所述n型接触结构和p型接触结构之后还包括：形成二维晶体。15.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，在形成所述n型接触结构和p型接触结构之前还包括：对所述pin堆叠结构图形化处理，形成台面；所述台面使所述pin堆叠结构中靠近所述gaas缓冲层的层裸露。
技术总结
本发明涉及一种斜切6
技术研发人员：亨利
受保护的技术使用者：广州诺尔光电科技有限公司
技术研发日：2022.06.13
技术公布日：2022/10/17