1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电层的俯视轮廓呈现十字型，且与所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的顶面直接接触。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第一栅极和所述第二栅极在所述第一方向上与所述导电层分离。
6.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
8.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
9.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括一介电材料填充在所述第一区域的所述第一沟槽与所述第二沟槽内，且覆盖所述导电层。
11.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述导电层电连接至位于所述基底的底面下方的一底部导线层，且所述底部导线层电耦接至接地端。
12.如权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，还包括一导电插塞穿过所述介电材料，设置在所述第一区域的所述第一沟槽与所述第二沟槽内，且电连接至所述导电层。
13.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
14.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一开口和所述第二开口互相交错，且形成所述第一开口和所述第二开口包括：
15.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一自对准离子注入工艺在所述第一开口以一第一倾斜角度和一第二倾斜角度进行离子注入。
16.如权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二自对准离子注入工艺在所述第二开口以一第三倾斜角度和一第四倾斜角度进行离子注入。
17.如权利要求16所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一倾斜角度、所述第二倾斜角度、所述第三倾斜角度和所述第四倾斜角度各自介于角度θa至角度θb之间，θa＝tan-1(lcd/ltr)，θb＝tan-1(w/2ltr)，其中lcd为所述第一开口在所述第二方向的宽度，ltr为所述第一开口和所述第二开口的相同深度，w为所述第二开口在所述第二方向的长度。
18.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：
19.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包括：
20.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，经由所述第一开口和所述第二开口，通过自对准金属硅化物工艺形成所述导电层。
21.如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，沉积导电材料于所述第一开口和所述第二开口中以形成所述导电层。