显示面板及其制备方法与流程

1.本技术涉及显示面板技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。


背景技术：

2.随着显示技术的发展，例如amoled(active-matrix organic light-emitting diode，有源矩阵有机发光二极体)、miniled(mini-light-emitting diode，次毫米发光二极管)、microled(micro-light-emitting diode，微米发光二极管)等的主动发光显示技术，其相比于lcd(liquid crystal display，液晶显示屏)的优点逐渐凸显。主动发光显示技术是一种多tft(thin film transistor，薄膜晶体管)控制的电流驱动型发光技术，为满足需求，主动发光显示中的tft多采用顶栅结构。tft的顶栅结构一般包含不可或缺的多个结构膜层，而在传统制备过程中，需按照预设为各结构膜层提供光罩，以实现各结构膜层的图案化，这将导致整个显示面板需求的光罩数量较多，影响产品制程时间与产出成本。


技术实现要素：

3.本技术实施例提供一种显示面板及其制备方法，旨在解决传统显示面板在制备过程中需要设置较多光罩，影响产品制程的问题。
4.本技术实施例提供一种显示面板，包括基板和呈阵列布设于所述基板上的多个像素驱动单元，每一所述像素驱动单元包括：
5.薄膜晶体管，设于所述基板；
6.阳极，设于所述薄膜晶体管背对所述基板的一侧，并与所述薄膜晶体管连接；以及，
7.像素定义图案，设于所述阳极背对所述薄膜晶体管的一侧；
8.其中，相邻的每两个所述像素定义图案彼此间隔设置。
9.根据本技术的一实施例，所述像素定义图案包覆对应的所述阳极的整周侧缘，所述像素定义图案设有凹陷部，所述凹陷部用以供发光器件安装。
10.根据本技术的一实施例，所述薄膜晶体管包括设于所述基板的主动层、栅极层、源极层和漏极层；
11.其中，所述栅极层、所述源极层和所述漏极层位于所述主动层的同一侧，且经由同一金属层图案化形成。
12.根据本技术的一实施例，所述薄膜晶体管还包括设于所述主动层背对所述基板的一侧的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层在对应所述主动层的部位贯设两个第一通孔，两个所述第一通孔间隔设置，以将所述栅极绝缘层分为处在两个所述第一通孔之间的第一凸部和分设在两个所述第一通孔两侧的两个第二凸部，所述栅极层设于第一凸部，所述源极层和所述漏极层一一对应设于两个所述第二凸部，所述源极层和所述漏极层分别伸入邻近的所述第一通孔内并与所述主动层连接，所述第一通孔显露出所述主动层的沟道区域。
13.根据本技术的一实施例，所述像素驱动单元还包括设于所述基板的遮光层、缓冲
绝缘层、钝化层和平坦层，其中：
14.所述薄膜晶体管位于所述缓冲绝缘层和所述钝化层之间，所述栅极绝缘层还设有贯穿所述缓冲绝缘层的第二通孔，所述第二通孔邻近所述漏极层设置，所述漏极层伸入所述第二通孔内并与所述遮光层连接；
15.所述平坦层设有贯穿所述钝化层的接触孔，所述阳极设于所述平坦层背对所述基板的一侧，所述阳极伸入所述接触孔内并与所述薄膜晶体管连接。
16.此外，为实现上述目的，本技术实施例还提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板的制备方法用于制备如上所述的显示面板，包括：
17.提供基板，在所述基板上依次制备薄膜晶体管、阳极金属层和像素定义层；
18.提供第一半透过光罩，通过所述第一半透过光罩对所述像素定义层进行黄光制程，形成像素定义图案；
19.将所述像素定义图案作为第一阻挡结构对所述阳极金属层进行图案化，形成阳极。
20.根据本技术的一实施例，将所述像素定义图案作为第一阻挡结构对所述阳极金属层进行图案化，形成阳极的步骤之后，还包括：
21.去除所述像素定义图案上对应所述第一半透过光罩的半透过区域的部位，形成凹陷部；
22.对所述像素定义图案进行热处理工艺，以使得所述像素定义图案包覆所述阳极的整周侧缘。
23.根据本技术的一实施例，在所述基板上沉积薄膜晶体管的步骤之前，还包括：
24.在所述基板上沉积第一金属层，通过黄光制程图案化所述第一金属层，形成遮光层；
25.在所述遮光层上沉积缓冲绝缘层。
26.根据本技术的一实施例，在所述基板上沉积薄膜晶体管的步骤包括：
27.在所述缓冲绝缘层上沉积半导体材料层，通过黄光制程图案化所述半导体材料层，形成主动层；
28.在所述主动层上沉积栅极绝缘层；
29.通过黄光制程图案化所述缓冲绝缘层和所述栅极绝缘层，形成自所述栅极绝缘层贯通至所述主动层的两个第一通孔以及自所述栅极绝缘层贯通至所述遮光层的第二通孔；
30.对处在所述第一通孔内的所述主动层进行导体化处理；
31.在所述栅极绝缘层上沉积第二金属层，通过黄光制程图案化所述第二金属层，形成栅极层、源极层和漏极层；
32.将所述栅极层作为第二阻挡结构对所述栅极绝缘层进行图案化，以使得所述主动层的沟道区域在所述第一通孔内显露出；
33.对所述源极层和所述漏极层进行导体化处理。
34.根据本技术的一实施例，在所述基板上沉积薄膜晶体管和阳极金属层之间，还包括：
35.在所述第二金属层上依次沉积钝化层和第一绝缘层；
36.提供第二半透过光罩，通过所述第二半透过光罩对所述第一绝缘层进行黄光制
程，形成平坦层；
37.将所述平坦层作为第三阻挡结构对所述钝化层进行开孔；
38.去除所述平坦层上对应所述第二半透过光罩的半透过区域的部位。
39.本技术实施例的有益效果：多个像素驱动单元中的像素定义图案彼此间隔设置，使得在制备过程中，可通过一个半透过光罩(也即第一半透过光罩)经由黄光制程图案化形成像素定义图案后，以像素定义图案作为阻挡结构(也即第一阻挡结构)经由蚀刻工艺图案化形成阳极，实现一个半透过光罩完成阳极和像素定义图案两个结构膜层的制程，实现了光罩数量的减少，尤其在产品量产时，有助于大大缩短制程时间并降低制程成本。
附图说明
40.下面结合附图，通过对本技术的具体实施方式详细描述，将使本技术的技术方案及其它有益效果显而易见。
41.图1为本技术实施例提供的显示面板局部俯视结构及与之对应的侧剖结构示意图。
42.图2为本技术实施例提供的显示面板的制备方法的流程示意图；
43.图3为图1的显示面板在步骤s111时的结构示意图；
44.图4为图1的显示面板在步骤s112时的结构示意图；
45.图5为图1的显示面板在步骤s121时的结构示意图；
46.图6为图1的显示面板在步骤s122时的结构示意图；
47.图7为图1的显示面板在步骤s123至s124时的结构示意图；
48.图8为图1的显示面板在步骤s125时的结构示意图；
49.图9为图1的显示面板在步骤s126至s127时的结构示意图；
50.图10为图1的显示面板在步骤s131时的结构示意图；
51.图11为图1的显示面板在步骤s132至s133时的结构示意图；
52.图12为图1的显示面板在步骤s133后的结构示意图；
53.图13为图1的显示面板在步骤s134至135时的结构示意图；
54.图14为图1的显示面板在步骤s100中沉积阳极金属层后的结构示意图；
55.图15为图1中的显示面板在步骤s200时的结构示意图；
56.图16为图1中的显示面板在步骤s300时的结构示意图；
57.图17为图1中的显示面板在步骤s410至s420时的结构示意图。
具体实施方式
58.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所形成的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
59.请参阅图1及图17，本技术实施例提供的显示面板包括基板100和呈阵列布设于所述基板100上的像素驱动单元，所述像素驱动单元一般设有至少三个，其中，所述像素驱动单元包括薄膜晶体管400、阳极710和像素定义图案810。其中，所述薄膜晶体管400设于所述
基板100；所述阳极710设于所述薄膜晶体管400背对所述基板100的一侧，并与所述薄膜晶体管连接；所述像素定义图案810设于所述阳极710背对所述薄膜晶体管400的一侧；其中，所述显示面板上相邻的每两个所述像素定义图案810彼此间隔设置。
60.本技术实施例的有益效果：多个像素驱动单元中的像素定义图案810彼此间隔设置，使得在制备过程中，可通过一个半透过光罩(也即第一半透过光罩910)经由黄光制程图案化形成像素定义图案810后，以像素定义图案810作为阻挡结构(也即第一阻挡结构)经由蚀刻工艺图案化形成阳极710，实现一个半透过光罩完成阳极710和像素定义图案810两个膜层结构的制程，实现了光罩数量的减少，尤其在产品量产时，有助于大大缩短制程时间并降低制程成本。
61.在本技术中，所述基板100为刚性的基板，例如为透明的玻璃基板。所述像素驱动单元以任意适合的排布方式有序排列在所述基板100上，具体可以是沿基板100的任意两个尺寸方向呈阵列排布。所述像素驱动单元也即用于驱动像素显示的器件组。在同一基板100上排布的多个像素驱动单元的主要结构一般设置为相同或者至少部分相同。为便于理解，在本技术实施例中，设置每一所述像素驱动单元的主要结构相同，且主要以其中的一个像素驱动单元为例进行说明。可以理解，同一基板100上的其他像素驱动单元的主要结构及制备方式可以此类推，或者进行适配性调整。
62.每一所述像素驱动单元可划分为驱动电路区和存储电容440区。其中，每一所述像素驱动单元至少在所述驱动电路区设置有上述的薄膜晶体管400、阳极710和像素定义图案810。其中，所述薄膜晶体管400的具体结构可根据实际需要进行具体设置。在以下实施例中，均以所述薄膜晶体管400至少包括主动层411、栅极层431、栅极绝缘层420、源极层432和漏极层433为例进行说明。当然，上述膜层结构并不构成对本技术实施例中的薄膜晶体管400的结构的限制，在其他实施例中，所述薄膜晶体管400还可设置有更多或者更少的膜层结构。
63.同理地，上述膜层结构同样不构成对本技术实施例中的显示面板的结构的限制，除了薄膜晶体管400、阳极710和像素定义图案810以外，显示面板还可包括如下所述的遮光层210、缓冲绝缘层300、钝化层500和平坦层610等更多或者更少的膜层结构。
64.需要说明的是，上述的多个像素驱动单元中的像素定义图案810彼此间隔设置，指的是同一基板100上，任意两个像素定义图案810之间在至少一个方向上保持设定距离。所述设定距离不做限制，确保任意两个像素定义图案810在结构上不会连接成一体即可。所述至少一个方向指的是像素定义图案810所在平面上的至少一个方向，当然，也不排除在其他实施例中，至少两个像素定义图案810同时在显示面板上各个膜层结构的堆叠方向上同样保持间隔设置，不做详述。
65.可以理解，当多个像素驱动单元中的各像素定义图案810彼此间隔设置而不连成整个膜面时，像素定义图案810即可作为需要在各个像素驱动单元中保持间隔或者断开的其他膜层结构的阻挡结构，进行设定的黄光制程。例如本实施例中的阳极710。如此地，则可以减省与该类膜层结构的数量相关的光罩的数量，从而使得显示面板在整个制程上的光罩数量减少，实现制程时间缩短且制程成本降低的目的。
66.进一步地，请参阅图1，在一实施例中，针对每一所述像素驱动单元中：所述像素定义图案810覆盖在阳极710背对基板100的一侧表面，且沿阳极710的环周方向延伸呈闭环
状。所述像素定义图案810自阳极710背对基板100的一侧表面朝向基板100的方向弯曲延伸，以能够包覆对应的所述阳极710的整周侧缘，避免阳极710的外周侧缘裸露出，导致品质不良。所述像素定义图案810设有凹陷部811，所述凹陷部811形成在所述像素定义图案810的中部，但并不限定为像素定义图案810的中心部位，所述凹陷部811沿像素定义图案810的厚度方向贯穿所述像素定义图案810，使得对应的阳极710裸露出。所述凹陷部811用以供发光器件，也即子像素安装。
67.需要说明的是，附图1所示并不构成对每一像素驱动单元中的像素定义图案810和阳极710在形状上、尺寸关系等结构上的限定，可以根据实际需求具体设置。
68.此外，请参阅图17，在一实施例中，所述薄膜晶体管400包括设于所述基板100的主动层411、栅极层431、源极层432和漏极层433；其中，所述栅极层431、所述源极层432和所述漏极层433位于所述主动层411的同一侧，且经由同一金属层图案化形成。具体而言，栅极层431、源极层432和漏极层433可以一齐位于主动层411朝向基板100的一侧，也可以一齐位于主动层411背对基板100的一侧。当然，该方位关系主要针对的是栅极层431、源极层432和漏极层433的主体结构，并不限制栅极层431、源极层432和漏极层433中的部分部位处于主动层411的其他方位。
69.如此地，可使得栅极层431、源极层432和漏极层433在制备过程中，由同一金属层(也即下述的第二金属层430)制备形成，也即可采用gsd制程，也即源漏栅极一体化制程制备形成，简化栅极层431、源极层432和漏极层433的黄光制程和光罩数量，有助于进一步精简显示面板整体的制程。
70.而为了能够将主动层411与同一侧的栅极层431、源极层432和漏极层433良好绝缘开，请继续参阅图17，在一实施例中，所述薄膜晶体管400还包括设于所述主动层411背对所述基板100的一侧的栅极绝缘层420。主动层411凸出设置在基板100或者基板100其他膜层结构上，栅极绝缘层420覆盖在主动层411的所有显露面上。主动层411的显露面也即除了与基板100或者位于基板100与主动层411之间的其他膜层结构的一侧表面以外的表面。如此地，有助于主动层411和与之邻近的其他膜层结构绝缘接触。
71.所述栅极绝缘层420包括第一区域，栅极绝缘层420在第一区域的部位在基板100上的正投影，与主动层411在基板100上的正投影重合。栅极绝缘层420在第一区域的部位沿显示面板上各个膜层结构的堆叠方向贯设有第一通孔421，第一通孔421设有两个，两个第一通孔421间隔设置，以将所述栅极绝缘层420分为处在两个所述第一通孔421之间的第一凸部423和分设在两个所述第一通孔421两侧的两个第二凸部424，所述栅极层431设于第一凸部423背对主动层411的一侧，所述源极层432和所述漏极层433一一对应设于两个所述第二凸部424背对主动层411的一侧，也即，源极层432和漏极层433分设在栅极层431的相对两侧。所述源极层432和所述漏极层433分别伸入邻近的所述第一通孔421内并与所述主动层411连接。并且在第一通孔421内的源极层432和第一凸部423间隔、在第一通孔421内的漏极层433和第一凸部423间隔，两个第一通孔421的间隔处对应着主动层411的沟道区域411a，以供所述主动层411的沟道区域411a自对应的第一通孔421显露出。
72.此外，在一实施例中，所述像素驱动单元还包括在所述基板100上依次堆叠的遮光层210、缓冲绝缘层300、钝化层500和平坦层610，其中：
73.所述薄膜晶体管400位于所述缓冲绝缘层300和所述钝化层500之间，且被缓冲绝
缘层300和钝化层500完全包裹。所述栅极绝缘层420在第一区域的旁侧部位还设有贯穿所述缓冲绝缘层300的第二通孔422，所述第二通孔422位于供所述漏极层433设置的第二凸部424的旁侧，以供所述漏极层433的一段伸入所述第二通孔422内并与所述遮光层210连接。
74.所述平坦层610背对所述基板100的一侧设有贯穿所述钝化层500的接触孔611。所述阳极710设于所述平坦层610背对所述钝化层500的一侧，所述阳极710的一段伸入所述接触孔611内并与所述薄膜晶体管400连接。具体例如附图17中，接触孔611贯通至漏极层433，阳极710的一段伸入至接触孔611内，并与漏极层433连接。
75.此外，本技术实施例还提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板的制备方法用于制备如上所述的显示面板，制备获得的显示面板具备上述任意实施例的技术特征；与之对应地，由以下通过制备方法界定出的技术特征，上述显示面板同样包含在内，不做赘述。
76.鉴于上述，所述显示面板包括基板100和多个像素驱动单元，为便于理解，在以下实施例中，均以其中一个像素驱动单元的角度来阐明具体的制备工艺。可以理解，同一基板100上的其他像素驱动单元可以参考以下实施例额外单独地进行制备；或者如本实施例中，同一基板100上的其他像素驱动单元跟随着以下步骤被同步制成。
77.请参阅图2至图17，以下将结合主要附图对上述显示面板的制备方法进行阐明，所述显示面板的制备方法包括以下步骤：
78.步骤s100：提供基板100，在所述基板100上依次制备薄膜晶体管400、阳极金属层700和像素定义层800；
79.具体而言，首先提供一基板100，并对所述基板100进行必要的例如清洗、干燥等操作。
80.接着，在基板100上制备薄膜晶体管400之前，还包括：
81.步骤s111：在所述基板100上沉积第一金属层200，通过黄光制程图案化所述第一金属层200，形成遮光层210；
82.请参阅图3，本实施例中，在所述基板100上沉积第一金属层200，并通过黄光制程(为便于理解，定义为第一道黄光制程)和湿法蚀刻图案化所述第一金属层200，形成遮光层210。所述遮光层210具备金属走线和遮光作用。所述遮光层210设置在驱动电路区，主要用于对后续设置的主动层411进行遮光。
83.所述遮光层210包括两层或者三层金属走线结构。其中，当遮光层210包括三层金属走线结构时，分别为底层接触增强层、主金属走线层和保护层。底层接触增强层位于主金属走线层靠近基板100的一侧，用于增强主金属走线层与基板100之间的粘附力，或者当第一金属层200与基板100之间还设置有其他膜层结构时，底层接触增强层用于增强主金属走线层与该膜层结构之间的粘附力。保护层位于主金属走线层背对基板100的一侧，用于保护主金属走线层在后续的制程中不会被干扰，例如被氧化等。
84.所述主金属走线层的制成材料可以是铜或者铜合金，其厚度范围为2000～10000埃；所述底层接触增强层和所述保护层的制成材料可以是mo、ti、ni中的一种或者几种，其厚度范围为50～500埃。
85.当所述遮光层210包括两层金属走线结构时，该两层金属走线结构可以具体是主金属走线层和底层接触增强层，具体可参照上述。
86.步骤s112：在所述遮光层210上沉积缓冲绝缘层300。
87.请参阅图4，本实施例中，缓冲绝缘层300在遮光层210上的具体沉积方式不做限制，例如可以是pecvd(plasma enhanced chemical vapor deposition，等离子体增强的化学气相沉积)工艺在所述遮光层210上沉积缓冲绝缘层300。所述缓冲绝缘层300用于对遮光层210和薄膜晶体管400之间进行绝缘，且在缓冲绝缘层300与主动层411接触设置时，能够对主动层411的生长起到缓冲作用。所述缓冲绝缘层300的制成材料可以是si3n4、sio2或者sion；缓冲绝缘层300可以设置为单层或者双层；缓冲绝缘层300的总厚度范围为1000～6000埃。缓冲绝缘层300可自驱动电路区向存储电容440区延伸，并覆盖在存储电容440区的基板100上。
88.接着，在所述基板100上制备薄膜晶体管400的步骤包括：
89.步骤s121：在所述缓冲绝缘层300上沉积半导体材料层410，通过黄光制程图案化所述半导体材料层410，形成主动层411；
90.请参阅图5，在本实施例中，可具体采用pvd(physical vapor deposition，物理气相沉积)工艺在所述缓冲绝缘层300上沉积半导体材料层410。所述半导体材料层410的制成材料可以是igzo(铟镓锌氧化物)、itzo(铟锡锌氧化物)或igzto(铟镓锌氧锡化物)等。通过黄光制程(为便于理解，定义为第二道黄光制程)图案化所述半导体材料层410，在驱动电路区形成主动层411，所述主动层411的厚度范围为100～1000埃。
91.步骤s122：在所述主动层411上沉积栅极绝缘层420；
92.请参阅图6，在本实施例中，具体可采用pecvd工艺在所述主动层411上沉积形成栅极绝缘层420，所述栅极绝缘层420的制成材料可以为siox，其中，siox的氧含量x可通过pecvd工艺的具体制程进行调控，siox的厚度范围为300～3000埃。栅极绝缘层420自驱动电路区延伸至存储电容440区，并覆盖在缓冲绝缘层300背对基板100的一侧。
93.步骤s123：通过黄光制程图案化所述缓冲绝缘层300和所述栅极绝缘层420，形成自所述栅极绝缘层420贯通至所述主动层411的两个第一通孔421以及自所述栅极绝缘层420贯通至所述遮光层210的第二通孔422；
94.步骤s124：对处在所述第一通孔421内的所述主动层411进行导体化处理；
95.请参阅图7，在本实施例中，通过黄光制程(为便于理解，定义为第三道黄光制程)，对驱动电路区的缓冲绝缘层300以及栅极绝缘层420进行蚀刻开孔，获得上述的第一通孔421和第二通孔422。
96.可以理解，基于上述可知，后续制备形成的所述源极层432和所述漏极层433分别伸入邻近的所述第一通孔421内并与所述主动层411连接，并且在第一通孔421内还对应着主动层411的沟道区域411a。请结合图8，为便于理解，将第一通孔421内的主动层411对应源极层432的区域为源极区域411b、对应漏极层433的区域为漏极区域411c、剩余的为沟道区域411a。如此地，在此步骤中形成的第一通孔421为预处理通孔，至少显露出源极区域411b和漏极区域411c，可以不显露出或者部分显露出沟道区域411a，未显露出的沟道区域411a被第一凸部423遮挡。
97.在对两个第一通孔421进行导体化处理时，具体为对源极区域411b和漏极区域411c进行导体化处理，有助于源极区域411b和漏极区域411c的aos的电阻值；
98.步骤s125：在所述栅极绝缘层420上沉积第二金属层430，通过黄光制程图案化所
述第二金属层430，形成栅极层431、源极层432和漏极层433；
99.请参阅图8，在本实施例中，具体可采用pvd，物理气相沉积工艺在所述栅极绝缘层420上沉积第二金属层430，所述第二金属层430自驱动电路区延伸至存储电容440区。接着，通过黄光制程(为便于理解，定义为第四道黄光制程)，结合湿法蚀刻图案化所述第二金属层430，形成栅极层431、源极层432和漏极层433。
100.其中，所述第二金属层430可以包括双层或三层金属结构，位于靠近基板100的一侧的为第一接触增强层，该第一接触增强层的材质及作用，均可参考上述遮光层210中的底层接触增强层，可由mo、ti、ni其中的一种或几种材料制成，且主要用于增强第二金属层430及与之接触的栅极绝缘层420、主动层411之间的粘附力，该第一接触增强层的厚度范围为50～500埃。位于该第一接触增强层背对基板100的一侧为主金属层，材料为cu或者cu合金，厚度范围为2000～10000埃。若有三层金属结构，则设于主金属层背对第一接触增强层的一侧的为第二接触增强层，第二接触增强层含有mo、ti、ni其中的一种或几种，且第二接触增强层的厚度范围为50～1000埃。
101.步骤s126：将所述栅极层431作为第二阻挡结构对所述栅极绝缘层420进行图案化，以使得所述主动层411的沟道区域411a在所述第一通孔421内显露出；
102.步骤s127：对所述源极层432和所述漏极层433进行导体化处理。
103.请参阅图9，在本实施例中，将所述栅极层431作为第二阻挡结构对所述栅极绝缘层420进行干法蚀刻，也即对第一凸部423进行蚀刻，将上述中遮挡沟道区域411a的第一凸部423进行去除，以使得沟道区域411a在所述第一通孔421内显露出，自对准形成沟道区域411a。并且，将位于驱动电路区和存储电容440区之间的栅极绝缘层420去除。第二金属层430在位于存储电容440区的部位构成存储电容440的电极。
104.接着，对所述源极层432和所述漏极层433进行导体化处理，以降低源极区域411b和漏极区域411c的电阻值。
105.此外，在制备完成薄膜晶体管400之后，且在制备阳极金属层700之前，还包括：
106.步骤s131：在所述第二金属层430上制备钝化层500；
107.请参阅图10，在本实施例中，具体可采用pecvd工艺在上述的薄膜晶体管400上沉积钝化层500。所述钝化层500为sio2薄膜，其厚度范围为1000～5000埃。所述钝化层500用于保护薄膜晶体管400。所述钝化层500自驱动电路区延伸至存储电容440区，并在存储电容440区内覆盖存储电容440的电极。
108.步骤s132：在所述钝化层500上涂布第一绝缘层600；
109.步骤s133：提供第二半透过光罩920，通过所述第二半透过光罩920对所述第一绝缘层600进行黄光制程，形成平坦层610；
110.请参阅图11，在本实施例中，在上述钝化层500背对基板100的一侧涂布第一绝缘层600，第一绝缘层600自驱动电路区延伸至存储电容440区，并在存储电容440区内覆盖钝化层500。第一绝缘层600可以是有机材料，其厚度范围为1um～6um。
111.提供第二半透过光罩920，所述第二半透过光罩920也即htm(half-tone mask，半色调掩膜)。所述第二半透过光罩920上按照设计形成有第二遮挡区域921、第二半透过区域922和第二全透过区域923。通过所述第二半透过光罩920对所述第一绝缘层600进行黄光制程(为便于理解，定义为第五道黄光制程)，形成平坦层610。
112.步骤s134：将所述平坦层610作为第三阻挡结构对所述钝化层500进行开孔；
113.请参阅图12，在本实施例中，第二半透过光罩920的第二全透过区域923在平坦层610上分别对应漏极层433处、对应存储电容440的电极处开孔。基于此，将所述平坦层610作为第三阻挡结构对所述钝化层500进行蚀刻开孔，使得该孔贯穿钝化层500，构成分别与漏极层433、存储电容440的电极连通的接触孔611。
114.步骤s135：去除所述平坦层610上对应所述第二半透过光罩920的半透过区域的部位。
115.请参阅图13，在本实施例中，第二半透过光罩920的第二半透过区域922对应存储电容440区，对位于存储电容440区的平坦层610的厚度减薄，构成平坦层610的厚度减薄部位。接着，可具体利用氧气等离子体工艺对该厚度减薄部位进行去除，形成平坦层610的最终图案。
116.鉴于上述步骤之后，请参阅图14，在所述薄膜晶体管400上沉积阳极金属层700，阳极金属层700为单层的或者多层的结构，其材料包含透明导电材料、金属材料中的一种或者组合。阳极金属层700自驱动电路区延伸至存储电容440区。
117.步骤s200：提供第一半透过光罩910，通过所述第一半透过光罩910对所述像素定义层800进行黄光制程，形成像素定义图案810；
118.步骤s300：将所述像素定义图案810作为第一阻挡结构对所述阳极金属层700进行图案化，形成阳极710。
119.请参阅图15至图16，在本实施例中，可在阳极金属层700背对薄膜晶体管400的一侧制备形成像素定义层800后，提供第一半透过光罩910。与第二半透过光罩920同理地，所述第一半透过光罩910也即htm(half-tone mask，半色调掩膜)。所述第一半透过光罩910上按照设计形成有第一遮挡区域911、第一半透过区域912和第一全透过区域913。如图15所示，像素定义层800在对应第一半透过区域912和第一全透过区域913的部位沉积形成，其中，像素定义层800对应第一半透过区域912形成厚度减薄部位。通过所述第一半透过光罩910对所述像素定义层800进行黄光制程(为便于理解，定义为第六道黄光制程)形成像素定义图案810。
120.接着，将所述像素定义图案810作为第一阻挡结构对所述阳极金属层700进行蚀刻，可将阳极金属层700除像素定义图案810及平坦层610之间的部位以外的金属层蚀刻去除，余下的金属层形成阳极710。
121.进一步地，请参阅图16，在一实施例中，在上述步骤s300：将所述像素定义图案810作为第一阻挡结构对所述阳极金属层700进行图案化，形成阳极710之后，还包括：
122.步骤s410：去除所述像素定义图案810上对应所述第一半透过光罩910的半透过区域的部位，形成凹陷部811；
123.步骤s420：对所述像素定义图案810进行热处理工艺，以使得所述像素定义图案810包覆所述阳极710的整周侧缘。
124.在本实施例中，当将所述像素定义图案810作为第一阻挡结构对所述阳极金属层700进行蚀刻后，可采用例如氧气等离子体工艺去除所述像素定义图案810上述的厚度减薄部位，使得该部位贯穿像素定义图案810并连通至阳极710处，构成凹陷部811。
125.接着，由于在将所述像素定义图案810作为第一阻挡结构对所述阳极金属层700进
行蚀刻后，像素定义图案810在基板100上的正投影区域不小于阳极710在基板100上的正投影区域。基于此，采用热处理工艺对所述像素定义图案810进行处理，像素定义图案810在受热后，部分材料可能融化而沿着阳极710的边缘朝向基板100的方向流动，直至完全包覆阳极710的整周侧缘，最终固化成型。
126.如此地，依次经过上述第一道黄光制程至第六道黄光制程即可完成所述显示面板的制备，相较于常规的制备工艺，至少可减少一个光罩的设置数量，有助于缩短制程时间且降低制程成本。
127.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
128.以上对本技术实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本技术的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本技术的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例的技术方案的范围。