显示面板及其制作方法和显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体地，涉及显示面板及其制作方法和显示装置。


背景技术：

2.发光二极管(light emitting diode，led)具有响应速度快、发光亮度高且使用寿命长等优点，存在众多应用需求，发光二极管显示面板一直是研发热点。
3.发光二极管显示面板采用将发光二极管转运至目标基板上并与目标基板键合的方式制作。
4.目前，发光二极管显示面板存在反射率较高的问题，亟待解决。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本发明实施例提供显示面板及其制作方法和显示装置，用以解决显示面板的反射率较高的问题。
6.本发明实施例提供一种显示面板，包括驱动基板和发光元件，其中，驱动基板包括第一膜层，第一膜层设置开口；发光元件位于驱动基板上，发光元件包括主体部和电极，电极包括位于开口的第一部分。
7.本发明实施例提供的显示面板的制作方法包括如下步骤：
8.形成驱动基板的第一膜层，第一膜层设置开口；
9.形成光刻胶层，光刻胶层位于第一膜层的一侧；
10.形成光刻胶图案，光刻胶图案具有通孔，通孔与开口交叠；
11.形成电极层，电极层包括第一电极部分和第二电极部分，第一电极部分覆盖光刻胶图案，第二电极部分包括位于开口内的部分；
12.去除光刻胶图案和第一电极部分；
13.提供发光元件，将发光元件转运至驱动基板上方，其中，发光元件包括主体部和键合电极；
14.键合发光元件与第二电极部分，使键合电极与第二电极部分形成发光元件的电极。
15.本发明实施例提供一种显示装置，包括本发明任一实施例提供的显示面板。
16.相比于现有技术，本发明实施例提供的显示面板及其制作方法和显示装置至少具有如下有益技术效果：
17.通过将发光元件的电极至少部分设置于第一膜层的开口内，可以取消相关技术中的金属连线电极，减少了显示面板的反射率，提升显示面板的显示效果。
附图说明
18.图1为本发明实施例提供的显示面板的俯视图；
19.图2为图1中的显示区的局部的一种放大示意图；
20.图3为沿图2中线aa’的一种剖面示意图；
21.图4为图3中的局部的一种放大示意图；
22.图5为图3中的局部的另一种放大示意图；
23.图6为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的流程图；
24.图7为本发明实施例提供的驱动基板的局部俯视图；
25.图8为沿图7中线bb’的一种剖面示意图；
26.图9为沿图7中线bb’的另一种剖面示意图；
27.图10为在驱动基板上形成光刻胶层后的局部俯视图；
28.图11为沿图10中线cc’的剖面示意图；
29.图12为对光刻胶层进行图案化的一种结构示意图；
30.图13为形成电极层后的结构示意图；
31.图14为图13的对比图；
32.图15为去除光刻胶图案后的结构示意图；
33.图16为转运发光元件的一种示意图；
34.图17为发光元件与驱动基板键合过程的结构示意图；
35.图18为转运发光元件的另一种示意图；
36.图19为沿图2中线aa’的另一种剖面示意图；
37.图20为对光刻胶层进行图案化的另一种结构示意图；
38.图21为第一有机层的局部的俯视图；
39.图22为沿图2中的线aa’的另一种剖面示意图；
40.图23为沿图2的线aa’的另一种剖面示意图；
41.图24为形成第一膜层、形成电极层及去除部分电极的过程的结构示意图；
42.图25为沿图2中线aa’的另一种剖面示意图；
43.图26为本发明实施例提供的第一膜层的结构示意图；
44.图27为沿图2中线aa’的另一种剖面示意图；
45.图28和图29分别为图1中的显示区的局部的另一种放大示意图；
46.图30和图31分别为图28和图29中的区域a1的放大示意图；
47.图32和图33分别为图28和图29中的区域a2的放大示意图；
48.图34和图35分别为图28和图29中的区域a3的放大示意图；
49.图36-图39分别为沿图28和图29中的线dd’的剖面示意图；
50.图40为沿图29中的线ee’的剖面示意图；
51.图41-图43分别为沿图28和图29中的线dd’的剖面示意图；
52.图44为图29中的区域a4的一种放大示意图；
53.图45为本发明实施例提供的一种显示装置的示意图。
具体实施方式
54.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员
在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
55.本技术中具有相同附图标记的部分，可在相关附图对应的文字说明部分相互参考。
56.图1为本发明实施例提供的显示面板的俯视图。如图1所示，显示面板100包括显示区aa，多个像素p设置于显示区aa，并呈规律排列，多个像素p用于显示画面。
57.图2为图1中的显示区的局部的一种放大示意图。图3为沿图2中线aa’的一种剖面示意图。如图2和图3所示，显示面板包括驱动基板200和发光元件300。
58.驱动基板200可以包括衬底210和驱动电路层220，驱动电路层220位于衬底210上。
59.衬底210可以是绝缘衬底。作为示例，衬底210可以包括诸如玻璃、石英和聚合物树脂的材料。这里，聚合物材料可以包括聚醚砜(pes)、聚丙烯酸酯(pa)、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺(pei)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚苯硫醚(pps)、聚烯丙酯(polyallylate)、聚酰亚胺(pi)、聚碳酸酯(pc)、三乙酸纤维素(cat)、乙酸丙酸纤维素(cap)或其组合。作为另一示例，衬底210可以是包括聚酰亚胺(pi)的柔性衬底。
60.驱动电路层220可以包括薄膜晶体管tft、电容c和走线l等结构。
61.作为示例，驱动电路层220的膜层可以包括缓冲层221、有源图案222、栅极绝缘层223、栅极224、中间介电层225、层间介电层226、源极227s、漏极227d和钝化层228。
62.缓冲层221可防止诸如氧气、湿气等的杂质从衬底210渗透，并且可使衬底210平坦化。此外，缓冲层221可控制用于有源图案222的形成的退火工艺中的传热率。缓冲层221可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机材料中的一者或者多者构成的堆叠结构。
63.有源图案222可布置于缓冲层221上，有源图案222可包括沟道区222c以及位于沟道区222c的相对端的源区222s和漏区222d。以有源图案222包括多晶硅半导体为例，沟道区222c包括未掺杂的多晶硅半导体，并且源区222s和漏区222d可包括掺杂有杂质的多晶硅半导体。有源图案222可为n型半导体或p型半导体。作为示例，掺杂在源区222s和漏区222d中的杂质可为n型杂质，例如，诸如磷(p)离子的材料可用作n型杂质。作为示例，掺杂在源区222s和漏区222d中的杂质可为p型杂质。例如，诸如硼(b)离子的材料可用作p型杂质。
64.有源图案222可以包括硅半导体或者氧化物半导体。
65.硅半导体可以包括非晶硅、单晶硅和多晶硅中的一种或多种，作为示例，有源图案222可以包括低温多晶硅。
66.氧化物半导体可以包括铟(in)、锌(zn)、镓(ga)、锡(sn)、钛(ti)、铝(al)、铪(hf)、锆(zr)、镁(mg)等。有源图案212可以包括二元化合物、三元化合物或四元化合物，例如，有源图案212可以包括氧化铟镓锌(igzo)、氧化铟锡锌(itzo)、氧化镓锌(gaznxoy)、氧化铟锌(izo)、氧化锌镁(znmgxoy)、氧化锌(znox)、氧化镓(gaox)、氧化锡(snox)、氧化铟(inox)、氧化铟镓铪(igho)、氧化锡铝锌(tazo)、氧化铟镓锡(igto)等。这些可被单独使用，或者也可被彼此组合地使用。在本公开的示例性实施方式中，上述的氧化物半导体中可掺杂有锂(li)、钠(na)、锰(mn)、镍(ni)、钯(pd)、铜(cu)、碳(c)、氮(n)、磷(p)、钛(ti)、锆(zr)、钒(v)、钌(ru)、锗(ge)、锡(sn)、氟(f)等。
67.栅极绝缘层223覆盖有源图案222，栅极绝缘层223可布置于缓冲层221上。栅极绝缘层223可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机材料中的一者或者多者构成的堆叠结构。
68.栅极224可布置于栅极绝缘层223上，且可与有源图案222的沟道区222c交叠，栅极224和有源图案222可以形成薄膜晶体管tft。栅极224可以包括诸如铝(al)、银(ag)、铬(cr)、钛(ti)、钽(ta)、钼(mo)等的金属、其合金、其氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。作为示例，栅极224可包括钼(mo)。
69.中间介电层225覆盖栅极224，并可布置于栅极绝缘层223上。中间介电层225可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机材料中的一者或者多者构成的堆叠结构。作为示例，中间介电层225可包括氮化硅。
70.层间介电层226可布置于中间介电层225上，层间介电层226可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机材料中的一者或者多者构成的堆叠结构。
71.源极227s可与有源图案222的源区222s接触，并且漏极227d可与有源图案222的漏区222d接触，源极227s和漏极227d可以在同一制程中形成，两者位于同一膜层。作为示例，暴露源区222s的一部分的第一接触孔ch1和暴露漏区222d的一部分的第二接触孔ch2可各自通过栅绝缘层223、中间介电层225和层间介电层226形成。源极227s可通过第一接触孔ch1与源区222s的上表面接触，漏极227d可通过第二接触孔ch2与漏区222d的上表面接触。源极227s和漏极227d可包括诸如铝(al)、银(ag)、铬(cr)、钛(ti)、钽(ta)、钼(mo)等的金属、其合金、其氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。作为示例，源极227s和漏极227d可包括ti/ai/ti金属堆叠结构。
72.钝化层228覆盖源极227s和漏极227d，并且钝化层228可布置于层间介电层226上。钝化层228可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机材料中的一者或者多者构成的堆叠结构。作为示例，钝化层228可包括氮化硅。
73.电容c可包括相对的第一极板cp1和第二极板cp2，电容c可以用于维持驱动电路中的节点电位。第一极板cp1可位于栅极绝缘层223和中间介电层225之间，且与栅极224位于同一膜层，且可与栅极224采用相同材料形成。第二极板cp2可位于中间介电层225和层间介电层226之间，第二极板cp2可以包括诸如铝(al)、银(ag)、铬(cr)、钛(ti)、钽(ta)、钼(mo)等的金属、其合金、其氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。作为示例，第二极板cp2可包括钼(mo)。
74.走线l可以用于提供各类信号，图3以走线l位于层间介电层226与钝化层228之间为例，走线l可与源极227s、漏极227d位于同一膜层，且可与源极227s、漏极227d的材料相同。根据走线l所传输的信号种类及需求，走线l可以位于其他一个膜层或者多个膜层，比如，走线l与栅极224位于同一膜层，或者，走线l与第二极板cp2位于同一膜层，等等。
75.驱动电路层220包括驱动电路，驱动电路用于驱动发光元件300发光，作为示例，驱动电路包括像素电路，像素电路与发光元件300电连接，用于驱动发光元件300发光。
76.图4为图3中的局部的一种放大示意图。图5为图3中的局部的另一种放大示意图。图4和图5中仅示意了驱动基板200中的部分膜层。
77.如图3-图5所示，发光元件300可以为发光二极管，例如，无机发光二极管。发光元件300的尺寸可以小于200微米，作为示例，发光元件300的尺寸可以小于100微米，或者，小于50微米等。
78.发光元件300可以包括主体部310和电极320。主体部310可包括n型半导体层311、p型半导体层312和位于两者之间的有源层313。
79.发光元件300的主体部310可以理解为发光元件300的除电极320之外的部分。
80.发光元件300的主体部310的材料可以包括但不限于氮化镓(gan)、磷化铝铟镓(alingap)或砷化铝镓(algaas)或磷砷化镓(gaasp)等化合物半导体。
81.电极320可包括第一电极321和第二电极322。第一电极321与p型半导体层312电连接，第二电极322与n型半导体层311电连接，第一电极321可以为正极，第二电极322可以为负极。
82.电极320可以包括金(au)、锡(sn)、镍(ni)、钛(ti)、铝(al)、银(ag)和铟(in)等金属的合金或者固溶体。作为示例，电极320包括金铟合金。
83.第一电极321和第二电极322可以均位于主体部310的同一侧，作为示例，第一电极321和第二电极322均位于n型半导体层311的靠近p型半导体层312的一侧。在显示面板的膜层结构中，第一电极321和第二电极322可以均位于主体部310的朝向驱动基板200的一侧。在将发光元件300转印至驱动基板200上时，便于实现发光元件300与驱动基板200之间采用热压方式电连接，比如通过共晶方式实现发光元件300与驱动基板200之间的键合。
84.主体部310还可以包括绝缘层314，绝缘层314覆盖主体部中的n型半导体层311、p型半导体层312和有源层313，绝缘层314设置通孔分别暴露n型半导体层311的部分区域以及p型半导体层312的部分区域，在绝缘层314的通孔处，第一电极321与p型半导体层312电连接，第二电极322与n型半导体层311电连接。
85.主体部310还可以包括布拉格反射层，布拉格反射层可以位于p型半导体层312的远离n型半导体层311的一侧，通过对光的反射作用，提高发光元件300的出光效率。
86.如图5所示，发光元件300的主体部310还可以包括透明电极315，透明电极315位于第一电极321与p型半导体层312之间。透明电极315的材料可以为氧化铟锡(ito)，可以用于调整发光元件300的不同区域的电流密度分布。
87.如图5所示，发光元件300的上表面可以设置微图案，例如，在n型半导体层311的上表面设置粗糙图案，利于提高发光元件300的出光效率。
88.如图3所示，驱动基板200还可以包括平坦化层230。平坦化层230可以位于驱动电路层220上，平坦化层230可用于在驱动电路层220上形成平坦表面。作为示例，平坦化层230可以位于钝化层228上，平坦化层230的远离钝化层228的一侧具有基本平坦的上表面。平坦化层230可包括有机材料，诸如光刻胶、聚丙烯酸酯基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂、硅氧烷基树脂、丙烯酸基树脂、环氧基树脂等。
89.驱动电路层220采用膜层堆叠的方式制作，驱动电路层220中的构成薄膜晶体管tft的有源图案222、栅极224、源极227s和漏极227d等图案以及电容c和走线l等图案使得驱动电路层220的上表面凹凸不平，另外，贯穿膜层的通孔(比如第一接触孔ch1、第二接触孔ch2等)也会带来驱动电路层220的上表面凹凸不平的问题。其中，驱动电路层220的上表面可以为钝化层228的上表面。通过设置平坦化层230，可以为后续制作的部件提供平坦表面。
90.继续参考图3，驱动基板200还可以包括连接部240。连接部240设置于平坦化层230上，连接部240包括第一连接部241和第二连接部242，第一连接部241可与驱动电路层220中的薄膜晶体管tft电连接，第二连接部242可与电源线电连接。作为示例，第一连接部241可以经过接触孔ch与薄膜晶体管tft的漏极227d电连接，其中，接触孔ch贯穿平坦化层230和钝化层228，接触孔ch暴露薄膜晶体管tft的漏极227d的一部分。连接部240可包括诸如铝
(al)、银(ag)、铬(cr)、钛(ti)、钽(ta)、钼(mo)等的金属、其合金、其氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。作为示例，连接部240可包括ti/ai/ti金属堆叠结构。连接部240的材料可以与源极227s、漏极227d的材料相同。
91.为充分利用金属膜层，连接部240所在的金属膜层还可以包括其他的金属部件，比如电源线、信号线、电屏蔽部件、遮光部件等。
92.如图3-图5，驱动基板200还包括第一膜层250，第一膜层250设置开口op。
93.驱动基板200的第一膜层250位于驱动电路层220的远离衬底210的一侧，即驱动电路层220位于第一膜层250和衬底210之间。
94.平坦化层230可以位于第一膜层250与驱动电路层220之间。
95.连接部240位于平坦化层230与第一膜层250之间。
96.第一膜层250的开口op暴露连接部240，发光元件300的电极320包括位于开口op的第一部分320a，发光元件300的电极320与连接部240接触并电连接，具体地，发光元件300的电极320的第一部分320a与连接部240接触并电连接。
97.电极320可以填充第一膜层250的开口op。电极320的第一部分320a可以填充第一膜层250的开口op。具体地，电极320的下表面320b与连接部240接触，电极320的第一部分320a的侧面320s与第一膜层250的开口op的侧壁opw接触。在该设置方式中，电极320除了与连接部240接触，还与第一膜层250接触，改善了电极320与金属膜层之间的粘合力弱，发光元件容易从驱动基板200脱落或者与驱动基板200电性接触不良的问题，提高显示面板的可靠性。
98.连接部240的上表面可以进行粗糙化，以增加连接部240与电极320的第一部分320a之间的粘合力。
99.可以调整第一膜层250的厚度，以调节电极320与第一膜层250的开口op的侧壁opw之间的接触面积。例如，增加第一膜层250的厚度，以增加电极320与第一膜层250之间的接触面积，提高发光元件300与驱动基板200之间的粘合可靠性。
100.可以调整第一膜层250的开口op的侧壁opw的倾斜度，以调节电极320与第一膜层250的开口op的侧壁opw之间的接触面积。例如，沿由衬底210指向发光元件300的方向，开口op的侧壁opw朝向远离开口内部的方向倾斜，可以增加侧壁opw远离开口中心的距离，以增加电极320与第一膜层250之间的接触面积，提高发光元件300与驱动基板200之间的粘合可靠性。
101.电极320还可以包括位于第一部分320a与发光元件300的主体部310之间的第二部分320c。
102.图4和图5中对第一电极321的第一部分320a和第二部分320c进行了示意，对于第二电极322的第一部分320a和第二部分320c可作相同方式的划分，即第二电极322包括位于第一膜层250的开口op的第一部分320a和位于第一部分320a与发光元件300的主体部310之间的第二部分320c。
103.如图3-图5所示，第二部分320c的面积可以大于或者等于第一部分320a的面积。第二部分320c的超出第一部分320a的边缘可以与第一膜层250的上表面接触，进一步增加了电极320与第一膜层250的接触面积，提高了发光元件300与驱动基板200之间的粘合可靠性。
104.可以对第一膜层250的开口op的侧壁opw以及第一膜层250的上表面进行粗糙化，以增加电极320与第一膜层250之间的粘合力。
105.在相关技术中，发光元件的电极直接设置于金属连线电极上，金属连线电极的一端通过介于金属连线电极与薄膜晶体管之间的膜层的过孔与下方的薄膜晶体管相连，发光元件的电极位于金属连线电极的另一端。为了避免设置过孔的位置对金属连线电极所带来的不平整表面对发光元件的键合过程产生影响，金属连线电极的位于过孔位置的一端与设置发光元件的电极的一端之间需要保留一定的距离，从而金属连线电极的长度较长，该金属连线电极增加了显示面板的反射率，影响显示效果。
106.在本技术中，通过将发光元件300的电极320设置于第一膜层250的开口op处，取消了金属连线电极，减少了显示面板的反射率，提升显示面板的显示效果。
107.在本发明的实施例中，第一膜层250的开口op的形状以矩形作为示例。第一膜层250的开口op的形状还可以包括圆形等其他合适的形状。
108.如图3所示，发光元件300的第一电极321与第一连接部241电连接，并且通过第一连接部241与薄膜晶体管tft的漏极227d电连接。第一连接部241通过贯穿平坦化层230与钝化层228的接触孔ch与薄膜晶体管tft连接，第一连接部241的位于接触孔ch的部分一般不具有平坦的表面，而第一连接部241的被第一膜层250的开口op所暴露的部分需要具有相对平坦的表面，以利于发光元件300的键合。在垂直于显示面板100所在平面的方向，接触孔ch可以与第一膜层250的开口op不交叠，从而避免接触孔ch对第一连接部241的平坦部分的影响，可以根据需求设置第一连接部241的位于接触孔ch的部分与第一连接部241的被开口op暴露的部分之间的距离d。
109.继续参考图3，发光元件300的第二电极322与第二连接部242电连接，并且可以通过第二连接部242与电源线连接。
110.图6为本发明实施例提供的显示面板的制作方法的流程图。
111.结合图6-图17，对本技术实施例提供的显示面板的制作方法说明如下：
112.s101：形成驱动基板200的第一膜层250，第一膜层250设置开口op。
113.图7为本发明实施例提供的驱动基板的局部俯视图，图8为沿图7中线bb’的一种剖面示意图。图9为沿图7中线bb’的另一种剖面示意图。其中，图8和图9分别示意了驱动基板的两种示例，后续的工艺步骤以图9的驱动基板为例进行说明，需要说明的是，后续的工艺步骤也适用于图8所示的驱动基板。
114.如图7和图8所示，驱动基板200可以包括衬底210、线路层260、绝缘层270、连接部240和第一膜层250。
115.线路层260可以位于衬底210上，线路层260可以包括多条信号线，用于传输驱动信号，图8以驱动基板200包括一层线路层260为例。在其他实施方式中，线路层250可以包括多层，以满足信号线的数量及位置的设置需求。
116.绝缘层270可以覆盖线路层260。
117.连接部240可以设置于绝缘层270上，并可以通过设置于绝缘层270的接触孔ch与线路层260电连接。
118.第一膜层250位于驱动基板200的上侧，第一膜层250设置开口op，开口op暴露连接部240，开口op可用于接收后续形成的电极层的部分。
119.如图7和图9所示，驱动基板200可以包括衬底210、驱动电路层220、平坦化层230和第一膜层250。图9中的驱动基板200可以参考图3中的驱动基板200及其相关描述，相同部分不再赘述。
120.第一膜层250的开口op可用于接收后续形成的电极层的部分。
121.需要说明的是，为更加清晰示意与各步骤紧密相关的结构，在后续工艺步骤的相关附图中省略了部分附图标记，省略的附图标记可参考本技术中的其他相关附图。
122.s102：形成光刻胶层400，光刻胶层400位于第一膜层250的一侧。
123.图10为在驱动基板上形成光刻胶层后的局部俯视图，图11为沿图10中线cc’的剖面示意图。
124.如图10和图11所示，光刻胶层400可以整层设置于驱动基板200的上表面。具体地，光刻胶层400设置于第一膜层250上，光刻胶层400与第一膜层250接触，并填充第一膜层250的开口op。
125.s103：形成光刻胶图案410，光刻胶图案410具有通孔420，通孔420与开口op交叠。
126.图12为对光刻胶层进行图案化的一种结构示意图。
127.如图12所示，可以通过曝光和显影对光刻胶层400进行图案化以形成光刻胶图案410。
128.具体地，可以将掩膜版mask置于光刻胶层400的上方，光透过掩膜版mask对光刻胶层400进行选择性曝光，使光刻胶层400的曝光区域变为可溶性物质，或者，使光刻胶层400的曝光区域变为不可溶物质，通过显影去除光刻胶层400中的可溶性物质形成光刻胶图案410。
129.光刻胶层400的材料可以为负性光刻胶，光刻胶层400的被曝光区域的部分变成不可溶物质，在显影过程中被留下，而光刻胶层400的非曝光区域的部分被去除。
130.图12以光刻胶层400的材料为负性光刻胶进行示意。如图12所示，掩膜版mask包括透光区ta和遮光区sa，遮光区sa与第一膜层250的开口op正对，用于对开口op区域遮光。光刻胶层400的与掩膜版mask的透光区ta正对的区域受光照发生光化学反应，变成不可溶物质。在显影过程中，去除光刻胶层400的与开口交叠的部分，形成光刻胶图案410。
131.对于采用负性光刻胶的光刻胶层400，其在曝光过程中，沿其厚度方向，不同厚度位置的曝光量不同，越远离曝光源的位置的曝光量越小，显影时，曝光量不充分的位置也容易被去除，从而，在光刻胶图案410中形成倾斜侧壁。
132.光刻胶图案410具有通孔420，通孔420与开口交叠。光刻胶图案410包括朝向第一膜层250的底面410b和位于通孔420的侧壁410s，光刻胶图案410的底面410b与侧壁410s之间的夹角θ为钝角。
133.如图12所示，掩膜版mask的遮光区sa可以与开口op所在区域具有相同的大小。在其他实施方式中，掩膜版mask的遮光区sa可以大于开口op所在区域，且遮光区sa与开口op交叠。
134.s104：形成电极层500，电极层500包括第一电极部分510和第二电极部分520，第一电极部分510覆盖光刻胶图案410，第二电极部分520包括位于开口op内的部分。
135.图13为形成电极层后的结构示意图。如图13所示，可以采用蒸镀或者物理气相沉积的方式，在光刻胶图案410上方形成电极层500，电极层500包括第一电极部分510和第二
电极部分520，其中，第一电极部分510覆盖光刻胶图案410(即光刻胶层400在显影时保留的部分)，第二电极部分520包括位于第一膜层250的开口op内的部分。
136.由于光刻胶图案410具有通孔420，且通孔420与第一膜层250的开口op交叠，在采用蒸镀方式或者物理气相沉积方式形成电极层500时，电极层500除了包括位于光刻胶图案410上的部分外，还包括位于第一膜层250的开口op内的部分。另外，通过使光刻胶层400采用负性光刻胶，可以在光刻胶图案410的通孔420处形成朝向通孔420中心倾斜的侧壁410s，使得电极层500的第二电极部分520与第一电极部分510容易在通孔420处断开。
137.图14为图13的对比图。
138.如图14所示，金属连线电极mce位于平坦层pln上，光刻胶图案410位于平坦层pln上，且光刻胶图案410的通孔420暴露金属连线电极mce的至少部分区域，电极层500’包括位于光刻胶图案410上表面的第一电极部分510’和位于通孔420的第二电极部分520’，为了确保第一电极部分510’与第二电极部分520’在通孔420处断开，需要设置光刻胶图案的厚度t1’大于电极层500’的厚度。由于第二电极部分520’在后续的发光元件300与驱动基板200的键合中过程需要与发光元件300上的键合电极溶化压合，对第二电极部分520’的厚度有要求，第二电极部分520’的厚度不能过小，因此，光刻胶图案的厚度t1’也不能过小，对形成光刻胶层的工艺制程和设备以及对光刻胶层进行图案化的工艺制程和设备具有一定要求，增加了工艺难度。
139.在本技术中，如图13所示，电极层500的厚度为t2，电极层500的第二电极部分520的厚度也基本上为t2，第二电极部分520还包括位于第一膜层250的开口op内的部分。在该方案中，第一膜层250承载了电极层500的部分厚度，降低了对光刻胶层400的厚度t1的要求。具体地，第一膜层250的开口op的深度消化了第二电极部分520的部分厚度，使得第二电极部分520的位于通孔420内的部分的厚度小于电极层500的厚度t2，从而减小了对光刻胶图案410的通孔420的深度的要求，也就是减小了对光刻胶图案420的厚度t1的要求，可以减小光刻胶层的厚度，降低了光刻胶制程的工艺难度，同时可以与制作显示面板中的其他膜层的工艺设备兼容。
140.电极层500可以包括金(au)、锡(sn)、镍(ni)、钛(ti)、铝(al)、银(ag)和铟(in)等单层金属层或者多层金属层堆叠结构。作为示例，电极层500为金(au)膜层。
141.图12和图13以掩膜版的遮光区sa与第一膜层250的开口op具有相同大小进行示意。在另一种实施方式中，遮光区sa的面积可以大于第一膜层250的开口op的面积，从而，形成的光刻胶图案410的通孔420的面积可以大于第一膜层250的开口op的面积，继而形成的电极层500的第二电极部分520除了包括填充开口op的部分，还可以包括覆盖第一膜层250的上表面的部分，在将发光元件300的键合电极330与第二电极部分520键合时，可以增加键合电极330与第二电极部分520之间的接触面积，提高对位精度和键合可靠性。
142.s105：去除光刻胶图案410和第一电极部分510。
143.图15为去除光刻胶图案后的结构示意图。
144.如图15所示，第二电极部分520包括位于第一膜层250的开口op的部分。第二电极部分520的厚度可以大于开口op的深度。即第二电极部分520还可以包括突出于第一膜层250的上表面的部分。
145.在去除了图13所示结构中的光刻胶图案410连同位于光刻胶图案410上的第一电
极部分510后，可以得到图15所示的结构。
146.可以使用剥离药液去除光刻胶图案410和第一电极部分510。其中，光刻胶图案410的侧壁410s倾斜，使得在侧壁410s与第二电极部分520之间存在间隙，利于剥离药液的流入(如图13中的位于侧壁410s与第二电极部分520之间的箭头所示)，从而顺利去除光刻胶图案410以及位于其上的第一电极部分510。
147.s106：提供发光元件300a，将发光元件300a转运至驱动基板200的上方，其中，发光元件300a包括主体部310和键合电极330。
148.图16为转运发光元件的一种示意图。
149.如图16所示，转运装置600将发光元件300a转运至驱动基板200的上方。其中，发光元件300a可以通过在源基板上外延生长以及图形化等工艺额外制作形成，并采用转运的方式，置于驱动基板200上方。
150.发光元件300a包括主体部310和键合电极330，主体部310的结构可以参考图4和图5及其相关描述，另可参考图16，相同部分不再赘述。
151.键合电极330可包括第一键合电极331和第二键合电极332，第一键合电极331与p型半导体层312电连接，第二键合电极332与n型半导体层311电连接。
152.键合电极330可包括金(au)、铟(in)等单层金属层或者多层金属层堆叠结构。作为示例，键合电极330包括铟(in)膜层。
153.转运装置600可以包括转移头、转移基板等。作为示例，转运装置600可以为印章，印章通过范德华力拾取多个发光元件300a，并于特定位置释放发光元件300，完成对发光元件300a的转运。
154.s107：键合发光元件300a与第二电极部分520，使键合电极330与第二电极部分520形成发光元件300的电极320。
155.图17为发光元件与驱动基板键合过程的结构示意图。
156.如图17所示，发光元件300a的键合电极330与位于驱动基板200上的第二电极部分520接触，并在一定温度下发生共晶反应，使键合电极330与第二电极部分520结晶为晶体混合物(共晶体)，即形成图17中的发光元件300的电极320(第一电极321和第二电极322)。作为示例，第二电极部分520包括金(au)，键合电极330包括铟(in)，第二电极部分520与键合电极330发生共晶反应形成的发光元件300的电极320为金铟合金。
157.在键合过程中，第二电极部分520融化并受挤压，容易发生流动，通过将其设置于开口op内，减少了其向周围流动的范围，避免形成的第一电极321和第二电极322接触发生短路。
158.图18为转运发光元件的另一种示意图。
159.结合图6和图18对本发明实施例提供的显示面板的制作方法的另一种实施方式进行说明。
160.步骤s101-s103及s105可同前所述，对s104、s106和步骤s107的工艺过程说明如下：
161.s104：形成电极层500，电极层500包括第一电极部分510和第二电极部分520，第一电极部分510覆盖光刻胶图案410，第二电极部分520包括位于开口op内的部分。
162.在该步骤中，电极层500包括堆叠的第一金属和第二金属，比如第一金属为金
(au)，第二金属为铟(in)。
163.s106：提供发光元件300b，将发光元件300b转运至驱动基板200的上方，其中，发光元件300b包括主体部310。
164.s107：键合发光元件300b与第二电极部分520，使第二电极部分520形成发光元件300的电极320。
165.在该步骤中，第二电极部分520中的堆叠的第一金属和第二金属发生共晶反应形成金铟合金，并作为发光元件300的电极320。同时，在该键合过程中，发光元件300b的主体部310也与第二电极部分520接触，并形成固定电连接。
166.如图3所示，第一膜层250可包括第一有机层251，第一有机层251包括光刻胶、聚丙烯酸酯基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂、硅氧烷基树脂、丙烯酸基树脂和环氧基树脂等。
167.基于图6中的步骤s104、图13-图14及其相关文字说明，设置第一膜层250包括第一有机层251，可以提供具有一定深度的开口op，降低对光刻胶层400的厚度要求，从而降低工艺难度，同时，第一有机层251可以在连接部240上方继续提供平坦表面，便于第二电极部分520与键合电极330之间的共晶过程的顺利进行，提高电极键合的可靠性。基于此，第一有机层251可以作为第二平坦化层。
168.图19为沿图2中线aa’的另一种剖面示意图。
169.如图19所示，第一有机层251设置第一开口op1，第一膜层250的开口op包括第一开口op1。沿由第一膜层250指向发光元件300的方向(如图中的箭头所示)，第一开口op1的侧壁opw1朝向第一开口op1的内部倾斜，即第一开口op1的顶面(靠近发光元件300的主体部310)的面积小于第一开口op1的底面(靠近连接部240)的面积。
170.发光元件300的电极320包括填充第一开口op1的第一部分320a，配合第一开口op1的侧壁opw1的倾斜设置，提升了驱动基板200固定发光元件300的能力，降低了发光元件300从驱动基板200脱落的情况的发生概率。
171.图19中的与图3中具有相同附图标记的部分可以参考前述内容，此处不再赘述。
172.图20为对光刻胶层进行图案化的另一种结构示意图。
173.基于图19的第一有机层251的结构，对图6中的步骤s103的工艺过程在图20中进行示意。
174.在显示面板的制作方法中，步骤s101：形成驱动基板200的第一膜层250，包括：
175.形成第一有机层251，第一有机层251设置第一开口op1。
176.第一有机层251的结构可以参考图3、图19和图20。
177.第一有机层251可包括负性光刻胶。
178.第一有机层251采用负性光刻胶形成的结构可以参考图19和图20。
179.如图19所示，第一有机层采用负性光刻胶，使得形成的第一开口op1的侧壁opw1朝向第一开口op1的内部倾斜。
180.如图20所示，在第一有机层251和光刻胶层400均采用负性光刻胶的情形中，可以采用具有相同遮光区图案的掩膜版mask(比如同一张掩膜版)形成第一有机层251和光刻胶图案410，节省掩膜版的制作成本。
181.第一有机层251包括吸光材料。第一有机层251可以用于遮光，通过吸收外界环境
光，起到降低显示面板的反射率的作用。比如，第一有机层251包括黑色颜料。作为示例，第一有机层251可以为黑色光刻胶。
182.图21为第一有机层的局部的俯视图。图22为沿图2中的线aa’的另一种剖面示意图。图22与图3之间的区别在于，图3中的第一有机层251可以透光，而图22中的第一有机层252包括吸光材料，图22中的其他结构可以参考图3及其相关文字说明，此处不再赘述。
183.如图21和图22所示，第一有机层251的除设置第一开口op1的位置外，其他部分均可以对光起到阻挡作用，一方面，第一有机层251可以极大程度地减少驱动电路层220中的金属部件带来的显示面板的反射率较高的问题；另一方面，第一有机层也可以减少外界环境光对驱动电路层220中的元件的性能的影响，比如，避免外界环境光入射至薄膜晶体管使薄膜晶体管产生光漏流的问题；再一方面，第一有机层251可以吸收发光元件300朝向下方发出的光，避免其被反射而影响显示效果。
184.在第一有机层251为负性光刻胶的实施方式中，第一有机层251可以包括吸光材料。作为示例，图19中的第一有机层251可以透光，或者，图19中的第一有机层251可以包括吸光材料，对光起阻挡作用。
185.显示面板的第一膜层250还可以包括保护层252。
186.图23为沿图2的线aa’的另一种剖面示意图。图23与图22之间的区别在于，图22中的第一膜层250包括第一有机层251，而图23中的第一膜层250包括堆叠设置的第一有机层251和保护层。图23中的其他结构可以参考图3、图22及其相关文字说明，此处不再赘述。
187.如图23所示，显示面板中的第一膜层250包括第一有机层251和保护层252，保护层252覆盖第一有机层251，且与第一有机层251接触。
188.第一有机层251设置第一开口op1，保护层252设置第二开口op2，第一开口op1与第二开口op2交叠。第一膜层252的开口op可以由第一开口op1和第二开口op2构成。
189.电极320包括设置于第一开口op1和第二开口op2内的部分。
190.保护层252可以覆盖第一有机层251的上表面以及第一有机层251的第一开口op的侧壁，即保护层252包裹第一有机层的裸露的表面。
191.发光元件300的电极320位于开口op内的部分与保护层252接触。
192.对于第一膜层250包括堆叠的第一有机层251和保护层252的实施方式，对图6中的步骤s101、s104和s105的工艺过程在图24中进行示意。
193.图24为形成第一膜层、形成电极层及去除部分电极的过程的结构示意图。
194.结合图6和图24，对显示面板的制作方法中的步骤s101、s102、s104和s105说明如下：
195.步骤s101：形成驱动基板200的第一膜层250，包括：
196.形成第一有机层251，第一有机层251设置第一开口op1；
197.形成保护层252，保护层252覆盖第一有机层251，保护层252设置第二开口op2，第二开口op2与第一开口op1交叠。
198.步骤s102：形成光刻胶层400，光刻胶层400位于第一膜层250的一侧，包括：
199.光刻胶层400位于保护层252远离第一有机层251的一侧。
200.步骤s104：形成电极层500，电极层500包括第一电极部分510和第二电极部分520，第一电极部分510覆盖光刻胶图案410，第二电极部分520包括位于开口op内的部分。
201.步骤s105：去除光刻胶图案410和第一电极部分510。
202.使用剥离药液去除光刻胶图案410和第一电极部分510，在由步骤s104中的结构形成步骤s105的结构的过程中，剥离药液还会流入光刻胶图案410的侧壁410s与第二电极部分520之间的空隙，如图24中的步骤s104中的结构图中的箭头所示。
203.在未包含保护层252的结构(如图22所示)中，第一有机层251在该空隙处处于裸露状态，剥离药液在该空隙处与第一有机层251接触，导致构成第一有机层的黑色光刻胶褪色并失效。
204.设置保护层252，保护层252覆盖第一有机层251的裸露表面，将第一有机层251与剥离药液相隔离，可以防止在去除光刻胶图案410时剥离药液与第一有机层251接触并受药液的腐蚀，从而，避免第一有机层251褪色失效。
205.保护层252可以选用耐剥离药液影响的材料。
206.保护层252可以包括无机层。电极320位于开口op内的部分与无机层252接触，电极320与无机层252之间具有较好的粘合性，可以防止电极320脱落。保护层252可以包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机材料中的一者或者多者构成的堆叠结构。
207.图25为沿图2中线aa’的另一种剖面示意图。
208.如图25所示，显示面板还包括封装层700，封装层700用于封装发光元件300。封装层700可以包括封装胶710，封装胶710可以覆盖驱动基板200和发光元件300。
209.在第一膜层250中的第一有机层251包括吸光材料的实施方式中，第一有机层251用于降低显示面板的反射率，在第一膜层250中增设保护层252后，显示面板中新增了保护层252与封装胶710之间的界面，新增界面容易带来反射率上升的问题，妨害了通过采用第一有机层251降低显示面板反射率的目的的实现。
210.基于此，保护层252可以包括氧化硅层。
211.氧化硅层的折射率与封装层700的材料的折射率相近，比如，氧化硅层的折射率与封装胶710的折射率相近，降低了保护层252与封装胶710之间的界面反射，可以改善由折射率差异较大带来的反射率上升的问题。
212.图26为本发明实施例提供的第一膜层的结构示意图。
213.如图26所示，第一膜层250包括第一有机层251和保护层252，保护层252包括堆叠的氮化硅层252a和氧化硅层252b，氮化硅层252a位于氧化硅层252b和第一有机层251之间。
214.在第一有机层251上直接沉积氧化硅层，氧化硅层容易出现龟裂和脱落的情况。在氧化硅层252b与第一有机层251之间增设一层氮化硅层252a，氮化硅层252a可以在两者之间起到过渡作用，提升保护层252与第一有机层251的膜层结合性能，防止膜层分离。
215.如图26所示，氮化硅层252a的厚度t3小于氧化硅层252b的厚度t4。具体地，t3≤40nm，200nm≤t4≤400nm。作为示例，t3＝30nm，t4＝200nm，或者，t3＝30nm，t4＝400nm。通过设置氮化硅层252a的厚度t3小于氧化硅层252b的厚度t4，可以减小氮化硅层252a与氧化硅层252b之间的界面所带来反射率问题。
216.图27为沿图2中线aa’的另一种剖面示意图。
217.如图27所示，第一膜层250包括第一有机层251和保护层252，第一有机层251设置第一开口op1，保护层252设置第二开口op2，其中，第二开口op2大于第一开口op1。
218.在发光元件300a的键合电极330与第二电极部分520键合时，键合电极330和第二
电极部分520融化受压，容易造成融化的部分向周围流动扩散，通过设置保护层252，并且保护层252的第二开口op2大于第一有机层251的第一开口op1，可以为第二电极部分520和键合电极330的熔融部分提供更多的容纳空间，防止形成的电极320之间发生短路。另外，在键合电极330与第二电极部分520形成共晶体(比如电极320)后，该共晶体既与第一有机层251的侧壁接触，又与保护层252接触，提升了电极320与第一膜层250之间的粘合力，防止发光元件300脱落。
219.图27中以第一膜层250中的第一有机层251为透光膜层为例。在另一种实施方式中，可以将图27中的第一有机层251替换为包含吸光材料的膜层，包含吸光材料的膜层可以参考图22、图23、图25中的第一有机层251。在再一种实施方式中，可将图27中的第一有机层251替换为包含负性光刻胶的膜层，包含负性光刻胶的膜层可以参考图19中的第一有机层251。
220.对于第一有机层251的第一开口op1与保护层252的第二开口op2的大小关系，还可以设置为第二开口op2小于第一开口op1，可以改善发光元件300容易脱落的问题。
221.图28和图29分别为图1中的显示区的局部的另一种放大示意图，图30和图31分别为图28和图29中的区域a1的放大示意图，图32和图33分别为图28和图29中的区域a2的放大示意图，图34和图35分别为图28和图29中的区域a3的放大示意图，图36-图39分别为沿图28和图29中的线dd’的剖面示意图，图40为沿图29中的线ee’的剖面示意图，图41-图43分别为沿图28和图29中的线dd’的剖面示意图，图44为图29中的区域a4的一种放大示意图。
222.需要说明的是，图30-图35分别示意了相关膜层的开口形状及各开口的大小关系。以第一有机层251的开口标记为例，其在图30-图35中分别标记为251op1和251op2。
223.其中，图30、图32和图34示意了第一膜层250包括第一有机层251的实施方式，可以参考
224.图31、图33和图35示意了第一膜层250包括第一有机层251和保护层的实施方式。
225.图28-图43中与前述附图相同的部分可参考前述内容，此处不再赘述。
226.如图28-图44所示，显示面板包括像素透光区pta和非透光区pnta，非透光区pnta包括发光元件设置区。
227.发光元件元件设置区即为键合发光元件300的区域，如图28所示，发光元件设置区包括分别用于设置蓝色发光元件pb、绿色发光元件pg和红色发光元件pr的区域。另如图29图29所示，发光元件设置区包括分别用于设置蓝色发光元件pb、绿色发光元件pg和红色发光元件pr的区域，并包括冗余设置区pre，当所键合的发光元件300失效，则可在冗余设置区pre重新键合正常的发光元件300，以作修复。冗余设置区pre中的两个连接部240可以分别与同其相邻的发光元件设置区中的两个连接部240分别对应相连。
228.蓝色发光元件pb、绿色发光元件pg和红色发光元件pr可用于构成像素p。
229.第一膜层250中的第一有机层251包括吸光材料，通过设置开口透光。第一有机层251设置第一开口op1(或者开口op)和第三开口op3，第一开口op1限定发光元件设置区，第三开口op3限定像素透光区pta。
230.如图36所示，第一膜层250包括第一有机层251，发光元件300的电极320填充第一有机层251的第一开口op1。
231.如图37所示，第一膜层250包括第一有机层251和保护层252，第一有机层251和保
护层252共同形成第一膜层250的开口op，发光元件300的电极320填充开口op，并与保护层252接触。
232.如图38和图39所示，第一膜层250包括第一有机层251和保护层252，在第一方向上，发光元件300与第一开口op1的边缘之间的距离d1大于零，其中，第一方向平行于显示面板所在的表面。
233.第一有机层251的开口，相比于发光元件300外扩一定距离d1，便于留出转运装置600(如印章)夹持发光元件300a的空间以及发光元件300a与第二电极部分520对位的空间。
234.在第一开口op1相比于发光元件300外扩的情况下，连接部420会暴露，从而带来反射率上升的问题，因此距离d1不能过大，作为示例，发光元件300与第一开口op1的边缘之间的距离d1小于10微米。
235.发光元件300与第一开口op1的边缘之间的距离d1可以介于2微米～7微米范围内。
236.第一有机层251的高度可以低于发光元件300的高度，便于发光元件的转运的实现。
237.驱动基板200包括驱动电路层220、平坦化层230和连接部240，平坦化层240位于驱动电路层220和连接部240之间，连接部240位于平坦化层230和第一有机层251之间，第一有机层251的第一开口op1暴露连接部240。
238.驱动电路层220包括薄膜晶体管tft，连接部240包括第一连接部241，第一连接部241通过平坦化层230的接触孔ch与薄膜晶体管tft，该接触孔ch与第一有机层251的第一开口op1不交叠，也即，将接触孔ch设置于远离发光元件设置区。
239.平坦化层230设置第四开口，第四开口与像素透光区pta交叠，第一有机层251覆盖平坦化层230的第四开口的侧壁230s，用以遮光，减少反射。
240.所述第一膜层250还包括保护层252，保护层252覆盖第一有机层251的第一开口op1的侧壁和第三开口op3的侧壁。
241.保护层252设置第五开口，第五开口位于像素透光区pta，第五开口的形状为去除四角的矩形，比如，圆角矩形，如图33中的保护层252的开口形状252op2所示。采用该方案，可以改善位于像素透光区pta的边缘位置由高段差带来的第一有机层出现孔洞或以及保护层出现孔洞的情况，以及由此导致的剥离药液渗透和四角过刻等问题。
242.图38与图39的区别在于，在图38中，在第一电极321和第二电极322之间还包括有第一有机层251，在图39中，第一电极321和第二电极322之间可以不设置第一有机层251，如此，在第一电极321与第二电极322之间可以不设置保护层，利于在后续高温制程中的第一有机层251中产生的气体的释放，否则可能带来第一有机层膨胀破裂的问题。
243.如图40所示，驱动基板200包括冗余电极pre，由于没有发生共晶过程，冗余电极pre可以为第二电极部分520，作为示例，冗余电极pre包括金(au)。
244.如图41和图42所示，显示面板还包括封装层700，封装层700可包括封装胶710和盖板720，封装胶710覆盖驱动基板200，并用于封装发光元件300，封装胶710覆盖发光元件300的侧面，也可以同时覆盖发光元件300的上表面。
245.需要说明的是，在未示意封装层700的其他附图中，显示面板的驱动基板上方也可以设置封装层700，封装层700的具体结构可以参考相关附图。
246.如图42所示，显示面板还包括黑矩阵800，黑矩阵800位于封装胶710远离驱动基板
200的一侧，黑矩阵800设置第一透光孔810和第二透光孔820，第一透光孔810位于发光元件设置区，第二透光孔820位于像素透光区pta。黑矩阵800可呈网状，第一透光孔810和第二透光孔820为其网格。黑矩阵800可以降低显示面板的反射率，同时减少发光元件300之间的串扰。
247.在第二方向上，第一透光孔810的边缘与发光元件300之间的距离d2小于第一开口op1的边缘与发光元件300之间的距离d1，其中，第二方向平行于显示面板所在平面。通过该设置，可以进一步改善位于第一开口op1的连接部240带来的反射率较高的问题。
248.如图42和图43所示，显示面板的封装层700还包括粘合层730，粘合层730位于封装胶710与盖板720之间。
249.如图43所示，显示面板还包括色阻900，色阻900覆盖发光元件300。用以起到滤光作用，提高光纯度。
250.如图44所示，驱动基板还包括冗余电极pre，由于没有发生共晶过程，冗余电极pre可以为第二电极部分520，作为示例，冗余电极pre包括金(au)，色阻900覆盖冗余电极pre，用以减少冗余电极pre对显示面板的反射率的影响。
251.色阻900包括蓝色色阻910、绿色色阻920和红色色阻930，发光元件300包括蓝色发光元件pb、绿色发光元件pg和红色发光元件pr，蓝色色阻910覆盖蓝色发光元件pb，绿色色阻920覆盖绿色发光元件pg，红色色阻930覆盖红色发光元件pr。在其他实施方式中，可以不设置红色色阻，一方面，红色发光元件出光效率低，添加红色色阻进一步降低了发光元件的出光效率，另一方面，被冗余电极pre或者连接部240反射的光的波段大多数偏红光的波段，即使设置红色色阻，所起的减反射效果也非常有限。
252.本发明实施例提供的显示面板100可用于透明显示。
253.图45为本发明实施例提供的一种显示装置的示意图。图45中的显示装置1000以手机为例。本发明实施例提供的显示装置可以包括但不限于手机、平板电脑、壁挂式显示屏、透明显示装置等具备显示功能的设备。
254.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。