技术特征：
1.一种用于功率电子电路的基材(1)，所述基材(1)具有片状绝缘体(2)并且具有其上设置有片状金属导体迹线的第二主面(20)和其上设置有片状金属叠层(3)的第一主面(20)，所述片状金属叠层(3)的第一部分叠层(4)和第二部分叠层(5)设置在所述绝缘体(2)的外边缘(22)处或附近，并且其中所述第一部分叠层(4)和第二部分叠层(5)通过沟槽(6)至少部分地从彼此分离，并且其中所述沟槽(6)：包括坝(7)，在这种情况下，所述沟槽(6)部分地填充有坝材料(70)，以留下剩余沟槽(66)，所述坝材料(70)的布置满足以下条件：
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在沟槽方向(600)上观察，所述坝材料的最大横截面积(800)为所述沟槽(6)的净横截面积(820)的至少30％；
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在沟槽方向(600)上观察，所述坝材料(70)的长度(802)是所述沟槽(6)的净深度(824)的至少50％；或者包括沟槽结构(9)，在所述沟槽结构(9)中，所述沟槽(6)具有不大于所述最大横截面积(800)的50％的净通道面积(810)或者不具有这样的净通道面积(810)；或者包括由坝(7)和沟槽结构(9)组成的混合形式。2.根据权利要求1所述的基材(1)，其特征在于：所述沟槽(6)到达所述第一主面(20)。3.根据权利要求1所述的基材(1)，其特征在于：所述坝材料(70)构造为第一坝材料(72)，所述第一坝材料(72)在构造上与所述第一部分叠层(4)和第二部分叠层(5)的材料相同。4.根据权利要求3所述的基材(1)，其特征在于：所述第一部分叠层(4)和第二部分叠层(5)与所述第一坝材料(72)构造成一体。5.根据权利要求1所述的基材(1)，其特征在于：所述坝材料(70)构造为第二坝材料(74)，所述第二坝材料(74)在构造上与从彼此完全分离的所述第一部分叠层(4)和第二部分叠层(5)的材料不同，并且所述第二坝材料(74)具有金属或非金属构造。6.根据权利要求5所述的基材(1)，其特征在于：所述第二坝材料(74)为塑料。7.根据权利要求1至6中任一项所述的基材(1)，其特征在于：所述最大横截面积(800)是沟槽(6)的净横截面积(820)的至少50％。8.根据权利要求7所述的基材(1)，其特征在于：所述最大横截面积(800)是沟槽(6)的净横截面积(820)的至少80％。9.根据权利要求7所述的基材(1)，其特征在于：所述最大横截面积(800)是沟槽(6)的净横截面积(820)的100％。10.根据权利要求1至6中任一项所述的基材(1)，其特征在于：在沟槽方向(600)上观察，所述坝材料(70)的长度(802)不超过所述沟槽(6)的长度(822)的50％。11.根据权利要求10所述的基材(1)，其特征在于：在沟槽方向(600)上观察，所述坝材料(70)的长度(802)不超过所述沟槽(6)的长度(822)的30％。
12.根据权利要求1至6中任一项所述的基材(1)，其特征在于：所述坝材料(70)的外边缘(702)在每种情况下直接与所述第一部分叠层(4)和第二部分叠层(5)的邻接外边缘(402、502)对齐。13.根据权利要求1至6中任一项所述的基材(1)，其特征在于：在每种情况下，所述坝材料(70)的外边缘(702)相对于所述第一部分叠层(4)和第二部分叠层(5)的邻接外边缘(402、502)以不超过所述沟槽(6)的净深度(824)的十倍缩回到所述沟槽(6)中。14.根据权利要求1至6中任一项所述的基材(1)，其特征在于：所述第一部分叠层(4)和第二部分叠层(5)的与所述沟槽(6)相邻的相应外边缘(402、502)与所述绝缘体(2)的相关联的外边缘(22)对齐。15.根据权利要求1至6中任一项所述的基材(1)，其特征在于：所述第一部分叠层(4)和第二部分叠层(5)的与所述沟槽(6)相邻的相应外边缘(402、502)相对于所述绝缘体(2)的相关联的外边缘(22)以不超过所述第一部分叠层(4)和第二部分叠层(5)的厚度(824)的十倍地缩回。16.根据权利要求15所述的基材(1)，其特征在于：所述第一部分叠层(4)和第二部分叠层(5)的与所述沟槽(6)相邻的相应外边缘(402、502)相对于所述绝缘体(2)的相关联的外边缘(22)以不超过所述第一部分叠层(4)和第二部分叠层(5)的厚度(824)的五倍地缩回。17.根据权利要求1所述的基材(1)，其特征在于：所述沟槽结构(9)选自以下局部结构中的一个或组合：a)具有蛇形轮廓的局部结构；b)具有弓形或s形轮廓的局部结构；c)具有一个或多个部分凹口的局部结构；d)具有圆锥形轮廓的局部结构。18.根据权利要求1或17所述的基材(1)，其特征在于：所述沟槽结构(9)已经通过构造所述金属叠层(3)的所述第一部分叠层(4)和第二部分叠层(5)中的至少一个来配置。19.根据权利要求1或17所述的基材(1)，其特征在于：所述沟槽结构(9)恒定地具有对应于所述第一部分叠层(4)和第二部分叠层(5)的厚度(824)的深度。20.一种用于生产根据权利要求3或4所述的基材(1)的方法，包括以下相继的方法步骤：
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提供初步基材，所述初步基材具有片状绝缘体(2)并具有其上设置有片状金属叠层(3)的第一主面(20)；
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结构化所述金属叠层(3)，其中在所述绝缘体(2)的边缘部分(24)上周围形成边缘叠层，所述边缘叠层包括在不少于一个点处的剩余沟槽(66)并且包括由第一部分叠层(4)形成的部分，第一部分叠层(4)一体地过渡到第一坝材料(72)内，第一坝材料(72)又一体地过渡到第二部分叠层(5)内。21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于所述结构化通过湿法蚀刻或通过机械加
工过程进行。22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于所述结构化通过铣削进行。
技术总结
提出了一种用于功率电子电路的基材，该基材具有片状绝缘体并且具有其上设置有片状金属导体迹线的第二主面并且具有其上设置有片状金属叠层的第一主面，其中第一部分叠层和第二部分叠层设置在绝缘体的外边缘处或附近，并且其中两个部分叠层通过优选地到达第一主面的沟槽至少部分地从彼此分离，并且其中所述沟槽包括坝，其中所述沟槽部分地填充有坝材料或包括沟槽结构。本发明还包括用于这种基材的一种布置的生产工艺。种布置的生产工艺。种布置的生产工艺。
技术研发人员：D
受保护的技术使用者：赛米控电子股份有限公司
技术研发日：2022.08.31
技术公布日：2023/3/3