技术特征：
1.一种半导体装置，包括：第一板状元件，所述第一板状元件具有带有第一连接焊盘的第一基本上平面的连接表面；第二板状元件，所述第二板状元件具有带有对应于所述第一连接焊盘的第二连接焊盘的第二基本上平面的连接表面；连接件，所述连接件电和物理耦接所述第一板状元件和所述第二板状元件并且布置于所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘之间，所述连接件包括：布置于所述第一连接焊盘上并且朝向所述第二连接焊盘延伸的变形细长元件；以及与所述第二连接焊盘和所述细长元件接触的焊料。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中：所述变形细长元件包括柱；所述焊料布置于具有一半径的焊盘上；并且从所述第二连接焊盘到所述柱的距离大于所述半径。3.根据权利要求1和2中任一项所述的半导体装置，其中，所述变形细长元件包括变形标志。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述细长元件的体积与所述焊料的体积相同。5.根据权利要求1和4中任一项所述的半导体装置，其中，所述细长元件的直径小于所述第一连接焊盘的直径。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘分别是由相等的第一半径和第二半径限定的圆形焊盘，所述变形细长元件具有高度，并且所述高度大于所述第一半径和所述第二半径中的每者。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述高度小于所述第一半径和所述第二半径中的每者的两倍。8.根据权利要求1和6中任一项所述的半导体装置，其中，所述焊料包括第一焊料材料，并且所述细长元件包括熔点高于所述第一焊料材料的第二焊料材料。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一板状元件或所述第二板状元件包括管芯。10.根据权利要求1和9中任一项所述的半导体装置，其中，所述第一板状元件或所述第二板状元件包括桥管芯。11.一种电子系统，包括：根据权利要求1所述的半导体装置；以及电耦接到所述第一板状元件的电气部件。12.根据权利要求11所述的系统，其中，所述电气部件包括天线。13.根据权利要求12所述的系统，其中，所述电气部件还包括触摸屏。14.根据权利要求11至13中任一项所述的系统，其中，所述电气部件还包括个人计算机。15.根据权利要求11至13中任一项所述的半导体装置，其中：所述变形细长元件包括柱；
所述焊料布置于具有一半径的焊盘上；并且从所述第二连接焊盘到所述柱的距离大于所述半径。16.根据权利要求11至13中任一项所述的半导体装置，其中，所述变形细长元件包括变形标志。17.根据权利要求11至13中任一项所述的半导体装置，其中，所述变形细长元件的体积与所述焊料的体积相同。18.一种组装半导体装置的方法，包括：将第一板状元件和第二板状元件加热到焊料回流温度；抵靠所述第二板状元件按压所述第一板状元件，直到从所述第一板状元件上的第一连接焊盘朝向所述第二板状元件上的第二连接焊盘延伸的细长元件发生变形。19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述细长元件的组装前高度包括柱和焊料帽盖，并且由于所述按压步骤迫使所述焊料帽盖回流而发生变形。20.根据权利要求18至19中任一项所述的方法，其中，所述细长元件的组装前高度包括柱，并且所述按压包括按压所述第一板状元件，直到所述细长元件接触所述第二连接焊盘，并且继续按压，直到到达选定的压缩极限。
技术总结
公开了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括第一板状元件，所述第一板状元件具有带有第一连接焊盘的第一基本上平面的连接表面；以及第二板状元件，所述第二板状元件具有带有对应于所述第一连接焊盘的第二连接焊盘的第二基本上平面的连接表面。该装置还可以包括电和物理耦接所述第一和第二板状元件并且布置于所述第一和第二连接焊盘之间的连接件。该连接件可以包括布置于第一连接焊盘上并且朝向第二连接焊盘延伸的变形细长元件，以及与第二连接焊盘和细长元件接触的焊料。连接焊盘和细长元件接触的焊料。连接焊盘和细长元件接触的焊料。
技术研发人员：O
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2022.08.19
技术公布日：2023/3/24