技术特征：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：位于所述衬底上的半导体层；位于所述半导体层两侧的漏极和源极；位于所述半导体层上的栅绝缘层；位于所述栅绝缘层上的栅极，所述漏极、所述栅极以及所述漏极和所述栅极之间的膜层构成第一电容，所述源极、所述栅极以及所述源极和所述栅极之间的膜层构成第二电容；其中，所述薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管，所述第一电容的电容值小于所述第二电容的电容值。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管，还包括：所述半导体层具有沟道区，所述沟道区连接所述漏极与源极；其中，所述沟道区与所述漏极连接的第一部分的截面面积，小于所述沟道区与所述源极连接的第二部分的截面面积。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一部分的截面宽度，小于所述第二部分的截面宽度。4.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述沟道区具有过渡部分，所述过渡部分位连接所述第一部分和所述第二部分，所述过渡部分的截面形状包括梯形或圆弧形。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅绝缘层包括第一子栅绝缘层和第二子栅绝缘层，所述第一子栅绝缘层位于靠近所述漏极的一侧，所述第二子栅绝缘层位于靠近所述源极的一侧，所述第一子栅绝缘层的厚度大于所述第二子栅绝缘层的厚度。6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成半导体材料层，并对所述半导体材料层进行图案化和第一表面处理，以形成有源层；对所述有源层的两侧的部分区域进行第二表面处理，以使所述有源层的两侧分别形成源极和漏极，所述有源层未进行所述第二表面处理的部分构成半导体层；在所述半导体层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成金属层，并对所述金属层进行图案化，以形成栅极；其中，所述半导体层具有沟道区，所述沟道区连接所述漏极与源极，所述沟道区的与所述漏极连接的第一部分的截面面积，小于所述沟道区的与所述源极连接的第二部分的截面面积。7.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，通过第一掩膜版对所述半导体材料层进行所述第一表面处理，以使所述沟道区的所述第一部分的截面宽度，小于形成的所述沟道区的所述第二部分的截面宽度。8.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述半导体层上形成栅绝缘层，具体包括：通过第二掩膜版，在所述半导体层上靠近所述漏极的一侧形成第一栅绝缘材料层；通过第三掩膜版，在所述半导体层上形成第二栅绝缘材料层；其中，在所述半导体层上靠近所述漏极的一侧，形成的所述第一栅绝缘材料层和所述第二栅绝缘材料层构成第一子栅绝缘层，在所述半导体层上靠近所述源极的一侧，形成的
所述第二栅绝缘材料层构成第二子栅绝缘层。9.如权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述半导体层上形成栅绝缘层，具体包括：通过半色调掩膜版，在所述半导体层上形成栅绝缘层；其中，所述栅绝缘层包括第一子栅绝缘层和第二子栅绝缘层，所述第一子栅绝缘层位于靠近所述漏极的一侧，所述第二子栅绝缘层位于靠近所述源极的一侧，所述第一子栅绝缘层的厚度大于所述第二子栅绝缘层的厚度。10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1至5任一项所述的阵列基板，所述薄膜晶体管的数量为多个，多个所述薄膜晶体管呈阵列分布。
技术总结
本发明提供了一种阵列基板、其制作方法及显示面板，阵列基板，包括：衬底；位于衬底上的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：位于衬底上的半导体层；位于半导体层两侧的漏极和源极；位于半导体层上的栅绝缘层；位于栅绝缘层上的栅极，漏极、栅极以及漏极和栅极之间的膜层构成第一电容，源极、栅极以及源极和栅极之间的膜层构成第二电容；其中，薄膜晶体管为驱动薄膜晶体管，第一电容的电容值小于第二电容的电容值。通过使得源极侧对应的第二电容的电容值大于漏极侧对应的第一电容的电容值，在驱动薄膜晶体管开启时，能抑制显示面板发光前的耦合阶段因寄生电容而造成的电位损失，从而保证最终面板各位置的发光器件强度趋近于相同，提高面板的显示均匀性。板的显示均匀性。板的显示均匀性。
技术研发人员：王文清 聂诚磊
受保护的技术使用者：TCL华星光电技术有限公司
技术研发日：2022.07.05
技术公布日：2022/9/20