技术特征：
1.一种速率倍增光集成芯片，其特征在于，包括具有不同波长的多个激光器单元和一个第一无源波导，每个所述激光器单元分别通过一具有相同光传输长度的第二无源波导与所述第一无源波导的输入端耦合。2.如权利要求1所述的速率倍增光集成芯片，其特征在于，所述多个激光器单元并列设置，所有所述激光器单元的出光端面位于同一平面。3.如权利要求2所述的速率倍增光集成芯片，其特征在于，所述激光器单元的数量为2
n
个，其中n为正整数。4.如权利要求3所述的速率倍增光集成芯片，其特征在于，所述第二无源波导包括两个相同长度的第一无源波导单元，该两个第一无源波导单元的输入端分别与相邻两个所述激光单元的输出端耦合，两个所述第一无源波导单元的输出端相交后与所述第一无源波导的输入端耦合，当n大于等于2时，所述第二无源波导还包括两个具有相同长度的第二无源波导单元，所述第二无源波导单元的输入端分别与一所述第一无源波导单元的输出端耦合，两个所述第二无源波导单元的输出端相交后与所述第一无源波导的输入端耦合。5.如权利要求4所述的速率倍增光集成芯片，其特征在于，两个所述第一无源波导单元相交呈v形，和/或两个所述第二无源波导单元相交呈v形。6.如权利要求1所述的速率倍增光集成芯片，其特征在于，每个所述激光器单元的端面分别设置有发射膜。7.如权利要求1所述的速率倍增光集成芯片，其特征在于，所述第一无源波导的出光端面上设置有增透膜。8.如权利要求1所述的速率倍增光集成芯片，其特征在于，所述激光器单元、第一无源波导、第二无源波导集成于同一衬底上，所述激光器单元包括依次生长于衬底上的第一n型分别限制层、量子阱层、第一p型分别限制层、光栅层、第一p型层和第一p型欧姆接触层；所述第一无源波导和第二无源波导包括依次生长于衬底上的第二n型分别限制层、波导层、第二p型分别限制层、第二p型层和第二p型欧姆接触层。9.如权利要求8所述的速率倍增光集成芯片，其特征在于，所述激光器单元、第一无源波导、第二无源波导集成于同一衬底上，所述波导层采用ingaasp材料。10.如权利要求8所述的速率倍增光集成芯片，其特征在于，所述波导层材料的禁带宽度大于量子阱层的禁带宽度。
技术总结
本发明公开了一种速率倍增光集成芯片，包括具有不同波长的多个激光器单元和一个第一无源波导，每个所述激光器单元分别通过一具有相同光传输长度的第二无源波导与所述第一无源波导的输入端耦合。本发明的速率倍增光集成芯片可以使传输信号的速度成倍增加，而且多个激光器通过一次光纤耦合工艺即可完成从芯片到光纤的耦合，大大简化了封装工艺。大大简化了封装工艺。大大简化了封装工艺。
技术研发人员：祝进田
受保护的技术使用者：杰创半导体（苏州）有限公司
技术研发日：2022.07.01
技术公布日：2022/10/4