技术特征：
1.一种设备，包括：第一连接焊盘，所述第一连接焊盘在所述设备的第一表面上；第二连接焊盘，所述第二连接焊盘在所述设备的与所述第一表面相对的第二表面上；共形功率输送结构，所述共形功率输送结构包括：包括金属的第一电传导层，所述第一电传导层限定一个或多个凹陷；包括金属的第二电传导层，所述第二电传导层至少部分在所述第一电传导层的所述凹陷内并且具有与所述第一电传导层的上表面大致共形的下表面；以及在所述第一电传导层和所述第二电传导层的彼此共形的所述表面之间的电介质材料；其中所述第一电传导层被连接到所述第一连接焊盘的第一集合，并且所述第二电传导层被连接到所述第一连接焊盘的第二集合并且被连接到所述第二连接焊盘的集合；以及桥电路模块，所述桥电路模块用于将第一集成电路（ic）芯片与第二ic芯片连接，所述桥电路模块被连接到与第一连接焊盘的所述第一集合和第一连接焊盘的所述第二集合不同的第一连接焊盘的第三集合。2.如权利要求1所述的设备，其中，所述第一电传导层包括彼此电隔离的第一部分和第二部分，所述第一部分被连接到所述第一连接焊盘的所述第一集合，并且所述第二部分被连接到所述第二连接焊盘的第二集合。3.如权利要求1所述的设备，其中，共形功率输送结构是第一共形功率输送结构，并且所述设备进一步包括第二共形功率输送结构，所述第二共形功率输送结构包括：包括金属的第三电传导层，所述第三电传导层限定一个或多个凹陷；包括金属的第四电传导层，所述第四电传导层至少部分在所述第三电传导层的所述凹陷内并且具有与所述第三电传导层的上表面大致共形的下表面；以及在所述第三电传导层和所述第四电传导层的彼此共形的所述表面之间的电介质材料；其中所述第三电传导层被连接到所述第二连接焊盘的第二集合，并且所述第四电传导层被连接到所述第二连接焊盘的第四集合。4.如权利要求1所述的设备，其中：所述第二电传导层限定一个或多个凹陷；以及所述共形功率输送结构包括：包括金属的第三电传导层，所述第三电传导层至少部分在所述第二电传导层的所述凹陷内并且具有与所述第二电传导层的上表面大致共形的下表面；在所述第二电传导层和所述第三电传导层的彼此共形的所述表面之间的电介质材料；以及所述第三电传导层被连接到所述第二连接焊盘的第二集合。5.如权利要求1-4中任一项所述的设备，进一步包括重分布层，所述重分布层被连接到所述第一连接焊盘中的至少一个。6.如权利要求-4中任一项1所述的设备，进一步包括重分布层，所述重分布层被连接到所述第二连接焊盘中的至少一个。7.如权利要求1-4中任一项所述的设备，进一步包括在所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘的相应对之间的接线柱的集合，所述接线柱包括金属。8.如权利要求1-4中任一项所述的设备，其中，所述第一连接焊盘具有在大约10-150um
之间的间距，并且所述第二连接焊盘具有在大约150-250um之间的间距。9.一种芯片封装，包括：第一集成电路（ic）芯片；第二ic芯片；基底管芯设备，所述基底管芯设备通过所述基底管芯设备的第一表面上的第一连接焊盘而被连接到所述第一ic芯片和所述第二ic芯片，所述基底管芯设备包括：桥电路模块，所述桥电路模块被连接到所述第一ic芯片和所述第二ic芯片中的每个；共形功率输送结构，所述共形功率输送结构包括：包括金属的第一电传导层，所述第一电传导层限定一个或多个凹陷；包括金属的第二电传导层，所述第二电传导层至少部分在所述第一电传导层的所述凹陷内并且具有与所述第一电传导层的上表面大致共形的下表面；以及在所述第一电传导层和所述第二电传导层的彼此共形的所述表面之间的电介质材料；其中所述共形功率输送结构的所述第一电传导层和第二电传导层各自被连接到所述第一ic芯片和所述第二ic芯片中的一者或两者；以及第二连接焊盘，所述第二连接焊盘在所述基底管芯设备的与所述第一表面相对的第二表面上。10.如权利要求9所述的芯片封装，其中：所述第一ic芯片包括电压调节器电路模块；以及所述第一电传导层包括彼此电隔离的第一部分和第二部分，所述第一部分被连接到所述电压调节器电路模块的输出电压端子并且被连接到所述第一ic芯片和所述第二ic芯片中的一者或两者的处理器电路模块，所述第二部分被连接到所述第二连接焊盘的集合并且被连接到所述电压调节器电路模块的输入电压端子。11.如权利要求9所述的芯片封装，其中：所述第一ic芯片包括电压调节器电路模块；以及所述共形功率输送结构是第一共形功率输送结构，并且所述设备进一步包括第二共形功率输送结构，所述第二共形功率输送结构包括：包括金属的第三电传导层，所述第三电传导层限定一个或多个凹陷；包括金属的第四电传导层，所述第四电传导层至少部分在所述第三电传导层的所述凹陷内并且具有与所述第三电传导层的上表面大致共形的下表面；以及在所述第三电传导层和所述第四电传导层的彼此共形的所述表面之间的电介质材料；其中所述第三电传导层被连接到所述第二连接焊盘的集合并且被连接到所述电压调节器电路模块的输入电压端子，并且所述第一电传导层被连接到所述电压调节器电路模块的输出电压端子并且被连接到所述第一ic芯片和所述第二ic芯片中的一者或两者的处理器电路模块。12.如权利要求9所述的芯片封装，其中：所述第一ic芯片包括电压调节器电路模块；以及所述第二电传导层限定一个或多个凹陷；以及所述共形功率输送结构包括：包括金属的第三电传导层，所述第三电传导层至少部分在所述第二电传导层的所述凹
陷内并且具有与所述第二电传导层的上表面大致共形的下表面；在所述第二电传导层和所述第三电传导层的彼此共形的所述表面之间的电介质材料；所述第三电传导层被连接到所述第二连接焊盘的集合并且被连接到所述电压调节器电路模块的输入电压端子，并且所述第一电传导层被连接到所述电压调节器电路模块的输出电压端子并且被连接到所述第一ic芯片和所述第二ic芯片中的一者或两者的处理器电路模块。13.如权利要求9-12中任一项所述的芯片封装，进一步包括重分布层，所述重分布层被连接到所述第一连接焊盘中的至少一个。14.如权利要求9-12中任一项所述的芯片封装，进一步包括重分布层，所述重分布层被连接到所述第二连接焊盘中的至少一个。15.如权利要求9-12中任一项所述的芯片封装，进一步包括在所述第一连接焊盘和所述第二连接焊盘的相应对之间的接线柱的集合，所述接线柱包括金属。16.如权利要求9-12中任一项所述的芯片封装，其中，所述第一连接焊盘具有在大约10-150um之间的间距，并且所述第二连接焊盘具有在大约150-250um之间的间距。17.一种系统，包括：主电路板，所述主电路板包括功率输送结构；pmic，所述pmic被连接到所述主电路板的所述功率输送结构；基底管芯设备，所述基底管芯设备被连接到所述主电路板；以及第一集成电路（ic）芯片和第二ic芯片，所述第一ic芯片和所述第二ic芯片被连接到所述基底管芯；其中所述基底管芯设备包括：桥电路模块，所述桥电路模块被连接到所述第一ic芯片和所述第二ic芯片中的每个；共形功率输送结构，所述共形功率输送结构被连接到所述主板的所述功率输送结构，所述共形功率输送结构包括：包括金属的第一电传导层，所述第一电传导层限定一个或多个凹陷；包括金属的第二电传导层，所述第二电传导层至少部分在所述第一电传导层的所述凹陷内并且具有与所述第一电传导层的上表面大致共形的下表面；以及在所述第一电传导层和所述第二电传导层的彼此共形的所述表面之间的电介质材料；其中所述共形功率输送结构的所述第一电传导层和第二电传导层被连接到所述第一ic芯片和所述第二ic芯片中的一者或两者。18.如权利要求17所述的系统，进一步包括电压调节器电路模块，所述电压调节器电路模块用于从所述pmic接收电压并且基于来自所述pmic的所述电压来提供输出电压。19.如权利要求18所述的系统，其中，所述基底管芯设备进一步包括电压调节器电路模块，所述电压调节器电路模块在所述第一ic芯片或所述第二ic芯片中的一个中。20.如权利要求18所述的系统，其中，所述第一电传导层包括彼此电隔离的第一部分和第二部分，所述第一部分被连接到所述电压调节器电路模块的输出电压端子并且被连接到所述第一ic芯片和所述第二ic芯片中的一者或两者的处理器电路模块，所述第二部分被连接到所述pmic的输出电压端子并且被连接到所述电压调节器电路模块的输入电压端子。21.如权利要求18所述的系统，其中，共形功率输送结构是第一共形功率输送结构，并
且所述设备进一步包括第二共形功率输送结构，所述第二共形功率输送结构包括：包括金属的第三电传导层，所述第三电传导层限定一个或多个凹陷；包括金属的第四电传导层，所述第四电传导层至少部分在所述第三电传导层的所述凹陷内并且具有与所述第三电传导层的上表面大致共形的下表面；以及在所述第三电传导层和所述第四电传导层的彼此共形的所述表面之间的电介质材料；其中所述第三电传导层被连接到所述pmic的输出电压端子并且被连接到所述电压调节器电路模块的输入电压端子，并且所述第一电传导层被连接到所述电压调节器电路模块的输出电压端子并且被连接到所述第一ic芯片和所述第二ic芯片中的一者或两者的处理器电路模块。22.如权利要求18所述的系统，其中：所述第二电传导层限定一个或多个凹陷；以及所述共形功率输送结构包括：包括金属的第三电传导层，所述第三电传导层至少部分在所述第二电传导层的所述凹陷内并且具有与所述第二电传导层的上表面大致共形的下表面；在所述第二电传导层和所述第三电传导层的彼此共形的所述表面之间的电介质材料；以及所述第三电传导层被连接到所述pmic的输出电压端子并且被连接到所述电压调节器电路模块的输入电压端子，并且所述第一电传导层被连接到所述电压调节器电路模块的输出电压端子并且被连接到所述第一ic芯片和所述第二ic芯片中的一者或两者的处理器电路模块。23.如权利要求17-22中任一项所述的系统，其中，所述基底管芯设备进一步包括接线柱集合，所述接线柱集合将所述第一ic芯片或第二ic芯片中的一者或两者连接到所述主板的io电路模块。24.如权利要求17-22中任一项所述的系统，其中，与所述第一ic芯片和所述第二ic芯片通过接口连接的所述基底管芯设备的第一连接焊盘的间距在大约10-150um之间，并且与所述主板通过接口连接的所述基底管芯设备的第二连接焊盘的间距在大约150-250um之间。25.如权利要求17-22中任一项所述的系统，进一步包括封装衬底，所述封装衬底被连接在所述基底管芯设备与所述第一ic芯片和所述第二ic芯片之间，所述封装衬底包括被连接在所述基底管芯设备的所述共形功率输送结构和所述主板的所述功率输送结构之间的第二功率输送结构。
技术总结
在一个实施例中，基底管芯设备包括共形功率输送结构，所述共形功率输送结构包括限定一个或多个凹陷的第一电传导层以及至少部分在第一电传导层的凹陷内并且具有与第一电传导层的上表面大致共形的下表面的第二电传导层。所述共形功率输送结构还包括在第一电传导层和第二电传导层的彼此共形的表面之间的电介质材料。所述共形功率输送结构可以被连接到所述基底管芯设备的连接焊盘，例如以向被连接到所述基底管芯设备的集成电路（IC）芯片提供功率输送。所述基底管芯设备还包括用于将IC芯片彼此连接的桥电路模块。彼此连接的桥电路模块。彼此连接的桥电路模块。
技术研发人员：W
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2022.08.24
技术公布日：2023/3/28