一种提升效率的光阻回刻方法及装置与流程

1.本发明涉及半导体集成电路工艺技术领域，尤其涉及一种提升效率的光阻回刻方法及装置。


背景技术：

2.在金属栅极工艺中，通常会采用后金属栅极工艺，即先利用多晶硅伪栅极来形成器件的栅介质层、沟道区和源漏区，然后再将多晶硅伪栅极去除，在去除的多晶硅伪栅极位置上进行栅极金属填充，形成金属栅极。在去除多晶硅伪栅极之前，通常还需要在多晶硅伪栅极的顶部上形成包括氮化硅硬掩模层和氧化物硬掩模层等的多层膜层，故在去除多晶硅伪栅极之前，需要将多晶硅伪栅极上方的各个膜层也加以去除。
3.为避免在去除多晶硅伪栅极上方的各个膜层的过程中对多晶硅伪栅极以外的有源区等其他区域造成损伤，一般会通过一道光刻，将有源区等其他区域保护起来，并通过光阻回刻制程，修整器件中心区域和外围区域(输入输出区域)上由于之前制作外延锗硅源漏带来的nfet与pfet之间的结构上的高度差，使位于中心区域和外围区域上具有不同高度的各个多晶硅伪栅极的上方都能得到打开，以改善晶圆表面的整体均一性。
4.光阻回刻制程一般分为第一回刻和第二回刻两个独立的步骤。其中，第一回刻为刻蚀光阻的步骤，即将光刻后的光阻整体往下刻蚀，使位于中心区域和外围区域上的各个多晶硅伪栅极的上方都得到打开。第二回刻的主要目的，是对多晶硅伪栅极上方的各个膜层进行刻蚀，通常需要将多晶硅伪栅极上方的氧化物硬掩模层完全去除，并视不同的产品需求，停止在氮化硅硬掩模层上或是多晶硅伪栅极上。之后，可通过去胶工艺去除残余的光阻，并可在氮化硅修整刻蚀制程中，通过湿法刻蚀的方式将残余的氮化硅材料去除。
5.现有工艺中，由于第一回刻与第二回刻具有不同的污染等级，因而需要采用两个具有不同污染等级的刻蚀设备，来分别完成光阻回刻制程中的第一回刻和第二回刻两个独立的步骤，并需要采用具有不同污染等级的晶圆传送盒，对完成光阻刻蚀后的晶圆进行转运，即需要将经过第一回刻后的晶圆先通过一种污染等级的晶圆传送盒从用于第一回刻的一台刻蚀设备中传输出来，并转换到另一种污染等级的晶圆传送盒中，才能进一步传输进入用于第二回刻的另一台刻蚀设备中进行刻蚀。
6.同时，为了避免发生第一回刻时光阻刻蚀不足或过度问题，需要在晶圆被送入用于第二回刻的刻蚀设备前，对晶圆上剩余光阻的厚度进行测量。
7.上述现有工艺中，由于需要采用两个具有不同污染等级的刻蚀设备，来分别完成光阻回刻制程中的第一回刻和第二回刻两个独立的步骤，且在第一回刻和第二回刻之间需要设置针对剩余光阻厚度的测量步骤，还需要更换不同污染等级的晶圆传送盒进行晶圆传输，因而带来整个工艺周期较长的问题，导致效率较低。


技术实现要素：

8.本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种提升效率的光阻回刻
方法及装置。
9.为实现上述目的，本发明的技术方案如下：
10.本发明提供一种提升效率的光阻回刻方法，包括：
11.利用一个刻蚀腔，建立具有控制完整的光阻回刻制程的工艺菜单，所述刻蚀腔具有第二污染等级；
12.将完成光阻回刻前光刻的衬底，由第一污染等级的光刻设备送入第二污染等级的所述刻蚀腔中，连续完成所述完整的光阻回刻制程，所述完成光阻回刻前光刻的衬底上形成有伪栅极结构以及覆盖至少部分所述伪栅极结构的光阻；所述完整的光阻回刻制程包括用于刻蚀所述光阻的第一回刻步骤和用于刻蚀所述伪栅极结构中的氧化物硬掩模层的第二回刻步骤，所述第一污染等级低于所述第二污染等级。
13.进一步地，执行所述第一回刻步骤时，通过向所述刻蚀腔中通入o2气体和h2气体，对覆盖在所述衬底上的所述光阻进行部分刻蚀，使所述伪栅极结构的顶面露出。
14.进一步地，通过减小所述o2气体与所述h2气体之间的比率，降低对所述光阻的刻蚀速率，以抵消第二污染等级的所述刻蚀腔对所述光阻的刻蚀速率产生的加速效应。
15.进一步地，执行所述第二回刻步骤时，通过停止向所述刻蚀腔中通入o2气体和h2气体，并向所述刻蚀腔中通入cf4气体和chf3气体，以及进行氩气轰击，对所述伪栅极结构中的氧化物硬掩模层进行去除。
16.进一步地，进行所述光刻前，还包括：先在包括所述伪栅极结构在内的所述衬底上覆盖刻蚀停止层，再在所述刻蚀停止层上覆盖所述光阻后，进行所述光刻。
17.进一步地，在完成所述第二回刻步骤后，利用对所述刻蚀停止层的剩余厚度进行测量步骤，对完成所述第一回刻步骤后的所述光阻的剩余厚度是否符合标准进行反向验证。
18.本发明还提供一种提升效率的光阻回刻装置，包括：
19.一个刻蚀腔，其具有第二污染等级；
20.控制模块，其建立有用于进行完整的光阻回刻制程的工艺菜单；
21.其中，在将完成光阻回刻前光刻的衬底，由第一污染等级的光刻设备送入第二污染等级的所述刻蚀腔中后，通过所述控制模块按照所述工艺菜单控制所述刻蚀腔连续完成所述完整的光阻回刻制程；
22.其中，所述完成光阻回刻前光刻的衬底上形成有伪栅极结构以及覆盖至少部分所述伪栅极结构的光阻；所述完整的光阻回刻制程包括用于刻蚀所述光阻的第一回刻步骤和用于刻蚀所述伪栅极结构中的氧化物硬掩模层的第二回刻步骤，所述第一污染等级低于所述第二污染等级。
23.进一步地，还包括：
24.工艺气体输入管路，包括连接所述刻蚀腔的第一管路、第二管路、第三管路和第四管路，所述第一管路上设有第一控制阀，所述第二管路上设有第二控制阀，所述第三管路上设有第三控制阀，所述第四管路上设有第四控制阀，所述第一控制阀至所述第四控制阀连接所述控制模块。
25.进一步地，所述控制模块通过执行所述工艺菜单，在进行所述第一回刻步骤时，控制关闭所述第三控制阀和所述第四控制阀，打开所述第一控制阀和所述第二控制阀，以通
过所述第一管路和所述第二管路向所述刻蚀腔中分别通入具有第一流量配比的o2气体和h2气体，对覆盖在所述衬底上的光阻进行部分刻蚀，使所述伪栅极结构的顶面露出，在进行所述第二回刻步骤时，控制关闭所述第一控制阀和所述第二控制阀，打开所述第三控制阀和所述第四控制阀，以通过所述第三管路和所述第四管路向所述刻蚀腔中分别通入具有第二流量配比的cf4气体和chf3气体，以及控制进行氩气轰击，对所述伪栅极结构中的氧化物硬掩模层进行去除。
26.由上述技术方案可以看出，本发明通过对光阻回刻制程进行整合，将原有光阻回刻制程中需要在不同污染等级的两个刻蚀腔中分别进行的第一回刻步骤和第二回刻步骤合并在同一个刻蚀腔中连续完成，并建立了一个包含第一回刻步骤和第二回刻步骤的完整光阻回刻制程的新工艺菜单，从而能够按照新工艺菜单在同一个刻蚀腔中完成完整的光阻回刻制程，可在保证原有第一回刻步骤的刻蚀结果稳定性基础上，省略原本需要在第一回刻步骤和第二回刻步骤之间进行剩余光阻厚度测量的步骤，并可节约晶圆传送时间，同时还能避免原本在第一回刻步骤与第二回刻步骤之间可能发生的超等待时间的风险，明显缩短了工艺流程，因此提高了光阻回刻的整体效率。
附图说明
27.图1为本发明一较佳实施例的一种提升效率的光阻回刻方法的流程图；
28.图2-图7为本发明一较佳实施例的一种根据图1的方法进行光阻回刻时的有关工艺步骤示意图；
29.图8为本发明一较佳实施例的一种提升效率的光阻回刻装置的结构原理图。
具体实施方式
30.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
31.下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。
32.请参阅图1，图1为本发明一较佳实施例的一种提升效率的光阻回刻方法的流程图。如图1所示，本发明的一种提升效率的光阻回刻方法，包括：
33.利用一个刻蚀腔，建立具有控制完整的光阻回刻制程的工艺菜单，刻蚀腔具有第二污染等级；
34.将完成光阻回刻前光刻的衬底，由第一污染等级的光刻设备送入第二污染等级的刻蚀腔中，连续完成完整的光阻回刻制程。
35.其中，完成光阻回刻前光刻的衬底上形成有伪栅极结构以及覆盖至少部分伪栅极结构的光阻；完整的光阻回刻制程包括用于刻蚀光阻的第一回刻步骤和用于刻蚀伪栅极结构中的氧化物硬掩模层的第二回刻步骤；第一污染等级低于第二污染等级。
36.下面以制作一种金属栅极结构的方法为例，并结合图2-图7，对本发明上述的一种提升效率的光阻回刻方法的实现过程进行详细说明。
37.请参阅图2。首先，可在一个半导体衬底10上，例如硅衬底10上形成制作金属栅极过程中的伪栅极结构11。具体可包括：
38.在硅衬底10上制作形成隔离结构20，隔离出有源区，包括中心区域的有源区和外围区域的有源区。隔离结构20例如可以是浅沟槽隔离结构20等。
39.在中心区域的有源区上制作形成中心区域的n型场效应晶体管(nfet)和p型场效应晶体管(pfet)的伪栅极结构11，和在外围区域的有源区上制作形成外围区域的n型场效应晶体管(nfet)和p型场效应晶体管(pfet)的伪栅极结构11。
40.其中，各场效应晶体管的伪栅极结构11中都包括：多晶硅伪栅极层16，氮化硅硬掩模层15和氧化物硬掩模层14；在伪栅极结构11的外侧形成有侧墙，侧墙可包括位于内侧的第一侧墙19和位于第一侧墙19外侧的第二侧墙18。侧墙材料例如可采用氮化硅。
41.在各场效应晶体管的伪栅极结构11两侧的有源区上形成有源区和漏区。其中，在中心区域的p型场效应晶体管(pfet)的源区或漏区形成有外延锗硅层13，因而在形成锗硅源漏的刻蚀过程中，造成各场效应晶体管的伪栅极结构11之间在高度上的差异。
42.此外，中心区域的两个场效应晶体管的伪栅极结构11的尺寸，与外围区域的两个场效应晶体管的伪栅极结构11的尺寸也存在较大差异，即外围区域的两个场效应晶体管的伪栅极结构11的尺寸明显大于中心区域的两个场效应晶体管的伪栅极结构11的尺寸。
43.为了在进行光阻回刻时，对伪栅极结构11以外的有源区进行保护，可在形成的上述器件结构的表面上覆盖一层氮化硅刻蚀停止层17。
44.然后，可在形成的上述器件结构的表面上涂覆光阻12，并进行光阻回刻前光刻。
45.请参阅图3。完成光阻回刻前光刻后，在外围区域的两个场效应晶体管的伪栅极结构11上方形成光阻打开窗口21，露出伪栅极结构11顶面上的氮化硅刻蚀停止层17表面。
46.通过第一污染等级的晶圆传送盒，将完成光阻回刻前光刻后的硅衬底10由第一污染等级的光刻设备中转出。然后，对完成光阻回刻前光刻后的硅衬底10上的光阻12厚度进行测量。
47.之后，将完成光阻回刻前光刻后的硅衬底10，通过第一污染等级的晶圆传送盒转运至第二污染等级的晶圆传送盒中，再通过第二污染等级的晶圆传送盒将完成光阻回刻前光刻后的硅衬底10送入第二污染等级的本发明的一个刻蚀腔201中，在刻蚀腔201中进行完整的光阻回刻制程。
48.其中，第二污染等级例如可以是含有金属离子污染的一种较高的污染等级，而第一污染等级可以是不含有金属离子污染的另一种较低的污染等级。现有光阻回刻制程包括用于刻蚀光阻12的第一回刻步骤和用于刻蚀伪栅极结构11中的氧化物硬掩模层14的第二回刻步骤。其中，第一回刻步骤具有第一污染等级，需要在具有第一污染等级的一个刻蚀腔中独立进行；第二回刻步骤具有第二污染等级，需要在具有第二污染等级的另一个刻蚀腔中独立进行。本发明通过对现有光阻回刻制程进行整合，将现有光阻回刻制程中需要在不同污染等级的两个刻蚀腔中分别进行的第一回刻步骤和第二回刻步骤合并在本发明的同一个刻蚀腔201中连续完成，并建立了一个包含第一回刻步骤和第二回刻步骤的完整的光阻回刻制程的新工艺菜单。
49.请参阅图4，在一较佳实施例中，在本发明的同一个刻蚀腔201中先执行第一回刻步骤时，通过向刻蚀腔201中通入o2气体和h2气体，对覆盖在衬底10上经光刻后的光阻12进行部分刻蚀，使各场效应晶体管的伪栅极结构11的顶面都得到打开，并露出伪栅极结构11顶面上的氮化硅刻蚀停止层17表面。
50.利用剩余的光阻12，可对伪栅极结构11以外的有源区表面进行保护。
51.在一较佳实施例中，由于第二污染等级的刻蚀腔201中存在金属离子污染，其会在对光阻12进行刻蚀时，对原有的刻蚀速率起到加快作用；因此，本步骤中，可通过减小o2气体与h2气体之间的比率，降低对光阻12的刻蚀速率，以抵消第二污染等级的刻蚀腔201对光阻12的刻蚀速率产生的加速效应。
52.在一较佳实施例中，o2气体与h2气体之间的比率可满足：
53.o2：h2＜1：10
54.请参阅图5。在完成第一回刻步骤后，通过工艺菜单将直接进入第二回刻步骤。此时，停止向刻蚀腔201中通入o2气体和h2气体，并向刻蚀腔201中通入cf4气体和chf3气体，同时进行氩气轰击，将各伪栅极结构11顶面上的氮化硅刻蚀停止层17打开，并完成针对氮化硅刻蚀停止层17下方伪栅极结构11中的氧化物硬掩模层14的去除刻蚀。
55.在一较佳实施例中，cf4气体与chf3气体之间的比率可满足：
56.cf4：chf3＝1：1
57.本发明通过对现有光阻回刻制程中原本需要分别独立进行的污染等级较低的第一回刻步骤和污染等级较高的第二回刻步骤进行整合，并通过在原有仅用于第一回刻步骤的刻蚀腔中加入第二回刻步骤，形成具有完整光阻回刻制程的新的刻蚀工艺菜单，从而实现能够在同一个刻蚀腔中连续完成两个具有高低不同的污染等级的刻蚀步骤的新工艺体系，拓展了将污染等级较高的制程反向纳入污染等级较低的制程的新工艺路线。并且，在执行第一回刻步骤时，通过减小o2气体与h2气体之间的比率，以降低对光阻12的刻蚀速率，成功抵消了已具有第二污染等级的新的刻蚀腔201对光阻12的刻蚀速率产生的加速效应；同时，通过在第二回刻步骤中辅以氩气轰击，提高对氮化硅刻蚀停止层17的打开效果，并加快对氧化物硬掩模层14的去除速率。从而克服了以往只能在一个刻蚀腔中进行相同污染等级的工艺的传统工艺路线的局限性。
58.因此，本发明通过对现有第一回刻步骤工艺菜单和第二回刻步骤工艺菜单进行调整优化，形成包含第一回刻步骤和第二回刻步骤的完整光阻回刻制程的新工艺菜单，可保证第二回刻步骤的刻蚀后，各测量数据及伪栅极结构形貌的稳定性。
59.在完成第二回刻步骤，即完成整个光阻回刻制程后，中心区域的两个场效应晶体管的伪栅极结构11与外围区域的两个场效应晶体管的伪栅极结构11之间在高度上的原有差距得到了有效缩小。并且，剩余的光阻12及其下方的伪栅极结构11以外的有源区表面覆盖的氮化硅刻蚀停止层17，对伪栅极结构11以外的有源区表面形成了良好保护。
60.第二回刻步骤中，可将多晶硅伪栅极上方的氧化物硬掩模层14完全去除，并视不同的产品需求，停止在氮化硅硬掩模层15上或是多晶硅伪栅极层16上。图示为停止在多晶硅伪栅极层16上时的一个示例。
61.请参阅图6。在同一个刻蚀腔201中完成完整的光阻回刻制程后，即可将形成有上述器件的硅衬底10转送入另一个工艺腔进行去胶工艺，通过去胶工艺，将光阻回刻制程后
残余的光阻12去除。
62.在一较佳实施例中，可采用灰化工艺和湿法清洗工艺，将光阻回刻制程后残余的光阻12去除。
63.去除残余的光阻12后，多晶硅伪栅极层16以外区域上覆盖的剩余的氮化硅刻蚀停止层17就完全暴露出来。
64.接着，即可利用对氮化硅刻蚀停止层17的剩余厚度进行测量的常规步骤，对完成第一回刻步骤后的光阻12的剩余厚度是否符合标准进行反向验证。即如果测量出的氮化硅刻蚀停止层17的剩余厚度在设定的刻蚀停止层剩余厚度范围内，就表明第一回刻步骤后的光阻12的剩余厚度也符合光阻剩余厚度标准的要求。
65.进一步地，对氮化硅刻蚀停止层17的剩余厚度进行测量时，可还包括对侧墙顶端高出多晶硅伪栅极顶面的突出部22的高度(牛角高度)进行测量。并且，可当测量出的氮化硅刻蚀停止层17的剩余厚度在设定的刻蚀停止层剩余厚度范围内，且测量出的侧墙顶端高出多晶硅伪栅极顶面的突出部22的高度同时也在设定的牛角高度范围内，即表明第一回刻步骤后的光阻12的剩余厚度也符合光阻剩余厚度标准的要求。从而进一步保证了反向验证的有效性。
66.请参阅图7。在完成残余光阻12的去除后，即可将去除残余光阻12后的硅衬底10转送入下一个工艺腔，继续进行光阻回刻制程后的氮化硅修整刻蚀制程。
67.在一较佳实施例中，可采用湿法刻蚀工艺，去除氮化硅刻蚀停止层17，以及伪栅极结构11上残余的氮化硅硬掩模层15和氮化硅第二侧墙18，保留氮化硅第一侧墙19。
68.通过此步骤，还可对之前步骤中产生的牛角高度进行消除，获得具有良好形貌的伪栅极结构11。
69.之后，可采用常规工艺，对伪栅极结构11中的多晶硅伪栅极层16进行去除，并在去除多晶硅伪栅极层16后产生的空腔位置上进行栅极金属填充，形成金属栅极。
70.在制作上述金属栅极过程中，可以看出，采用本发明的上述方法，可以节约一个原用于进行光阻回刻制程的第二回刻步骤的工艺腔，减少一道在不同污染等级的晶圆传送盒之间传输晶圆衬底10的步骤，并省去了原有在光阻回刻制程的第一回刻步骤和第二回刻步骤之间进行的剩余光阻厚度测量步骤，从而明显节约了工艺时间，提升了效率。
71.下面通过具体实施方式并结合附图，对本发明的一种提升效率的光阻回刻装置进行详细说明。
72.请参阅图8。本发明的一种提升效率的光阻回刻装置200，可用于实现上述本发明的一种提升效率的光阻回刻方法，以应用于制作一种金属栅极。装置200可包括：刻蚀腔201，工艺气体输入管路，以及控制模块210等几个主要结构组成部分。
73.其中，刻蚀腔201为一个。并且，刻蚀腔201具有第二污染等级。刻蚀腔201用于对由低于第二污染等级的第一污染等级的光刻设备送入的形成有伪栅极结构11并完成光阻回刻前光刻的衬底10进行完整的光阻回刻制程。
74.工艺气体输入管路用于向刻蚀腔201提供光阻回刻制程需要的各种工艺气体。工艺气体输入管路可包括连接刻蚀腔201的第一管路202、第二管路204、第三管路207和第四管路209。其中，第一管路202上可设有第一控制阀203，第二管路204上可设有第二控制阀205，第三管路207上可设有第三控制阀206，第四管路209上可设有第四控制阀208。
75.第一控制阀至第四控制阀203、205、206、208连接控制模块210。
76.控制模块210建立有用于进行完整的光阻回刻制程的工艺菜单，并用于按照工艺菜单，控制刻蚀腔201连续完成对衬底10进行完整的光阻回刻制程。
77.在一可选实施例中，第一管路202可用于向刻蚀腔201提供o2气体；第二管路204可用于向刻蚀腔201提供h2气体；第三管路207可用于向刻蚀腔201提供cf4气体；第四管路209可用于向刻蚀腔201提供chf3气体。但也可以进行相互交换。
78.工艺菜单上建立的光阻回刻制程模式，可包括用于刻蚀光阻12的第一回刻步骤和用于刻蚀伪栅极结构11中的氧化物硬掩模层14的第二回刻步骤。
79.在一较佳实施例中，控制模块210通过执行工艺菜单，在进行第一回刻步骤时，控制关闭第三管路207上的第三控制阀206和第四管路209上的第四控制阀208，打开第一管路202上的第一控制阀203和第二管路204上的第二控制阀205，以通过第一管路202和第二管路204向刻蚀腔201中分别通入具有第一流量配比的o2气体和h2气体，对覆盖在衬底10上的光阻12进行部分刻蚀，使伪栅极结构11的顶面露出。
80.控制模块210还通过执行工艺菜单，在进行第二回刻步骤时，控制关闭第一控制阀203和第二控制阀205，打开第三控制阀206和第四控制阀208，以通过第三管路207和第四管路209向刻蚀腔201中分别通入具有第二流量配比的cf4气体和chf3气体，以及控制进行氩气轰击，对伪栅极结构11中的氧化物硬掩模层14进行去除。
81.在一较佳实施例中，第一流量配比可满足：
82.o2：h2＜1：10
83.在一较佳实施例中，第二流量配比可满足：
84.cf4：chf3＝1：1
85.在一可选实施例中，刻蚀腔201可以是能够产生等离子体刻蚀气体的刻蚀腔201。
86.在一可选实施例中，控制模块210可设于光阻回刻装置200上或设于光阻回刻装置200外部，并可与生产执行系统相连接。
87.在一可选实施例中，控制模块210可连接上位机211，实现对光阻回刻的远程控制。
88.在一可选实施例中，还可在光阻回刻装置200的图形用户界面上设置控制模块210的操纵菜单，以便根据数据测量结构，在图形用户界面上对光阻回刻制程工艺菜单上的设定值进行现场修改。因此，可实现对光阻回刻制程的现场及远程的二级控制。
89.综上，本发明通过对光阻回刻制程进行整合，将原有光阻回刻制程中需要在不同污染等级的两个刻蚀腔中分别进行的第一回刻步骤和第二回刻步骤合并在同一个刻蚀腔201中连续完成，并建立了一个包含第一回刻步骤和第二回刻步骤的完整光阻回刻制程的新工艺菜单，从而能够按照新工艺菜单在同一个刻蚀腔201中完成完整的光阻回刻制程，可在保证原有第一回刻步骤的刻蚀结果稳定性基础上，省略一个刻蚀腔以及省略原本需要在第一回刻步骤和第二回刻步骤之间进行剩余光阻厚度测量的步骤，并可节约晶圆传送时间，同时还能避免原本在第一回刻步骤与第二回刻步骤之间可能发生的超等待时间的风险，明显缩短了工艺流程，因此提高了光阻回刻的整体效率。
90.虽然在上文中详细说明了本发明的实施方式，但是对于本领域的技术人员来说显而易见的是，能够对这些实施方式进行各种修改和变化。但是，应理解，这种修改和变化都属于权利要求书中所述的本发明的范围和精神之内。而且，在此说明的本发明可有其它的
实施方式，并且可通过多种方式实施或实现。