显示面板及其制作方法、移动终端与流程

1.本技术涉及显示领域，特别涉及一种显示面板及其制作方法、移动终端。


背景技术：

2.采用氧化铟镓锌(indiumgalliumzincoxide,igzo)为代表的非晶金属氧化物的薄膜晶体管，因超高分辨率、大尺寸、高帧率处理和可见光范围内穿透率高等显著优点在主动矩阵有机发光二极体面板(activematrix/organiclightemittingdiode，amoled)中具有广阔的应用前景。
3.现有的薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)具体包括依次叠设的栅极、绝缘层、有源层、栅极绝缘层、源极和漏极，位于源极和漏极之间的有源区即为沟道区；相对于传统的非晶硅(a-si)有源层，现有的金属氧化物薄膜晶体管一般采用物理气相沉积(physicalvapordeposition，pvd)工艺制作氧化铟镓锌作为有源层，由于有源层与栅极绝缘层在接触时会在界面处产生缺陷，这些缺陷会捕获有源层中的载流子，导致载流子在缺陷处累积且降低有源层中载流子的浓度和迁移率，进而导致器件的光照稳定性和可靠性较差，容易使得显示装置出现显示不良。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种显示面板及其制作方法、移动终端，用以缓解相关技术中的不足。
5.为实现上述功能，本技术实施例提供的技术方案如下：
6.本技术实施例提供一种显示面板，包括基底、以及层叠设置于所述基底上的第一栅极、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层和第二栅极；
7.所述有源层包括层叠设置于所述第一绝缘层上的第一金属氧化物半导体层和第二金属氧化物半导体层；
8.其中，所述第一金属氧化物半导体层的含氧量大于所述第二金属氧化物半导体层的含氧量，所述第一金属氧化物半导体层包括第一导体部、第二导体部以及位于所述第一导体部和所述第二导体部之间的有源段，在垂直于所述基底的方向上，所述第二金属氧化物半导体层的正投影至少覆盖所述有源段的正投影。
9.在本技术实施例所提供的显示面板中，所述显示面板包括位于所述基底和第一绝缘层之间的第一金属层，所述第一金属层包括间隔设置的第一电极、所述第一栅极以及第二电极，其中，所述第一电极与所述第一导体部连接，所述第二电极与所述第二导体部连接。
10.在本技术实施例所提供的显示面板中，所述第一导体部与所述第二金属氧化物半导体层的上表面及所述第二金属氧化物半导体层靠近所述第一导体部的一侧接触，所述第二导体部与所述第二金属氧化物半导体层的上表面及所述第二金属氧化物半导体层靠近所述第一导体部的一侧接触；其中，所述第二绝缘层位于所述第一导体部和所述第二导体
部之间。
11.在本技术实施例所提供的显示面板中，所述第一栅极和所述第二栅极分别被配置为大小相等的负极性扫描电压。
12.在本技术实施例所提供的显示面板中，所述第二金属氧化物半导体层中的载流子浓度大于所述第一金属氧化物半导体层中的载流子浓度。
13.在本技术实施例所提供的显示面板中，在垂直于所述基底的方向上，所述第一金属氧化物半导体层的厚度范围为300～800埃，第二金属氧化物半导体层的厚度范围为300～500埃。
14.在本技术实施例所提供的显示面板中，所述第一金属氧化物半导体层的材料为铟锌氧化物，所述第二金属氧化物半导体的材料为铟镓锌氧化物。
15.本技术实施例提供一种显示面板的制作方法，包括以下步骤：
16.提供一基底；
17.在所述基底上依次形成第一栅极、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层和第二栅极，其中，所述第一金属氧化物半导体层的含氧量大于所述第二金属氧化物半导体层的含氧量，所述第一金属氧化物半导体层包括第一导体部、第二导体部以及位于所述第一导体部和所述第二导体部之间的有源段，在垂直于所述基底的方向上，所述第二金属氧化物半导体层的正投影至少覆盖所述有源段的正投影。
18.在本技术实施例所提供的制作方法中，所述在所述基底上形成有源层的步骤包括：
19.在所述第一绝缘层远离所述第一栅极的一侧依次形成第一金属氧化物半导体材料层和第二金属氧化物半导体材料层，
20.对所述第一金属氧化物半导体材料层和所述第二金属氧化物半导体材料层进行图案化操作，形成第一金属氧化物半导体子层和所述第二金属氧化物半导体层；
21.在所述第二金属氧化物半导体层远离所述第一金属氧化物半导体子层的一侧形成第三金属氧化物半导体材料层；
22.对所述第三金属氧化物半导体材料层进行图案化操作，形成第二金属氧化物半导体子层，其中，所述第一金属氧化物半导体子层包括所述有源段，所述第二金属氧化物半导体子层包括所述第一导体部和所述第二导体部。
23.本技术实施例提供一种移动终端，包括终端主体和上述任一所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
24.本技术实施例的有益效果：本技术实施例提供一种显示面板及其制作方法、移动终端，所述显示面板包括层叠设置的基底、第一栅极、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层以及第二栅极；所述有源层包括层叠设置于所述第一绝缘层上的第一金属氧化物半导体层和第二金属氧化物半导体层；本技术实施例通过设置所述第一金属氧化物半导体层的含氧量大于所述第二金属氧化物半导体层的含氧量，所述第一金属氧化物半导体层包括第一导体部、第二导体部以及位于所述第一导体部和所述第二导体部之间的有源段，在垂直于所述基底的方向上，所述第二金属氧化物半导体层的正投影至少覆盖所述有源段的正投影，从而避免现有技术中，所述有源层与绝缘层接触时会在接触界面处产生缺陷，提升所述有源层的载流子迁移率，并且提升所述显示面板的稳定性。
附图说明
25.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
26.图1为现有显示面板的截面示意图；
27.图2为本技术实施例所提供的显示面板的截面示意图；
28.图3为本技术实施例所提供的所述薄膜晶体管的有源层载流子累积示意图；
29.图4为本技术实施例所提供显示面板的制作方法的流程图；
30.图5a～图5g为图1中显示面板制作的结构工艺流程图。
具体实施方式
31.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。在本技术中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
32.本技术实施例提供一种显示面板及其制作方法、移动终端。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
33.请参阅图2～图5g，本技术实施例提供一种显示面板及其制作方法、移动终端，所述显示面板包括基底10、以及层叠设置于所述基底10上的第一栅极21、第一绝缘层30、有源层41、第二绝缘层和第二栅极；
34.所述有源层41包括层叠设置于所述第一绝缘层30上的第一金属氧化物半导体层411和第二金属氧化物半导体层412；
35.其中，所述第一金属氧化物半导体层411的含氧量大于所述第二金属氧化物半导体层412的含氧量，所述第一金属氧化物半导体层411包括第一导体部411b、第二导体部411c以及位于所述第一导体部411b和所述第二导体部411c之间的有源段411a，在垂直于所述基底10的方向上，所述第二金属氧化物半导体层412的正投影至少覆盖所述有源段411a的正投影。
36.可以理解的是，目前，在现有显示面板中，如图1所示，为现有显示面板的截面示意图，现有显示面板包括相对设置的第一基板100、第二基板(图中未画出)以及设置于所述第一基板100与所述第二基板之间的液晶层(图中未画出)，所述第一基板100包括层叠设置的基底10和层叠设置于所述基底10上的遮光层12、缓冲层13、薄膜晶体管层40、钝化层50、公共电极70、平坦层60以及像素电极80，其中，所述薄膜晶体管层40包括依次层叠设置于所述基底10上的有源层41、栅极绝缘层42、栅极43、层间绝缘层44、源极45a、漏极45b；其中，相对于传统的非晶硅(a-si)有源层41，现有的金属氧化物薄膜晶体管40a一般采用物理气相沉积(physicalvapordeposition，pvd)工艺制作氧化铟镓锌(indiumgalliumzincoxide,
igzo)作为有源层41，由于有源层41与栅极绝缘层在接触时会在界面处产生缺陷，这些缺陷会捕获有源层41中的载流子，导致载流子在缺陷处累积且降低有源层41中载流子的浓度和迁移率，进而导致器件的光照稳定性和可靠性较差，容易使得显示装置出现显示不良。
37.承上，本实施通过设置所述第一金属氧化物半导体层411的含氧量大于所述第二金属氧化物半导体层412的含氧量，所述第一金属氧化物半导体层411包括第一导体部411b、第二导体部411c以及位于所述第一导体部411b和所述第二导体部411c之间的有源段411a，在垂直于所述基底10的方向上，所述第二金属氧化物半导体层412的正投影至少覆盖所述有源段411a的正投影，由于所述第一金属氧化物半导体层411和所述第二金属氧化物半导体层412均为金属氧化物半导体材料，两者的材料类型相近，因此所述第二金属氧化物半导体层412与所述第一金属氧化物半导体层411界面处的缺陷数量少，从而避免现有技术中所述有源层41与所述栅极绝缘层接触时会在接触界面处产生缺陷，提高了实际沟道p中载流子的数量，进而提高所述有源层41的载流子迁移率、并且提升所述显示面板的稳定性。
38.现结合具体实施例对本技术的技术方案进行描述。
39.在一实施例中，请参阅图2，为本技术实施例所提供的显示面板的第一种截面示意图。
40.本实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括但不限于液晶显示面板(liquidcrystaldisplay，简称lcd)、有机发光二极管(organiclightemittingdiode，简称oled)显示面板及微发光二极管(mini/microlightemittingdiode，mini/-led/micro-led，合称mled)显示面板中的一种；需要说明的是，本实施例以所述显示面板为有机发光二极管显示面板为例对本技术的技术方案进行描述。
41.在本实施例中，所述显示面板包括基底10和位于所述基底10上的薄膜晶体管层40，其中，所述基底10包括依次层叠设置的第一衬底(图中未画出)、间隔层(图中未画出)以及第二衬底(图中未画出)，其中，所述第一衬底和所述第二衬底均可以包括刚性衬底或柔性衬底，本实施例对所述第一衬底、所述第二衬底以及所述间隔层的材料均不做限制。
42.所述薄膜晶体管层40包括位于所述基底10上的第一栅极21位于所述第一栅极21远离所述基底10一侧的第一绝缘层30、位于所述第一绝缘层30远离所述第一栅极21一侧的有源层41、位于所述有源层41远离所述第一绝缘层30一侧的第二绝缘层、位于所述第二绝缘层远离所述有源层41一侧的第二栅极，可以理解的是，所述薄膜晶体管层40包括多个双栅结构的薄膜晶体管40a，其中，所述第一绝缘层30可以复用为所述双栅结构的薄膜晶体管40a的缓冲层。
43.所述有源层41包括层叠设置于所述第一绝缘层30上的第一金属氧化物半导体层411和第二金属氧化物半导体层412，所述第一金属氧化物半导体层411的材料包括但不限于铟锌氧化物(indium zinc oxide，izo)，所述第二金属氧化物半导体的材料包括但不限于铟镓锌氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)，本实施例以所述第一金属氧化物半导体层411的材料为izo、所述二金属氧化物半导体的材料为igzo为例对本技术的技术方案进行举例说明。
44.其中，所述第一金属氧化物半导体层411的含氧量大于所述第二金属氧化物半导体层412的含氧量；具体地，所述第一金属氧化物半导体层411包括第一导体部411b、第二导体部411c以及位于所述第一导体部411b和所述第二导体部411c之间的有源段411a，在垂直
于所述基底10的方向上，所述第二金属氧化物半导体层412的正投影至少覆盖所述有源段411a的正投影，需要说明的是，在垂直于所述基底10的方向上，本实施例对所述第二金属氧化物半导体层412长度不做具体限制，优选地，本实施例以所述第二金属氧化物半导体层412的正投影覆盖所述有源段411a的正投影为例对本技术的技术方案进行举例说明。
45.可以理解的是，结合图1和图2，在本实施例中，本实施通过设置所述第一金属氧化物半导体层411的含氧量大于所述第二金属氧化物半导体层412的含氧量，所述第一金属氧化物半导体层411包括第一导体部411b、第二导体部411c以及位于所述第一导体部411b和所述第二导体部411c之间的有源段411a，在垂直于所述基底10的方向上，所述第二金属氧化物半导体层412的正投影至少覆盖所述有源段411a的正投影，由于所述第一金属氧化物半导体层411和所述第二金属氧化物半导体层412均为金属氧化物半导体材料，两者的材料类型相近，因此所述第二金属氧化物半导体层412与所述第一金属氧化物半导体层411界面处的缺陷数量少，从而避免现有技术中所述有源层41与所述栅极绝缘层接触时会在接触界面处产生缺陷，提高了实际沟道p中载流子的数量，进而提高所述有源层41的载流子迁移率、并且提升所述显示面板的稳定性。
46.进一步地，所述第二金属氧化物半导体层412中的载流子浓度大于所述第一金属氧化物半导体层411中的载流子浓度，从而避免所述第一金属氧化物半导体层411在所述第二金属氧化物半导体的载流子注入下导体化，并且可以进一步提高所述薄膜晶体管40a的光照稳定性。
47.在本实施例中，所述显示面板还包括位于所述基底10和第一绝缘层30之间的第一金属层20，所述第一金属层20包括间隔设置的第一电极22、所述第一栅极21以及第二电极23，其中，所述第一电极22与所述第一导体部411b连接，所述第二电极23与所述第二导体部411c连接。
48.具体地，所述第一金属层20的材料均包括但不限于钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)和钨(w)中的至少一种金属，本实施例对此不做具体限制。
49.在本实施例中，所述第一栅极21可以复用为所述显示面板的遮光层，在垂直于所述基底10的方向上，所述第一栅极21的正投影覆盖所述有源段411a的正投影，所述第一电极22为所述薄膜晶体管层40的源极和漏极中的一者，所述第二电极23为所述薄膜晶体管层40的源极和漏极中的另一者，进一步地，在本实施例中，所述第一电极22为所述薄膜晶体管层40的源极、所述第二电极23为所述薄膜晶体管层40的漏极，所述第一绝缘层30开设有暴露所述第一电极22的第一过孔31、及暴露所述第二电极23的第二过孔32，所述第一导体部411b通过所述第一过孔31与所述第一电极22连接，所述第二导体部411c通过所述第二过孔32与所述第二电极23连接。
50.可以理解的是，本实施例通过在所述基底10和所述第一绝缘层30之间设置第一金属层20，所述第一金属层20包括间隔设置的所述第一电极22、所述第一栅极21以及所述第二电极23，从而节约所示显示面板的制作成本、提高生产效率。
51.在本实施例中，所述第一导体部411b与所述第二金属氧化物半导体层412的上表面及所述第二金属氧化物半导体层412靠近所述第一导体部411b的一侧接触，所述第二导体部411c与所述第二金属氧化物半导体层412的上表面及所述第二金属氧化物半导体层
412靠近所述第一导体部411b的一侧接触；其中，所述第二绝缘层位于所述第一导体部411b和所述第二导体部411c之间。
52.具体地，所述第一导体部411b的一端通过所述第一过孔31与所述第一电极22连接，所述第一导体部411b的另一端与所述第二金属氧化物半导体层412的上表面及所述第二金属氧化物半导体层412靠近所述第一导体部411b的一侧接触，所述第二导体部411c的一端通过所述第二过孔32与所述第二电极23连接，所述第二导体部411c的另一端与所述第二金属氧化物半导体层412的上表面及所述第二金属氧化物半导体层412靠近所述第二导体部411c的一侧接触，从而增加了所述第一电极22、所述第二电极23与所述有源段411a的接触面积，降低了接触电阻，提高了信号传输的稳定性。
53.请结合图3所示，为本技术实施例所提供的所述薄膜晶体管40a的有源层41载流子累积示意图。
54.在本实施例中，所述第一栅极21和所述第二栅极分别被配置为大小相等的负极性扫描电压；具体地，所述有源层41包括层叠设置于所述第一绝缘层30上的第一金属氧化物半导体层411和第二金属氧化物半导体层412，所述第一金属氧化物半导体层411的含氧量大于所述第二金属氧化物半导体层412的含氧量，所述第二金属氧化物半导体层412用于将所述第一金属氧化物半导体层411和所述第二绝缘层进行隔离，并且通过在所述第一栅极21和所述第二栅极分别被配置为大小相等的负极性扫描电压，从而控制所述薄膜晶体管40a的实际沟道p位于所述第一金属氧化物半导体层411和所述第二金属氧化物半导体层412之间。
55.并且由于所述第一金属氧化物半导体层411和所述第二金属氧化物半导体层412均为金属氧化物半导体材料，两者的材料类型相近，因此所述第二金属氧化物半导体层412与所述第一金属氧化物半导体层411界面处的缺陷数量少，从而避免现有技术中所述有源层41与所述栅极绝缘层接触时会在接触界面处产生缺陷，提高了实际沟道p中载流子的数量，进而提高所述有源层41的载流子迁移率、并且提升所述显示面板的稳定性。
56.进一步地，在垂直于所述基底10的方向上，所述第一金属氧化物半导体层411的厚度范围为300～800埃，第二金属氧化物半导体层412的厚度范围为300～500埃，优选地，在所述第一金属氧化物半导体层411中，所述有源段411a的厚度为500埃，所述第一导体部411b的厚度为800埃，所述第二导体部411c的厚度为800埃，从而避免所述有源段411a的厚度太薄而容易出现制备不均匀的缺陷，提高所述薄膜晶体管40a的稳定性；所述第二金属氧化物半导体层412的厚度为300埃，从而避免所述第二金属氧化物半导体层412的厚度太大而容易导体化。
57.进一步地，在本实施例中，所述显示面板1还包括位于所述薄膜晶体管层40远离所述基底10一侧的钝化层50、平坦层60、发光器件层(图中未标记)以及封装层90，需要说明的是，在所述基底10与所述封装层90之间还可以设置有其他功能膜层，本实施例对此不做具体限制。
58.在本实施例中，所述发光器件层包括层叠设置于所述平坦层60上的电极层、发光层72(图中未标记)以及阴极73(图中未标记)，其中，所述电极层包括阳极71；所述钝化层50上开设有暴露部分所述第二电极23的第三过孔51，所述阳极71通过所述第三过孔51与所述第二电极23连接，所述平坦层60上开设有第一开口，所述阳极71设置于所述第一开口内；进
一步地，所述显示面板还包括位于所述阳极71远离所述平坦层60一侧的像素定义层80，所述像素定义层80上开设暴露所述阳极71的开孔(图中未标记)，所述发光层72位于所述开孔内，所述发光层72通过所述开孔与所述阳极71连接，所述阴极73通过所述开孔与所述发光层72连接。
59.本技术实施例还提供一种显示面板的制作方法，请结合图2、图4以及图5a至图5g；其中，所述图4为本技术实施例所提供显示面板的制作方法的流程图；图5a～图5g为图1中显示面板制作的结构工艺流程图。
60.在本实施例中，所述显示面板的制作方法包括以下步骤：
61.步骤s100：提供一基底10，包括提供一第一衬底，以及依次形成于所述第一衬底上的间隔层和第二衬底。
62.步骤s200：在所述基底10上依次形成第一栅极21、第一绝缘层30、有源层41、第二绝缘层和第二栅极，其中，所述第一金属氧化物半导体层411的含氧量大于所述第二金属氧化物半导体层412的含氧量，所述第一金属氧化物半导体层411包括第一导体部411b、第二导体部411c以及位于所述第一导体部411b和所述第二导体部411c之间的有源段411a，在垂直于所述基底10的方向上，所述第二金属氧化物半导体层412的正投影至少覆盖所述有源段411a的正投影。
63.具体地，在本实施例中，所述步骤s200包括以下步骤：
64.步骤s201：在所述基底10上形成第一金属层20，所述第一金属层20包括间隔设置的第一电极22、所述第一栅极21以及第二电极23，如图5a所示；其中，所述第一金属层20的材料均包括但不限于钼(mo)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、钙(ca)、钛(ti)、钽(ta)和钨(w)中的至少一种金属，本实施例对此不做具体限制。
65.步骤s202：在所述第一金属层20上形成所述第一绝缘层30，如图5b所示；所述第一绝缘层30的材料包括但不限于单层氮化硅(si3n4)、单层二氧化硅(sio2),单层氮氧化硅(sion
x
)，或是以上膜层的双层结构，所述第一绝缘层30在所述基板上的正投影覆盖所述第一金属层20在所述基板上的正投影，从而对所述第一金属层20起到阻隔水氧以及绝缘的作用。
66.步骤s203:对所述第一绝缘层30图案化处理，形成暴露所述第一电极22的第一过孔31、及暴露所述第二电极23的第二过孔32，如图5c所示；可以理解的是，在本实施例中，对所述第一绝缘层30图案化处理的方法不做具体限制。
67.步骤s204:在所述第一绝缘层30上依次形成第一金属氧化物半导体材料层和第二金属氧化物半导体材料层，并对所述第一金属氧化物半导体材料层和所述第二金属氧化物半导体材料层图案化处理，形成与所述第一栅极21对应设置的第一金属氧化物半导体层411的有源段411a和第二金属氧化物半导体层412，如图5d所示；所述第二金属氧化物半导体层412的正投影覆盖所述有源段411a的正投影。
68.其中，第一金属氧化物半导体材料层的厚度为500埃米，所述第二金属氧化物半导体材料层的厚度为300埃米，所述第一金属氧化物半导体层411和所述第二金属氧化物半导体层412形成所述有源层41，所述第一金属氧化物半导体层411的材料包括但不限于铟锌氧化物(indium zinc oxide，izo)，所述第二金属氧化物半导体的材料包括但不限于铟镓锌
氧化物(indiumgalliumzincoxide，igzo)，本实施例以所述第一金属氧化物半导体层411的材料为izo、所述二金属氧化物半导体的材料为igzo为例对本技术的技术方案进行举例说明。
69.步骤s205：在所述第一绝缘层30上形成所述第一金属氧化物半导体材料层，并对所述第一金属氧化物半导体材料层图案化处理，然而采用导体化工艺，形成所述第一金属氧化物半导体层411的第一导体部411b和第二导体部411c，如图5e所示，其中，所述第一导体部411b通过所述第一过孔31与所述第一电极22连接，所述第二导体部411c通过所述第二过孔32与所述第二电极23连接。
70.需要说明的是，在本实施例中，所述第一电极22为源极和漏极中的一者，所述第二电极23为源极和漏极中的另一者，进一步地，在本实施例中，所述第一电极22为源极、所述第二电极23为漏极。
71.步骤s206：在所述第二金属氧化物半导体层412依次形成第二绝缘层和第二金属层，所述第二金属层包括与所述第一栅极21对应设置的第二栅极，所述第二绝缘层用于将所述第二栅极与所述有源层41间隔开，如图5f所示。
72.在本实施例中，所述显示面板的制作方法，还包括以下步骤：
73.步骤s300：在所述第二栅极上形成钝化层50，对所述钝化层50图案化处理，形成暴露部分所述第二电极23的第三过孔51，如图5g所示。
74.步骤s400：在所述钝化层50上依次形成平坦层60、阳极71、像素定义层80、发光层72以及阴极73，从而形成第一基板100，如图2所示；可以理解的是，所述平坦层60、所述阳极71、所述像素定义层80、所述发光层72以及所述阴极73已经在上述实施例中进行了详细的说明，在此不在重复说明。
75.步骤s900：制作第二基板，将所述第二基板与所述第一基板100对盒，并在所述第一基板100和所述第二基板之间注入液晶。
76.本实施例提供一种移动终端，所述移动终端包括终端主体和上述任一实施例中所述的显示面板，所述终端主体与所述显示面板组合为一体。
77.可以理解的是，所述显示面板已经在上述实施例中进行了详细的说明，在此不在重复说明。
78.在具体应用时，所述移动终端可以为智能手机、平板电脑、笔记本电脑、智能手环、智能手表、智能眼镜、智能头盔、台式机电脑、智能电视或者数码相机等设备的显示屏，甚至可以应用在具有柔性显示屏的电子设备上。
79.综上所述，本技术提供一种显示面板及其制作方法、移动终端，所述显示面板包括层叠设置的基底、第一栅极、第一绝缘层、有源层、第二绝缘层以及第二栅极；所述有源层包括层叠设置于所述第一绝缘层上的第一金属氧化物半导体层和第二金属氧化物半导体层；本技术实施例通过设置所述第一金属氧化物半导体层的含氧量大于所述第二金属氧化物半导体层的含氧量，所述第一金属氧化物半导体层包括第一导体部、第二导体部以及位于所述第一导体部和所述第二导体部之间的有源段，在垂直于所述基底的方向上，所述第二金属氧化物半导体层的正投影至少覆盖所述有源段的正投影，从而避免现有技术中，所述有源层与所述第二绝缘层接触时会在接触界面处产生缺陷，提升所述有源层的载流子迁移率，并且提升所述显示面板的稳定性。
80.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
81.以上对本技术实施例所提供的一种显示面板及其制作方法、移动终端进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。