技术特征：
1.一种显示面板，其特征在于，包括基板和呈阵列布设于所述基板上的像素驱动单元，所述像素驱动单元包括：薄膜晶体管，设于所述基板；阳极，设于所述薄膜晶体管背对所述基板的一侧，并与所述薄膜晶体管连接；以及，像素定义图案，设于所述阳极背对所述薄膜晶体管的一侧；其中，相邻的每两个所述像素定义图案彼此间隔设置。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素定义图案包覆对应的所述阳极的整周侧缘，所述像素定义图案设有凹陷部，所述凹陷部用以供发光器件安装。3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括设于所述基板的主动层、栅极层、源极层和漏极层；其中，所述栅极层、所述源极层和所述漏极层位于所述主动层的同一侧，且经由同一金属层图案化形成。4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括设于所述主动层背对所述基板的一侧的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层在对应所述主动层的部位贯设两个第一通孔，两个所述第一通孔间隔设置，以将所述栅极绝缘层分为处在两个所述第一通孔之间的第一凸部和分设在两个所述第一通孔两侧的两个第二凸部，所述栅极层设于第一凸部，所述源极层和所述漏极层一一对应设于两个所述第二凸部，所述源极层和所述漏极层分别伸入邻近的所述第一通孔内并与所述主动层连接，所述第一通孔显露出所述主动层的沟道区域。5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述像素驱动单元还包括设于所述基板的遮光层、缓冲绝缘层、钝化层和平坦层，其中：所述薄膜晶体管位于所述缓冲绝缘层和所述钝化层之间，所述栅极绝缘层还设有贯穿所述缓冲绝缘层的第二通孔，所述第二通孔邻近所述漏极层设置，所述漏极层伸入所述第二通孔内并与所述遮光层连接；所述平坦层设有贯穿所述钝化层的接触孔，所述阳极设于所述平坦层背对所述基板的一侧，所述阳极伸入所述接触孔内并与所述薄膜晶体管连接。6.一种如权利要求1至5任一项所述的显示面板的制备方法，其特征在于，包括：提供基板，在所述基板上依次制备薄膜晶体管、阳极金属层和像素定义层；提供第一半透过光罩，通过所述第一半透过光罩对所述像素定义层进行黄光制程，形成像素定义图案；将所述像素定义图案作为第一阻挡结构对所述阳极金属层进行图案化，形成阳极。7.如权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，将所述像素定义图案作为第一阻挡结构对所述阳极金属层进行图案化，形成阳极的步骤之后，还包括：去除所述像素定义图案上对应所述第一半透过光罩的半透过区域的部位，形成凹陷部；对所述像素定义图案进行热处理工艺，以使得所述像素定义图案包覆所述阳极的整周侧缘。8.如权利要求6所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述基板上沉积薄膜晶体管的步骤之前，还包括：
在所述基板上沉积第一金属层，通过黄光制程图案化所述第一金属层，形成遮光层；在所述遮光层上沉积缓冲绝缘层。9.如权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述基板上沉积薄膜晶体管的步骤包括：在所述缓冲绝缘层上沉积半导体材料层，通过黄光制程图案化所述半导体材料层，形成主动层；在所述主动层上沉积栅极绝缘层；通过黄光制程图案化所述缓冲绝缘层和所述栅极绝缘层，形成自所述栅极绝缘层贯通至所述主动层的两个第一通孔以及自所述栅极绝缘层贯通至所述遮光层的第二通孔；对处在所述第一通孔内的所述主动层进行导体化处理；在所述栅极绝缘层上沉积第二金属层，通过黄光制程图案化所述第二金属层，形成栅极层、源极层和漏极层；将所述栅极层作为第二阻挡结构对所述栅极绝缘层进行图案化，以使得所述主动层的沟道区域在所述第一通孔内显露出；对所述源极层和所述漏极层进行导体化处理。10.如权利要求9所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述基板上沉积薄膜晶体管和阳极金属层之间，还包括：在所述第二金属层上依次沉积钝化层和第一绝缘层；提供第二半透过光罩，通过所述第二半透过光罩对所述第一绝缘层进行黄光制程，形成平坦层；将所述平坦层作为第三阻挡结构对所述钝化层进行开孔；去除所述平坦层上对应所述第二半透过光罩的半透过区域的部位。
技术总结
本申请公开了一种显示面板及其制备方法。该显示面板包括基板和呈阵列布设于基板上的像素驱动单元，像素驱动单元包括薄膜晶体管、阳极和像素定义图案，阳极设于薄膜晶体管背对基板的一侧，并与薄膜晶体管连接；像素定义图案设于阳极背对薄膜晶体管的一侧；相邻的每两个像素定义图案彼此间隔设置。本申请中的各像素定义图案彼此间隔，使得制备时，可采用一个半透过光罩经由黄光制程图案化形成像素定义图案后，将像素定义图案作为阻挡结构经由蚀刻工艺图案化形成阳极，实现一个半透过光罩完成阳极和像素定义图案两个结构膜层的制程，实现了光罩数量的减少，尤其在产品量产时，有助于大大缩短制程时间并降低制程成本。大大缩短制程时间并降低制程成本。大大缩短制程时间并降低制程成本。
技术研发人员：ꢀ(74)专利代理机构
受保护的技术使用者：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2022.07.21
技术公布日：2022/11/1