照射模块和包括所述照射模块的基板处理设备的制作方法

本发明涉及照射模块和包括所述照射模块的基板处理设备，并且更具体地，涉及包括将光照射到基板上的照射模块的基板处理设备。

背景技术：

1、用于在晶片上形成图案的照相工艺包括曝光工艺。曝光工艺是用于将粘附在晶片上的半导体集成材料刮成所需图案的初步操作。曝光工艺可以具有多种目的，诸如形成用于蚀刻的图案和形成用于离子注入的图案。在曝光工艺中，通过使用作为一种“框架”的掩模在晶片上用光绘制图案。当晶片上的半导体集成材料，例如晶片上的抗蚀剂暴露于光时，抗蚀剂的化学性质根据通过光和掩模的图案而改变。当向其化学性质根据图案而改变的抗蚀剂供应显影剂时，在晶片上形成图案。

2、为了精确地执行曝光工艺，需要精确地制造形成在掩模上的图案。需要检查图案是否在所需的工艺条件下令人满意地形成。在一个掩模上形成大量图案。因此，操作者需要花费大量时间来检查所有大量图案以检查一个掩模。因此，可以表示包括多个图案的一个图案组的监控图案形成在掩模上。另外，可以表示多个图案组的锚定图案形成在掩模上。操作者可以通过检查监控图案来估计一个图案组中包括的图案的质量。另外，操作者可以通过检查锚定图案来估计在掩模上形成的图案的质量。

3、另外，为了提高掩模的检测精度，优选监控图案和锚定图案的临界尺寸相同。附加地执行用于精确校正形成在掩模上的图案的线宽的临界尺寸校正过程。

4、图1示出了在掩模制造过程期间执行临界尺寸校正过程之前，关于掩模的监控图案的第一临界尺寸cdp1和锚定图案的第二临界尺寸cdp2的正态分布。另外，第一临界尺寸cdp1和第二临界尺寸cdp2具有小于目标临界尺寸的大小。在执行临界尺寸校正过程之前，监控图案和锚定图案的临界尺寸(cd)存在故意偏差。然后，通过在临界尺寸校正过程中附加地蚀刻锚定图案，使两个图案的临界尺寸相同。当在附加地蚀刻锚定图案的过程中，锚定图案比监控图案被过度蚀刻时，由于监控图案与锚定图案之间的临界尺寸的差异，形成在掩模上的图案的临界尺寸不能被精确校正。当锚定图案被附加地蚀刻时，需要伴随锚定图案的精确蚀刻。

5、为了精确蚀刻锚定图案，需要精确控制照射到锚定图案的光的角度和输出。当在所述过程中产生的颗粒或处理液滴附着到将光照射到锚定图案的照射器上时，照射到锚定图案的光的角度改变，并且光照射路径改变。因此，可以改变照射到锚定图案的光的轮廓。由于这个原因，不能执行锚定图案的精确蚀刻。另外，附着到照射器上的颗粒或液滴引起照射器的腐蚀，并成为使照射器的耐久性劣化的因素。另外，用于将光照射到锚定图案的照射器在所述过程中被加热。如果照射器的温度升高，则对照射器的损坏由于热量而发生。这导致维护成本增加，并且在维护期间无法对基板进行处理，从而导致基板处理效率低下。

技术实现思路

1、本发明致力于提供能够有效地处理基板的照射模块和包括所述照射模块的基板处理设备。

2、本发明还致力于提供能够对基板进行精确蚀刻的照射模块以及包括所述照射模块的基板处理设备。

3、本发明还致力于提供：照射模块，其能够有效地冷却照射模块，并且同时最小化由于在处理过程中产生的颗粒而对照射模块造成的损坏；以及包括所述照射模块的基板处理设备。

4、本发明还致力于提供在加热基板时能够最小化对形成在基板上的液膜造成的损坏的照射模块，以及包括所述照射模块的基板处理设备。

5、本发明要解决的问题不限于上述问题，并且本领域技术人员通过本说明书和附图将清楚地理解未提及的问题。

6、本发明的示例性实施例提供基板处理设备，包括：在处理空间中支撑和旋转所述基板的支撑单元；将液体供应到由所述支撑单元支撑的所述基板的液体供应单元；以及将光照射到由所述支撑单元支撑的所述基板的照射模块，其中所述照射模块包括：具有容纳空间的外壳；激光单元，其位于所述容纳空间中并且包括照射激光的激光照射单元以及照射端，所述照射端具有从所述外壳突出的一个端部并且将从所述激光照射单元照射的所述激光照射到由所述支撑单元支撑的所述基板；以及冷却单元，其位于所述容纳空间中并冷却所述激光照射单元。

7、根据示例性实施例，所述基板处理设备还可以包括盖，其具有内部空间并且形成为使得所述照射端的从所述外壳突出的一个端部位于所述内部空间中，其中当从所述顶部观察时，在所述盖的底表面上、在与从所述照射端照射的所述激光重叠的位置处可以形成有开口。

8、根据示例性实施例，所述开口可以形成为从所述底表面的上端到所述底表面的下端呈圆形。

9、根据示例性实施例，一个或多个侧孔可以进一步形成在所述盖的侧表面上。

10、根据示例性实施例，所述冷却单元可以包括板，所述板中具有供冷却流体流过的流路，并且通过所述流路的所述冷却流体可以流入所述内部空间。

11、根据示例性实施例，所述流路的一个端部可以位于所述照射端的外表面和所述外壳的内表面之间。

12、根据示例性实施例，与所述流路的一个端部连接的净化端口可以形成在所述外壳的下端处，并且将所述冷却流体供应到所述内部空间的供应端口可以形成在所述盖的侧表面上，并且所述基板处理设备还可以包括流动盖，所述流动盖联接到所述盖的所述侧表面以连接所述净化端口和所述供应端口，并且所述流动盖中具有供所述冷却流体流动的流动空间。

13、根据示例性实施例，所述供应端口可以设置在从正面观察时与所述照射端的中心轴线间隔开的位置处。

14、根据示例性实施例，所述基板处理设备还可以包括拍摄单元，其拍摄从所述激光单元照射的所述激光，其中所述拍摄单元设置在所述容纳空间中。

15、根据示例性实施例，所述激光单元还可以包括光束扩展器，所述光束扩展器控制由所述激光照射单元照射的所述激光的特性，并且所述拍摄单元可以包括：图像单元，其拍摄由所述激光单元照射的所述激光和/或所述基板的图像；以及照明单元，其提供光以使得所述图像单元获取所述图像，并且当从顶部观察时，所述激光的照射方向、所述图像单元的拍摄方向以及所述光的照射方向可以同轴。

16、本发明的另一个示例性实施例提供向基板照射光的照射模块，所述照射模块包括：具有容纳空间的外壳；激光单元，其位于所述容纳空间中并且包括照射激光的激光照射单元以及照射端，所述照射端具有从所述外壳突出的一个端部并且将从所述激光照射单元照射的所述激光照射到由所述支撑单元支撑的所述基板；以及冷却单元，其位于所述容纳空间中并与所述激光照射单元进行热交换。

17、根据示例性实施例，所述照射模块还可以包括盖，其具有内部空间并且形成为使得所述照射端的从所述外壳突出的一个端部位于所述内部空间中，其中当从所述顶部观察时，在所述盖的底表面上、在与从所述照射端照射的所述激光重叠的位置处形成有开口。

18、根据示例性实施例，所述冷却单元可以包括：供与所述激光照射单元进行热交换的冷却流体流过的流路；以及设置有所述流路的板，并且所述板可以与所述激光照射单元接触。

19、根据示例性实施例，通过所述流路的所述冷却流体可以被供应到所述内部空间。

20、根据示例性实施例，所述开口可以形成为从所述底表面的上端到所述底表面的下端弯曲。

21、根据示例性实施例，至少一个侧孔还可以形成在所述盖的侧表面上。

22、本发明的另一个示例性实施例提供一种处理包括多个单元的掩模的基板处理设备，所述基板处理设备包括：支撑单元，其支撑和旋转掩模，其中第一图案形成在所述多个单元中并且与所述第一图案不同的第二图案形成在形成所述单元的区域之外；将液体供应到由所述支撑单元支撑的所述掩模的液体供应单元；以及将光照射到由所述支撑单元支撑的所述基板的照射模块，其中所述照射模块包括：具有容纳空间的外壳；激光单元，其位于所述容纳空间中并且包括照射激光的激光照射单元以及照射端，所述照射端具有从所述外壳突出的一个端部并且将从所述激光照射单元照射的所述激光照射到所述第一图案与所述第二图案之间的所述第二图案；冷却单元，其位于所述容纳空间中并包括与所述激光照射单元进行热交换的流路；以及盖，其具有内部空间并且形成为使得所述照射端的从所述外壳突出的一个端部位于所述内部空间中，并且当从所述顶部观察时，在所述盖的底表面上、在与从所述照射端照射的所述激光重叠的位置处形成有开口。

23、根据示例性实施例，通过所述流路的所述冷却流体可以被供应到所述内部空间。

24、根据示例性实施例，所述开口可以形成为从所述底表面的上端到所述底表面的下端呈圆形。

25、根据示例性实施例，一个或多个侧孔可以进一步形成在所述盖的侧表面上。

26、根据本发明的示例性实施例，可以有效地处理基板。

27、此外，根据本发明的示例性实施例，可以在基板上执行精确的蚀刻。

28、此外，根据本发明的示例性实施例，可以有效地冷却照射模块，并且同时最小化由在处理过程中产生的颗粒对照射模块造成的损坏。

29、此外，根据本发明的示例性实施例，可以在加热基板时最小化对形成在基板上的液膜造成的损坏。

30、本发明的效果不限于上述效果，并且本领域技术人员从本说明书和附图中可以清楚地理解未提及的效果。