技术特征：
1.一种algan外延结构，其特征在于，包括：衬底；gan外延复合层，位于所述衬底上，所述gan外延复合层包括gan外延工艺层和sin
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插入层，所述gan外延复合层的至少一部分为交替层叠的gan外延工艺层和sin
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插入层；algan外延复合层，位于所述gan外延复合层上，所述algan外延复合层包括algan外延工艺层和mgn
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插入层，所述algan外延复合层的至少一部分为交替层叠的algan外延工艺层和mgn
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插入层；algan外延层，位于所述algan外延复合层上。2.根据权利要求1所述的algan外延结构，其特征在于，所述gan外延复合层的厚度为1-2μm，交替层叠的gan外延工艺层的单层厚度为10-100nm，交替层叠的sin
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插入层的单层厚度为1-2nm；所述algan外延复合层的厚度为5-200nm，交替层叠的algan外延工艺层的单层厚度为1-10nm，交替层叠的mgn
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插入层的单层厚度为0.5-1nm；所述algan外延层的厚度为20-2000nm。3.根据权利要求1所述的algan外延结构，其特征在于，所述gan外延复合层中，交替层叠的所述gan外延工艺层的总厚度不超过所述gan外延复合层厚度的二分之一；所述algan外延复合层中，交替层叠的所述algan外延工艺层的总厚度不超过所述algan外延复合层厚度的二分之一。4.根据权利要求3所述的algan外延结构，其特征在于，所述gan外延复合层中，非交替层叠的所述gan外延工艺层的厚度为0.5-1μm；所述algan外延复合层中，非交替层叠的所述algan外延工艺层的厚度为2.5-100nm。5.根据权利要求1所述的algan外延结构，其特征在于，所述gan外延复合层中，交替层叠的所述gan外延工艺层和sin
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插入层位于非交替层叠的所述gan外延工艺层的上方或下方，或者，位于两个非交替层叠的所述gan外延工艺层之间；所述algan外延复合层中，交替层叠的algan外延工艺层和mgn
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插入层位于非交替层叠的algan外延工艺层的上方或下方，或者，位于两个非交替层叠的所述algan外延工艺层之间。6.根据权利要求1所述的algan外延结构，其特征在于，所述algan外延层表面粗糙度为0.1-10nm。7.一种algan外延结构的制备方法，其特征在于，包括：步骤s1：提供衬底；步骤s2：在所述衬底上生长gan外延复合层，所述gan外延复合层包括gan外延工艺层和sin
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插入层，所述gan外延复合层的至少一部分为交替生长的gan外延工艺层和sin
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插入层；步骤s3：在所述gan外延复合层上生长algan外延复合层，所述algan外延复合层包括algan外延工艺层和mgn
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插入层，所述algan外延复合层的至少一部分为交替生长的algan外延工艺层和mgn
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插入层；步骤s4：在所述algan外延复合层上生长algan外延层。
8.根据权利要求7所述的algan外延结构的制备方法，其特征在于，所述步骤s2包括：先在所述衬底上生长非交替层叠的所述gan外延工艺层，再在非交替层叠的所述gan外延工艺层上生长交替层叠的gan外延工艺层和sin
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插入层；或者，先在所述衬底上生长交替层叠的gan外延工艺层和sin
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插入层，再在交替层叠的gan外延工艺层和sin
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插入层上生长非交替层叠的所述gan外延工艺层；或者，先在所述衬底上生长非交替层叠的所述gan外延工艺层，再在非交替层叠的所述gan外延工艺层上生长交替层叠的gan外延工艺层和sin
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插入层，最后在交替层叠的gan外延工艺层和sin
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插入层上生长非交替层叠的所述gan外延工艺层。9.根据权利要求7所述的algan外延结构的制备方法，其特征在于，所述步骤s3包括：先在所述衬底上生长非交替层叠的所述algan外延工艺层，再在非交替层叠的所述algan外延工艺层上生长交替层叠的algan外延工艺层和mgn
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插入层；或者，先在所述衬底上生长交替层叠的algan外延工艺层和mgn
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插入层，再在交替层叠的algan外延工艺层和mgn
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插入层上生长非交替层叠的所述algan外延工艺层；或者，先在所述衬底上生长非交替层叠的所述algan外延工艺层，再在非交替层叠的所述algan外延工艺层上生长交替层叠的algan外延工艺层和mgn
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插入层，最后在交替层叠的algan外延工艺层和mgn
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插入层上生长非交替层叠的所述algan外延工艺层。10.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的algan外延结构。
技术总结
本发明公开了一种AlGaN外延结构及其制备方法和半导体器件。AlGaN外延结构包括：衬底；GaN外延复合层，位于所述衬底上，所述GaN外延复合层包括GaN外延工艺层和SiN
技术研发人员：闫其昂 王国斌
受保护的技术使用者：江苏第三代半导体研究院有限公司
技术研发日：2022.07.21
技术公布日：2022/11/1